DE968592C - Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen - Google Patents

Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen

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DE968592C
DE968592C DES17706A DES0017706A DE968592C DE 968592 C DE968592 C DE 968592C DE S17706 A DES17706 A DE S17706A DE S0017706 A DES0017706 A DE S0017706A DE 968592 C DE968592 C DE 968592C
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glow discharge
selenium
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transistors
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Expired
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DES17706A
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English (en)
Inventor
Dr Walter Gieseke
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

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Description

  • Verfahren zur Erzielung von für Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflächenzuständen auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen Um eine gute Richtleiterwirkung zu erzielen, ist es bei Germaniumgleichrichtern bekannt, die Oberfläche des Germaniums chemisch oder elektrolytisch zu ätzen. Die Erfindung geht einen neuen Weg zur Oberflächenbehandlung der Halbleiteroberfläche. Durch Versuche wurde festgestellt, daß der Detektor oder Transistor (d. s. Richtleiter mit mehreren auf die Halbleiterfläche aufgesetzten Elektroden, z. B. von Kontaktspitzen, von denen mindestens eine als Steuerelektrode [»Gitter«] und mindestens eine weitere als Abnahmeelektrode [»Anode«] dient) eine gute Richtleiter- und/öder Verstärkerwirkung zeigt, wenn die Oberfläche des Halbleiters vor Aufsetzen der Elektroden, z. B. der Kontaktspitze oder -spitzen, einer Glimmentladung ausgesetzt worden war. Diese Glimmentladung kann in verschiedenen Gasen, wie Luft, Wasserstoff, Stickstoff oder Edelgasen, und bei verschiedenen Drücken durchgeführt werden. Die Wahl von Gas und Druck muß dem be handelten Halbleiterwerkstoff angepaßt werden.
  • Die Erfindung bezieht sich somit auf Verfahren zur Erzielung von für Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflächenzuständen auf Hall,-leitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen. Erfindungsgemäß wird die Halbleiter oberfläche an Stelle der bisher bekannten chemischen oder elektrolytischen Ätzung und zum gleichen Zweck wie diese einer Glimmentladung in Wasserstoff, Stickstoff oder Edelgasen ausgesetzt.
  • Besonders vorteilhaft ist die Glimmätzung gemäß der Erfindung dort, wo die üblichen Ätzverfahren nicht angewandt werden können, wie z. B. bei Sulfiden, bei denen eine chemische oder elektrolytische Ätzung wegen der Gefahr einer Oxydation ungeeignet erscheint.
  • Sehr gute Ergebnisse werden z. B. bei Germanium erzielt, wenn der zu behandelnde Halbleiter selber als Elektrode bei der Glimmentladung dient und dabei der Halbleiter als Kathode geschaltet ist, wobei die Glimmentladung von Gleichspannung erzeugt wird. Auch für Silizium ist das Verfahren gut geeignet. Gegebenenfalls empfiehlt es sich auch, eine Wechselspannungs-Glimmentlädung anzuwenden.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: r. Verfahren zur Erzielung von für Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflächenzuständen auf Halbleitern, beispielsweise Ger manium mit Ausnahme von Selen, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche an Stelle der bisher bekannten chemischen oder elektrolytischen Ätzung und zum gleichen Zweck wie diese einer Glimmentladung in Wasserstoff, Stickstoff oder Edelgasen ausgesetzt wird. z. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter selber als Elektrode bei der Glimmentladung geschaltet und die Glimmentladung von einer Gleichspannung erzeugt wird. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter als Kathode bei der Glimmentladung geschaltet wird. 4. Verfahren nach Anspruch 1,:2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung von einer Wechselspannung oder noch zusätzlich mit einer überlagerten Gleichspannung erzeugt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Schweizerische Patentschrift Nr. aoi o96; Phys. Rev., Bd. 7q., 1948, HHeft 9,
  2. 2. Serie, S. 1255, Referat A 3.
DES17706A 1950-07-15 1950-07-15 Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen Expired DE968592C (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH201096A (de) * 1935-06-01 1938-11-15 Philips Nv Gleichrichterzelle.

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CH201096A (de) * 1935-06-01 1938-11-15 Philips Nv Gleichrichterzelle.

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