DEP0036719DA - Halbleiterverstärker und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Description

Siemens βη& HaXske München, den _β « «_« _{# t}j>j β .β ».* a *

.Äktiengesellsoh&ft Bl„Nr_{eee e}oi,_s«

PA 9/530/Ι2Ι Sfiefsnsofcrlft*

München 1 Erfia&eri

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Weitest Kopien am WWF-VertragsetelJe,,Berlin PA Bei?Un_fGL/PA ErIg, ^ΐ/ ZLBl

BIA-Kaslsruhe <- B Heidenfceia WWR Berlin - Vt Mtiacfesn

: aein SäiHeltef verstärker ^d Verfahren $ur Herstellung

Ee &tn& HälfeIel^erveystärker bekannt,feel denen ein Krletall_tw|e ein (remaaitia-Kristall verwendet wird_eDabei befinden eiob swei troden auf ge? Oberfläche des Kristalls₆ während der Kristall selbst einer gemeinsamen Elektrode in Verbindung steht» Eine solche &@~ / g ist sciiam&tiÄ in Figur 1 dargestellt₉ Dabei ist j&il 1 ein uezmaniuffiblOok besoieimetgder mit der Zuleitung 3 in leitender Ye^indung steilte Sine Elektrode 4 ist als leine Spitse auf de? Oberfläche See Kristalls aufgesetzt und steht mit dem Steuerfreie in Yerbindunge Die su Terstärkenden Wechselspaanuageu «erden au den Eingasgs?» kleJsmen δ u«J $ angelegt« Uebor aino Spaanui^gsquelle 7 gelangt eine kleine positive Yorapannuug an die Steusrelefetro&e 4_eJn einem ordentlich geringes Abstand ,von der Steuerelektrode 4 befindet eine gleiehfelis aus einer dUnaen Spitze gestehende Al β auf de? Oberfläohe des Kristalls^sodaae an den Ausgangsklemmen 9 und 10 4Iq verstärkte Wechselspannung abgenommen werden icann_BEine Spänaung quelle U dient dabei daau„eiße genügende negative Spannung an die i^ue· gangselektrode & anzulegen.

Bei solehen HalbleiterTerstärkerti kop&t es darauf cm,dass die Kontakt« spitzen ton Steuerelektrode und Auegtmgselektrode in geρlagern Abstand voneinander auf die Kristalloberfläche koütmgB dab@i Ele&trodenabst&nde in der Gruesenordnung von,etna 0«05 ram in Betrachtes©? Erfindung liegt die Aufgäbe su&runäe,©inen K?ietaliver* gtäfke? au 8«haffeA,be4 dem die Einhaltung und die Kontrolle eoleher ausserordentlieh geringer Kontaktspit^enabständs gewäjirleistet ist_e

Die Erfindung besteht oarIn₈Saes die Krietalloberfläche mit ©ine® LinÄe^raster @ur Aufßdhme 4er Elektroden versehen ist,Es läset sieh tabei «eiterhia erreichen,dasa wählteis© verschieden grosse AVstä&de zwischen den Elektroden einstellbar slad und dass auch aueeer eine? Steuer« unä einer AusgangßeiektroÄe noeh weitere Hilfselektroden angeschlossen werden können»

Skn/Sehu» " ⁸ '

~ 2 - Β» 9/63o/l2i

Des Linienraster kann »woetaaossig als ©in Im wesentliehen rechtwinkeliges Striehgitter ausgoß414et sein'j es ist dabei aber auch möglich,anstelle einer Ausbildung nach Art' einea rechtwinkelige» geradlinige®. Sy stems ,das Linienraster ähnlich eiöem Polar-Kooräl-&ötö&»S|ratfi© &us3UbSi4e»_swobei das Gittersystem in Gestalt von Kos« saatrissfeen Kreise» ausgeführt iat,Sofcliesilieh ist es au&h möglUh> abteil© του konaentrisehen Kreise». eine oder mehrere Spirallinien su verwenden*

Sin derartig feines Linienraster aall dabei in seinem Linienabsiaad Is wesentlichen de® gewünschten Spitsenatestand entspreehea^Sas Basts? fe entweder unmittelbar in die geeignet bergerientete Krietallobareiagtritat oder in einen'isolierenden, Lack eingeschnitten ¹WW-dem die Krietslloberfläclie übersogen ist«Jn geeignet geftg&Ue beßaenbarte Gitterpunistd lassen sieb dann die Kontaktspitzen aufsetze® und gegebenenfalls mit dem Kristall ?er@oawei$seaeWährend der Fertigung erfolgt Qd ob. Mögliche it a in«· mikroskopische Beobachtung i ikti Funkt io as !control Ie _s

äer Zeichnung soll die Erfindung näfeer erläutert werden: Jn d®a und 3 sind die Oberflächen sw©ier,Kristalle Veranschaulicht, in Figur 2 ein yecäatwlnicalige.a Strichgittjer und in Figur 3 ©in solches mit Jsoaseßtriaeh lneinaaderliegenden Kreisen ^eransehaulieht ist« Bis Herstellung eines solchen Halbleiterrerstärkere kann etwa i& folgender Weise erfolgen: Die Kristalloberfläche wird zunächstcfein geschliffen und gegebenenfalls poliert« Daraufhin wird z_eB_Emlt Hilfe einer feilmaschine ein feines Linienraster eingeritst,dessen Linien den gewünschten kleinen Spitzenabstand heben, Dabei ist es auch möglich, als Träger für das Strichgitter Üeberaugstoffe» z«B«einen gut trocknenden isolierenden Lack zu verwenden,Die Linien können durch Eintauchen der mit Lack überzogenen geritzten Krlstallflache in ein Aetzbad,welches äen Lack nicht angreift,no«h in die Form kleiner Fur~ eh©η gebracht werden,£s werden dann unter eiaom Mikroskop die Eontaktspitzen an benachbarten G^tterpunkten aufgesetzt« Durch Auslassen von (Htterlinien oder Benützung von Diagonalen kann der Spitzenabstand bei ein- und demselben Strichgitter noch in bestimmten. Stufen veränderbar gewählt werden« Die Herstellung des Teratärkers erfolgt dann derart, da$# unter op$ischer*Beobaehtung an verschiedenen Punkten die Elektroden aufgesetzt werden und dabei eine elektrische Funktionsprüfung \vor~ genommen wird» Da die Wirksamkeit der Kristalloberflachen nicht an Allen Stellen gleich ist, kann auf diese Weise¹ eine besonders günstige Stellung der Kontaktspitzen erreicht werden^Naoh Beendigung dieser Kontrolle können dann die Kontaktapitzen in der als günstig ermittelten Lage befestigt werden,wobei gegebenenfalls noch eine Schweisavertoiadu&g vorgenommen werden kann,,

Anlagen,}» 3 Flgwea
ι β

Claims (1)

1. - 3 - PA zu PA 9/530/lal

   !β Halbleitenrerstärkerjbei dem sioh miadeatess awei Elektro-

   des auf der Oberfläche elßQs Kristalle ,vorfcugiwe ise Germanium» Kristalls befinden ,dadurch gekeansoichuotfdase die Kristall» fl alt einem Linienraster sur Aufnahme des* Elektroden

   S₅₁ Halbleiterverstärker aaefe Anspruefe !^dadurch Saes das !.inlenraster als ein im wesentliche^ Strlehgittor ausgebildet ist,

   a_e Halbleitervers^ärlcer' nach Anspruch 1_#dadurch flag© das Linienraster aaeii Art eines POlar-K mit koaaentrieehoa Kreieeu oder Spirulliu4eu

   ie Halb^oit€3"7@tstärker aacki Aöspruch 1 bis „ die ?e?se&dung von Uebersugstoffen als Träges¹ das·

   5_B BeIbIeit«3f?®fstärker nuoa Ap _t dass isolicarsnde Laoj£© YersenÄot sind«

   #_o Terfahrea sur Herstellung eines Halbleiterrerstärkers insprueh 1 bis 5,Öadurch gekennzeichnet,dass das durch Ritzoa,AotzGU'oder ähnliche Masauabciea in des Kristalls eingearbeitet

   ?« Terfahr^n nach -Aßspruoa 6_Ρdadurch gekonnsmichnet_Tdaeti boi Wendung von Ueberzugatoffon &ino Aotaung mi^ Hilfe Uebersugatoff nicht ou&reifondon Flüssigkeit dsrart ©en wirtljdass ia ύ<-.τ Kris tallob or fläeho an den Stellea Linienrasters kleine Bällen entstehen«

   ferfatoen nach Anspruoii 6 odsr 7,dadu?eh gekouasolötoot_tdaai dia S^Aktrodea insbesondere unter läikroskopisoher Beobachtung

   und elektrischer Fur>kti.onsprü£ung in das Linienraster und is. ά-öv gowünschtüu ogolluas,-vorzugsweise durch wordau®