DEI0006988MA - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 35
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 16
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 7
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Family
ID=
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