DEP0012855DA - Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trockengleichrichter, mit einer Folge von Halbleiterschichten - Google Patents

Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trockengleichrichter, mit einer Folge von Halbleiterschichten

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DEP0012855DA
DEP0012855DA DEP0012855DA DE P0012855D A DEP0012855D A DE P0012855DA DE P0012855D A DEP0012855D A DE P0012855DA
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semiconductors
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Original Assignee
LICENTIA Patent-Verwaltungs-GmbH, Hamburg
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Description

Elektrisch unsymmetrisch leitendee System^ insbesondere ü?rok-=> kengleichrichter^ mit einer Folge von Halbleiterschiohten^
Bei umfangreichen Untersuchungen hat sich herausgestellt« daß nicht nur an der Grense zwischen einem Metall und einem Halbleiter, sondern auch an der Grense zwischen einem Überschuß * und einem Defekthalbleiter eine unipolare Leitfähigkeit auftreten, kann-, sofern die- Zahl der freien Leitungstr-ager in den beiden aneinander angrenzenden Halbleitern kleiner ist als 10 cm"" * Andererseits ist es möglich* zwischen derartigen Überschuß^ oder Defelcthalbleitern und einem gut leitenden Halbleiter (spea« Leitfähigkeit größer als 10 Ο1μ""οι"° ) mit gemischter Leitfähigkeit einen sperrschichtfreien Übergsrng zu erhaltene Ordnet man entsprechend der .abbildung zwischen awei gut leitenden Elektroden 6gls s*Be zwischen awei Metallen, •ine' JMhicbtttif αίφβ von Halbleitern &«"art an, daß auf &er Trägerelektrode 1, a.B» Aluminium* zunächst ©in gemischter Halbleiter 2, wle-z*B. Wismut (Ill)selenid (BigS@3) oder ■ Bleisupero:syd. (H)Og)s dann ein Defekthalbleiter 3* wie I5^ S@len oder Supferos^dul^ ferner ein tjberachufibalblelter 4, wie SoB. Wisnut(II)8«leuid (BiSe) oder ginko^d und BchlieB« lieh wiederum ein gemischter Halbleiter 5 angeordnet ist? der seinerseits ©n die Gegenelektrode.g beispielsweise aus Wismut^ angrensstj so entsteht ein System^ dessen Übergang® 7-10 Metall/Halbleiter -and gemischter Halbloiter/Öef-ekt- oö@3? tfberschuiixalbleiter sperrschichtf-rei sindg während Sn der Grenze 11 Überschußhalbleiter/Defekthalbleiter eine ausgeprägte unipolare Leitfähigkeit auftritt β Die oben -wiedergegebene Anordnung ist zaBe imstande, Sperrspannungen von 50-40 Volt bei den üblichen Widerständen in llußrichtung zu sperrenο
Um den Plußwiderstand niedrig zu halten, ist es notwendig, daß die Schichten aus den gemischten Halbleitern möglichst dünn sind und ihre spezifische Leitfähigkeit möglichst hock ist G Ms eine ausreichende Schichtdicke hat sich der Wert 5ο 10- cm eicwieseriy als'untere Grenze der spea« Leitfähigkeit der Wert 10 Obm ein. . Die Leitfähigkeit der k
•und Defekthalbleiter darf dagegen einen bestimmten Wert; nic!ht überschreiten,= weil sonst das Sperrvermögen sinkt β AUisgeprägte unipolare ligenschaf ten wurden an. der Grenze Obers chruii* halbleiter/Defelrbharbleiter dann "beobachtet s wenn die Zahl der freien ieitungsträger geringer ist als 10 cm . Zux vollen Entfaltung der Sperrwirkung hat sich ein© picke der Überschuß= bzw ο PefekthalbleiterseMchteii von ca* ICT* ca als auereichend erwiesen» Se ist daher ■unzweckmäßig,, dickere Schichten su verwenden^, weil dadurch der Fliißwider-atand er« höht wird β ._
Die beschriebene Anordnung gestattet es nun auf einfache Weise« die angegebene SchichtenfοIge mehrfach auf einer Srägerelektrode anzubringen und das Sperrvermögen eines derartigen Systems somit um das Mehrfache zn steigern*

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    le. !Elektrisch unsymmetrisch leitendes System« Trockengleichrichter;, dadurch gekennzeichnet., daß zwei gut leitenden Elektroden eine Folge von solchen Balbieiterschichten angeordnet ists die sich durch ihren Leitfähigkeitscharakter unterscheiden*
    ο System nach Anspruch I9 dadurch gekennzeichnet j daß die Schichten in einer solchen Reihenfolge angeordnet sind? daß auf der einen Elektrode (Trägereiektrode) zunächst ein gemischter Halbleiter,, -dsuan ein Def ekthalbieiter (bzwe Überschußhalbleiter)5 ferner ein Überschüßhalbleiter (bew. Defekthalbleiter) und schließlich wiederum ein Halbleiter mit gemischter Leitfähigkeit angeordnet ist* welcher mit der zweiten,: gut leitenden Elektrode bedeckt ie to
    J0 System nach Patentanspruch 1 und 2r dadurch, gekennzeichnet* daß die Halbleiterachichtenfolge Defekthalbleiter/ÜbersciiuJä· halbleiter/gemischter Halbleiter mehrfach zwischen swei gut leitenden Elektroden angeordnet ist =
    4= System nach Anspruch 1 und folgenden,, dadurch gekenn.seich·*' nets daB die elektrische Leitfähigkeit der gemischten Harfe«* leiter größer ist als 10 ''Ohm""' cm""o
    5c System nach Anspruch 1 und folgenden^ dadurch gekennzeichnet ^ daß die Dichte der freien Leitungsträger in den Übe-rschuß- und Befektlxalbleitern kleiner ist als 10"1OwT^ ■?
    6ο System nach Anspruch 1 und folgenden., dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten aus den gemischten Halbleitern eine Dicke Iron höchstens 10" 'cm besitgene
    riο System nach Anspruch 1 und folgenden,-! dadurch gekennaeichnet j daB die Dicke der Überschuß- und Defekthalbleiter-s schichten mindestens 10 ^ und höchstens 10 beträgt.,

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