DEI0007322MA - - Google Patents
Info
- Publication number
- DEI0007322MA DEI0007322MA DEI0007322MA DE I0007322M A DEI0007322M A DE I0007322MA DE I0007322M A DEI0007322M A DE I0007322MA
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photoconductive
- coating
- layer
- germanium
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- VDNSGQQAZRMTCI-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenegermanium Chemical compound [Ge]=S VDNSGQQAZRMTCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AWNXKZVIZARMME-UHFFFAOYSA-N 1-[[5-[2-[(2-chloropyridin-4-yl)amino]pyrimidin-4-yl]-4-(cyclopropylmethyl)pyrimidin-2-yl]amino]-2-methylpropan-2-ol Chemical compound N=1C(NCC(C)(O)C)=NC=C(C=2N=C(NC=3C=C(Cl)N=CC=3)N=CC=2)C=1CC1CC1 AWNXKZVIZARMME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- YIZVROFXIVWAAZ-UHFFFAOYSA-N germanium disulfide Chemical compound S=[Ge]=S YIZVROFXIVWAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical class [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2439848C2 (de) | Verfahren zum Aufzeichnen mittels eines Laserstrahls | |
| DE2061699C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2739857C2 (en(2012)) | ||
| DE1564544B2 (de) | Photoelektrische einrichtung und verfahren zur herstellung einer photoschicht hierfuer | |
| DE2644168C3 (de) | Verwendung einer kristallinen Wismutoxid-Verbindung der Zusammensetzung Bi↓10↓-14X↓1↓O↓n↓, sowie Vorrichtungen hierzu und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE966028C (de) | Fotoleitende Elektrode | |
| DE2000101A1 (de) | Immersionsbolometer | |
| DE688167C (en(2012)) | ||
| DE2216720B2 (de) | Festkörperbildspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2547760A1 (de) | Pyroelektrisches material | |
| DE2335504A1 (de) | Pyroelektrische einrichtung | |
| DE3632210C2 (en(2012)) | ||
| DE1057251B (de) | Bildwandler, bei welchem ein strahlungs-empfindlicher Stoff die Lumineszenz eines elektrolumineszierenden Stoffes steuert | |
| DE1547963A1 (de) | Verfahren zur Erzielung fotografischer Abbildungen | |
| DE2250184C3 (de) | Optisches Relais, das ein photoleitendes Element enthält | |
| DE68909658T2 (de) | Photolumineszente Dünnschicht-Gegenstände und Methode zur Herstellung derselben. | |
| DEI0007322MA (en(2012)) | ||
| DE69633160T2 (de) | Nichtlineares mim, seine herstellung und flüssigkristallanzeige | |
| DE1299311B (de) | Speicherelektrode fuer Vidicon-Bildaufnahmeroehren | |
| DE3685858T2 (de) | Verfahren zur verstaerkung eines koerpers aus silizium, materialien dafuer und seine anwendung zur verringerung der dicke eines siliciumplaettchens. | |
| DE1295613B (de) | Halbleiter-Speicherelektrodenanordnung mit einer Halbleiterschicht und Fernseh-Aufnahmeroehre mit einer solchen Speicherelektrode | |
| DE2628474C3 (de) | Aufnahmeeinrichtrung mit Bildwandlertarget für eine Aufnahmeröhre | |
| DE2636992A1 (de) | Photoleiterelement und verfahren zur herstellung des elements | |
| DE2828390A1 (de) | Photoleitfaehiges transparentes material und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE2058640A1 (de) | Signalfenster fuer Elektronenroehren |