DEP0038599DA - Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender Substanz - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern mit Silizium als halbleitender SubstanzInfo
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Description
mm. !«rstfcelXea. voa Srocks&glele&riehtem mit Silislum als Miblidtoaior '.ö
Is slaä ;£yoekt&€$©iotJxieMi£}3? mit
'Subßfcasi'· bekannt, bei äa&aa S.lXI
Mb Ge-msaimg- srÖSer«2*-.2pIstßlleib-s^eitot erii.
'Subßfcasi'· bekannt, bei äa&aa S.lXI
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,' Ibrer yeEwes^uag 'slie&fc suüem ©atrg&gea^' äaß-aer Vildgrsolches? GXeiehma{3t©r\f*är .ü,eo Fo4r,-e/ga?vssfcK;-m'>sisM.ltaIs
.isfc, well al© Sßlbleit;©rscliiobi:'nicht so ßß&n ga 9 wie ö."urch, 3lied©reeiJ.iXag«3ii -des SiXisiümsr. aiis δε·2?
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oüei? zuminde st en verfcürat.
Claims (1)
- Patentansprüche BVerfahren zum Herstellen von !trockengleichrichter!! lsit Silicium sis halbleitend© Substanz, dadurch gekennzeichnet s Hess das Silizium auf einer mindestens auf 3|5Qi0 Cj vorzugsweise auf über 195° C-» erhitzten kristallinen Unterlage ua$ d6r Dampfphase D,ieäerg:esclilagoii tird.Veifaliren aacb Patentanspjuoli 1S äactarchi fjefcßmizeichnct? s öaes als Unterlage Siliciumcarbid mit geringfügigen, gemisciite feitl'ähißkeit bemrkenden Beimengatigen verwendet wir<3·Verfahren joacn Patentan-sprueii 1 -oder 2S dadurch, gisteenn— seicMiet, üass öle kristalline Unterlage durch «hemiseiie Umwandlung 3er öberXlächensciiiciit der Irägei'elelctzOdeii gebildet isird·Yerfsnren nack Patentansprucii 3 zum flerstellen von Silisiiiia-Sleicliricateria mit Siliaiuakarbidunterlafee, dadarch gekemizeiebnet, dass eine frägerelekt.-ode aus Eonlenstoff oder eine auf einer Trägerele&trode angebrachte Kolalenstoffseliicat in einer Siliziamtetraehlor-id and Wasserstoffenthaltenden AtaaoSphäre mindestens bis zut BiI einer dämien Oberflächenschicht τοη SiligiuiaicarMd aur Beafction gebracht tuird»»iüsiiuai^ßleieiäriciater nach dem Terfahr-en naeh Patentanspruch 1 oder f ο'-senden, dadurch eeiceiiazeiGimet, dass als halbleitende Substanz aus der Bampfphase auf einer kristallinen Unterlage, vorzugsweise Siliziumkarbid, bei einer Kondensstionstemperatur von -mindestens 1&o° ö vorzugsweise von über 19§° ö» niedergeschlagenes Silizium vorgesehen ist»
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