DE924875C - Selenium rectifier with high thermal load capacity - Google Patents
Selenium rectifier with high thermal load capacityInfo
- Publication number
- DE924875C DE924875C DES9913D DES0009913D DE924875C DE 924875 C DE924875 C DE 924875C DE S9913 D DES9913 D DE S9913D DE S0009913 D DES0009913 D DE S0009913D DE 924875 C DE924875 C DE 924875C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- rectifier
- cadmium
- semiconductor layer
- counter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/12—Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
Description
Selengleichrichter mit hoher thermischer Belastbarkeit Die bisher verwendeten Selengleichrichter leiden an dem Nachteil, daß sie in Betrieb stark altern, d. h. eine starke irreversible Zunahme des Widerstandes in der Durchlaßrichtung zeigen, wenn ihre Temperatur bei der Lagerung oder in Betrieb. etwa 6o bis 70° überschreitet. Dieses Ansteigen des Durchlaßwiderstandes vergrößert in Dauerbetrieb die im Leistungsgleichrichter erzeugte joulesche Wärme. Diese steigert wiederum die Temperatur der Gleichrichterelemente. Der Vorgang schreitet, sich immer mehr aufschaukelnd, so lange fort, bis der Gleichrichter praktisch unbrauchbar geworden oder gar zerstört ist. Bei besonders hochsperrenden Gleichrichtern tritt zudem bei längerer Betriebsdauer oberhalb 6o° eine irreversible Umkehr des ursprünglich negativen Temperaturbeiwertes des Durchlaßwiderstandes und damit eine verstärkte Alterung ein. Es ist nicht möglich, diese temperaturbedingte Widerstandserhöhung durch eine künstliche Alterung wirksam vorwegzunehmen; denn so behandelte Gleichrichter altern bei Betriebstemperaturen von 6o bis 70° weiter, und zwar infolge. der erhöhten Durchlaßverluste besonders stark. Die handelsüblichen Selengleichrichter sind zudem mit einer Gegenelektrode bespritzt aus einer Legierung, deren Schmelzpunkt bei etwa ioo° liegt. Derartige Gleichrichter können aus Gründern der Betriebssicherheit zum Schutz vor zeitweisen Erhöhungen der Betriebstemperatur durch Schwankungen. der Raumtemperatur oder der Netzspannung daher nur mit einer wesentlich unter dem Schmelzpunkt der Gegenelektrode liegenden Temperatur betrieben werden. Man hat sich deshalb genötigt gesehen, die in Betrieb oder bei der Lagerung der Selengleichrichter höchst zulässige Scheibentemperatur auf etwa 60 bis 70° zu begrenzen. Die Technik verlangt, daß die Selengleichrichter -bei Raumtemperaturen von + 35° betrieben werden können. Die Verluste im Gleichrichter verursachen bei Gleichrichtern handelsüblicher Güte eine Übertemperatur von etwa 25 bis 30°, so daß sich schon bei Inbetriebnahme eine Scheibentemperatur von 6o bis 65° einstellt, die an der zulässigen Grenze liegt und in Betrieb dauernd ansteigt. Wenn es gelingt, die zulässige Betriebstemperatur um nur 10° zu erhöhen, kann daher die dem Gleichrichter zu entnehmende Leistung um ein Drittel vergrößert werden; einer Erhöhung der zulässigen Betriebstemperatur um 25 bis 30° entspräche eine Verdoppelung der Leistung. Die Aufgabe, einen Selengleichrichter herzustellen, der bei wesentlich höheren Scheäbentemperaturen als den bisher üblichen, beispielsweise 100° und darüber, ohne nennenswerte Alterung betriebsfähig bleibt und dauernd eine gute Sperrfähigkeit und einen hohen Durchlaßwiderstand beibehält, hat bisher noch keine Lösunggefunden.Selenium rectifier with high thermal load capacity selenium rectifiers used suffer from the disadvantage that they are strong in operation aging, d. H. a large irreversible increase in resistance in the forward direction show if their temperature in storage or in operation. exceeds about 6o to 70 °. This increase in the forward resistance increases that in the power rectifier in continuous operation generated Joule heat. This in turn increases the temperature of the rectifier elements. The process continues, rocking more and more, until the rectifier has become practically unusable or even destroyed. With particularly high blocking Rectifiers also experience an irreversible effect over longer periods of operation above 60 ° Reversal of the originally negative temperature coefficient of the forward resistance and thus an increased aging. It is not possible for this temperature-related To effectively anticipate an increase in resistance caused by artificial aging; because Rectifiers treated in this way continue to age at operating temperatures of 6o to 70 °, as a result. the increased transmission losses particularly strong. The commercially available Selenium rectifiers are also sprayed with a counter electrode made of an alloy, whose melting point is around 100 °. Such rectifiers can come from founders operational safety to protect against temporary increases the Operating temperature due to fluctuations. the room temperature or the mains voltage therefore only with one that is significantly below the melting point of the counter electrode Temperature. We therefore felt compelled to have them in operation or the highest permissible pane temperature when storing the selenium rectifier to be limited to about 60 to 70 °. The technology demands that the selenium rectifier - can be operated at room temperatures of + 35 °. The losses in the rectifier cause an overtemperature of about in rectifiers of standard quality 25 to 30 °, so that a pane temperature of 6o up to 65 °, which is at the permissible limit and increases continuously during operation. If it is possible to increase the permissible operating temperature by only 10 °, it can the power to be drawn from the rectifier is increased by a third; an increase in the permissible operating temperature by 25 to 30 ° would correspond to a doubling performance. The task of making a selenium rectifier that is essential for higher shear temperatures than the usual ones, for example 100 ° and above, remains operational without significant aging and has a permanent good locking ability and maintains a high on-resistance has not yet found a solution.
Die Erfindung löst diese Aufgabe. Sie geht von der Erkenntnis aus, daß es nicht genügt, etwa den Durchlaßwiderstand des Selengleichrichters durch irgendeinen bekannten und erprobten Zusatz zum Selen herabzusetzen, sondern daß dieses Mittel nur zum Ziele führt bei Verwendung von Zusatzstoffen mit ganz bestimmten Eigenschaften und einer Gegenelektrode mit einem die Betriebstemperatur um wenigstens 2o° übersteigenden Schmelzpunkt, die entweder aus Kadmium besteht oder als wesentlichen Bestandteil Kadmium enthält.The invention solves this problem. It starts from the knowledge that it is not enough, for example, the forward resistance of the selenium rectifier by some known and proven addition to selenium, but that this means only leads to the goal when using additives with very specific properties and a counter electrode with an operating temperature which exceeds the operating temperature by at least 20 ° Melting point, which either consists of cadmium or is an integral part Contains cadmium.
Demgemäß wird der Zweck, einen Selengleichrichter von hoher thermischer Belastbarkeit mit guter Sperrfähigkeit und kleinem Durchlaßwiderstand zu schaffen, gemäß der Erfindung durch die Vereinigung folgender beider Maßnahmen erreicht: 1. Die Gegenelektrode besteht entweder aus Kadmium oder enthält als wesentlichen Bestandteil Kadmium.Accordingly, the purpose of making a selenium rectifier of high thermal To create resilience with good blocking ability and low forward resistance, achieved according to the invention by combining the following two measures: 1. The counter electrode either consists of cadmium or contains it as an essential component Cadmium.
2. Die Halbleiterschicht enthält einen im Selen auch bei der höchsten Betriebstemperatur fest gebundenen und beständigen Zusatzstoff zurErhöhung der Leitfähigkeit in solcher Menge, daß zwar das Selen eine bei allen Betriebstemperaturen beständige Leitfähigkeit besitzt, eine schädliche Reaktion des Zusatzstoffes mit dem Baustoff der Gegenelektrode oder der Metall- (beispielsweise Aluminium-) Unterlage, der Halbleiterschicht aber vermieden ist.2. The semiconductor layer contains one in selenium even at the highest Operating temperature firmly bound and permanent additive to increase conductivity in such an amount that the selenium is stable at all operating temperatures Has conductivity, a harmful reaction between the additive and the building material the counter electrode or the metal (for example aluminum) base, the semiconductor layer but is avoided.
Einen besonders temperaturbeständigen Gleichrichter erhält man, wenn die Gegenelektrode oder zumindest ihre der Halbleiterschicht zugewandte Teilschicht aus Kadmium oder dem Zinn-Kadmium-Eutektikum und der der Halbleiterschicht zugesetzte Stoff aus ö,03 bis 0,15%, vorzugsweise o,o8 %, Selenchlorür oder Selenbromür oder einem Gemisch beider besteht.A particularly temperature-resistant rectifier is obtained if the counter electrode or at least its partial layer facing the semiconductor layer of cadmium or the tin-cadmium eutectic and that added to the semiconductor layer Substance of 0.03 to 0.15%, preferably 0.08%, selenium chlorine or selenium bromine or a mixture of both.
Es ist an sich bekannt, daß bei Selengleichrichtern der Widerstand der Selenschicht in der Durchlaßrichtung durch Zusatz von Selenchlorür und/oder Selenbromür in geringer Menge (o,o1 bis 1 %) erniedrigt wird. Doch sind solche Gleichrichter nicht ohne weiteres temperaturbeständige Leistungsgleichrichter, d. h. für dauernde Beanspruchung mit mindestens Nennbelastung bei Scheibentemperatur oberhalb 6o bis + 70° geeignet. Wenn nämlich das Selenchlorür oder -bromür dem Selen in Mengen zugesetzt wird, die in der Nähe der .angegebenen unteren Grenze liegen, wird zwar eine Erniedrigung des Gleichrichterwiderstandes in der Durchlaßrichtung erreicht; diese ist jedoch nicht temperaturbeständig oberhalb 6o bis 70°. Andererseits ergeben die an der oberen Grenze liegenden Zusatzmengen eine Verminderung des Gleichrichterwiderstandes in Sperrichtung, die vermutlich auf eine schädliche Reaktion des Zusatzstoffes mit dem Metall der Gegenelektrode zurückzuführen ist. Außerdem kann sich bei so hohem Zusatzmengen zwischen der Metallunterlage und der Selenschicht eine störende Zwischenschicht aus Verbindungen des Metalls der Unterlage mit dem Selen und dem Zusatzstoff bilden. Bei einer Aluminiumunterlage ist diese Zwischenschicht der Anlaß zu einer Zunahme des Durchlaßwiderstandes. Derartige Gleichrichter stellen also ebenfalls keine temperaturbeständigen Gleichrichter dar. Nur wenn man Selenchlorür oder Selenbromür, in den durch die Erfindung angegebenen. Mengen verwendet, ist eine der Voraussetzungen für die Schaffung eines temperaturbeständigen Gleichrichters erfüllt.It is known that in selenium rectifiers the resistance the selenium layer in the forward direction by adding selenium chloride and / or Selenium bromine is lowered in a small amount (o, o1 to 1%). Yet such rectifiers are not readily temperature-resistant power rectifiers, d. H. for permanent Load with at least nominal load at pane temperatures above 6o to + 70 ° suitable. When the selenium chlorine or bromine is added to the selenium in quantities that are in the vicinity of the specified lower limit will be a decrease the rectifier resistance reached in the forward direction; however this is not temperature resistant above 6o to 70 °. On the other hand, those at the top result Limit additional quantities a reduction of the rectifier resistance in Blocking, presumably due to a harmful reaction of the additive with is due to the metal of the counter electrode. It can also be so high Additional amounts between the metal base and the selenium layer create a disruptive intermediate layer from compounds of the metal of the substrate with the selenium and the additive. In the case of an aluminum backing, this intermediate layer gives rise to an increase the forward resistance. Such rectifiers are therefore also not temperature-resistant Rectifier. Only when you use selenium chlorine or selenium bromine, in the through the Invention specified. Quantities used is one of the prerequisites for creation of a temperature-resistant rectifier.
Es ist ferner an sich bekannt, bei Trockengleichrichtern vom Kupferoxydultyp die Gegenelektrode durch thermisches Aufdampfen von Kadmium zu erzeugen. Der Kupferoxydulgleichrichter ist jedoch ein Hinterwandsperrschichtgleichrichter, d. h. die Sperrschicht befindet sich zwischen dem Mutterkupfer und dem darauf aufgewachsenen Kupferoxydul. Beim Kupferoxydulgleichrichter soll die Gegenelektrode nur einen sperrfreien und korrosionsbeständigen Kontakt vermitteln und muß auf die Kennlinie des Gleichrichters ohne jeden Einfluß sein. Der Selengleichrichter ist dagegen ein sogenannterVorderwandsperrschichtgleichrichter. Bei diesem werden die Sperreigenschaften wesentlich durch den Aufbau und die chemische Zusammensetzung der Gegenelektrode mitbestimmt. Es ist nun weiterhin bekannt, auch bei Selengleichrichtern aufgestäubtes oder aufgedampftes Kadmium oder eine kadmiumhaltige Legierung als Gegenelektrode zu verwenden, um einen Gleichrichter mit guter Sperrfähigkeit herzustellen. Diese Maßnahme allein führt jedoch nicht zu dem durch die Erfindung angestrebten Ziel, einen Selengleichrichbar von hoher thermischer Belastbarkeit mit guter Sperrfähilgke@it und kleinem Durchl'aßwiderstand zu erhalten, wenn nicht außerdem in der Selenschicht der bereits erwähnte Zusatzstoff in der richtigen Menge vorhanden ist. Nur wenn die beiden angegebenen Bedingungen zusammen erfüllt sind, gelingt es, Selengleichrichter herzustellen, die eine einwandfreie Lösung der Erfindungsaufgabe darstellen.It is also known per se for dry-type rectifiers of the copper oxide type to generate the counter electrode by thermal vapor deposition of cadmium. The copper oxide rectifier however, is a back wall junction rectifier, i. H. the barrier is located between the mother copper and the copper oxide grown on it. At the Copper oxide rectifier, the counter electrode should only be a barrier-free and corrosion-resistant Establish contact and must have no influence on the characteristic of the rectifier be. The selenium rectifier, on the other hand, is a so-called front wall barrier rectifier. In this case, the barrier properties are essentially due to the structure and the chemical Composition of the counter electrode is also determined. It is now well known, too In the case of selenium rectifiers, cadmium is sputtered or vapor-deposited or a cadmium-containing one Use alloy as counter electrode to get a rectifier with good blocking ability to manufacture. However, this measure alone does not lead to the result of the invention aspired goal, a selenium rectifier with high thermal load capacity to be obtained with good blocking capability and low passage resistance, if not also the one already mentioned in the selenium layer Additive in the correct amount is available. Only if the two specified conditions together are met, it is possible to produce selenium rectifiers that are flawless Represent solution of the invention problem.
Als besonders zweckmäßig hat es sich erwiesen, einen in der angegebenen Weise zusammengesetzten Selengleichrichter zwecks künstlicher Alterung vor der Inbetriebnahme eine Zeitlang, beipielsweise 100 Stunden lang, bei erhöhter Temperatur, z. B. 100°, zu lagern. Durch eine derartige Voralterung läßt es sich vermeiden, daß die in die Geräte eingebauten Gleichrichter später überhaupt merklich altern. Man braucht also in Betrieb, die Spannung am Gleichrichter nicht wie beim handelsüblichen Gleichrichter zu erhöhen und deshalb den Transformator nicht mit Anzapfungen zu. versehen. Man erreicht also eine wesentliche Vereinfachung des Betriebes und eine Verbilligung des Transformators.It has proven to be particularly useful to use one in the specified Wise composite selenium rectifier for the purpose of artificial aging before commissioning for a time, for example 100 hours, at an elevated temperature, e.g. B. 100 °, to store. By such a pre-aging it can be avoided that the in the Devices built-in rectifiers will later age noticeably at all. So you need in operation, the voltage at the rectifier is different from that of a commercially available rectifier to increase and therefore the transformer not with taps. Mistake. Man thus achieves a substantial simplification of the operation and a reduction in price of the transformer.
Die gemäß der Erfindung zusammengesetzten Selengleichrichter - besitzen in der Durchlaßrichtung im Gegensatz zu handelsüblichen einen großen negativen, in der Sperrichtung einen kleinen positiven Temperaturbeiwert des Widerstandes. Bei 100° beträgt z. B. der Durchlaßwiderstand der Gleichrichter nur noch ein Drittel des Widerstandes bei Zimmertemperatur. Bei hohen Betriebstemperaturen werden also durch das entgegengesetzte Vorzeichen der Temperaturbeiwerte in beiden Stromrichtungen das Güteverhältnis der Gleichrichter wesentlich verbessert und die Stromwärmeverluste herabgesetzt und mithin die Belastbarkeit erhöht. Im Gegensatz zu besonders hochsperrenden Gleichrichtern bleibt bei Selengleichrichtern gemäß der Erfindung der Temperaturbeiwert des Durchlaßwiderstandes auch in Dauerbetrieb konstant. Infolge des positiven Temperaturbeiwertes des Sperrwiderstandes können die Gleichrichter auch bei den höchsten Betriebstemperaturen mit der vollen Sperrspannung betrieben werden, ohne daß Gefahr besteht, daß sich die Temperatur durch das Anwachsen der Sperrstromes lawinenartig aufschaukelt und so zur Zerstörung der Gleichrichter führt. Diese Eigenschaft unterscheidet den Selengleichrichter nach der Erfindung insbesondere auch vorteilhaft von dem Kupferoxydulgleichrichter, der bekanntlich in Sperrichtung einen negativen Temperaturbeiwert des Widerstandes besitzt. Im Gegensatz zu handelsüblichen Selengleichrichtern sind Gleichrichter nach der Erfindung gegen zeitweise Temperaturerhöhungen durch Schwankungen der Raumtemperatur oder der Netzspannung völlig unempfindlich. Da das Zinn-Kadmium-Eutektikum erst bei 171° schmilzt, sind Gleichrichter nach der Erfindung mit diesem als Gegenelektrode bei Temperaturen von etwa 150° betriebssicher zu betreiben. Noch günstiger verhalten sich Gleichrichter mit Kadmiumgegenelektrode nach der Erfindung. Bei diesen ist die Betriebstemperatur nach oben nur durch den Umwandlungspunkt des kristallinen Selens und durch die thermische Beständigkeit der Sperrschicht begrenzt. Selengleichrichter der vorstehend beschriebenen Art lassen sich unter Voraussetzung gleicher Durchlaß- und Sperrwiderstände sowie bei gleicher Fläche und gleichem Raumbedarf mit einer um das Mehrfache erhöhten Leistung gegenüber handelsüblichen Gleichrichtern betreiben. So beträgt z. B. die Leistung eines Selengleichrichters nach der Erfindung mit einer Scheibentemperatur von 110° bei einer Umgebungstemperatur von +35° das Dreifache, bei einer Umgebungstemperatur von 70° sogar mehr als das Zwölffache der Leistung eines handelsüblichen Gleichrichters. Das bedeutet also, daß man mit dem Gleichrichter nach der Erfindung die gleiche Leistung mit viel weniger Gleichrichterscheiben erzielen kann als bei der Verwendung von handelsüblichen Gleichrichtern. Das hat neben einer wesentlichen Ersparnis an Arbeitszeit zur Folge, daß sich der Gleichrichter nach der Erfindung mit demselben Arbeitsaufwand wie der handelsübliche Gleichrichter herstellen läßt.The selenium rectifiers assembled according to the invention - possess in the forward direction in contrast to commercially available a large negative, in the reverse direction a small positive temperature coefficient of the resistance. At 100 ° z. B. the forward resistance of the rectifier is only a third of resistance at room temperature. So at high operating temperatures by the opposite sign of the temperature coefficients in both current directions the quality ratio of the rectifier is significantly improved and the current heat losses reduced and therefore increased the load capacity. In contrast to particularly high blocking In selenium rectifiers according to the invention, the temperature coefficient remains for rectifiers the forward resistance constant even in continuous operation. As a result of the positive temperature coefficient of the blocking resistance, the rectifiers can also operate at the highest operating temperatures can be operated with the full reverse voltage without the risk that the temperature rises like an avalanche due to the increase in the reverse current and so leads to the destruction of the rectifier. This property distinguishes the selenium rectifier according to the invention in particular also advantageously from the copper oxide rectifier, which is known to have a negative temperature coefficient of the resistance in the reverse direction owns. In contrast to commercially available selenium rectifiers are rectifiers according to the invention against temporary temperature increases due to fluctuations in room temperature or completely insensitive to the mains voltage. Since the tin-cadmium eutectic is only melts at 171 °, are rectifiers according to the invention with this as a counter electrode safe to operate at temperatures of around 150 °. Behave even cheaper rectifier with cadmium counter electrode according to the invention. With these is the operating temperature only goes up through the transition point of the crystalline Selenium and limited by the thermal resistance of the barrier layer. Selenium rectifier of the type described above can be given the same passage and blocking resistors as well as with the same area and the same space requirement with one operate several times the power compared to commercially available rectifiers. So z. B. the performance of a selenium rectifier according to the invention with a Pane temperature of 110 ° at an ambient temperature of + 35 ° three times that, at an ambient temperature of 70 ° it is even more than twelve times the output a commercially available rectifier. So that means that you are using the rectifier according to the invention achieve the same performance with much fewer rectifier disks can than when using commercially available rectifiers. That has next to one Significant savings in working time result that the rectifier is after the invention with the same amount of work as the commercial rectifier can be produced.
Die Einsatzmöglichkeit fertiger Geräte bei hohen Umgebungstemperaturen war bisher durch das temperaturempfindlichste Bauelement, den handelsüblichen Trockengleichrichter, stark beschränkt. Durch den Gleichrichter nach der Erfindung wird jetzt die Betriebstemperatur des Trockengleichrichters der der übrigen Einzelteile, wie Kondensatoren, Spulen, Widerstände usw., angeglichen. Geräte mit dem Gleichrichter nach der Erfindung können mithin im Gegensatz zu den mit handelsüblichen Gleichrichtern bestückten auch bei hoher Umgebungstemperatur oder bei direkter Sonneneinstrahlung betrieben werden.The possibility of using finished devices at high ambient temperatures was previously due to the most temperature-sensitive component, the commercially available dry rectifier, severely limited. By the rectifier according to the invention, the operating temperature is now of the dry rectifier that of the other individual parts, such as capacitors, coils, Resistors, etc., adjusted. Devices with the rectifier according to the invention can therefore in contrast to those equipped with commercially available rectifiers, too high ambient temperature or in direct sunlight.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES9913D DE924875C (en) | 1944-06-10 | 1944-06-11 | Selenium rectifier with high thermal load capacity |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0009913 | 1944-06-10 | ||
| DES9913D DE924875C (en) | 1944-06-10 | 1944-06-11 | Selenium rectifier with high thermal load capacity |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE924875C true DE924875C (en) | 1955-03-10 |
Family
ID=25994799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES9913D Expired DE924875C (en) | 1944-06-10 | 1944-06-11 | Selenium rectifier with high thermal load capacity |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE924875C (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2124306A (en) * | 1934-08-08 | 1938-07-19 | Int Standard Electric Corp | Electrical device |
| DE742935C (en) * | 1939-07-01 | 1943-12-15 | Siemens Ag | Electrical semiconductor made from selenium, especially for dry rectifiers |
-
1944
- 1944-06-11 DE DES9913D patent/DE924875C/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2124306A (en) * | 1934-08-08 | 1938-07-19 | Int Standard Electric Corp | Electrical device |
| DE742935C (en) * | 1939-07-01 | 1943-12-15 | Siemens Ag | Electrical semiconductor made from selenium, especially for dry rectifiers |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1086350B (en) | A method of manufacturing a semiconductor device, e.g. B. a silicon rectifier | |
| DE1467734B2 (en) | Further development of the device for converting light into heat, with a metal base | |
| DE2904276B2 (en) | Ceramic materials made from homologues of barium titanate | |
| DE2736250A1 (en) | SEMICONDUCTOR ELEMENTS AND PROCESS FOR THEIR PRODUCTION | |
| DE1627762A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor components | |
| DE2937051A1 (en) | FLAT PACKAGE FOR RECEIVING ELECTRICAL MICROCIRCUITS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF | |
| DE924875C (en) | Selenium rectifier with high thermal load capacity | |
| DE3326890C2 (en) | ||
| DE2357292A1 (en) | ROTARY ANODE WITH A HITING SURFACE MADE OF A TUNGSTEN-RHENIUM TANTALUM ALLOY | |
| DE1508336B1 (en) | Hard solder | |
| CH246109A (en) | Process for the production of metal electrodes of electrical capacitors coated with non-conductive reaction products. | |
| DE720445C (en) | Process for the production of dry plate rectifiers with a light metal as the base electrode material and dry plate rectifiers produced according to this process | |
| DE2937173C2 (en) | ||
| DE2144747C3 (en) | Superconducting materials of the A deep 3 B type with a high transition temperature | |
| DE1465470A1 (en) | Solid state switching device made of telluride for controlling electrical currents | |
| DE971095C (en) | Process for the production of unipolar conductors with selenium or selenium compounds as semiconductors and particularly high voltage load capacity in the reverse direction | |
| DE3227898A1 (en) | LAYERING SYSTEM FOR OPTOELECTRONIC DISPLAYS | |
| DE812805C (en) | Process for the manufacture of dry selenium rectifiers | |
| DE2356934C3 (en) | High blocking power semiconductor component | |
| DE1266510B (en) | A semiconductor device having a semiconductor body with at least one contact and a method of manufacturing | |
| AT229425B (en) | Selenium rectifier and process for its manufacture | |
| AT149299B (en) | Electrode system with asymmetrical conductivity. | |
| DE2328905A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING METAL CONTACTS ON GALLIUM PHOSPHIDE LUMINESCENT DIODES WITH LOW ABSORPTION LOSS | |
| DE975018C (en) | Process for the manufacture of selenium rectifiers | |
| DE1125079B (en) | Process for manufacturing selenium rectifiers with a divided selenium layer |