DE1514861C3 - Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung. Ausscheidung aus: 1207013 - Google Patents

Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschaltungsanordnung. Ausscheidung aus: 1207013

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DE1514861C3 DE19601514861 DE1514861A DE1514861C3 DE 1514861 C3 DE1514861 C3 DE 1514861C3 DE 19601514861 DE19601514861 DE 19601514861 DE 1514861 A DE1514861 A DE 1514861A DE 1514861 C3 DE1514861 C3 DE 1514861C3
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Description

stoffen Zonen gebildet werden, die an die Stelle des ausgeschnittenen Streifens der gezeigten Anordnung treten. Im ersten Fall wäre die Unterlage 10 der Figur ein getrennter Block aus eigenleitendem Halbleitermaterial, auf dem der Streifen 14 befestigt ist, während sie im zweiten Fall körperlich aus einem Stück Halbleitermaterial mit dem Streifen 14 bestünde, der sich dann lediglich infolge seiner Dotierung in den elektrischen Eigenschaften von der Unterlage unterscheidet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

1 2
stabile mechanische und elektrische Eigenschaften;
Patentanspruch: seine Kapazität ist nur durch die geometrischen Abmessungen und die Eigenschaften des Dielektrikums bestimmt und unabhängig von der angelegten Span-Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiterschal- 5 nung. Insbesondere kann der Kondensator mit den tungsanordnung mit einer Halbleiterschicht, in der gleichen Verfahrensmaßnahmen wie andere übliche oder auf der zwei oder mehrere verschiedenartige Schaltungsbestandteile von integrierten Halbleiter-Schaltungselemente, gebildet sind, von denen min- schaltungen und gleichzeitig mit diesen hergestellt destens eines ein Kondensator ist, dessen einer werden.
Belag ein Teil der Halbleiterschicht ist, auf die io Aufgabe der Erfindung ist eine Weiterbildung der ein Dielektrikum aufgebracht ist, und dessen dem älteren Vorschlag entsprechenden mikrominiaanderer Belag eine auf das Dielektrikum aufge- turisierten integrierten Halbleiterschaltungsanordnung brachte Metallschicht ist, dadurch gekenn- in der Weise, daß jeder Kondensator ohne Rücksicht zeichnet, daß der eine Belag eine Zone (58) auf die übrigen integrierten Schaltungselemente in der Halbleiterschicht ist, welche den entgegen- 1S der günstigsten Weise ausgebildet sein kann,
gesetzten Leitungstyp wie das darunterliegende Nach der Erfindung wird dies dadurch erreicht,
Halbleitermaterial (14) aufweist. . daß der eine Belag eine Zone der Halbleiterschicht
ist, welche den entgegengesetzten Leitungstyp wie das darunterliegende Halbleitermaterial aufweist.
.. . 2o Durch die erfindungsgemäße Ausbildung wird er
reicht, daß die den einen Belag des Kondensators bildende Halbleiterzone unabhängig von den Eigenschaften der übrigen Halbleiterschicht so ausgebildet
Die Erfindung bezieht sich auf eine mikrominiaturi- werden kann, wie dies für den Kondensatorbelag am sierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit a5 günstigsten ist. Insbesondere kann diese Zone durch einer Halbleiterschicht, in der oder auf der zwei oder Eindiffundieren von Störstoffen eine andere Leitfähigmehrere verschiedenartige Schaltungselemente ge- keit als das darunterliegende Halbleitermaterial erbildet sind, von denen mindestens eines ein Konden- halten.
sator ist, dessen einer Belag ein Teil der Halbleiter- Die Erfindung wird nachstehend an Hand der
schicht ist, auf die ein Dielektrikum aufgebracht ist, 3o Zeichnung beispielshalber beschrieben,
und dessen anderer Belag eine auf das Dielektrikum In der Figur ist ein Ausschnitt aus einer mikroaufgebrachte Metallschicht ist. miniaturisierten integrierten Halbleiterschaltungsan-
Gegenstand der älteren Patentanmeldung Ordnung im Schnitt dargestellt. Auf einer Unterlage P 14 39 754.7-33 ist ein Kondensator mit einem 10 ist ein Streifen 14 aus einem einkristallinen Haibersten Belag aus einem Halbleitermaterial nach Art 35 leitermaterial befestigt. Für das Halbleitermaterial des Siliziums oder Germaniums oder eines Verbin- kommen Germanium, Silicium, intermetallische Ledungshalbleiters, einer dielektrischen Schicht aus gierungen, wie Galliumarsenid, Aluminiumantimonid, einem Metalloxid und einer metallischen Schicht auf Indiumantimonid und viele andere Stoffe in Frage,
der dielektrischen Schicht, bei welchem der erste Bei der Herstellung wird auf dem ursprünglichen
Belag ein Teil eines Halbleiterkörpers ist, in dem 4o einkristallinen Halbleiterkörper des Leitungstyps η oder auf dem weitere Schaltungselemente gebildet zunächst durch Diffusion eine Schicht aus Halbleitersind, und bei welchem die dielektrische Schicht aus material entgegengesetzten Leitungstyps ρ gebildet, so einem Siliziumoxid gebildet ist. daß ein pn-übergang entsteht. Darin werden dann
Der Kondensator und die übrigen Schaltungs- die Schaltungselemente dadurch gebildet, daß das elemente können dabei insbesondere Bestandteile +5 Halbleitermaterial stellenweise fortgeätzt wird und einer mikrominiaturisierten integrierten Halbleiter- daß stellenweise Material des Typs η in die p-Schicht schaltungsanordnung sein, die auf und in dem ge- eindiffundiert wird. Auf die erforderlichen Stellen meinsamen Halbleiterkörper gebildet ist. werden dann zur Bildung elektrischer Anschlüsse
Die Verwendung von Siliziumdioxid als Dielektri- Metallkontakte aufplattiert oder aufgedampft,
kum eines Kondensators ist aus der deutschen Patent- 5° Auf dem Streifen 14 ist ein Kopplungskondenschrift 914 266 auch bereits vorbekannt. sator C1 gebildet. Wie die Figur zeigt, gehört zu dem
Aus der schweizerischen Patentschrift 202 347 ist Kondensator ein Siliziumdioxydüberzug 64 auf der andererseits ein Kondensator bekannt, bei dem die p-Schicht 58. Dieser Überzug dient als Dielektrikum Kapazität einer in der Sperrichtung vorgespannten für den Kondensator, während die p-Schicht 58 den Sperrschicht ausgenutzt wird. Wenn die Sperrschicht 55 einen Belag des Kondensators darstellt. Auf die Oberdurch einen pn-übergang zwischen zwei Halbleiter- sehe des Oxydüberzugs 64 ist ein Metallbelag 66 aufzonen entgegengesetzten Leitungstyps gebildet ist, plattiert, der den Kondensator vervollständigt. Der lassen sich solche Kondensatoren zwar leicht als Kondensator besteht aus den beiden leitenden BeBestandteile von integrierten Halbleiterschaltungen lägen, die durch die p-Schicht 58 und den Metallrealisieren, sie haben aber den Nachteil, daß eine 6o belag 66 dargestellt sind, und aus dem als Dielektri-Vorspannung erforderlich ist und daß die Kapazität kum wirkenden Oxydüberzug 64.
von der Größe der Vorspannung abhängt. Bei einer Die Unterlage 10 kann aus eigenleitendem Halbanderen Ausführungsform dieses bekannten Konden- leitermaterial bestehen, das sich durch einen verhältsators werden als Dielektrikum Isolierschichten von nismäßig hohen spezifischen Widerstand auszeichnet, geringer Stärke verwendet, welche von Leiter- und 65 In Abänderung der zuvor beschriebenen Ausführungs-Halbleiterschichten begrenzt sind. form könnte die gesamte Anordnung auch aus einem
Der Kondensator einer dem vorgenannten älteren Block aus eigenleitendem Halbleitermaterial gebildet Vorschlag entsprechenden Anordnung besitzt sehr werden, in welchem durch Eindiffundieren von Stör-
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DE1207013 1960-05-06
US21820662A 1962-08-14 1962-08-14
US611363A US3340406A (en) 1959-05-06 1967-01-24 Integrated semiconductive circuit structure

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DE1514861A1 DE1514861A1 (de) 1969-10-23
DE1514861B2 DE1514861B2 (de) 1972-02-24
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DE1514859B2 (de) 1976-03-25
DE1514861B2 (de) 1972-02-24

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E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977