DE777214T1 - Longitudinal vorgespannter magnetoresistiver Sensor mit konkav geformtem Aktivgebiet zur Reduzierung von Barkhausen-Geräusch durch Erreichen eines im wesentlichen Einzelmagnetdomänenzustands - Google Patents
Longitudinal vorgespannter magnetoresistiver Sensor mit konkav geformtem Aktivgebiet zur Reduzierung von Barkhausen-Geräusch durch Erreichen eines im wesentlichen EinzelmagnetdomänenzustandsInfo
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Claims (40)
1. Datenwandler mit
einem im wesentlichen planen und hauptsächlich länglichen Substrat, das eine erste Achse, welche sich zwischen ersten und
zweiten Endabschnitten erstreckt, und eine zweite Achse an einem weitgehend mittleren Punkt zwischen dem ersten und zweiten
Endabschnitten besitzt,
ersten und zweiten longitudinalen Bias- bzw.
Vormagnetisierungselementen, die über dem Substrat liegen und entsprechende erste und zweite, an die ersten und zweiten
Endabschnitte des Substrats angrenzende Seitenkanten und entsprechende erste und zweite Mittelkanten, welche von dem
weitgehend mittleren Punkt abgelegen sind, besitzen,
einem magnetoresistiven Bereich, der über dem Substrat liegt
und sich im wesentlichen zwischen den ersten und zweiten Mittelkanten der ersten und zweiten longitudinalen
Vormagnetisierungselemente erstreckt, wobei der magnetoresistive Bereich eine zunehmende Breite entlang der zweiten Achse von dem
weitgehend mittleren Punkt zu den ersten und zweiten Mittelkanten der ersten und zweiten longitudinalen
Vormagnetisierungselemente zeigt.
2. Datenwandler nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselemente
permanentmagnetische Schichten enthalten.
3. Datenwandler nach Anspruch 2, wobei die permanentmagnetische Schicht CoPt enthält.
4. Datenwandler nach Anspruch 1, wobei der magnetoresistive Bereich NiFe enthält.
5. Datenwandler nach Anspruch 1, wobei die zunehmende Breite durch eine Konkavität an einer Seite des
magnetoresistiven Bereichs, der sich zwischen den ersten und zweiten Mittelkanten erstreckt, definiert ist.
6. Datenwandler nach Anspruch 5, wobei sich die Konkavität mit abnehmender Entfernung von den ersten und zweiten
Mittelkanten zu dem weitgehend mittleren Punkt parabolisch ändert.
7. Datenwandler nach Anspruch 5, wobei die Konkavität
durch eine Exponentialfunktion des Quadrats der Entfernung von einer Zentrallinie senkrecht zur ersten Achse durch den
weitgehend mittleren Punkt zu den ersten und zweiten Mittelkanten definiert ist.
8. Datenwandler nach Anspruch 7, wobei eine Steifenhöhe (S) des Datenwandlers im wesentlichen definiert ist durch die
Gleichung S = s*exp(k*(&khgr;2)), wobei s die Streifenhöhe am weitgehend mittleren Punkt, &khgr; die Entfernung von der
Zentrallinie und k eine Ortskonstante der Exponentialfunktion ist.
9. Datenwandler nach Anspruch 1 mit weiterhin ersten und zweiten Trennschichten, die zwischen dem magnetoresisiven
Bereich und den ersten und zweiten Mittelkanten der ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselemente liegen.
10. Datenwandler nach Anspruch 1 mit weiterhin einer Kopfplattenanordnung,
mindestens einem magnetischen Speichermedium, das sich drehbar innerhalb der Kopfplattenanodnung befindet und
kodierbare Daten auch sich enthält, und
mindestens einem Positioniermechanismus, der sich bewegbar innerhalb der Kopfplattenanornung befindet, zum Positionieren
des Datenwandlers bezüglich des Speichermediums, um ein Lesen ausgewählter Datenabschnitte zu ermöglichen.
11. Magnetoresistives Element mit
einer magnetoresistiven Struktur, die erste und zweite gegenüberliegende Endabschnitte quer zu einer ersten Achse
davon, welche einen aktiven Elementbereich definieren, und erste und zweite Seitenabschnitte quer zu einer zweiten Achse davon,
die sich zwischen den ersten und zweiten Endabschnitten erstecken und eine Elementstreifenhöhe definieren, wobei die
Streifenhöhe von einem weitgehend mittleren Punkt zu den ersten und zweiten gegenüberliegenden Endabschnitten zunimmt, und
ersten und zweiten longitudinalen
Vormagnetisierungselementen, die an die ersten und zweiten Endabschnitte der magnetoresisiven Struktur angrenzen.
12. Magnetoresistives Element nach Anspruch 11, wobei die ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselemente
permanentmagnetische Schichten enthalten.
13. Magnetoresistives Element nach Anspruch 12, wobei die permanentmagnetische Schicht CoPt enthält.
14. Magnetoresistives Element nach Anspruch 11, wobei der aktive Elementbereich NiFe enthält.
15. Magnetoresistives Element nach Anspruch 11, wobei die Streifenhöhe durch eine Konkavität in mindestens einem der
ersten und zweiten Seitenabschnitte des aktiven Elementbereichs definiert ist.
16. Magnetoresistives Element nach Anspruch 15, wobei sich die Konkavität mit abnehmender Entfernung von den
gegenüberliegenden Endabschnitten zu einer Zentrallinie, die im wesentlichen parallel zu den gegenüberliegenden Endabschnitten
und durch den weitgehend mittleren Punkt verläuft, parabolisch ändert.
35
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17. Magnetoresistives Element nach Anspruch 15, wobei die Konkavität durch eine Exponentialfunktion des Quadrats der
Entfernung von einer Zentrallinie senkrecht zur ersten Achse
durch den weitgehend mittleren Punkt zu den ersten und zweiten gegenüberliegenden Endabschnitten definiert ist.
18. Magnetoresistives Element nach Anspruch 17, wobei die Steifenhöhe (S) des magnetoresistiven Elements im wesentlichen
definiert ist durch die Gleichung S = s*exp(k*(&khgr;2)), wobei s die
Streifenhöhe am weitgehend mittleren Punkt, &khgr; die Entfernung von
der Zentrallinie und k eine Ortskonstante der Exponentialfunktion ist.
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19. Magnetoresistives Element nach Anspruch 11 mit weiterhin ersten und zweiten Trennschichten, die zwischen dem
aktiven Elementbereich und den ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselementen liegen.
20. Magnetoresistives Element nach Anspruch 11 mit weiterhin
einer Kopfplattenanordnung,
mindestens einem magnetischen Speichermedium, das sich drehbar innerhalb der Kopfplattenanodnung befindet und
kodierbare Daten auch sich enthält, und
mindestens einem Positioniermechanismus, der sich bewegbar innerhalb der Kopfplattenanornung befindet, zum Positionieren
des magnetoresistiven Elements bezüglich des Speichermediums, um ein Lesen ausgewählter Datenabschnitte zu ermöglichen.
21. Magnetoresisiver Sensor mit ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselementen, die angrenzend an
gegenüberliegenden ersten und zweiten Endabschnitten eines aktiven magnetoresistiven Bereichs mit verbindenden ersten und
zweiten Seitenabschnitten davon gelegen sind, wobei der magnetoresistive Bereich umfaßt
eine Aktivspurbreite, die im wesentlichen durch einen Abstand zwischen den ersten und zweiten Endabschnitten definiert ist,
und
eine Streifenhöhe, die durch einen Abstand zwischen den ersten und zweiten Seitenabschnitten definiert ist und mit der
Entfernung von den ersten und zweiten Endabschnitten zu einem weitgehend mittleren Punkt abnimmt.
22. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 21, wobei die
ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselemente permanentmagnetische Schichten enthalten.
23. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 22, wobei die
permanentmagnetische Schicht CoPt enthält.
24. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 21, wobei der
aktive magnetoresistive Bereich NiFe enthält.
25. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 21, wobei die Streifenhöhe durch eine Konkavität in mindestens einem der
ersten und zweiten Seitenabschnitte des aktiven magnetoresistiven Bereichs definiert ist.
26. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 25, wobei sich
die Konkavität mit abnehmender Entfernung von den
gegenüberliegenden Endabschnitten zu einer Zentrallinie, die im wesentlichen parallel zu den gegenüberliegenden Endabschnitten
durch den weitgehend mittleren Punkt verläuft, parabolisch ändert.
25
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27. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 25, wobei die Konkavität durch eine Exponentialfunktion des Quadrats der
Entfernung von einer Zentrallinie, die im wesentlichen parallel zu den gegenüberliegenden Endabschnitten durch den weitgehend
mittleren Punkt verläuft, zu den ersten und zweiten Endabschnitten definiert ist.
28. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 27, wobei die Steifenhöhe (S) des magnetoresistiven Sensors im wesentlichen
definiert ist durch die Gleichung S = s*exp(k*(&khgr;2)), wobei s die
Streifenhöhe am weitgehend mittleren Punkt, &khgr; die Entfernung von der Zentrallinie und k eine Ortskonstante der
Exponentialfunktion ist.
29. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 21 mit weiterhin ersten und zweiten Trennschichten, die zwischen dem aktiven
magnetoresistiven Bereich und den ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselementen liegen.
30. Magnetoresistiver Sensor nach Anspruch 21 mit weiterhin einer Kopfplattenanordnung,
mindestens einem magnetischen Speichermedium, das sich drehbar innerhalb der Kopfplattenanodnung befindet und
kodierbare Daten auch sich enthält, und
mindestens einem Positioniermechanismus, der sich bewegbar innerhalb der Kopfplattenanornung befindet, zum Positionieren
des magnetoresistiven Sensors bezüglich des Speichermediums, um ein Lesen ausgewählter Datenabschnitte zu ermöglichen.
31. Großmagnetoresisiver Sensor (giant magnetoresistive
sensor) mit ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselementen, die angrenzend an
gegenüberliegenden ersten und zweiten Endabschnitten einer frei drehend ferromagnetischen Schicht mit verbindenden ersten und
zweiten Seitenabschnitten davon gelegen sind, wobei der Sensor weiterhin eine Struktur mit einer zwingenden bzw. bestimmenden
Schicht (pinning layer), die unter einer gezwungenen bzw. bestimmten Schicht (pinned layer) liegt, und einer
Abstandsschicht, die zwischen der frei drehend ferromagnetischen Schicht und der gezwungenen Schicht liegt, umfaßt, und wobei die
ferromagnetische Schicht
eine Aktivspurbreite, die im wesentlichen durch einen Abstand zwischen den ersten und zweiten Endabschnitten definiert ist,
und
eine Streifenhöhe, die durch einen Abstand zwischen den ersten und zweiten Seitenabschnitten definiert ist und mit der
Entfernung von den ersten und zweiten Endabschnitten zu einem weitgehend mittleren Punkt abnimmt, umfaßt.
32. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 31, wobei
die ersten und zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselemente permanentmagnetische Schichten enthalten.
33. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 32, wobei
die permanentmagnetische Schicht CoPt enthält.
34. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 31, wobei
die frei drehend ferromagnetische Schicht NiFe enthält.
35. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 31, wobei die Streifenhöhe durch eine Konkavität in mindestens einem der
ersten und zweiten Seitenabschnitte der frei drehend ferromagnetischen Schicht definiert ist.
36. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 35, wobei sich die Konkavität mit abnehmender Entfernung von den
gegenüberliegenden Endabschnitten zu einer Zentrallinie, die im wesentlichen parallel zu den gegenüberliegenden Endabschnitten
durch den weitgehend mittleren Punkt verläuft, parabolisch ändert.
37. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 35, wobei die Konkavität durch eine Exponentialfunktion des Quadrats der
Entfernung von einer Zentrallinie, die im wesentlichen parallel zu den gegenüberliegenden Endabschnitten durch den weitgehend
mittleren Punkt verläuft, zu den ersten und zweiten Endabschnitten definiert ist.
38. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 37, wobei die Steifenhöhe (S) des großmagnetoresistiven Sensors im
wesentlichen definiert ist durch die Gleichung S = s*exp(k*(X^)), wobei s die Streifenhöhe am weitgehend mittleren
Punkt, &khgr; die Entfernung von der Zentrallinie und k eine Ortskonstante der Exponentialfunktion ist.
39. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 31 mit weiterhin ersten und zweiten Trennschichten, die zwischen der
frei drehend ferromagnetischen Schicht und den ersten und
zweiten longitudinalen Vormagnetisierungselementen liegen.
40. Großmagnetoresistiver Sensor nach Anspruch 31 mit weiterhin
einer Kopfplattenanordnung,
mindestens einem magnetischen Speichermedium, das sich drehbar innerhalb der Kopfplattenanodnung befindet und
kodierbare Daten auch sich enthält, und
kodierbare Daten auch sich enthält, und
mindestens einem Positioniermechanismus, der sich bewegbar innerhalb der Kopfplattenanornung befindet, zum Positionieren
des großmagnetoresistiven Sensors bezüglich des Speichermediums, um ein Lesen ausgewählter Datenabschnitte zu ermöglichen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/565,032 US5654854A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | Longitudinally biased magnetoresistive sensor having a concave shaped active region to reduce Barkhausen noise by achieving a substantially single magnetic domain state |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE777214T1 true DE777214T1 (de) | 1997-10-09 |
Family
ID=24256928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE0777214T Pending DE777214T1 (de) | 1995-11-30 | 1996-11-20 | Longitudinal vorgespannter magnetoresistiver Sensor mit konkav geformtem Aktivgebiet zur Reduzierung von Barkhausen-Geräusch durch Erreichen eines im wesentlichen Einzelmagnetdomänenzustands |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5654854A (de) |
EP (1) | EP0777214A3 (de) |
JP (1) | JPH09191141A (de) |
KR (1) | KR970029361A (de) |
CN (1) | CN1165366A (de) |
AU (1) | AU7182196A (de) |
CA (1) | CA2190913A1 (de) |
DE (1) | DE777214T1 (de) |
SG (1) | SG52864A1 (de) |
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- 1995-11-30 US US08/565,032 patent/US5654854A/en not_active Expired - Fee Related
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1996
- 1996-11-16 SG SG1996011314A patent/SG52864A1/en unknown
- 1996-11-19 AU AU71821/96A patent/AU7182196A/en not_active Abandoned
- 1996-11-20 DE DE0777214T patent/DE777214T1/de active Pending
- 1996-11-20 EP EP96308390A patent/EP0777214A3/de not_active Withdrawn
- 1996-11-21 CA CA002190913A patent/CA2190913A1/en not_active Abandoned
- 1996-11-28 JP JP8318226A patent/JPH09191141A/ja not_active Withdrawn
- 1996-11-29 CN CN96121786A patent/CN1165366A/zh active Pending
- 1996-11-29 KR KR1019960059385A patent/KR970029361A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU7182196A (en) | 1997-06-05 |
JPH09191141A (ja) | 1997-07-22 |
US5654854A (en) | 1997-08-05 |
KR970029361A (ko) | 1997-06-26 |
EP0777214A2 (de) | 1997-06-04 |
EP0777214A3 (de) | 1998-11-11 |
SG52864A1 (en) | 1998-09-28 |
CN1165366A (zh) | 1997-11-19 |
CA2190913A1 (en) | 1997-05-31 |
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