DE765679C - Verfahren zur Erzielung gut haftender und dichter Schichten beim Silizieren von Eisen und Stahl - Google Patents

Verfahren zur Erzielung gut haftender und dichter Schichten beim Silizieren von Eisen und Stahl

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DE765679C
DE765679C DEM148081D DEM0148081D DE765679C DE 765679 C DE765679 C DE 765679C DE M148081 D DEM148081 D DE M148081D DE M0148081 D DEM0148081 D DE M0148081D DE 765679 C DE765679 C DE 765679C
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DE
Germany
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siliconizing
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DEM148081D
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Fritz Dipl-Ing Schmitz
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Vodafone GmbH
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Mannesmann AG
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C10/00—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces
    • C23C10/06—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using gases
    • C23C10/08—Solid state diffusion of only metal elements or silicon into metallic material surfaces using gases only one element being diffused

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  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
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Description

  • Es ist bekannt, beim Silizieren mit gasförmigen Silizierungsmitteln, z. B. Siliziumtetrachlorid. diesen ein Trägergas zuzusetzen. Als solches wird in der Regel Stickstoff oder Wasserstoff verwandt. Bei der Verwendung von Stickstoff stellte sich als -Nachteil heraus. daß sich zwischen Grundwerkstoff und neu gebildeter poriger Schicht eine Graphitlage zeigte, die sich nachteilig auswirkte. Wasserstoff als Trägergas zeigt diese Ausbildung nicht, doch tritt eine scharfe Trennlinie auf und die silizierte Schicht ist stark porig. Auch die Anwendung eines Gemisches, bestehend aus Wasserstoff und Stickstoff, brachte keine wesentliche Verbesserung.
  • Überraschenderweise tritt bei einer getrennten Verwendung von Stickstoff und Wasserstoff in der Art. daß das Aufheizen im Stickstoffstrom, der eigentliche Silizierungsvorgang im Wasserstoffstrom und das Abkühlen ebenfalls im Wasserstoffstrom geschah, neben einer sehr dichten, fast porenfreien Siliziumschicht eine tadellose Bindung zwischen Schicht und Grundwerkstoff auf. Die Abb. i und z geben skizzenhaft das Aussehen der Überzüge wieder, wie es sich im Schliffbild bei einer Vergrößerung von i : ioo darstellt, und zwar zeigt Abb. i d°n unter ausschließlicher Verwendung von Wasserstoff als Trägergas erhaltenen Überzug und Abb. 2 den nach dem erfindungsgemäßen X"erfahren erhaltenen überzug. Der große Fortschritt hinsichtlich der Porigkeit des Ü herzuges und seiner Haftung am Grundinetall. der mit dem vorgeschlagenen Verfahren erzielt wird, ist deutlich aus den Abliildungen zti erkennen`

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Erzielung gut haftender und dichter Schichten beim Silizieren mit gasförmigen Silizierungsmitteln, z. B. Siliziumtetrachlorid. dadurch gekennzeichnet, daß beim Aufheizen Stickstoff, beim eigentlichen Silizierungsvorgang Wasserstoff und beim Abkühlen ebenfalls Wasserstoff als Trägergas verwendet wird.
DEM148081D 1940-06-30 1940-06-30 Verfahren zur Erzielung gut haftender und dichter Schichten beim Silizieren von Eisen und Stahl Expired DE765679C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1095620B (de) * 1952-07-11 1960-12-22 Siemens Planiawerke Ag Verfahren zur Erzeugung von festhaftenden, korrosionsbestaendigen Si-haltigen Schutzschichten auf Eisenmetallen
DE1100233B (de) * 1953-03-04 1961-02-23 Boehler & Co Ag Geb Metallischer Kern zur Herstellung von Hohlraeumen, insbesondere enger und langer Bohrungen in Gussstuecken aus hochschmelzenden Metallen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1095620B (de) * 1952-07-11 1960-12-22 Siemens Planiawerke Ag Verfahren zur Erzeugung von festhaftenden, korrosionsbestaendigen Si-haltigen Schutzschichten auf Eisenmetallen
DE1100233B (de) * 1953-03-04 1961-02-23 Boehler & Co Ag Geb Metallischer Kern zur Herstellung von Hohlraeumen, insbesondere enger und langer Bohrungen in Gussstuecken aus hochschmelzenden Metallen

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