DE895339C - Electrical semiconductor made from selenium, especially for dry rectifiers - Google Patents

Electrical semiconductor made from selenium, especially for dry rectifiers

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DE895339C DES8687D DES0008687D DE895339C DE 895339 C DE895339 C DE 895339C DE S8687 D DES8687 D DE S8687D DE S0008687 D DES0008687 D DE S0008687D DE 895339 C DE895339 C DE 895339C
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Description

Elektrisdier Halbleiter aus Selen, insbesondere für Trockengleidirichter Die Erfahrung lehrt, daß die handelsüblichen Selensorten, auch die reinen oder reinsten, eine für Gleichrichterzwecke viel zu geringe Leitfähigkeit aufweisen.Electrifying semiconductors made of selenium, in particular for dry levelers Experience shows that the commercially available selenium varieties, even the pure or purest, have a conductivity that is far too low for rectification purposes.

Das Patent 742 935 zeigt einen Weg, diesen Mangel zu beseitigen, indem man dem Selen einen Zusatz von Selenchlorür oder Selenbromür oder von beiden gibt bzw. von einem Stoff, der durch chemische Reaktion mit dem Selen Selenchlorür oder Selenbromür bildet. Man erreicht auf diese Weise eine Herabsetzung des spezifischen Widerstandes des Selens von etwa io 7 auf etwa iol Ohm - cm.The patent 742 935 shows a way to eliminate this deficiency by adding the selenium addition of Selenchlorür or Selenbromür or both or forms of a substance by chemical reaction with the selenium or Selenchlorür Selenbromür. In this way, the specific resistance of selenium is reduced from about 10 7 to about 10 ohm - cm.

Die Erfindung betrifft eine weitere Ausgestaltung und Verbesserung des im Patent 742 935 beschriebenen Verfahrens mit dem Ziel, eine noch stärkere Herabsetzung des spezifischen Widerstandes des Selens zu erlangen. Man erreicht dies dadurch, daß das Selen außer der im Hauptpatent beschriebenen Beimischung von Selenchlorür und/oder Selenbromür noch weitere Zusätze, insbesondere in elementarer Form, eines oder mehrerer Metalle, insbesondere Antimon, Wismut, Zinn, Tellur, Thallium, Cer oder Eisen, zweckmäßig in einer Gesamtmenge von o,oi bis ill/" enthält.The invention relates to a further embodiment and improvement of the method described in patent 742 935 with the aim of achieving an even greater reduction in the specific resistance of selenium. This is achieved in that the selenium, in addition to the admixture of selenium chlorine and / or selenium bromine described in the main patent, also has other additives, especially in elemental form, one or more metals, especially antimony, bismuth, tin, tellurium, thallium, cerium or iron, expediently in a total of o, oi to ill / ".

Die günstige Wirkung der Beimengung der genannten Elemente zu selenchlorür- oder selenbrornür--haltigem Selen ist um so überraschender, als festgestellt werden konnte, daß umgekehrt Selensorten, die keinen Zusatz von Selenchlorür oder Selenbromür enthalten, aber durch eines oder mehrere der genannten Metalle oder durch Kupfer, Kadmium oder Blei oder auch durch Arsen verunreinigt sind, eine wesentlich geringere Leitfähigkeit aufweisen als ohne diese Verunreinigungen. Allgemein kann man sagen, daß zunächst jeder derartige Zusatz den spezifischen Widerstand selenchlorür- oder selenbromürfreien Selens ganz beträchtlich erhöht.The beneficial effect of adding the elements mentioned to selenium chloride or selenium containing selenium is all the more surprising when it has been found will Could that, conversely, selenium varieties that do not contain any added selenium chlorine or selenium bromine contained, but by one or more of the metals mentioned or by copper, Cadmium or lead, or even arsenic contaminated, is much lower Have conductivity than without these impurities. Generally one can say that first of all such additions the resistivity selenchlorur or selenium bromurefree selenium is increased considerably.

Technisch besonders wichtig ist der schädliche Einfluß des Tellurs als Verunreinigung des Selens bereits in kleinsten Mengen. Tellur und Selen kommen nämlich fast immer gleichzeitig in der Natur vor, zudem sind sie chemisch so eng miteinander verwandt, daß sie sich schwer trennen lassen. Ein Tellurzusatz von 0,03 % erhöht den Widerstand des Selens auf das Fünffache, ein solcher von 0,3 "/, auf das Sechsunddreißigfache.The harmful influence of tellurium as an impurity in selenium is particularly important from a technical point of view, even in very small quantities. Tellurium and selenium almost always occur in nature at the same time, and they are so closely related chemically that they are difficult to separate. A tellurium addition of 0.03% increases the resistance of selenium five times, and that of 0.3 "/ thirty-six times.

Neben Tellur ist Arsen die häufigste Verunreinigung des handelsüblichen Selens. Arsen wirkt sich als Zusatz noch ungünstiger aus als Tellur. 0,03 % Arsen erhöhen den spezifischen Widerstand des Selens von etwa 5oo auf 5o ooo Ohm - cm, 0,3 % Arsen sogar auf 5oo ooo Ohm - cm, während eine Schmelze mit 39, Arsen in endlicher Zeit überhaupt nicht zur KristaHisation zu bringen ist. Wie man sieht, machen also schon Spuren von Verunreinigungen das Selen für Trockengleichrichter praktisch unverwendbar.Besides tellurium, arsenic is the most common contaminant in commercial selenium. As an additive, arsenic has an even less favorable effect than tellurium. 0.03% arsenic increases the specific resistance of selenium from about 5oo to 50,000 ohm - cm, 0.3% arsenic even to 500,000 ohm - cm, while a melt with 39, arsenic cannot crystallize at all in a finite time is. As you can see, even traces of impurities make the selenium practically unusable for dry rectifiers.

Man kann das gleichzeitige Vorhandensein der vorstehend genannten Elemente und des Selenchlorürs bzw. -bromürs im Selen entweder dadurch erreichen, daß man einem gemäß dem Hauptpatent bereits mit Selenchlorür oder -bromürzusatz versehenen, im übrigen sehr reinen Selen eines oder mehrere der genannten Elemente beimischt oder auch dadurch, daß man umgekehrt einem Selen von verhältnismäßig geringer Leitfähigkeit, das durch eines oder mehrere dieser Elemente verunreinigt ist, durch Zusatz von Selenchlorür und/oder -bromür eine erheblich höhere Leitfähigkeit verleiht. In beiden Fällen erhält man ein wegen seiner hohen Leitfähigkeit zur Herstellung von Selengleichrichtern. in besonderem Grade geeignetes Selen.One can see the simultaneous presence of the above Elements and selenium chlorine or bromuric in selenium can either be achieved by that one according to the main patent already with selenium chlorine or bromuric additive provided, otherwise very pure selenium, one or more of the elements mentioned admixed or by conversely, a selenium of relatively less Conductivity contaminated by one or more of these elements Addition of selenium chlorine and / or bromine gives a considerably higher conductivity. In both cases, one gets one because of its high conductivity for manufacture of selenium rectifiers. particularly suitable selenium.

Im zuletzt genannten Falle erweist sich der Zusatz von Selenchlorär und/oder Selenbromür zu einem durch die genannten Elemente verunreinigten Selen als ein ausgezeichnetes Mittel, die vergiftenden Einflüsse derartiger Beimischungen zu einem Selen, das frei von Selenbromürzusätzen ist, unwirksam -zu machen, so daß nunmehr auch ein solches Selen zur Herstellung von Selengleichrichtern mit Vorteil verwendbar ist.In the latter case, the addition of Selenchlorär and / or admixtures such Selenbromür proves to be a contaminated by the said elements selenium as an excellent means of the poisoning effects to a selenium, which is free of Selenbromürzusätzen, -to make ineffective, so that now Such a selenium can also be used with advantage for the production of selenium rectifiers.

Einige Ergebnisse, die mit einem gemäß der Erfindung mit Zusätzen versehenen Selen erhalten wutden, sind in nachstehender Zahlentafel zusammengestellt. Diese Tafel bezieht sich auf Selen, das gemäß dem Hauptpatent mit 0,3 "/, (oder weniger) Selenchlorär vermengt ist und zwecks Umwandlung in die leitende Modifikation i Stunde lang auf 150 C erhitzt wurde.Some results which were obtained with a selenium provided with additives according to the invention are compiled in the table below. This table relates to selenium to the main patent of 0.3 "/, (or less) Selenchlorär is mixed and heated in accordance with the purpose of conversion in the conductive modification i hour at 150 C.

Während der spezifische Widerstand der in Rede stehenden Selensorte ohne Metallzusätze 5oo Ohm - cm betrug, ergaben sich bei einem Zusatz von o,3 "/, bzw. 0,03 % der nachstehend aufgeführten Metalle die angegebenen Widerstandswerte. o 3 0/0 Zusatz 0,03 o/' Zusatz Metalle pezifischer Spezifischer derstand 1 Widerstand Antimon .... 8o 120 Wismut ...... IM 410 Zinn ........ 70 185 TeHur ....... 45 20 Thallium ..... 120 75 Cer .......... 23 200 Eisen ....... 37 45 Während also beim Zusatz von Fremdelementen zu selenchlorürfreiem Selen der spezifische Widerstand stark ansteigt und das Selen zur Herstellung von Trockengleichrichtem infolgedessen praktisch unbrauchbar ist, ergibt sich bei Gegenwart von Selenchlorür bei einigen der genannten Elemente ein ganz hervorragend günstiger Einfluß auf die Verminderung des spezifischen Widerstandes des Selens. Der Widerstand verringert sich dabei zum Teil weit unter den Wert, der bei reinstem Selen mit Chlorärzusatz gemäß dem Hauptpatent erreichbar ist; zum Beispiel ergibt ein Zusatz von 0,3 0/,) Eisen einen Widerstandswert von 37 Ohm - cm, von 0,3 04 Cer 23 Ohm - cm und von 0,03 0/, TeUur sogar nur 2o Ohm - cm. Diese Werte des spezifischen Widerstandes liegen eine volle Größenordnung niedriger als die bisher mit reinstem Selen und mäßigem Selenchlorärzusatz erreichbaren Werte.While the specific resistance of the selenium in question without metal additions was 500 ohm - cm, the resistance values given were obtained with an addition of 0.3 "/ or 0.03% of the metals listed below. o 3 0/0 addition 0.03 o / ' addition Metals more specific the state 1 resistance Antimony .... 8o 120 Bismuth ...... IM 410 Tin ........ 70 185 TeHur ....... 45 20 Thallium ..... 120 75 Cerium .......... 23 200 Iron ....... 37 45 So while the addition of foreign elements to selenium-free selenium increases the specific resistance and the selenium is consequently practically unusable for the production of dry rectifiers, the presence of selenium chloride has an extremely beneficial effect on the reduction of the specific resistance of selenium for some of the elements mentioned . The resistance is reduced in some cases far below the value that can be achieved with the purest selenium with the addition of chlorine according to the main patent; for example, an addition of 0.3 0 /,) of iron results in a resistance value of 37 Ohm - cm, 0.3 cerium 04 23 Ohm - cm and of 0.03 0 /, TeUur even only 2o Ohm - cm. These values of the specific resistance are a full order of magnitude lower than the values previously achievable with the purest selenium and a moderate addition of selenium chloride.

Es kommt hinzu, daß die obengenannten Metallzusätze dem Selen eine weitere, bei der Herstellung von Selengleichrichtern besonders günstige Eigenschaft verleihen. Während man nämlich bei reinem Selen, um auf möglichst große Leitfähigkeit zu kommen, die Umwandlung von der amorphen in die kristaflinische Form bei etwa 2io' C vornehmen muß, erreichen die Selenchlorürhaltigen Selensorten, wenn sie einen oder mehrere der angegebenen Metallzusätze enthalten, den Höchstwert ihrer Leitfähigkeit bereits bei einer Umwandlungstemperatur von 150' C und dies noch dazu nach verhältnismäßig kurzer Behandlungsdauer. Die Vermeidung der hohen Umwandlungstemperatur wirkt sich insofern günstig auf den Selengleichrichter aus, als nunmehr an der Grenzschicht zwischen der Metallunterlage und dem Halbleiter eine übermäßige Selenidbildung mit Sicherheit vermieden und infolgedessen ein 'kleinerer Übergangswiderstand erreicht wird, besonders wenn die Metallunterlage aus Leichtmetall, z. B. Aluminium, besteht. Die angegebene Bein-iischung bestimmter Metalle zu dem selenchlorärhaltigen Selen hat also die Wirkung, daß zwei der wesentlichsten Forderungen,- die an ein brauchbares Gleichrichterselen gestellt werden müssen, zugleich erfüllt sind.In addition, the abovementioned metal additives give selenium a further property which is particularly favorable in the manufacture of selenium rectifiers. While in the case of pure selenium, in order to achieve the highest possible conductivity, the conversion from the amorphous to the crystalline form must be carried out at about 20 ° C. Conductivity already at a transformation temperature of 150 ° C and this after a relatively short treatment time. Avoiding the high conversion temperature has a beneficial effect on the selenium rectifier, as now excessive selenide formation at the boundary layer between the metal base and the semiconductor is avoided with certainty and, as a result, a 'lower contact resistance is achieved, especially if the metal base is made of light metal, e.g. B. aluminum. The specified mixture of certain metals with the selenium containing selenium chloride has the effect that two of the most important requirements - which must be made of a usable rectifier selenium - are fulfilled at the same time.

Sehr günstig wirken sich auch gewisse Kombinationen von Selenchlorür mit mehreren der genannten metallischen Elemente aus. Unter Umständen ist es auch günstig, außer dem Metallzusatz noch eine geringe Menge, vorzugsweise 0,3 04 Schwefel beizumischen.Certain combinations of selenium chloride with several of the metallic elements mentioned also have a very favorable effect. Under certain circumstances it is also beneficial to add a small amount, preferably 0.3-0.4 sulfur, in addition to the metal additive.

In der nachstehenden Zahlentafel sind einige solcher Zusätze angeführt, und es sind die mit ihnen erreichbaren Werte des spezifischen Widerstandes bei einer Umwandlungstemperatur von i5o' C und einer Umwandlungsdauer von i Stunde angegeben. Zusätze Umw. ih j5o'c 1 Ohm - cm 0,30/, Se,CI . ..................... 500 0,3'/o Se2 C12 + 0,3 % S ........... - ioo 0,3"/, Se,CI,+O,3()/, S +O,0311/oTe 40 0,3% Se2C'2+0,30/0 S +o,oi5()/,)TI 65 0,3')/o Se2C12 +0,30/, S +o,oi5()/, TI #0,03l)/,Te .................... 40 o,?,#l)/,Se2C'2+0,030/,Te+0,030/,As 16,5 Die vorstehende Zahlentafel läßt erkennen, daß bei Gegenwart mehrerer Beimischungen dasjenige Element, das an sich schon auf einen verhältnismäßig niedrigen spezifischen Widerstand hinarbeitet, in der Kombination von vorherrschendem Einfluß zu sein scheint. - So verhalten sich z. B. selenchlorürhaltige Schmelzen mit dem besonders günstigen Zusatzmetall Tellur, wenn daneben noch andere der oben angegebenen Zusätze in geringer Menge vorhanden sind, so, als ob neben dem Selenchlorür allein das Tellur vorhanden wäre. Bemerkenswert ist auch der besonders niedrige spezifische Widerstand einer Selensorte, die geringe Zusätze von Tellur und Arsen enthält.Some such additives are listed in the table below, and the values of specific resistance which can be achieved with them at a conversion temperature of 150 ° C. and a conversion time of 1 hour are given. Additions Umw. Ih j5o'c 1 ohm - cm 0.30 /, Se, CI . ..................... 500 0.3 '/ o Se2 C12 + 0.3 % S ........... - ioo 0.3 "/, Se, CI, + O, 3 () /, S + O, 0311 / oTe 40 0.3% Se2C'2 + 0.30 / 0 S + o, oi5 () /,) TI 65 0.3 ') / o Se2C12 + 0.30 /, S + o, oi5 () /, TI # 0.03l) /, Te .................... 40 o,?, # 1) /, Se2C'2 + 0.030 /, Te + 0.030 /, As 16.5 The table of figures above shows that when several admixtures are present, that element which in itself already works towards a relatively low specific resistance appears to have the predominant influence in the combination. - This is how you behave B. selenium chloride-containing melts with the particularly favorable additional metal tellurium, if other of the above additives are also present in small quantities, as if tellurium alone were present in addition to the selenium chloride. Also noteworthy is the particularly low specific resistance of a type of selenium that contains small amounts of tellurium and arsenic.

Claims (2)

PATENTANSPRÜCHE: i. Elektrischer Halbleiter aus Selen, insbesondere für Trockengleichrichter, mit einem Zusatz von Selenchlorür und/oder Selenbromür nach Patent 74-2 935, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen neben dem Selenchlorür- oder Selenbromürzusatz eines oder mehrerer Metalle, insbesondere Antimon, Wismut, Zinn, Tellur, Thallium, Cer oder Eisen, in geringer Menge, vorzugsweise in elementarer Form, enthält. PATENT CLAIMS: i. Electrical semiconductor made of selenium, in particular for dry rectifiers, with an addition of selenium chloride and / or selenium bromide according to patent 74-2 935, characterized in that the selenium contains one or more metals, especially antimony, bismuth, tin, tellurium, in addition to the addition of selenium chloride or selenium bromide , Thallium, cerium or iron, in small amounts, preferably in elemental form. 2. Elektrischer Halbleiter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Gesamtmenge der Metallzusätze o,oi bis ill/, beträgt. 3. Elektrischer Halbleiter nach Anspruch i oder 2 dadurch gekennzeichnet, daß außer einem oder #lehreren der genannten Metalle auch eine geringere Menge, vorzugsweise 0,3 04 Schwefel zugesetzt ist. 4. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Halbleiters aus einem durch eines oder mehrerer Metalle, insbesondere durch Antimon, Wismut, Zinn, Tellur, Thallium, Cer, Eisen und/oder Arsen verunreinigten Selen, insbesondere für Trockengleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die vorhandenen Verunreinigungen bedingte geringe Leitfähigkeit des Selens durch Zusatz von Selenchlorür und/oder Selenbromür gemäß dem Hauptpatent erhöht wird.2. Electrical semiconductor according to claim i, characterized in that the total amount of metal additives is o, oi to ill /. 3. Electrical semiconductor according to claim i or 2 characterized in that besides one or #lehreren of said metals and a minor amount, preferably 0.3 04 Sulfur is added. 4. A method for producing an electrical semiconductor from a selenium contaminated by one or more metals, in particular by antimony, bismuth, tin, tellurium, thallium, cerium, iron and / or arsenic, in particular for dry rectifiers, characterized in that the by the existing Impurities-related low conductivity of selenium is increased by adding selenium chlorine and / or selenium bromine according to the main patent.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE975018C (en) * 1952-07-17 1961-07-06 Siemens Ag Process for the manufacture of selenium rectifiers
DE1125080B (en) * 1960-05-02 1962-03-08 Licentia Gmbh Process for the production of selenium dry rectifiers

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE961365C (en) * 1941-12-13 1957-04-04 Siemens Ag Electrical semiconductor made from selenium, especially for dry rectifiers
DE967323C (en) * 1943-08-06 1957-11-07 Siemens Ag Process for the production of selenium rectifiers, the top electrode of which is thallium added in small quantities
US2447630A (en) * 1943-11-10 1948-08-24 Westinghouse Electric Corp Method of making selenium rectifiers
DE970124C (en) * 1944-01-17 1958-09-04 Siemens Ag Process for the manufacture of selenium rectifiers
US2462949A (en) * 1944-05-24 1949-03-01 Hartford Nat Bank & Trust Co Method of treating selenium
DE924875C (en) * 1944-06-10 1955-03-10 Siemens Ag Selenium rectifier with high thermal load capacity
US2446467A (en) * 1944-11-11 1948-08-03 Fansteel Metallurgical Corp Dry plate rectifier
US2450886A (en) * 1944-11-20 1948-10-12 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor
BE461942A (en) * 1944-11-20
DE971697C (en) * 1948-10-01 1959-03-12 Siemens Ag Process for the manufacture of selenium rectifiers
NL153851B (en) * 1949-05-30 Lonza Ag PROCESS FOR THE PREPARATION OF METHACRYLIC ACID FROM ALPHA-HYDROXYISOBUTIC ACID.
DE973817C (en) * 1951-03-05 1960-06-15 Licentia Gmbh Method of manufacturing a dry rectifier
NL169311B (en) * 1951-05-05 Ici Ltd PROCESS FOR PREPARING A HYDROXYL GROUP CONTAINING PHENYLSULPHONYL-4-HALOGENEBENZENE SUBSTITUTED AT THE 4' PLACE AND METHOD FOR PREPARING POLYMERS CONTAINING ETHER BONDS CONTAINING 4'-PHENYLSULPHONYL-4-PHENYLENE UNITS.
NL178572B (en) * 1952-06-19 Vaw Ver Aluminium Werke Ag METHOD FOR THE FLUID-FREE SOLDERING OF ALUMINUM MATERIALS.
DE1060053B (en) * 1953-02-10 1959-06-25 Siemens Ag Process for the production of selenium rectifiers with a multilayer semiconductor with different halogen contents and electropositive additives in the individual layers
DE1156897B (en) * 1954-03-27 1963-11-07 Siemens Ag Selenium rectifier in which the selenium layer is made up of at least two sub-layers with different additive content
NL92960C (en) * 1955-02-07 1900-01-01

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE423105A (en) * 1936-08-13 1900-01-01

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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