DE973211C - Verfahren zur Ausruestung kantiger Elektrodenstaebe mit halbleitendem Material fuer den Bau von Richtleitern - Google Patents
Verfahren zur Ausruestung kantiger Elektrodenstaebe mit halbleitendem Material fuer den Bau von RichtleiternInfo
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- H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
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- H01L2924/181—Encapsulation
Description
AUSGEGEBEN AM 24. DEZEMBER 1959
5 29085 VIIIc j 21g
Nürnberg
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausrüstung kantiger Elektrodenstäbe mit halbleitendem
Material zur Herstellung von Richtleitern.
Bei Richtleitern ist es bereits üblich, den halbleitenden Kristall, z. B. aus Silizium oder Germanium,
und die aufgesetzte Metallspitze, z. B. aus Wolfram oder einem Halbleiter, an metallischen Kappen zu
befestigen, die ihrerseits die offenen Enden eines isolierenden keramischen Röhrchens abschließen. Diese
bekannte Ausführungsform erfordert für die Herstellung der Einzelteile eine verhältnismäßig genaue
Arbeit, um zu erreichen, daß die Spitzenelektrode beim Einbau der Teile in das Röhrchen tatsächlich in
Berührung mit dem halbleitenden Kristall kommt. Aus diesem Grunde ist dieses Verfahren nicht für die
Serienfabrikation geeignet, bei der auch von ungeübten Händen zuverlässig arbeitende Erzeugnisse
erreicht werden müssen.
Es ist ferner bekannt, die Elektroden eines Richtleiters, also Halbleiter und Spitze, an kantigen,
vorzugsweise vierkantigen Stäben zu befestigen, die in das an den Enden vorzugsweise metallisch ausgekleidete
und zweckmäßig zylindrische Isolierröhrchen eingedrückt werden. Dieses Verfahren hat
den Vorteil der leichten Zentrierung der Elektroden und damit einer vereinfachten Herstellungsweise.
Außerdem ist ein bequemes und zuverlässiges Vergießen des Röhrcheninnenraumes möglich.
Die Erleichterung und Zuverlässigkeit der Zentrierung, d. h. das »Sichtreffen« der Elektroden beim
Einbau, ist dadurch zu erklären, daß die Kanten der den Kristall bzw. die Metallspitze tragenden Stäbe,
insbesondere Vierkantstäbe, eine sichere Führung und Ausrichtung beim Einpressen in das offene Röhrchen
selbst bei Vorhandensein kleiner Unebenheiten des Röhrchenmaterials gewährleisten, ohne daß hierzu
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besondere Hilfsmittel oder sorgfältige Beobachtung erforderlich sind. Diese Wirkung kann noch dadurch
erhöht werden, daß die offenen Enden des Röhrchens innen in begrenzter Ausdehnung mit einem Stoff ausgekleidet
werden, der ein leichtes Eindrücken und Verankern der Vierkantstäbe ermöglicht. Zweckmäßig
wird für die Auskleidung ein verhältnismäßig weiches Metall verwendet, das in Form eines schmalen Ringes
in die offenen Enden des Isolierröhrchens eingesetzt ίο und dort vorzugsweise verkittet wird.
Die zwischen den kantigen Elektrodenstäben und dem Röhrchen bzw. der ringförmigen Auskleidung
vorhandenen Kanäle lassen ein bequemes Vergießen der Kontaktstelle bzw. des Innenraumes des Röhrchens
nach vollzogenem Einbau der Elektroden zu und gestatten außerdem das Entweichen der etwa
bei diesem Prozeß entstehenden Gase oder Dämpfe. Schließlich ist die Verwendung kantiger Elektrodenstäbe
deshalb von Vorteil, weil dadurch das Problem der Zerkleinerung des Halbleitermaterials in für die
Serienfertigung günstiger Weise gelöst wird.
Von diesem Stand der Technik geht die Erfindung
aus, welche die Aufgabe löst, kantige Elektrodenstäbe für den Bau von Richtleitern, insbesondere Kristalldioden,
herzustellen. Die Erfindung besteht darin, daß kantige Stäbe zunächst zu einer Art Kabel
gebündelt werden und ihre bündige Stirnseite alsdann,
z. B. durch Verlöten, mit einer großflächigen Platte halbleitenden Materials, z. B. aus Germanium; versehen
wird, die anschließend durch Sägen oder eine ähnliche Arbeitsweise aufgeteilt wird.
Fig. ι a zeigt den bekannten Aufbau eines Richtleiters
im Längs- und
Fig. ib im Querschnitt längs der Schnittebene A-B.
Fig. 2 soll das Verfahren gemäß der Erfindung zum Aufteilen des Halbleitermaterials, z. B. zum Aufbau
eines Richtleiters nach den Fig. ia und ib, veranschaulichen.
In Fig. ι a ist mit 1 der Richtleiterkörper bezeichnet,
der vorzugsweise aus einem keramischen Röhrchen besteht. Dieses ist innen an den offenen Enden mit
je einem Ring 2 bzw. 2' ausgekleidet, für den als Material zweckmäßig weiches Messing verwendet
wird. Die Ringe 2, 2' sind mit dem keramischen Röhrchen verkittet, um eine starre Verbindung mit
diesem sicherzustellen und um dadurch das Eintreiben der kantigen Elektrodenstäbe 3 und 3' bis zum Aufsetzen
der Spitze 4 auf den Kristall 5 zu ermöglichen. Wie die Fig. ib zeigt, bestehen bei der bekannten
Bauweise zwischen den Elektrodenstäben 3 bzw. 3' und dem Röhrchen 1 oder den Zwischenringen 2 bzw. 2'
Kanäle 6, die ein Vergießen der Kontaktstelle 7 bzw. des ganzen Innenraumes 8 und das Entweichen etwa
hierbei entstehender Gase oder Dämpfe ermöglichen. Es ist also ohne Schwierigkeiten möglich, den Riehtleiter
beschleunigungsfest zu machen. Als Material für das Vergießen werden die an sich in der Diodentechnik
bekannten Stoffe verwendet, von denen sich erhärtende Kunststoffe als besonders zweckmäßig
erwiesen haben. Die Stirnseiten des keramischen Röhrchens 1 werden nach vollzogener elektrischer
Prüfung des Richtleiters vorzugsweise durch eine Vergußmasse 9, 9' oder einen Kitt abgedichtet, um
den gesamten inneren Aufbau gegen schädliche äußere Einflüsse zu schützen.
In der Fig. 2 ist gezeigt, wie erfindungsgemäß die einzelnen kantigen Elektrodenstäbe zum Zwecke der
Ausstattung mit je einem Stück halbleitenden Kristalls gebündelt werden. Es wird eine Art Kabel gebildet,
dessen einzelne Adern aus den Elektrodenstäben 3 bestehen. Die Bündelung erfolgt in der Weise, daß
eine praktisch zusammenhängende und bündige Stirnfläche 10 entsteht, die dann mit einer großflächigen
Halbleiterplatte 11, z. B. aus Germanium, bedeckt wird. Die Verbindung des Halbleitermaterials mit
der Stirnfläche der Elektrodenstäbe erfolgt durch Löten oder in einer anderen Weise, die den gleichen
mechanischen und elektrischen Zweck erfüllt. Nunmehr wird die Halbleiterplatte in Richtung der
Berührungsebenen der einzelnen'Stäbe, d.h. Li-Lz,
L3-L4 usw., durch Sägen oder in einer anderen zweckmäßigen
Weise aufgeteilt. Hiernach wird das Kabel auseinandergenommen, so daß der Einbau der einzelnen
Elektroden in den Diodenkörper erfolgen kann.
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zur Ausrüstung kantiger Elektrodenstäbe, insbesondere vierkantiger Elektrodenstäbe, mit halbleitendem Material für den Bau von Richtleitern, bei denen der mit dem halbleitenden Material versehene Elektrodenstab in das vorzugsweise zylindrische Gehäuse eingetrieben wird, dadurch gekennzeichnet, daß die kantigen Stäbe zu einer Art Kabel gebündelt werden und ihre bündige Stirnseite alsdann, z. B. durch Verlöten, mit einer großflächigen Platte halbleitenden Materials, z. B. aus Germanium, versehen wird, die anschließend durch Sägen oder eine ähnliche Arbeitsweise aufgeteilt wird.In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 147373; USA.-Patentschrift Nr. 2538593; »Bell Laboratories Record«, Dezember 1948, Vol. XXVI, S. 485.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 909 675/26 12.59
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE525569D BE525569A (de) | 1952-06-27 | ||
DES29085A DE973211C (de) | 1952-06-27 | 1952-06-27 | Verfahren zur Ausruestung kantiger Elektrodenstaebe mit halbleitendem Material fuer den Bau von Richtleitern |
GB13660/53A GB732605A (en) | 1952-06-27 | 1953-05-15 | Unsymmetrical conducting device, particularly crystal diode |
FR65582D FR65582E (fr) | 1952-06-27 | 1953-06-27 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES29085A DE973211C (de) | 1952-06-27 | 1952-06-27 | Verfahren zur Ausruestung kantiger Elektrodenstaebe mit halbleitendem Material fuer den Bau von Richtleitern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE973211C true DE973211C (de) | 1959-12-24 |
Family
ID=7479656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES29085A Expired DE973211C (de) | 1952-06-27 | 1952-06-27 | Verfahren zur Ausruestung kantiger Elektrodenstaebe mit halbleitendem Material fuer den Bau von Richtleitern |
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---|---|
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DE (1) | DE973211C (de) |
FR (1) | FR65582E (de) |
GB (1) | GB732605A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE974194C (de) * | 1953-04-02 | 1960-10-13 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen sehr kleiner wirksamer Flaeche |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE147373C (de) * | ||||
US2538593A (en) * | 1949-04-30 | 1951-01-16 | Rca Corp | Semiconductor amplifier construction |
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0
- BE BE525569D patent/BE525569A/xx unknown
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1952
- 1952-06-27 DE DES29085A patent/DE973211C/de not_active Expired
-
1953
- 1953-05-15 GB GB13660/53A patent/GB732605A/en not_active Expired
- 1953-06-27 FR FR65582D patent/FR65582E/fr not_active Expired
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DE974194C (de) * | 1953-04-02 | 1960-10-13 | Standard Elek K Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Sperrschichtzellen sehr kleiner wirksamer Flaeche |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR65582E (fr) | 1956-02-28 |
BE525569A (de) | 1900-01-01 |
GB732605A (en) | 1955-06-29 |
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