DE896964C - Durch Elektronenaufprall oder Ultraviolettbestrahlung leuchtende Schicht - Google Patents
Durch Elektronenaufprall oder Ultraviolettbestrahlung leuchtende SchichtInfo
- Publication number
- DE896964C DE896964C DEP3161D DEP0003161D DE896964C DE 896964 C DE896964 C DE 896964C DE P3161 D DEP3161 D DE P3161D DE P0003161 D DEP0003161 D DE P0003161D DE 896964 C DE896964 C DE 896964C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ultraviolet radiation
- electron impact
- base
- layer
- cadmium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NCDKOFHLJFJLTB-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);dioxido(oxo)silane Chemical compound [Cd+2].[O-][Si]([O-])=O NCDKOFHLJFJLTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- ZOIVSVWBENBHNT-UHFFFAOYSA-N dizinc;silicate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] ZOIVSVWBENBHNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910003439 heavy metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJICYDOGPFMOB-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zn+2].[Cd+2] UMJICYDOGPFMOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01D—HARVESTING; MOWING
- A01D67/00—Undercarriages or frames specially adapted for harvesters or mowers; Mechanisms for adjusting the frame; Platforms
- A01D67/005—Arrangements of coupling devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/28—Luminescent screens with protective, conductive or reflective layers
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
(WiGBl. S. 175)
AUSGEGEBEN AM 16. NOVEMBER 1953
P 3i6iVIIIc/2ig
Heidenheim/Brenz*)
(Ges. v. 15. 7. 51)
Es gibt eine große Reihe von Stoffen, die bei Bestrahlung
mit kurzwelligem Licht und beim Beschießen mit Elektronen aufleuchten. Diese Stoffe
werden z. B. für die Leuchtschirme in Braunschen Röhren benutzt. Es ist bekannt, daß das Leuchten
beim Beschießen) mit Elektronen um so stärker wird, je größer die Geschwindigkeit der Elektronen, ist.
Nachteilig ist hierbei, daß die Leuchtstoffe, wie z. B. Zinksilikat oder Kadmiumsilikat, mit Zusätzen
von Schwermetalloxyden, wie Manganoxyd, in den weitaus meisten Fällen Nichtleiter sind.
Werden diese Stoffe .mit Elektronen beschossen, so laden sie sich auf, -und es entsteht ein elektrisches
Gegenfeld. Die Leuchtstärke wird dadurch geringer. Bei Elektronenstrahlen kleiner Geschwindigkeiten
genügt schließlich die Energie der auftreffenden Elektronen überhaupt nicht, um die Stoffe zum
Leuchten anzuregen, da sich das beschleunigende Feld -und das venzögernde Gegenfeld in seiner Wirkung
auf die Elektronen fast aufheben. Um das zu
') Von der Patentsudierin ist als der Eränder angegeben worden:
Dr. Wilfried Meyer, Berlin-Wilmersdorf
vermeiden, bringt man die Leuchtstoffe oft möglichst dünn auf leitende Schirme auf. Die geringe
Dicke wählt man, um einen möglichst kleinen Widerstand für den Elektronenabfluß zu haben,
Zwangsläufig berühren die Leuchtschirmteilchen die Unterlage aber nur an einigen Punkten. Ein
leuchtendes Körnchen bietet dem Elektronenabfluß zum Metall in der Phasengrenze nur einen sehr
kleinen Querschnitt.
ίο Aufgabe der Erfindung ist es, den Leuchtstoff mit
dem leitenden Unterlagteil großflächig zu verbinden und dadurch Leuchtschirme zu erzeugen, die auch
bei geringer Elektronengeschwindigkeit gut bestrahlen. Es geschieht dies dadurch, daß als leitende
Unterlage Verbindungen, vorzugsweise oxydische Verbindungen gewählt werden, deren metallische
Bestandteile gleichzeitig Leuchtschirmbestandteile sind, und daß auf dieser leitenden Unterlage erst
durch chemische Änderung der Oberfläche, bei-
ao spielsweise durch Umsetzung im festen Zustand, der Leuchtschirm erzeugt wird.
Beispielsweise wird eine gesinterte Platte aus Zinkoxyd mit einem Leitwert von 10 bis 100 Ohm
für das Zentimeter Würfel oder weniger, die einige hundertstel, zweckmäßig einige tausendstel Prozent
Manganoxyd in feinster Verteilung enthält, mit kolloidaler Kieselsäure bestrichen oder mit feinem
Kieselsäurepulver bestreut. Solche Platten werden dann gebrannt. Dabei entsteht an der Oberfläche
durch Umsetzung im festen Zustand Zinksilikat, das Spuren, von dem schon im Zinkoxyd enthaltenen,
aktivierend wirkenden Manganoxyd enthält und bei Elektronenaufprall grün leuchtet. Es
ist klar, daß bei dieser Herstellung der Leuchtstoff mit der Unterlage großflächig und fest verbunden
ist, so daß ein leichter Abfluß der Elektronen gewährleistet ist. Die Schirme haben daher eine sehr
hohe Leuchtdichte. Sie leuchten auch bereits bei Elektronenstrahlen mit geringer Geschwindigkeit.
In gleicher Weise kann man bei Kadmiumsilikatphosphoren
verfahren, wobei z. B. eine Kadmiumoxydplatte von einem spezifischen Widerstand von.
ι Ohm oder weniger mit Kieselsäure bestreut und bis zur Kadmiumsilikatbildung gebrannt wird.
Zum Erreichen einer besonders feinen Verteilung
des Silikates kann man beispielsweise folgendermaßen vorgehen: Man erzeugt durch Verdampfen
oder Kathodenzerstäubung von metallischem Silizium auf einer manganhaltigen Zinkoxyd- oder
Kadmiumoxydplatte eine Siliziumschicht, die ι μ
dick sein kann. Sehr günstig sind Schichtstärken von- 0,1 bis 0,5 μ oder noch weniger. Diese Zinkoxydplatten1 werden dann in Luft bei Temperaturen
über 4000, zweckmäßig bei Temperaturen zwischen 1000 und I2oo° C gebrannt. Hierbei bildet sich zuerst
Siliziumdioxyd, das dann mit dem manganhaltigen Zink- oder Kadmiumoxyd Silikate bildet,
so daß der Leuchtstoff entsteht·.
Bei sulfidischen Phosphoren kann man in ähnlicher Weise verfahren, beispielsweise durch Glühen
einer leitenden Platte aus einem Gemisch von Kadmiumoxyd-Zinkoxyd mit Silberzusatz in Schwefelwasserstoff
bei Temperaturen über 4000 C. Es bildet sich hierbei eine leuchtende, festhaftende,
sehr dünne Zink-Kadmiumsulfid-Schicht mit Silberzusatz auf der leitenden Unterlage aus.
Die Schichten können auch auf folgende Art erzeugt werden: Platin oder ein: Edelmetall als Unterlage
wird auf irgendeine Art, beispielsweise durch Aufdampfen, oder durch Elektrolyse, mit einem
Zink-oder Kadmiumüberzug versehen, der anodisch in einem Elektrolyten oder durch Glühen, unter
Sauerstoffzutritt in Zinkoxyd oder Kadmiumoxyd übergeführt wird, das dann, wie oben beschrieben,
weiterbehandelt wird. Gegenüber anderen Verfahren ist dieses Verfahren zwar etwas schwieriger. Das
Verfahren kann jedoch unter Umständen für verschiedene Anwendungszwecke Vorteile bieten.
Es ist auch möglich, Gemische von Verbindungen mehrerer Metalle, wie z. B. Zink und Kadmium, zu
verwenden.
Claims (3)
1. Durch Elektronenaufprall oder Ultraviolettbestrahlung
leuchtende Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Unterlage und der
strahlende Stoff aus Verbindungen, derselben Metalle bestehen.
2. Verfahren zur Herstellung einer Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die strahlende Schicht durch chemische Änderung der Oberfläche der leitenden Unterlage auf
dieser Unterlage erzeugt wird, beispielsweise durch Umsetzen im festen Zustand,
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Unterlage metallisches
Silizium aufgebracht und durch Umsetzen mit der Unterlage in ein Silikat des Metalls der
Unterlage verwandelt wird.
(5543 11.53
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP3161D DE896964C (de) | 1936-08-13 | 1936-08-13 | Durch Elektronenaufprall oder Ultraviolettbestrahlung leuchtende Schicht |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP3161D DE896964C (de) | 1936-08-13 | 1936-08-13 | Durch Elektronenaufprall oder Ultraviolettbestrahlung leuchtende Schicht |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE896964C true DE896964C (de) | 1953-11-16 |
Family
ID=7358510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP3161D Expired DE896964C (de) | 1936-08-13 | 1936-08-13 | Durch Elektronenaufprall oder Ultraviolettbestrahlung leuchtende Schicht |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE896964C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1121232B (de) * | 1955-04-30 | 1962-01-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirmes fuer elektrische Entladungsroehren auf nichtmetallischer Unterlage |
-
1936
- 1936-08-13 DE DEP3161D patent/DE896964C/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1121232B (de) * | 1955-04-30 | 1962-01-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirmes fuer elektrische Entladungsroehren auf nichtmetallischer Unterlage |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2938642A1 (de) | Anzeigevorrichtungen mit kathodenlumineszenz | |
| DE2624781B2 (de) | Elektronenemittierende Elektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2951791A1 (de) | Zinksulfid-sinterkeramikmaterial sowie kathodenstrahlroehre unter verwendung dieses materials | |
| DE1111748B (de) | Lichtempfindliche photoleitende Schicht | |
| DE1796088B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines haftenden, duennen, leitfaehigen films auf einem keramischen werkstueck | |
| DE896964C (de) | Durch Elektronenaufprall oder Ultraviolettbestrahlung leuchtende Schicht | |
| DE2216720A1 (de) | Speicherbildtafel | |
| DE2254477A1 (de) | Verfahren zum aufbringen und haftverbinden von leitermaterial auf einem substrat | |
| DE2535507A1 (de) | Verfahren zur schnellen herstellung fotoleitender schichten fuer integrierte schaltungen | |
| DE965706C (de) | Elektrische Entladungsroehre zum Verstaerken von Roentgenbildern | |
| DE1275221B (de) | Verfahren zur Herstellung eines einen Tunneleffekt aufweisenden elektronischen Festkoerperbauelementes | |
| DE2660891C2 (de) | Verwendung eines Gemisches aus ZnO und ZnS:Ag als Leuchtmasse | |
| DE704087C (de) | Sekundaeremissionsfaehige Elektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE856489C (de) | Elektronenentladungsvorrichtung mit einer Sekundaeremissionselektrode und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| DE1177197B (de) | Speicherplatte fuer eine Fernsehaufnahmeroehre und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE1279236B (de) | Verfahren zur Herstellung einer als Roentgenaufnahmeroehre verwendbaren Elektronenroehre | |
| DE1195135B (de) | Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Leitfaehigkeit von auf Unterlagen, wie Glas und Kunststoffen, insbesondere durch Vakuum-bedampfen aufgebrachten duennen, licht-durchlaessigen oxydischen Schichten | |
| DE2032639B2 (de) | Verfahren zum Niederschlagen einer dünnen Goldschicht auf einem Träger durch Kathodenzerstäubung | |
| DE2152011A1 (de) | Verfahren zur herstellung definierter oberflaechenwiderstaende von keramischen werkstoffen | |
| DE2000495B2 (de) | Verfahren zur Abscheidung eines Metalles bzw. Metalloxydes auf einem Substrat aus Glas, feuerfestem Oxyd, Keramik oder Halbleitermaterial | |
| DE3100467C2 (de) | Leuchtstoff mit hoher Leuchtdichte | |
| DE623502C (de) | ||
| DE607297C (de) | Gluehkathode fuer elektrische Entladungsgefaesse | |
| DE2328603A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines photoleitenden elements | |
| AT143970B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektronenaussendenden Elektrode. |