DE932256C

DE932256C - Hochspannungsschaltanlage mit Doppelsammelschienen

Info

Publication number: DE932256C
Application number: DEL10147A
Authority: DE
Inventors: Gustav Dipl-Ing Meiners
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1951-09-20
Filing date: 1951-09-20
Publication date: 1955-08-29

Description

Hochspannungsschaltanlage mit Doppelsammelschienen Die Verwendung von sogenannten Einpunkttrennschaltern im Hochspannungsschaltanlagenbau ist bekannt. In der Grundrißzeichnung von Hochspannungsschaltanlagen wird ein solcher Trennschalter als ein Punkt dargestellt, der an .der Kreuzungsstelle von zwei Leitungen liegt, die durch den Trennschalter miteinander verbunden werden können. Die beiden Leitungen liegen in verschiedenen horizontalen Ebenen., und der Einpunkttrennschalter arbeitet nach dem Prinzip einer Schere, die vom unteren auf den oberen Leiter zu bewegt wird, um die Verbindung 'herzustellen.
Die Erfindung betrifft eine Hochspannungsschaltanlage mit ineinander verschachtelten Doppelsammelschienen, bei der die Verbindung zwischen den Leistungsschaltern und den Sammelschienen durch sogenannte Einpunkttrennschalter hergestellt wird und bei der im Grundriß der Schaltanlage ein Leistungsschalter links und ein Leistungsschalter rechts von den Sammelschienensystemen angeordnet ist. Unter Benutzung solcher Einpunkttrennschalter wird eine Verringerung der Felderbreite erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß die Verbindungsleitungen zwischen .den links und rechts liegenden LeistungsscJhaltern und den Sammelschienentrennschaltern zum Teil in einer Linie liegen.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung schematisch dargestellt, und zwar zeigt Fig. r eine Hochspannungsschaltanlage in Seitenansicht, Fi,g. a im Grundriß.
Dabei ist der Übersicht halber vorerst angenommen, daß es sich um eine Einphasenanlage handelt, wie sie bei der Bähnstromversorgung vorkommt. Der Erfindungsgedanke ist jedoch, wie später noch ausgeführt wird, auch bei Drebstromanlagen anwendbar und von Vorteil.
Es ist angenommen, daß die Schaltanlage über eine von rechts kommende Hochspannungsleitung i gespeist wird. 2 ist ein Meßwandler, 3 ein Leistungsschalter. Von hier führen, da es sich voraussetzungsgemäß um eine Einphasen.anlage handeln soll, zwei Leitungen q., 5 zu den Fußpunkten von Einpunkttrennschaltern 6, 7, 8, 9, die im Grundriß (Fig. 2) mit Kreuzen bezeichnet sind. Beide Leitungen q., 5 und somit auch die Fußpunkte der erwähnten Trennschalter liegen in einer horizontalen Ebene. Die Trennschalter sind nach einer Konstruktion entsprechend dem Prinzip der Schere gebaut und stellen bei ihrer Betätigung die Verbindung zu den in einer darüberliegenden Ebene angeordneten Doppelsammelschienen R, S, R1, S1 eher. Die einzelnen Phasenleiter der Doppelsammelsdhienen sind nun nicht, wie üblich, so angeordnet, daß die beiden zusammengehörenden Phasenleiter nebeneinanderliegen; vielmehr ist das. Doppelsammeischienensystem so verschachtelt, daß gleichbezeichnete Phasenleiter nebeneinanderliegen, beispielsweise S und Si bzw. R und R1. Der Abstand zwischen Sammelschienen gleichen Potentials ist mit a, der Abstand zwischen Sammelschienen verschiedenen Potentials mit b bezeichnet. Der Abstand d 'kann unter Umständen verhältnismäßig klein gewählt. werden, da es sich; wie schon erwähnt, um Sammelschienen handelt, die im Betrieb gleiches Potential haben. Der Abstand b dagegen muß dem vollen, durch die Höhe der Spannung vorgeschriebenen Isolationsabstand entsprechen. Zwischen den Leitern 4 und 5 ist ein :durch die Höhe der , Spannung vorgeschriebener Abstand c vorhanden.
Von dem Doppelsammelschienensystem soll in dem betrachteten Feld eine abgehende zweipolige Leitung io, ii gespeist werden, deren Leiter voneinander wieder im Abstand c verlegt werden müssen. Um die Verbindung zwischen diesen beiden Leitern und den Phasenleitern des Doppelsammelschienensystems herzustellen, sind Einpunkttrennschalter 12, 13, 1q., 15 vorgesehen. Sowohl die Leiter io, i i- als auch die Fußpunkte der Trennsehalter 12 bis 15 liegen in derselben horizöntalen Ebene wie die Leiter q., 5. Im Zuge der. abgehenden Leitung sind an die Leiter io, ii ein Leistungsschalter 16, ein Meßwandler 17 und schließlich die abgehende zweipolige Leitung 18 angeschlossen.
Wie schon oben erwähnt, sind die beidlen Sammelschienensysteme miteinander verschachtelt. Diese Anordnung bietet die Möglichkeit, die Leiter q. und I i im Grundriß in eine Gerade zu legen. Daher werden zwischen den Leitern io und 5, in Richtung der Sammelschienen gemessen, nur zwei Isolationsabstände c benötigt, während bei der üblichen Anordnung mit getrennten Sammelschienensystemen 3 Abstände c erforderlich sind. Die Felderbreite für einen Abzweig dieser Art kann dadurch merklich verringert und somit an Grundfläche gespart werden.
Dasselbe gilt sinngemäß für den Fall, daß es sich sowohl bei der ankommenden als auch der abgehenden Leitung um Drehstrom handelt. Auch .in diesem Fall kann durch Zusammenfassung gleichphasiger Sammelschienen eines Doppelsammelschienensystems und durdh Versetzung der ankommenden bzw. abgehenden Leitungen ein Isolationsabstand c gespart werden.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Hochspannungsschaltanlage mit ,ineinander verschachtelten Doppelsammelschienen, bei der die Verbindung zwischen den Leistungsschaltern und den Sammelschienen durch sogenannte Einpunkttrennschalter !hergestellt wird und bei der im Grundriß der Schaltanlage ein Leistungsschalter links und ein Leistungsschalter rechts von .den Sammelschienensystemen angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungsleitungen zwischen den links und rechts liegenden Leistungsschaltern und den Sammelschienentrennschaltern zum Teil in einer Linie liegen.
2. Hochspannungsschaltanlage nach Anspruch z, dadurch gekennzeichnet, da.ß die Phasenleiter der Doppelsammelschienensysteme so verschachtelt angeordnet sind, daß jeweils Phasenleiter gleichen Potentials nebeneinanderliegen.