DE968592C - Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen - Google Patents
Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von SelenInfo
- Publication number
- DE968592C DE968592C DE1950S0017706 DES0017706A DE968592C DE 968592 C DE968592 C DE 968592C DE 1950S0017706 DE1950S0017706 DE 1950S0017706 DE S0017706 A DES0017706 A DE S0017706A DE 968592 C DE968592 C DE 968592C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- glow discharge
- selenium
- detectors
- exception
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
- Verfahren zur Erzielung von für Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflächenzuständen auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen Um eine gute Richtleiterwirkung zu erzielen, ist es bei Germaniumgleichrichtern bekannt, die Oberfläche des Germaniums chemisch oder elektrolytisch zu ätzen. Die Erfindung geht einen neuen Weg zur Oberflächenbehandlung der Halbleiteroberfläche. Durch Versuche wurde festgestellt, daß der Detektor oder Transistor (d. s. Richtleiter mit mehreren auf die Halbleiterfläche aufgesetzten Elektroden, z. B. von Kontaktspitzen, von denen mindestens eine als Steuerelektrode [»Gitter«] und mindestens eine weitere als Abnahmeelektrode [»Anode«] dient) eine gute Richtleiter- und/öder Verstärkerwirkung zeigt, wenn die Oberfläche des Halbleiters vor Aufsetzen der Elektroden, z. B. der Kontaktspitze oder -spitzen, einer Glimmentladung ausgesetzt worden war. Diese Glimmentladung kann in verschiedenen Gasen, wie Luft, Wasserstoff, Stickstoff oder Edelgasen, und bei verschiedenen Drücken durchgeführt werden. Die Wahl von Gas und Druck muß dem be handelten Halbleiterwerkstoff angepaßt werden.
- Die Erfindung bezieht sich somit auf Verfahren zur Erzielung von für Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflächenzuständen auf Hall,-leitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen. Erfindungsgemäß wird die Halbleiter oberfläche an Stelle der bisher bekannten chemischen oder elektrolytischen Ätzung und zum gleichen Zweck wie diese einer Glimmentladung in Wasserstoff, Stickstoff oder Edelgasen ausgesetzt.
- Besonders vorteilhaft ist die Glimmätzung gemäß der Erfindung dort, wo die üblichen Ätzverfahren nicht angewandt werden können, wie z. B. bei Sulfiden, bei denen eine chemische oder elektrolytische Ätzung wegen der Gefahr einer Oxydation ungeeignet erscheint.
- Sehr gute Ergebnisse werden z. B. bei Germanium erzielt, wenn der zu behandelnde Halbleiter selber als Elektrode bei der Glimmentladung dient und dabei der Halbleiter als Kathode geschaltet ist, wobei die Glimmentladung von Gleichspannung erzeugt wird. Auch für Silizium ist das Verfahren gut geeignet. Gegebenenfalls empfiehlt es sich auch, eine Wechselspannungs-Glimmentlädung anzuwenden.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHE: r. Verfahren zur Erzielung von für Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflächenzuständen auf Halbleitern, beispielsweise Ger manium mit Ausnahme von Selen, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteroberfläche an Stelle der bisher bekannten chemischen oder elektrolytischen Ätzung und zum gleichen Zweck wie diese einer Glimmentladung in Wasserstoff, Stickstoff oder Edelgasen ausgesetzt wird. z. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter selber als Elektrode bei der Glimmentladung geschaltet und die Glimmentladung von einer Gleichspannung erzeugt wird. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter als Kathode bei der Glimmentladung geschaltet wird. 4. Verfahren nach Anspruch 1,:2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Glimmentladung von einer Wechselspannung oder noch zusätzlich mit einer überlagerten Gleichspannung erzeugt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Schweizerische Patentschrift Nr. aoi o96; Phys. Rev., Bd. 7q., 1948, HHeft 9,
- 2. Serie, S. 1255, Referat A 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1950S0017706 DE968592C (de) | 1950-07-15 | 1950-07-15 | Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1950S0017706 DE968592C (de) | 1950-07-15 | 1950-07-15 | Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE968592C true DE968592C (de) | 1958-03-06 |
Family
ID=7475460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1950S0017706 Expired DE968592C (de) | 1950-07-15 | 1950-07-15 | Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE968592C (de) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH201096A (de) * | 1935-06-01 | 1938-11-15 | Philips Nv | Gleichrichterzelle. |
-
1950
- 1950-07-15 DE DE1950S0017706 patent/DE968592C/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH201096A (de) * | 1935-06-01 | 1938-11-15 | Philips Nv | Gleichrichterzelle. |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1564963B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines stabilisierten halbleiter bauelements | |
| DE968592C (de) | Verfahren zur Erzielung von fuer Transistoren, Detektoren od. dgl. geeigneten Oberflaechenzustaenden auf Halbleitern, beispielsweise Germanium mit Ausnahme von Selen | |
| DE1004294B (de) | Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiterkoerpers | |
| DE1170079B (de) | Halbleiteranordnung | |
| DE1160547B (de) | Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang | |
| DE2127658B2 (de) | ||
| DE829224C (de) | Verfahren und Vorrichtungen zur Herstellung von UEberzuegen | |
| DE1250006B (de) | ||
| DE871823C (de) | Verfahren zur Herstellung desinfizierender und heilender Verbandstoffe | |
| DE969508C (de) | Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung | |
| DE1040134B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Halbleiterkoerpern mit p-n-UEbergang | |
| DE3015296A1 (de) | Verfahren zum aetzen von werkstueckoberflaechen mittels eines durch eine elektrische gasentladung aktivierten gases | |
| DE1093910B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleiteranordnung | |
| DE1226394B (de) | Schnellnitrierverfahren | |
| DE1085138B (de) | Verfahren zur Reinigung von Abgasen von Schwefelsaeurefabriken mittels Elektrofilter | |
| DE1243943B (de) | Verfahren zur Stabilisierung oder Steuerung der Oberflaecheneigenschaften eines kristallinen Halbleiterplaettchens | |
| DE1041164B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit einem Halbleiterkristall | |
| DE1273956B (de) | Verfahren zur Verbesserung einer Siliziumdioxiddeckschicht auf Halbleitergrundkoerpern | |
| DE495736C (de) | Elektronenroehre mit einer elektronenaussendenden Kathode, einer Anode, einem Steuergitter und einem Abschirmgitter, die alle gleichachsig angeordnet sind | |
| DE1184423B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht auf einem Halbleiterbauelement | |
| DE833230C (de) | Verfahren zur Einstellung von mehreren metallischen Spitzen in einen sehr nahen Abstand zueinander, vorzugsweise fuer die Einstellung bei Kristall-Trioden | |
| CH141690A (de) | Verfahren zur Herstellung eines antirachitisch wirkenden Produktes. | |
| FR2380683A1 (fr) | Procede de traitement des electrodes destinees a servir de cathodes pour arc electrique dans une atmosphere d'argon | |
| DE1269738B (de) | Verfahren zur Stabilisierung von Halbleiterbauelementen | |
| DE2128488C3 (de) | Grenzschichtdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung |