DEP0036719DA

DEP0036719DA - Semiconductor amplifiers and methods of making the same

Info

Publication number: DEP0036719DA
Authority: DE
Inventors: Helmut Dr. phil. habil Katz; Oskar Dr. phil. habil Pfetscher
Original assignee: Siemens and Halske AG
Current assignee: Siemens and Halske AG
Publication date: 1950-12-07

Description

Siemens βη& HaXske München, den _β « «_« _# _tj>j β .β ».* a *Siemens βη & HaXske Munich, the _β «« _ « _# _t j> j β .β». * A *

.Äktiengesellsoh&ft Bl„Nr_{eee e}oi,_s«.Aktiengesellsoh & ft Bl "Nr _{eee e} oi, _s "

PA 9/530/Ι2Ι Sfiefsnsofcrlft*PA 9/530 / Ι2Ι Sfiefsnsofcrlft *

München 1 Erfia&eriMunich 1 Erfia & eri

16/1· ^K08teB ' ^{16/1 K08teB} '

Weitest Kopien am WWF-VertragsetelJe,,Berlin PA Bei?Un_fGL/PA ErIg, ^ΐ/ ZLBlMost copies on the WWF contract set, Berlin PA Bei? Un _f GL / PA ErIg, ^ ΐ / ZLBl

BIA-Kaslsruhe <- B Heidenfceia WWR Berlin - Vt MtiacfesnBIA-Kaslsruhe <- B Heidenfceia WWR Berlin - Vt Mtiacfesn

: aein SäiHeltef verstärker ^d Verfahren $ur Herstellung: aa SäiHeltef amplifier ^ d process $ ur manufacture

Ee &tn& HälfeIel^erveystärker bekannt,feel denen ein Krletall_tw|e ein (remaaitia-Kristall verwendet wird_eDabei befinden eiob swei troden auf ge? Oberfläche des Kristalls₆ während der Kristall selbst einer gemeinsamen Elektrode in Verbindung steht» Eine solche &@~ / g ist sciiam&tiÄ in Figur 1 dargestellt₉ Dabei ist j&il 1 ein uezmaniuffiblOok besoieimetgder mit der Zuleitung 3 in leitender Ye^indung steilte Sine Elektrode 4 ist als leine Spitse auf de? Oberfläche See Kristalls aufgesetzt und steht mit dem Steuerfreie in Yerbindunge Die su Terstärkenden Wechselspaanuageu «erden au den Eingasgs?» kleJsmen δ u«J $ angelegt« Uebor aino Spaanui^gsquelle 7 gelangt eine kleine positive Yorapannuug an die Steusrelefetro&e 4_eJn einem ordentlich geringes Abstand ,von der Steuerelektrode 4 befindet eine gleiehfelis aus einer dUnaen Spitze gestehende Al β auf de? Oberfläohe des Kristalls^sodaae an den Ausgangsklemmen 9 und 10 4Iq verstärkte Wechselspannung abgenommen werden icann_BEine Spänaung quelle U dient dabei daau„eiße genügende negative Spannung an die i^ue· gangselektrode & anzulegen.Ee & tn & HälfeIel ^ erveystarm known, which a crystal _t w | e a (remaaitia crystal is used _e) There are two electrodes on the surface of the crystal ₆ while the crystal itself is connected to a common electrode »Such & @ ~ / g is sciiam & tiÄ shown in Figure 1 ₉ It is j il 1 a uezmaniuffiblOok besoieimetgder to the supply line 3 in conductive Ye ^ indung steepness Sine electrode 4 is placed as a leash Spitse on en? surface lake crystal and communicates with the control free in Yerbindunge the su Terstärkenden Wechselspaanuageu "ground au the Eingasgs?" kleJsmen δ u «J $ created" Uebor aino Spaanui ^ gsquelle 7 enters a small positive Yorapannuug the Steusrelefetro & e 4 _e Jn a neat little distance is from the control electrode 4 a gleiehfelis from a dUnaen tip standing Al β on the surface of the crystal ^ sodaae at the output terminals 9 and 10 4Iq amplified alternating voltage can be taken off _B A Sp änaung source U serves DAAU "hite sufficient negative voltage to the i ^ ue · gang electrode and to apply.

Bei solehen HalbleiterTerstärkerti kop&t es darauf cm,dass die Kontakt« spitzen ton Steuerelektrode und Auegtmgselektrode in geρlagern Abstand voneinander auf die Kristalloberfläche koütmgB dab@i Ele&trodenabst&nde in der Gruesenordnung von,etna 0«05 ram in Betrachtes©? Erfindung liegt die Aufgäbe su&runäe,©inen K?ietaliver* gtäfke? au 8«haffeA,be4 dem die Einhaltung und die Kontrolle eoleher ausserordentlieh geringer Kontaktspit^enabständs gewäjirleistet ist_e With such semiconductor strengths, it depends on the fact that the contact with the pointed control electrode and pick-up electrode at a distance from one another on the crystal surface correspond to the electrode spacing in the order of greetings from, etna 0 «05 ram into consideration ©? Invention lies the task su & runäe, © inen K? Ietaliver * gtäfke? au 8 «haffeA, where compliance and control are ensured with exceptionally small contact point spacings _e

Die Erfindung besteht oarIn₈Saes die Krietalloberfläche mit ©ine® LinÄe^raster @ur Aufßdhme 4er Elektroden versehen ist,Es läset sieh tabei «eiterhia erreichen,dasa wählteis© verschieden grosse AVstä&de zwischen den Elektroden einstellbar slad und dass auch aueeer eine? Steuer« unä einer AusgangßeiektroÄe noeh weitere Hilfselektroden angeschlossen werden können»The invention consists oarIn ₈ Saes the Krietallourfläche is provided with © ine® LinÄe ^ raster @ur Aufßdhme 4er electrodes, It can be seen here “Eiterhia achieve, that you choose between the electrodes different sizes adjustable slad and that also one? Control «on an output electrical unit, further auxiliary electrodes can still be connected»

Skn/Sehu» " ⁸ 'Skn / Sehu »" ⁸ '

~ 2 - Β» 9/63o/l2i~ 2 - Β »9 / 63o / l2i

Des Linienraster kann »woetaaossig als ©in Im wesentliehen rechtwinkeliges Striehgitter ausgoß414et sein'j es ist dabei aber auch möglich,anstelle einer Ausbildung nach Art' einea rechtwinkelige» geradlinige®. Sy stems ,das Linienraster ähnlich eiöem Polar-Kooräl-&ötö&»S|ratfi© &us3UbSi4e»_swobei das Gittersystem in Gestalt von Kos« saatrissfeen Kreise» ausgeführt iat,Sofcliesilieh ist es au&h möglUh> abteil© του konaentrisehen Kreise». eine oder mehrere Spirallinien su verwenden*The grid of lines can be "widespread as in an essentially right-angled wire grid, but it is also possible, instead of a design in the form of a right-angled" straight line. Sy stems, the line grid similar to a polar cooräl- & ötö & »S | ratfi © & us3UbSi4e» _s where the grid system is designed in the form of Kos «saatrissfeen circles», Sofcliesilieh it is also possible> compartment © του conaentric circles ». use one or more spiral lines below *

Sin derartig feines Linienraster aall dabei in seinem Linienabsiaad Is wesentlichen de® gewünschten Spitsenatestand entspreehea^Sas Basts? fe entweder unmittelbar in die geeignet bergerientete Krietallobareiagtritat oder in einen'isolierenden, Lack eingeschnitten ¹WW-dem die Krietslloberfläclie übersogen ist«Jn geeignet geftg&Ue beßaenbarte Gitterpunistd lassen sieb dann die Kontaktspitzen aufsetze® und gegebenenfalls mit dem Kristall ?er@oawei$seaeWährend der Fertigung erfolgt Qd ob. Mögliche it a in«· mikroskopische Beobachtung i ikti Funkt io as !control Ie _s Is such a fine grid of lines in all of its lines absiaad Is essential de® desired top senate status correspondehea ^ Sas Basts? fe either cut directly into the suitable mountains rien tete Krietallobareiagtritat or einen'isolierenden, lacquer ¹ WW the Krietslloberfläclie is about so-called "Jn suitable geftg & Ue beßaenbarte Gitterpunistd can then sieve the contact tips aufsetze® and seaeWährend where appropriate, with the crystal? it @ oawei $ manufacture takes place Qd ob. Possible it a in «· microscopic observation i ikti funct io as! control Ie _s

äer Zeichnung soll die Erfindung näfeer erläutert werden: Jn d®a und 3 sind die Oberflächen sw©ier,Kristalle Veranschaulicht, in Figur 2 ein yecäatwlnicalige.a Strichgittjer und in Figur 3 ©in solches mit Jsoaseßtriaeh lneinaaderliegenden Kreisen ^eransehaulieht ist« Bis Herstellung eines solchen Halbleiterrerstärkere kann etwa i& folgender Weise erfolgen: Die Kristalloberfläche wird zunächstcfein geschliffen und gegebenenfalls poliert« Daraufhin wird z_eB_Emlt Hilfe einer feilmaschine ein feines Linienraster eingeritst,dessen Linien den gewünschten kleinen Spitzenabstand heben, Dabei ist es auch möglich, als Träger für das Strichgitter Üeberaugstoffe» z«B«einen gut trocknenden isolierenden Lack zu verwenden,Die Linien können durch Eintauchen der mit Lack überzogenen geritzten Krlstallflache in ein Aetzbad,welches äen Lack nicht angreift,no«h in die Form kleiner Fur~ eh©η gebracht werden,£s werden dann unter eiaom Mikroskop die Eontaktspitzen an benachbarten G^tterpunkten aufgesetzt« Durch Auslassen von (Htterlinien oder Benützung von Diagonalen kann der Spitzenabstand bei ein- und demselben Strichgitter noch in bestimmten. Stufen veränderbar gewählt werden« Die Herstellung des Teratärkers erfolgt dann derart, da$# unter op$ischer*Beobaehtung an verschiedenen Punkten die Elektroden aufgesetzt werden und dabei eine elektrische Funktionsprüfung \vor~ genommen wird» Da die Wirksamkeit der Kristalloberflachen nicht an Allen Stellen gleich ist, kann auf diese Weise¹ eine besonders günstige Stellung der Kontaktspitzen erreicht werden^Naoh Beendigung dieser Kontrolle können dann die Kontaktapitzen in der als günstig ermittelten Lage befestigt werden,wobei gegebenenfalls noch eine Schweisavertoiadu&g vorgenommen werden kann,,The invention is to be explained in more detail in the drawing: In d®a and 3 the surfaces are sw © ier, crystals are illustrated, in FIG. 2 a yecatwlnicalige.a dashed line and in FIG of such Halbleiterrerstärkere can be done about i the following manner: the crystal surface is ground zunächstcfein and "optionally polished Thereupon z _e B _e mlt means of a filing machine a fine line grid eingeritst whose lines raise the desired small tip clearance, it is also possible to use as carrier To use a well-drying, insulating varnish for the line grating of over-eye materials. The lines can be made into the form of small fur ~ eh © η by dipping the scratched crystal surface covered with varnish in a caustic bath that does not attack the varnish are brought, the contact tips are then placed under a microscope on neighboring god points " By omitting (back lines or using diagonals, the distance between the tips can still be determined in certain cases for one and the same line grid. Levels can be chosen changeably «The production of the Teratärker then takes place in such a way that the electrodes are placed at different points under an optical * observation and an electrical function test is carried out» Since the effectiveness of the crystal surfaces is not the same in all places is, in this way ¹ a particularly favorable position of the contact tips can be achieved ^ After completing this control, the contact tips can then be fixed in the position determined to be favorable, whereby a welding practice can also be carried out if necessary.

Anlagen,}» 3 Flgwea
ι β Plants,} »3 Flgwea
ι β

Claims

- 3 - PA to PA 9/530 / lal

! β semiconductor amplifier with the sioh miadeatess a two electrical

of the crystals, prefabricated germanium crystal, are located on the surface, which means that the crystal fl alt a line grid to record the * electrodes

S ₅₁ semiconductor amplifier aaefe claims! ^ Thus Saes the! .Inlenraster is designed as an essentially ^ Strlehgittor,

a _e semiconductor server according to claim 1 _# thereby flag © the line grid aaeii type of a POlar-K with koaaentrieehoa Kreieeu or Spirulliu4eu

The half-way with € 3 "7 @ tstronger aacki claim 1 to" the? e? se & dung of Uebersugstoffe as a carrier ¹ the

# _o Terfahrea sur the production of a semiconductor amplifier inprueh 1 to 5, characterized in that the by Ritzoa, AotzGU 'or similar Masauabciea worked into the crystal

? «Terfahr ^ n nach -Aßspruoa 6 _Ρ thereby skilfully _T daeti boi twist of Ueberzugatoffon & ino Aotaung mi ^ Help Uebersugatoff not ou & reifondon liquid dsrart © en wirtljdass ia ύ <-.

ferfatoen according to Anspruoii 6 odsr 7, dadu? eh gekouasolötoot _t daai dia S ^ Aktrodea especially under microscopic observation

and electrical detection in the line grid and is. ά-öv gowünschtüu ogolluas, -preferably by wordau®