DK160849B - Modstandskomposition, som er kompatibel med kobberledere og kan braendes i en praktisk taget ikke-oxiderende atmosfaere - Google Patents
Modstandskomposition, som er kompatibel med kobberledere og kan braendes i en praktisk taget ikke-oxiderende atmosfaere Download PDFInfo
- Publication number
- DK160849B DK160849B DK341179A DK341179A DK160849B DK 160849 B DK160849 B DK 160849B DK 341179 A DK341179 A DK 341179A DK 341179 A DK341179 A DK 341179A DK 160849 B DK160849 B DK 160849B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- weight
- tcr
- parts
- solids
- resistance
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/013—Thick-film circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06566—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of borides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
DK 160849 B
Den foreliggende opfindelse angår en modstandskomposition, som er kompatibel med kobberledere og kan brændes i en praktisk taget ikke-oxiderende atmosfære, bestående i hovedsagen af uorganiske pulverformede faste stoffer dis-5 pergeret i en organisk bærer, hvor at faststof-indholdet i hovedsagen består af A. 1-20 vægtdele, beregnet på vægten af faste stoffer, at et TCR-modificeringsmiddel, der er i hovedsagen ikke-reaktionsdygtigt med og ikke-reducerbart af det ledende 10 materiale, og B. 99-80 vægtdele, beregnet på vægten af de faste stoffer, af a. 10-95 vægtdele, beregnet på vægten af (a) + (b), af et ledende materiale valgt blandt LaB6, YB6, hexa- 15 borider af de sjældne jordarter, CaB6, BaB6 og SrBg, og b. 90-5 vægtdele, beregnet på vægten af (a) + (b), af et glas, og denne komposition er ejendommelig ved, at TCR-modifice-20 ringsmidlet er valgt blandt TiO og dets precursors af højere iltningstrin T13O5 og Ti203, NbO, TaO, Ge, SiC, forbindelser baseret på grupperne III A og V A i det periodiske system, forbindelser baseret på grupperne II B og VI A i det periodiske system, samt nitrider af sjældne jordarter og nitrider 25 af gruppe III B.
Modstands- og lederkompositioner, der anbringes og brændes på dielektriske materialer (glas, glas/keramik og keramik), omfatter almindeligvis findelte uorganiske pulvere (f.eks. metalpartikler og bindemiddelpartikler) og anbringes 30 almindeligvis på underlagene under anvendelse af de såkaldte tykfilmmetoder som en dispersion af disse uorganiske pulvere i indifferente flydende medier eller bærere. Efter brænding eller sintring af filmen udøver metalkomponenten i kompositionen den egentlige funktion (som modstand eller leder), 35 medens det uorganiske bindemiddel (f.eks. glas eller krystallinske oxider såsom Bi203) binder metalpartiklerne til hin-
DK 160849 B
2 anden og til underlaget. Tykfilmmetoden er således forskellig fra tyndfilmmetoden, der omfatter afsætning af partikler ved afdampning eller forstøvning, og tykfilmmetoden findes nærmere beskrevet f.eks. i "Handbook og Materials and 5 Processes for Electronics", C.A. Harper, McGraw-Hill, N.Y., 1970, kapitel 12.
Et af de vigtigste karakteristika for elektriske modstande er deres TCR-værdier, og det gælder for mange kendte modstande baseret på f.eks. ædelmetaller, at de er i 10 besiddelse af visse uønskede egenskaber såsom høje TCR-værdier, se f.eks. US patentskr if terne nr. 2.924.540 og nr. 3.052.573.
Senere har man fundet frem til visse elektrisk ledende materialer, hvis specifikke modstand faktisk er afhængig af 15 temperaturen over et bredt temperaturområde, se f.eks. US patentskrifterne nr. 3.583.931 og nr. 3.553.109, men modstande baseret på de deri beskrevne pyrochlor-beslægtede materialer har vist sig at være inkompatible med kobberledere under visse betingelser. Pra Chemical Abstracts, (85), nr.
20 16, 1976. ref.nr. 115.610W, kendes der et modstandsmateriale bestående af 30-50 vægt-% silicium, 30-45 vægt-% barium-hexaborid og resten glas. Den høje andel af silicium giver en usædvanlig negativ TCR-værdi.
Modstande, der er kompatible med kobberledere, har 25 man for nylig fundet frem til, og de er beskrevet i DK patentansøgning nr. 3412/79 (EP-A 8437), men selv om disse modstande har relativt lave TCR-værdier, er der mange anvendelser, som kræver endnu lavere TCR-værdier.
TCR-modificeringsmidlerne, der anvendes i modstands-30 kompositionen ifølge opfindelsen, udgør 1-20 vægtdele af faststofindholdet i modstandskompositionerne, og faststofindholdet i modstandskompositionerne ifølge opfindelsen består i hovedsagen af et ledende materiale såsom lanthanum-hexaborid (LaB6), yttriumhexaborid (YBg), hexaboriderne af 35 de sjældne jordarter, calciumhexaborid (CaB6), bariumhexa-borid (BaB6), strontiumhexaborid (SrBg) eller blandinger
DK 160849 B
3 deraf, samt et glas og TCR-modificeringsmidler. Vægtforholdet mellem hexaborid og glas ligger mellem 10:90 og 95:5.
Modstandskompositionen består af det ovenfor nævnte faststofindhold dispergeret i en bærer, der kan være en 5 opløsning af et organisk polymert materiale i et opløsningsmiddel, og den er kompatibel med kobberledere og kan brændes i en ikke-oxiderende atmosfære. TCR-modificeringsmidlerne, som er halvledere, omfatter ifølge opfindelsen bl.a. TiO,
Ge og Sic.
10 TCR-modificeringsmidlerne, der anvendes i komposi tionen ifølge opfindelsen, udgør 1-20 vægtdele, baseret på faststof-indholdet af modstandskompositionen ifølge opfindelsen, fortrinsvis 2,5-15 og især 2,5-10 vægtdele, navnlig 1-4 vægtdele.
15 Almindeligvis vil tykfilmmodstandskompositioner, medmindre de er modificeret, have forholdsvis høje positive TCR-værdier i det lave modstandsområde for modstandsfilmene og negative værdier i det høje modstandsområde. En sådan opførsel menes at skyldes dominansen af den funktionelle 20 metalfase i det lave modstandsområde, medens det i det høje modstandsområde er halvlederegenskaberne for overgangene mellem den funktionelle fase og glas, der dominerer.
For at være anvendelige TCR-modificeringsmidler for de her omhandlede modstandskompositioner skal TCR-modifice-25 ringsmidlerne, der anvendes ifølge opfindelsen, være praktisk taget ikke-reaktionsdygtige med den funktionelle hexaboridfase og ikke reducerbare af hexaboridet.
De TCR-modificeringsmidler, der opfylder disse krav, er TiO og dets precursors med højere iltningstrin T13O5 og 30 T12O3, samt NbO, Tao, Ge, sic og forbindelser baseret på grupperne III A og V A i det periodiske system, såsom gal-liumarsenid (GeAs) og forbindelser baseret på grupperne II B og VI A i det periodiske system såsom cadmiumtellurid (CdTe), nitrider af de sjældne jordarter og visse nitrider 35 af gruppe III B såsom LaN eller blandinger deraf.
Den foreliggende opfindelse ligger i en udvælgning
DK 160849 B
4 af TCR-modificeringsmidler til de omhandlede modstandskom-positioner, og den er baseret på en kombination af betragtninger.
Selv om man kan forestille sig et reaktionsskema som 5 det nedenfor anførte, menes en sådan reaktion kun at foregå i begrænset grad, hvis Si og de øvrige nævnte i det hele taget er egnede som TCR-modificeringsmidler ifølge opfindelsen:
LaBg +xSi -» LaSix+6B.
10 Ge er også modstandsdygtig mod reduktion af hexabo- riderne, idet GeH4 menes at være et usandsynligt slutprodukt i nærværelse af hexaborider.
Det vides, at hexaborider såsom LaBg er stærke reduktionsmidler, og deres reaktion med metaloxider (MO) er som 15 følger:
LaBg + 10,5 MO -» 0,5 La203 + 3B203 + 10,5 M Ud fra termodynamiske beregninger og tilnærmelser vil Gibbs' fri dannelsesenergi, Δ F°, være 0 (ved 900°C, den omtrentlige gennemsnitstemperatur, ved hvilken tykfilmmodstandsfilm 20 dannes af kompositionerne ifølge opfindelsen), når A F° (M- 0) er ca. -80,8 kJ/mol. Dette betyder, at kun de halviederoxider, som har en A F° (for hver M-O-binding i molekylet) på mindre end -80,8 kJ/mol, vil være tilfredsstillende TCR-modificeringsmidler i kompositionen ifølge opfindelsen.
25 Under disse omstændigheder kan der ikke være nogen reaktion mellem LaBg og de TCR-modificerende oxider. For TiO er f.eks.
Δ Fe (ved 900°C) -96,65 kJ/mol, hvilket viser, at Tio teoretisk er et tilfredsstillende TCR-modificeringsmiddel til anvendelse ifølge opfindelsen.
30 Selv om A Fe-værdierne (ved 1200°K) for Ti203 og Ti305 er henholdsvis -94,8 og -92,0 kJ/Ti-O-binding, og der derfor ikke kan forventes nogen reduktion med LaBg, vil en potentiel trinvis reduktion under brændingen føre til TiO, der er et godt TCR-modificeringsmiddel. De her anførte termodynamiske 35 data er baseret på tabeller i Bulletin 542, Bureau of Mines, "Contributions to the Data on Theoretical Metallurgy, XII.
DK 160849 B
5
Heats and Free Energies of Formation of Inorganic Oxides" af J.P. Coughlin, 1954. A FeLaB6 skønnedes at være ca. 10% mindre end dets rapporterede A H° på -30,7 kJ/mol, se Chem. Abstr., 70:61844 v).
5 Blandt de ovenfor nævnte TCR-modificeringsmidler er
TiO og Ge at foretrække, idet anvendelse af dem fører til tykfilmmodstandsfilm med gode elektriske egenskaber, god stabilitet og god adhæsion til underlaget.
Effektiviteten af disse TCR-modificeringsmidler kan 10 kun bedømmes i det rigtige perspektiv, hvis de, foruden at nedsætte TCR-værdien for en modstand, hvortil de er sat, henimod ideal-værdien nul, bevirker, at den modificerede modstand ligger til venstre for dens såkaldte "universalkurve " .
15 Det har vist sig, at for et givet tykfilmmodstands- system (samme leder, lignende typer og mængder af glasser af lignende partikelstørrelse), vil afsætningen af tCr-vær-dierne mod logaritmen af den specifikke modstand (ohm/kva-drat/tykkel se) være en kurve, der nærmer sig en ret linie 20 med negativ hældning, hvilken linie passerer fra det positive TCR-område ind i det negative TCR-område. Effektive TCR-modificeringsmidler giver tykfilmmodstande med datapunkter for TCR/specifik modstand til venstre for universal-kurven svarende til det ikke-modificerede modstandssystem.
25 Forskellige tykfilmmodstandssystemer har forskellige universal-kurver og inden for hvert system aftager TCR-vær-dierne, efterhånden som den specifikke modstand stiger. Da der til forskellige endelige anvendelser kan tolereres forskellige maksimum-TCR-værdier, kan mængden og typen af TCR-30 modificeringsmiddel afhænge af den specielle anvendelse for modstandssystemet og af, om det laveste eller højeste modstandsområde er nødvendigt. Selv om der almindeligvis ikke kendes nogen acceptabel absolut maksimum-TCR-værdi, menes det, at modstande med en TCR-værdi uden for området ± 250 35 ppm/“C vil være uacceptable.
Den resterende del af faststof-indholdet i modstands-
DK 160849 B
6 kompositionen ifølge opfindelsen, dvs. 99-80 vægtdele, udgøres af et ledende materiale og et glas.
En speciel foretrukken kombination af ledende materiale og glas er en kombination, hvori lederen er et hexa-5 borid såsom lanthanumhexaborid (LaBg), yttriumhexaborid (YBg), hexaborider af de sjældne jordarter, calciumhexaborid (CaBg), bariumhexaborid (BaB6), strontiumhexaborid (SrBg) eller blandinger deraf, og glasset er et ikke-reducerbart glas. Et sådant produkt er beskrevet i DK patentansøgning 10 nr. 3412/79, jf. også EP-A-8437.
Der kan også anvendes andre almindeligt kendte glasser, der bl.a. indeholder MgO, CaO, SrO, BaO, Zr02, MnO, Fe2°3' Co°, ZnO og/eller B2O3. Disse glasser fremstilles ved sædvanlig glasfremstillingsteknik ved sammenblanding af 15 de ønskede komponenter (eller precursors herfor, f.eks.
H3BO3 for B2O3) i de ønskede mængder og opvarmning af blandingen til dannelse af en smelte. Som det er velkendt, udføres opvarmningen til en spids-temperatur og i et sådant tidsrum, at smelten bliver fuldstændig flydende og gasud-20 viklingen er ophørt. I det foreliggende tilfælde ligger spids-temperaturen i området 1100-1500°C, sædvanligvis 1200-1400°C. Derefter frittes smelten (dvs. der dannes partikler) ved afkøling af smelten, typisk ved, at den hældes ud på et koldt bånd eller i koldt rindende vand. En formindskelse af 25 partikelstørrelsen kan derefter, om ønsket, udføres ved formaling.
De relative mængder af ledende hexaborid og glas, der skal anvendes, kan variere efter den specielle anvendelse af den endelige modstandsfilm, men 10-95 vægtdele, beregnet 30 på vægten af hexaborid plus glas, af hexaborid, og 90-5 vægtdele glas, fortrinsvis henholdsvis 15-50 og 85-50 vægt-dele, er anvendelige og foretrukne områder.
Faststofindholdet i modstandskompositionen ifølge opfindelsen dispergeres i en organisk bærer, og som sådan 35 kan anvendes en hvilken som helst indifferent organisk væske, med eller uden fortykkelses- og/eller stabiliseringsmidler
DK 160849 B
7 og/eller andre almindelige additiver. Eksempler på anvendelige organiske væsker er de aliphatiske alkoholer og estere deraf, f.eks. acetaterne og propionaterne, terpener såsom fyrreolie og terpineol, opløsninger af harpikser såsom poly-5 methacrylaterne af lavere alkoholer eller opløsninger af ethylcellulose i opløsningsmidler såsom fyrreolie og mono-butyletheren af ethylenglycolmonoacetat. Bæreren kan indeholde eller være sammensat af flygtige væsker til fremme af en hurtig fiksering efter påføringen på underlaget.
10 En særlig foretrukken bærer, der er baseret på copo- lymere af ethylen og vinylacetat, og som indeholder mindst 53 vægt-% vinylacetat, er beskrevet i DK patentansøgning nr. 3413/79, jf. EP-A-8132.
Forholdet mellem indifferent flydende bærer og faste 15 stoffer i modstandskompositionerne ifølge opfindelsen kan variere betydeligt og afhænger af den måde, hvorpå dispersionen af modstandskompositionen i bærer skal påføres på den anvendte type underlag, men almindeligvis kan der anvendes fra 0,5 til 20 vægtdele faste stoffer for hver vægtdel 20 bærer til dannelse af en dispersion af den ønskede konsistens, og foretrukne dispersioner indeholder 10-35 vægtdele bærer og 90-65 vægtdele faste stoffer.
Modstandskompositionerne fremstilles ved mekanisk sammenblanding af de faste stoffer og bærerne, og modstands-25 kompositionerne ifølge opfindelsen påtrykkes som en film på underlag af keramik, aluminiumoxid eller andre dielektriske materialer på sædvanlig måde. Almindeligvis anvendes der fortrinsvis sigte-stencil-metoder. De fremkomne trykte mønstre får almindeligvis lov at udjævne sig, hvorefter de 30 tørres ved forhøjede temperaturer såsom 120°C i ca. 10 minutter og derpå brændes i en ikke-oxiderende atmosfære i en bælte-ovn ved en spidstemperatur på ca. 910°C.
Fortrinsvis anvendes der en nitrogenatmosfære i ovnen, men der kan også anvendes andre ikke-oxiderende gasser såsom 35 hydrogen eller en blanding af hydrogen og carbonmonooxid. Desuden kan der under brændingen være små mængder oxygen
DK 160849 B
8 i | | til stede, uden at de endelige modstandsegenskaber påvirkes ugunstigt. Det menes, at et maksimum på ca. 100 ppm oxygen er tilladeligt, idet først over denne mængde synes oxygen at have en TCR-modificerende virkning. Det menes, at oxygen 5 bevirker en metaloxid-dannelse ved grænsefladerne mellem ledende partikler eller områder og giver områder af kompositionerne halvleder-egenskaber, hvorved det kommer til at virke som et negativt TCR-modificeringsmiddel. Det er imidlertid muligt, at der, afhængigt af den nøjagtige natur 10 af hexaborid, glas og bærer, kan tolereres højere mængder oxygen uden nogen ugunstig virkning. Det foretrukne område for oxygen-indhold i nitrogen-atmosfæren er 3-30 ppm.
Modstandsmålinger kan udføres ved en to-sonde-metode under anvendelse af et digital-ohmmeter.
15 TCR-målingerne udføres ved måling af de specifikke modstande (RE, RRT) ved forhøjede temperaturer (TE) mellem 125 og 150“C og ved stuetemperatur (TRT). TCR beregnes derefter i ppm/eC efter følgende ligning: 20 RE - Rrt TCR = - x lo6 rrt(te “ trt) 25 Til bedre sammenligning normaliseres de målte modstande ofte til ens tykkelse.
Filmtykkelsen (og også filmens overflade-ruhed) måles med et gængs instrument, Gould-Surfanalyzer, som gengiver overfladeprofil, tykkelsesværdier og overflade-ruhed.
30 De følgende eksempler skal tjene til nærmere illustra tion af opfindelsen.
Eksempel 1-14
Der fremstilles en række modstandskompositioner in- 35 deholdende stigende mængder af TiO og varierende forhold mellem LaBg og glas. Indholdet af faste stoffer består af LaBg, der er vibrationsformalet i 7 timer til et overfladeareal på 9,2 m2/g, Ti02, der er vibrations formalet i 16
DK 160849 B
9 timer til et overfladeareal på 4,4 m2/g, og et glas med et overfladeareal på 4,2 m2/g. Vibrationsformalingen udføres i et vandigt medium ved, at uorganiske pulvere og stålkugler anbringes i en beholder, som derefter vibreres i et bestemt 5 tidsrum.
Det anvendte glas er et ikke-reducerbart glas fremstillet ud fra følgende bestanddele (mol%): B203(25,38),
SiC>2 (46,70) , Al203(12,69) , CaO(12,69), ZrO2(2,03) og
Ti02(0,507), som nærmere beskrevet i den tidligere nævnte DK 10 patentansøgning nr. 3412/79, jf. EP-A-8437.
Modstandskompositionen fremstilles i pastaform ved dispergering af LaBg og glasset i bæreren ved Hoover-formaling, efterfulgt af tilsætning af forskellige mængder TiO til dispersionerae indeholdende LaBg og glasset i forskellige 15 forhold.
Bæreren er en opløsning af en ethylen/vinylacetat-polymer (45/55 efter vægt) med en smelteflydehastighed på 1,0, opløst i hexylcarbitol til dannelse af en 14 vægt%'s opløsning. Bæreren udgør 30 vægt% af den samlede modstands-20 komposition og findes nærmere beskrevet i den tidligere nævnte DK patentansøgning nr. 3413/79, jf. EP-A-8132.
I nedenstående tabel er anført de til de forskellige prøver anvendte mængder (g) og, i parentes, vægtforholdene mellem komponenterne i faststof-indholdet.
25 30 35 40
DK 160849 B
10 Bærer
Eks. LaBg Glas TiO polymer opl.m.
5 1 1,8(60) 1,2(40) - 0,18 1,11 2 1,5(50) 1,5(50) - 0,18 lfll 3 1,2(40) 1,8(60) - 0,18 1,11 4 0,9(30) 2,1(70) - 0,18 1,11 5 0,6(20) 2,4(80) - 0,18 1,11 10 6 1,8(60) 0,9(30) 0,3(10) 0,18 1,11 7 1,5(50) 0,9(30) 0,6(20) 0,18 1,11 8 1,5(50) 0,6(20) 0,9(30) 0,18 1,11 9 9,6(32) 20,4(68) - 1,8 11,1 10 11,7(39) 18,3(61) - 1,8 11,1 15 11 18,0(60) 12,0(40) - 1,8 11,1 12 9,6(31,1) 20,4(66) 0,9(2,9) 1,8 11,1 13 11,7(37,1) 18,3(58,1) 1,5(4,8) 1,8 11,1 14 18,0(56,1) 12,0(37,4) 2,1(6,5) 1,8 11,1 20 De fremstillede modstandskompositioner silketrykkes på i forvejen brændte kobberelektroder under anvendelse af 325 mesh-sigter og får lov at udjævne sig i 10 minutter, hvorpå de tørres ved 120°C i 10 minutter og brændes i en ovn med transportbånd i en nitrogenatmosfære indeholdende 25 25-30 ppm oxygen i udbrændingszonen og 3-10 ppm oxygen i brændingszonen. Den samlede brændingscyclus er 56 minutter, og der nås en spids-temperatur på 910° C i 6-8 minutter ved en hastighed for temperaturstigning og -fald på ca. 80-100eC/min.
30 Modstandsværdierne måles som beskrevet ovenfor, og TCR-værdierne beregnes ved hjælp af den ovenfor anførte ligning. De opnåede værdier er anført i den følgende tabel.
35 40
DK 160849 B
11
Eks. Resistivitet TCR
[ohm/kvadrat/O,0127 mm] (ppm/°C) 5 1 10,6 430 2 17,9 470 3 79,1 300 4 1840 96 5 Oo - 10 6 7,6 0 7 10,0 -240 8 7,8 -480 9 775 210 10 82,8 340 15 11 11,7 380 12 557 118 13 108 114 14 13,8 169 20 Som det ses af disse data, ligger modstandskomposi tionerne, der ikke indeholder nogen TiO-TCR-modificerings-middel, på universal-kurven for TCR versus R inden for eksperimentelle fejl. Det er i denne sammenligning nødvendigt at bemærke, at ved arbejde med små mængder materialer ind-25 føres der forholdsvis store eksperimentelle variationer, især med hensyn til ensartetheden af prøven og de opnåede datas reproducerbarhed.
Eksemplerne 6-7 og 12-14 viser de gunstige virkninger af TCR-modificeringen gennem TCR-modificeringsmidlet ifølge 30 opfindelsen, samt at disse modstandskompositioner er flyttet bort fra universal-kurven. Eksempel 8 giver en tykfilmmod-stand med uacceptabel stor negativ TCR-værdi.
Eksempel 15-18 35 På samme måde som beskrevet ovenfor fremstilles en række modstandskompositioner, der indeholder forskellige mængder Ge, ud fra LaBg og et glas, der er fremstillet ud 12
DK 160849B
fra Β203(33,6 mol%), 8102(44,7 mol%), Al203(6,7 mol%) og Ca0(15 mol%) ifølge DK patentansøgning nr. 3412/79, samt en bærer, og tykfilm fremstilles som beskrevet for eksemplerne 1-4.
5 I nedenstående tabel er anført de til fremstilling af de forskellige prøver anvendte mængder (g) og, i parentes, vægtforholdene mellem komponenterne i faststof-indholdet.
Eks. LaBg Glas Ge Bærer 10 - -:- - - - 16 3,4(68) 1,6(32) 0 2,82 17 3,4(68) 1,6(32) 0,25(5) 2,82 18 3,4(68) 1,6(32) 0,50(10) 2,82 19 3,4(68) 1,6(32) 1,0 (70) 2,82 15
Modstandsværdierne måles som beskrevet ovenfor, og TCR-værdierne beregnes under anvendelse af den ovenfor anførte ligning. Resultaterne er anført i nedenstående tabel.
20 Eks. Resistivitet TCR
[ohm/kvadrat/0,0127 mm] (ppm/eC) 16 14 500 17 14 300 18 17 280 25 19 28 190
Som det ses heraf, er Ge et effektivt TCR-modifice-ringsmiddel.
Den i disse eksempler anvendte bærer indeholder 1,25 30 g af en i handelen værende hydroxy-afsluttet polybutadien, 0,67 g af en 25 vægt%'s opløsning af polyisobutylmethacrylat (logaritmisk viskositet s tal 0,7 dl/g, målt ved 20° C i en opløsning af 0,25 g polymer i 50 ml chloroform) i 2,2,4-trimethylpentadiol-l,3-monoisobutyrat og 0,90 g yderligere 35 af det samme opløsningsmiddel.
Claims (6)
1. Modstandskomposition, som er kompatibel med kobberledere og kan brændes i en praktisk taget ikke-oxiderende atmosfære, bestående i hovedsagen af uorganiske pulverformede 5 faste stoffer dispergeret i en organisk bærer, hvor faststofindholdet i hovedsagen består af A. 1-20 vægtdele, beregnet på vægten af faste stoffer, at et TCR-modificeringsmiddel, der er i hovedsagen ikke-reaktionsdygtigt med og ikke-reducerbart af det 10 ledende materiale, og B. 99-80 vægtdele, beregnet på vægten af de faste stoffer, af a. 10-95 vægtdele, beregnet på vægten af (a) + (b), af et ledende materiale valgt blandt LaB6, YB6, hexa- 15 borider af de sjældne jordarter, CaBg, BaBg og SrBg, og b. 90-5 vægtdele, beregnet på vægten af (a) + (b), af et glas, kendetegnet ved, at TCR-modificeringsmidlet er 20 valgt blandt TiO og dets precursors af højere iltningstrin Ti305 og T12O3, NbO, TaO, Ge, SiC, forbindelser baseret på grupperne III A og V A i det periodiske system, forbindelser baseret på grupperne II B og VI A i det periodiske system, samt nitrider af sjældne jordarter og nitrider af gruppe 25 III B.
2. Modstandskomposition ifølge krav 1, kende tegnet ved, at det nævnte glas er i hovedsagen ikke-reducerbart af det ledende materiale.
3. Modstandskomposition ifølge krav 1, kende- 30 tegnet ved, at TCR-modificeringsmidlet er til stede i en mængde på 2,5-10 vægtdele, beregnet på vægten af faste stoffer.
4. Komposition ifølge krav 1, kendetegnet ved, at TCR-modif iceringsmidlet er til stede i en mængde 35 på 1-4 vægtdele, beregnet på vægten af faste stoffer.
5. Modstandskomposition ifølge krav 1, kende- DK 160849 B 14 tegnet ved, at den organiske bærer er en opløsning af ethylen/vinylacetat-polymer indeholdende mindst 53 vægt% vinylacetat.
6. Modstandskomposition ifølge krav 1 eller 2, k e n-5 detegnet ved, at TCR-modificeringsmidlet er TiO.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US93427078 | 1978-08-16 | ||
| US05/934,270 US4225468A (en) | 1978-08-16 | 1978-08-16 | Temperature coefficient of resistance modifiers for thick film resistors |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK341179A DK341179A (da) | 1980-02-17 |
| DK160849B true DK160849B (da) | 1991-04-22 |
| DK160849C DK160849C (da) | 1991-10-07 |
Family
ID=25465274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK341179A DK160849C (da) | 1978-08-16 | 1979-08-15 | Modstandskomposition, som er kompatibel med kobberledere og kan braendes i en praktisk taget ikke-oxiderende atmosfaere |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4225468A (da) |
| EP (1) | EP0008133B1 (da) |
| JP (1) | JPS5529199A (da) |
| CA (1) | CA1137292A (da) |
| DE (1) | DE2962564D1 (da) |
| DK (1) | DK160849C (da) |
| IE (1) | IE48930B1 (da) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4512917A (en) * | 1983-08-22 | 1985-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hexaboride resistor composition |
| US4536329A (en) * | 1983-12-19 | 1985-08-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Borosilicate glass compositions |
| US4537703A (en) * | 1983-12-19 | 1985-08-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Borosilicate glass compositions |
| JPS60145949A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-08-01 | 昭栄化学工業株式会社 | 抵抗組成物 |
| US4645621A (en) * | 1984-12-17 | 1987-02-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions |
| US4539223A (en) * | 1984-12-19 | 1985-09-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
| GB2197540B (en) * | 1986-11-12 | 1991-04-17 | Murata Manufacturing Co | A circuit structure. |
| JPS63202001A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | 株式会社日立製作所 | 厚膜抵抗組成物、厚膜抵抗体、並びに厚膜ハイブリッドｉｃ |
| US5089172A (en) * | 1987-08-31 | 1992-02-18 | Ferro Corporation | Thick film conductor compositions for use with an aluminum nitride substrate |
| US5298330A (en) * | 1987-08-31 | 1994-03-29 | Ferro Corporation | Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate |
| US4949065A (en) * | 1987-09-21 | 1990-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resistor composition, resistor produced therefrom, and method of producing resistor |
| US4985176A (en) * | 1987-12-04 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistive paste |
| US4906404A (en) * | 1988-11-07 | 1990-03-06 | Dai-Ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. | Copper conductor composition |
| JPH0736361B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1995-04-19 | 株式会社村田製作所 | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト |
| JPH05335106A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗ペースト |
| JPH05335107A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 抵抗ペースト |
| US5354509A (en) * | 1993-10-26 | 1994-10-11 | Cts Corporation | Base metal resistors |
| JP2827902B2 (ja) * | 1993-11-16 | 1998-11-25 | 株式会社村田製作所 | 抵抗ペースト |
| JP3633028B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2005-03-30 | 株式会社デンソー | 厚膜印刷基板及びその製造方法 |
| US6326677B1 (en) | 1998-09-04 | 2001-12-04 | Cts Corporation | Ball grid array resistor network |
| MX243208B (en) * | 2000-11-14 | 2007-01-10 | Infrared (ir) absorbing polyvinyl butyral composition, sheet thereof and laminate containing the same | |
| US6911254B2 (en) | 2000-11-14 | 2005-06-28 | Solutia, Inc. | Infrared absorbing compositions and laminates |
| JP4187999B2 (ja) | 2002-05-13 | 2008-11-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 熱線遮蔽樹脂シート材及びその製造方法 |
| JP4623921B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2011-02-02 | コーア株式会社 | 抵抗組成物および抵抗器 |
| US7180186B2 (en) * | 2003-07-31 | 2007-02-20 | Cts Corporation | Ball grid array package |
| US6946733B2 (en) * | 2003-08-13 | 2005-09-20 | Cts Corporation | Ball grid array package having testing capability after mounting |
| JP7277355B2 (ja) * | 2019-01-29 | 2023-05-18 | 三ツ星ベルト株式会社 | 抵抗体ペーストならびに抵抗体およびその製造方法 |
| CN113793716B (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-25 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种低电压系数电阻浆料 |
| CN115954133B (zh) * | 2023-02-16 | 2023-07-14 | 苏州三环科技有限公司 | 一种电阻浆料及其制备方法 |
| CN115954134B (zh) * | 2023-02-16 | 2023-09-26 | 苏州三环科技有限公司 | 一种电阻浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3277020A (en) * | 1963-12-19 | 1966-10-04 | Int Resistance Co | Glass composition and electrical resistance material made therefrom |
| GB1282023A (en) | 1969-11-03 | 1972-07-19 | Standard Telephones Cables Ltd | Electrical resistor material |
| US3868334A (en) * | 1970-10-19 | 1975-02-25 | Airco Inc | Resistive glaze and paste compositions |
| US3770478A (en) * | 1971-08-31 | 1973-11-06 | Ncr | Transfer medium with a pigmented coating |
| SU518806A1 (ru) * | 1974-04-22 | 1976-06-25 | Московский авиационный технологический институт им.К.Э.Циолковского | Резистивный материал |
-
1978
- 1978-08-16 US US05/934,270 patent/US4225468A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-08-14 CA CA000333755A patent/CA1137292A/en not_active Expired
- 1979-08-14 IE IE1569/79A patent/IE48930B1/en not_active IP Right Cessation
- 1979-08-15 DK DK341179A patent/DK160849C/da not_active IP Right Cessation
- 1979-08-16 DE DE7979102979T patent/DE2962564D1/de not_active Expired
- 1979-08-16 JP JP10491079A patent/JPS5529199A/ja active Granted
- 1979-08-16 EP EP79102979A patent/EP0008133B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1137292A (en) | 1982-12-14 |
| DK341179A (da) | 1980-02-17 |
| EP0008133A3 (en) | 1980-03-05 |
| US4225468A (en) | 1980-09-30 |
| EP0008133A2 (en) | 1980-02-20 |
| DK160849C (da) | 1991-10-07 |
| JPS5529199A (en) | 1980-03-01 |
| JPS6130365B2 (da) | 1986-07-12 |
| DE2962564D1 (en) | 1982-06-03 |
| IE48930B1 (en) | 1985-06-26 |
| IE791569L (en) | 1980-02-16 |
| EP0008133B1 (en) | 1982-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK160849B (da) | Modstandskomposition, som er kompatibel med kobberledere og kan braendes i en praktisk taget ikke-oxiderende atmosfaere | |
| US4521329A (en) | Copper conductor compositions | |
| US4381945A (en) | Thick film conductor compositions | |
| US3484284A (en) | Electroconductive composition and method | |
| US4215020A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| KR890001785B1 (ko) | 저항값을 갖는 개량된 저항체 잉크 | |
| JPS6314841B2 (da) | ||
| IE55728B1 (en) | Thick film conductor compositions | |
| EP0165821A2 (en) | Oxide resistor | |
| US4209764A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| US4585580A (en) | Thick film copper compatible resistors based on hexaboride conductors and nonreducible glasses | |
| JP3374194B2 (ja) | 導電性アルミニウムペースト用組成物 | |
| US3927238A (en) | Lead-free glaze for high density alumina | |
| EP0008132B1 (en) | Resistor and/or conductor composition including an organic vehicle | |
| IE53130B1 (en) | Thick film conductor compositions | |
| CN115461825A (zh) | 厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件 | |
| US3277020A (en) | Glass composition and electrical resistance material made therefrom | |
| EP0201362B1 (en) | Base metal resistive paints | |
| US4698265A (en) | Base metal resistor | |
| GB2037270A (en) | Screen-printing ink containing a reducible metal oxide | |
| CA1102106A (en) | Conductor compositions | |
| JPS5931841B2 (ja) | 抵抗材料およびそれにより作られた抵抗器 | |
| US4137519A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| CA2059873A1 (en) | Partially crystallizable glass compositions | |
| GB2035293A (en) | Vitreous enamel resister material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PBP | Patent lapsed |