DE92496T1 - Giessform mit sektionen zum starten und auswaehlen fuer giessen unter gerichteter erstarrung. - Google Patents

Giessform mit sektionen zum starten und auswaehlen fuer giessen unter gerichteter erstarrung.

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DE92496T1
DE92496T1 DE198383630030T DE83630030T DE92496T1 DE 92496 T1 DE92496 T1 DE 92496T1 DE 198383630030 T DE198383630030 T DE 198383630030T DE 83630030 T DE83630030 T DE 83630030T DE 92496 T1 DE92496 T1 DE 92496T1
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DE
Germany
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casting
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Application number
DE198383630030T
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English (en)
Inventor
Martin Jay South Windsor Connecticut 06074 Reiner
Kenneth Edward Longmeadow Massachusetts 01106 Taylor
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Raytheon Technologies Corp
Original Assignee
United Technologies Corp
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Publication date
Application filed by United Technologies Corp filed Critical United Technologies Corp
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Pending legal-status Critical Current

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    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
    • B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
    • B22D27/045—Directionally solidified castings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22C—FOUNDRY MOULDING
    • B22C9/00—Moulds or cores; Moulding processes
    • B22C9/02—Sand moulds or like moulds for shaped castings
    • B22C9/04—Use of lost patterns
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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Claims (10)

Europäische Patentanmeldung Nr. 83630030.1 United Technologies Corporation ÜBERSETZUNG Patentansprüche :
1. Form zum Gießen eines Einkristallgegenstands, mit einem Gegenstandsabschnitt zum Festlegen des Gegenstands; mit einem Wählabschnitt, der mit dem Gegenstandsabschnitt verbunden ist, zum Umwandeln von Stengelgefügewachstum in Einkristallgefügewachstum; und mit einem Startabschnitt, der ein mit dem Wählabschnitt verbundenes erstes Ende und ein offenes zweites Ende zum Ermöglichen von Stengelgefügewachstum ν in schmelzflüssigem Metall hat; dadurch gekennzeichnet, daß die Längen des Startabschnitts und des Wählab- .
Schnitts längs einer vertikalen Formachse liegen, daß ^
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der Wählabschnitt einen Durchlaß hat, dessen Querabmessung kleiner ist als die Querabmessung des an ihn angrenzenden Startabschnitts, und daß der Startabschnitt einen ersten Unterabschnitt an dem ersten Ende mit größerem Verhältnis von Mantelfläche zu Volumen hat als das Verhältnis von Mantelfläche zu Volumen eines zweiten Unterabschnitts an dem zweiten Ende.
2. Form nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen zweiten Unterabschnitt mit einem Volumen zwischen 52-98 % des gesamten Startabschnittsvolumens.
3. Form nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen zweiten Unterabschnitt mit etwa 75-85 % des Volumens des Startabschnitts.
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4. Form nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich-
net, daß die axiale Länge des ersten Unterabschnitts größer ist als die axiale Länge des zweiten Unterab
schnitts.
5. Form nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Stufe in dem Startabschnitt zwischen dem ersten und dem zweiten Unterabschnitt, die einen Teil der Form
bildet, welcher sich quer zu der vertikalen Achse erstreckt, um eine Stufe zu bilden.
6. Form nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Stufe mit einer Länge L von mindestens 0,6 cm, gemessen ab der benachbarten axialen Wand des Unterabschnitts an dem zweiten Ende.
7. Form nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Wählabschnitt, der als Wendel ausgebildet ist.
8. Form nach Anspruch 1, 2 oder 5, gekennzeichnet durch eine feuerfeste Keramikform, die zur Aufnahme von schmelzflüssiger kubischflächenzentrierter Superlegierung geeignet ist und einen Startabschnitt mit einer Gesamthöhe von etwa 5 cm hat, der aus einem ersten Unterabschnitt mit einer Höhe H1 von 1,6-4 cm und einer Breite W1 von 0,6-1,6 cm und aus einem zweiten Unterabschnitt mit einer Höhe H2 von 1,6-2,5 cm und einer Breite W2 von 2,5-5 cm besteht.
9. Form nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch eine Form, die einen Startabschnitt mit einer Gesamthöhe von etwa 5 cm; H1 von etwa 2,5 cm; H2 von etwa 1,6 cm; W1 von 1-1,6 cm; und W2 von etwa 2,5-3,2 cm hat.
10. Verfahren zum Verbessern der Kristallorientierung in einem gerichtet erstarrten Gußstück in bezug auf eine Längsachse des Gußstückes, wobei bewirkt wird, daß sich eine Erstarrungsgrenzfläche in der Längsachse von einem Startabschnitt zu einem Gegeristandsabschhitt kontinuierlich durch die Form bewegt; gekennzeichnet durch Gießen von Metall in den Startabschnitt der Form, Erstarrenlassen des Metalls an einer gekühlten Fläche darin; Bewirken -, daß sich eine Erstarrürigsgrenzflache von der gekühlten Fläche aus und durch den Startabschnitt bewegt, um ein Kriställwächstum an einer Grenzfläche zu bilden, die einen ersten Umriß hat; Ändern der Wärmeübertragungsbedingürigeri, um die Grenzfläche mit einem zweiten
Umriß zu versehen, wenn diese sich dem Ende des Startabschnitts nähert, damit der zweite Umriß im Vergleich zu dem ersten Umriß ebener gemacht wird; und Bewirken, daß sich die Grenzfläche durch den Gegenstandsabschnitt der Form bewegt.
DE198383630030T 1982-03-01 1983-02-25 Giessform mit sektionen zum starten und auswaehlen fuer giessen unter gerichteter erstarrung. Pending DE92496T1 (de)

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JP (1) JPS5942171A (de)
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JPS5942171A (ja) 1984-03-08
IL68001A (en) 1986-10-31
EP0092496A1 (de) 1983-10-26
CA1212598A (en) 1986-10-14
EP0092496B1 (de) 1986-10-01
JPH0120951B2 (de) 1989-04-19
IL68001A0 (en) 1983-06-15

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