DEP0013550DA - Photowiderstand für Licht- oder Röntgenstrahlen - Google Patents
Photowiderstand für Licht- oder RöntgenstrahlenInfo
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Description
Versuche mit Selentrockengleichrichtern zeigten, dass der Widerstand von der Bestrahlung mit Licht- oder Röntgenstrahlen sehr stark abhängt, wenn ein solcher Trockengleichrichter eine aus einem Überschusshalbleiter bestehende Zwischenschicht besitzt und auf diese eine Gegenelektrode aufgespritzt wurde, die das gleiche Metall enthält wie die Zwischenschicht. Besonders gute Ergebnisse wurden erzielt mit Zwischenschichten aus Wismut-, Zinn- und Indiumselenid auf die als Gegenelektrode Wismut, Zinn bzw. Indium aufgespritzt wurde. Da die Elektroden undurchsichtig sind, ist es zweckmässig, dem Photowiderstand gemäss der Erfindung eine Form zu geben, bei der die Länge des Randes im Verhältnis grösser ist als beim Kreis, da die Wirkung der Bestrahlung nur in der unmittelbaren Nähe des Randes auftritt.
Man kann auch eine Abnahmeelektrode benutzen, die für die zu messende Strahlung durchlässig ist. Soll der Photowiderstand mit Röntgenstrahlen beeinflusst werden so gelingt es verhältnismässig leicht, für diese Strahlung ausreichend durchlässige Abnahmeelektroden herzustellen. Es ist jedoch verhältnismässig schwer, die entsprechende Forderung bezüglich der Lichtdurchlässigkeit zu erfüllen. Es ist deshalb in diesem Falle vorzuziehen, als Abnahmeelektrode einen zahlreiche Löcher aufweisenden Überzug zu verwenden. Die einzelnen Teile, die die Löcher aufweisende Abnahmeelektrode bei einer solchen Anordnung bilden, müssen leitend miteinander verbunden sein. Wenn man also eine solche Abnahmeelektrode beispielsweise durch Aufdampfen oder Aufspritzen von Metall in dünner Schicht erhält, dann muss die Schichtdicke dennoch so gross gewählt werden, dass diese Bedingung durch teilweises Überdecken der einzelnen Teilchen erfüllt wird. Bei gleicher Fläche weist ein Photowiderstand mit einer solchen durchlöcherten Abnahmeelektrode eine weit stärkere Aenderung
seines Widerstandes in Abhängigkeit von der Stärke der Bestrahlung auf als ein Photowiderstand, bei dem der Widerstand nur in der Bestrahlung geändert wird.
Die Dicke der aus einem Überschusshalbleiter bestehenden Zwischenschicht wird zweckmässig kleiner oder höchstens gleich der Eindringtiefe der zu messenden Strahlung gewählt damit die Widerstandsänderung möglichst gross ist. Wählt man zu dicke Schichten, so ändert sich der Widerstand in dem von der Strahlung nicht oder nur schwach erreichten Teil bei Bestrahlung nicht. Dieser Teil stellt daher einen konstanten, mit dem veränderlichen Teil in Reihe geschalteten Widerstand dar. Wählt man die Schicht zu dünn, so ist der Widerstandswert ohne Bestrahlung für diese Anwendungszwecke zu klein.
Claims (5)
1. Photowiderstand für Licht- und/oder Röntgenstrahlen mit Selengrundlage, dadurch gekennzeichnet, dass er eine aus einem Überschusshalbleiter bestehende Zwischenschicht, vorzugsweise aus Wismut-, Zinn- oder Indiumselenid und eine aufgespritzte Elektrode aus dem gleichen Metall (Wismut, Zinn oder Indium) besitzt.
2. Photowiderstand nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass seine Form derart gewählt ist, dass die Länge des Randes im Verhältnis zum Flächeninhalt grösser als beim Kreis ist.
3. Photowiderstand nach Patentanspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Abnahmeelektrode für die zu messende Strahlung durchlässig ist.
4. Photowiderstand nach Patentanspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, dass die Abnahmeelektrode aus einem zahlreiche Löcher aufweisenden Überzug besteht.
5. Photowiderstand nach Patentanspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Überschusshalbleiterschicht kleiner oder höchstens gleich der Eindringtiefe der zu messenden Strahlung ist.
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