DE876419C - Verfahren zum Herstellen von elektrischen und/oder mechanischen Verbindungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von elektrischen und/oder mechanischen Verbindungen

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DE876419C
DE876419C DEL10061A DEL0010061A DE876419C DE 876419 C DE876419 C DE 876419C DE L10061 A DEL10061 A DE L10061A DE L0010061 A DEL0010061 A DE L0010061A DE 876419 C DE876419 C DE 876419C
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DE
Germany
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electron beam
brief heating
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localized
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DEL10061A
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English (en)
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Wilhelm Dipl Phys Schneider
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
    • B23K15/0046—Welding
    • B23K15/0093—Welding characterised by the properties of the materials to be welded
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/38—Conductors

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Description

  • Verfahren zum Herstellen von elektrischen und/oder mechanischen Verbindungen Bei den bislang üblichen Verfahren zum Herstellen elektrischer Feinkontakte oder auch nur zum Herstellen von mechanischen Verbindungen von sehr feinen Einzelteilen bestand bislang die Schwierigkeit, beispielsweise bei Lötungen, Wärmeträger (Kolben) zu finden, die erstens eine genügende Wärnlekapazität aufweisen, zweitens aber fein genug waren, um eine Lötung nur an der gewünschteil Stelle herbeizuführen. Darüber hinaus boten die bisher üblichen Verfahren die Schwierigkeit, daß außer der Lötstelle auch noch andere Teile der elektrischen oder mechanischen Systeme stark erwärmt wurden und dadurch Veränderungen, wie Schmelzen oder Kristallisieren, unterworfen wurden, die ihre Verwendbarkeit in den elektrischen oder mechanischen Systemen in Frage stellten. Die vorliegende Erfindung betri:fft nun ein Verfahren zum Herstellen von elektrischen und/oder mechanischen Verbindungen durch Schweißen, Löten, Sintern od. dgl., die sich von den bisher bekannten dadurch unterscheidet, daß die zu verbindenden Teile an der Verbindungsstelle einer örtlichen kurzzeitigen Erwärmung mittels Elektronenstrahls ausgesetzt werden.
  • Dieses Verfahren kann angewandt werden auf die Herstellung von Bolometern, Thermoelernenten oder bei Verbindungen, die elektrischen und/oder mechanischen Zwecken dienen sollen, wie z. B. Elektrometern, Galvanometern und anderen mit Torsionsfäden versehenen Meßinstrumenten, wie Drehwaagen od. dgl.
  • Bei der Verwendung des Verfahrens zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen vom- Kristalltyp mit Spitz-enkontakten wird man vorteilhaft das Festlegen der Spitzenkontakte auf dem Kristall durch örtliches kurzzei tiges Erwärmen der Kontaktstelle mittels Elektronenstrahls vornehmen. Dabei können als kristalline Halbleiter, beispielsweise Germaniurn oder Silicium, Verwendung finden. Außerdem ist es günstig, im gleichen Arbeitsgang die elektrische Formierung der Kontaktstelle mit Gleich- oder Wechselstrom durchzuführen,

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE- i. Verfahren zum Herstellen von elektrischen und/oder mechanischen Verbindungen durch Schweißen, Löten, Sintern od. dgl., dadurch gekennzeichnet, daß die zu verbindenden Teile an den Verbindungsstellen ein-er örtlichen kurzzeitigen Erwärmung mittels Elektronenstrahls ausgesetzt werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen vom Kristalltyp mit Spitzenkontakten, dadurch gekennzeichnet, daß das Festlegen der Spitzenkontakte auf dem Kristall durch örtliches kurzzeitiges Erwärmen der Kontaktstelle mittels Elektronenstrahls erfolgt. - - 3. Verfahren nach Anspruch i zum Herstellen von Thermoelementen, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden, das thermische Element bildenden, aus unterschiedlichem Material bestehenden Teile durch örtliches kurzzeitiges Erwärmen der Kontaktstelle mittels Elektronenstrahls miteinander verbunden werden. 4. Verfahren nach Anspruch i zum Herstellen von Bolometern, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuleitungen an dem durch die Strahlung veränderbaren Widerstand durch örtliches kurzzeitiges Erwärmen der Kontaktstellen mittels Elektronenstrahls erfolgt. 5. Verfahren nach Anspruch i zum Herstellen von Elektrometern, dadurch gekennzeichnet daß der oder die Elektrometerfäden an ihren Halterungen durch örtliches kurzzeitiges Erwärmen unter dem Elektronenstrahl verlötet werden, 6. Verfahren nach Anspruch i zum Herstellen von Meßgeräten, die mit Torsionsfäden arbeiten, wie Galvanometer oder Drehwaagen, dadurch gekennzeichnet, daß die Torsionsfäden an ihren Halterungen durch örtliches kurzzeitiges Erwärmen mittels Elektronenstrahls festgelötet werden. 7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch ge- kennzeichnet, daß als kristalliner Halbleiter Germanium oder Silicium verwendet wird. 8.- Verfahren nach Anspruch 2 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß im gleichen Arbeitsgang eine elektrische Formierung der Kontaktstelle mit Gleich- oder Wechselstrom durchgeführt wird.
DEL10061A 1951-09-09 1951-09-09 Verfahren zum Herstellen von elektrischen und/oder mechanischen Verbindungen Expired DE876419C (de)

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EP2843780A1 (de) * 2013-08-27 2015-03-04 Tyco Electronics AMP GmbH Elektronenstrahlunterstützte Herstellung von elektrischen Komponenten

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