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Hintergrund der Erfindung
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Bezugnahme
auf verwandte Anmeldungen
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Die
vorliegende Anmeldung steht in Beziehung zur US-Anmeldung Nr. 09/158,832
(Northrop Grumman Aktenzeichen Nr. BD-98-112) mit dem Titel "Sende-Empfangs-Modul
mit mehrfachen Sende-Empfangspfaden mit gemeinsamen Schaltkreisen", eingereicht im
Namen von John W. Cassen et al. am 23. September 1998; und die US-Anmeldung Nr.
09/158,827 (Northrop Grumman Aktenzeichen Nr. BD-98-111) mit dem
Titel "Antennenanordnung, welche
zweikanalige Mikrowellen-Sende-Empfangs-Module enthält", eingereicht im
Namen von John W. Cassen et al. am 23. September 1998.
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Beide
Anmeldungen sind auf Anmelder der vorliegenden Erfindung übertragen
worden und es ist weiterhin beabsichtigt, daß sie im folgenden durch in Bezugnahme
eingeschlossen sind.
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Gebiet der
Erfindung
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Die
Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf Sende-Empfangs-(TR)-Schaltkreismodule,
die zum Beispiel verwendet werden in Radarsystemen mit phasengesteuerten
Gruppenantennen, und insbesondere auf ein zweikanaliges Sende-Empfangs-Modul,
wobei zwei diskrete Sende-Empfangs-Hochfrequenzkanäle Seite
an Seite in einer gemeinsamen Packung ausgeführt sind.
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Beschreibung
des Stands der Technik
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Radarsysteme
mit phasengesteuerten Gruppenantennen, die elektronisch abgetastete
Gruppenantennenanordnungen verwenden, die auch als aktive Aperturen
bezeichnet werden, erfordern einzeln regelbare Sende-Empfangs-Module,
welche in einer Gruppenanordnung angeordnet sind. Die Sende-Empfangs-Module
sind verbunden mit vorderseitig angebrachten Strahlerelementen,
welche gemeinsam einen ausgesandten Radarstrahl erzeugen. Der Strahl
wird normalerweise unter elektronischer Steuerung der auf die einzelnen
Strahler gegebenen Signale hinsichtlich seines Azimuths und seiner
Höhe über dem
Boden mit Energie beaufschlagt, geformt und ausgerichtet.
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Ein
Radarsystem mit einer phasengesteuerten Gruppenantenne sendet nacheinander
Impulse aus, welche durch einen Sendemehrfachaufbau sowie Mikrowellenschaltkreise
auf die verschiedenen Antennenstrahler verteilt werden. Zwischen Sendeimpulsen
empfängt
und bearbeitet das Radarsystem aufeinanderfolgende Rückkehrsignale
von den Antennenstrahlern. Die Rückkehrsignale
werden durch Mikrowellenschaltkreise im Sende-Empfangs-Modul bearbeitet,
durch einen Empfangsmehrfachaufbau gesammelt und dann in dem System
zur Zielidentifikation bearbeitet.
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Solch
ein Radarsystem verwendet auch einen programmierten digitalen Prozessor,
um die Verstärkung
zu regeln, die Dämpfung
sowie die Phasenverschiebung der Sende- und Empfangssignale, wodurch
die Amplitude, Richtung und Form des zusammengesetzten Hochfrequenzenergiestrahls
festgelegt wird, der durch die Apertur ausgesandt oder empfangen
wird. Verschiedene Phasenverschiebungen sorgen für verschiedene Sende- oder
Empfangsschaltungsverzögerungen
bei der Abgabe individueller Hochfrequenzstrahlersignale, um das
Muster der Hochfrequenzenergiewellenfronten zu regeln, welche mit
den verschiedenen Strahlern zusammenhängen, und welche kombiniert
werden, um die Richtung und Form eines ausgesandten oder empfangenen Antennenstrahls
festzulegen.
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Ein
jedes Sende-Empfangs-Modul gemäß dem Stand
der Technik umfaßt
typischerweise einen Gehäuseaufbau
oder eine Packung, welche Mikrowellensignalbearbeitungsmittel umfaßt zum Bearbeiten
ausgesandter und empfangener Radarsignale, Steuersignalbearbeitungsmittel,
die mit den Mikrowellensignalbearbeitungsbauteilen verbunden sind,
um Steuersignale daran anzukoppeln, sowie Leistungsbeeinflussungsmittel,
die eine Vielzahl von Leistungsbeeinflussungsbauteilen umfassen,
die wahlweise mit den Mikrowellensignalbearbeitungsbauteilen und
den Steuersignalbearbeitungsbauteilen verbunden sind, um elektrische
Leistung dahin abzugeben. Da eine solche Vorrichtung bei relativ
hohen Leistungspegeln arbeitet, gibt es normalerweise auch Mittel
zum Ableiten der Wärme,
die durch die verschiedenen Bauteile erzeugt wird, insbesondere die
Mikrowellenleistungsverstärker
und die Leistungsbeeinflussungsbauteile, die damit in Verbindung
stehen.
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Dementsprechend
gibt es eine fortlaufende Entwicklung in diesem Gebiet der Mikrowellentechnologie,
um Sende-Empfangs-Module zu produzieren, welche kleiner sind, leichter
im Gewicht und niedriger hinsichtlich der Kosten, während sie
zum selben Zeitpunkt eine Verbesserung darstellen hinsichtlich ihrer
Einsatzleistung und Zuverlässigkeit
sowie auch bei der Erleichterung der Montagefreundlichkeit in einer
Antennenanordnung.
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Ein
bekanntes Sende-Empfangs-Modul, welches durch den Inhaber der vorliegenden
Erfindung entwickelt wurde, ist im US-Patent 4,967,201 mit dem Titel "Multi-Layer Single
Substrate Microwave Transmit/Receive Modul" gezeigt und beschrieben, welches am
30. Oktober 1990 an Edward L. Rich, III, einem in der vorliegenden
Anmeldung genannten Erfinder, erteilt wurde. Das darin offenbarte
Modul wird als "Zuckerwürfel"-Sende-Empfangs-Modul bezeichnet
und umfaßt
ein einzelnes Mehrfachschichtsubstrat mit zumindest zwei gegenüberliegenden
Montageoberflächen
des Substrats. Das Substrat umfaßt eine Vielzahl von integrierten
dielektrischen Schichten, elektrischen Leitern und Wärmeleitern,
die wahlweise verbunden sind zwischen den Schichten des Substrats.
Mikrowellensignalbearbeitungsmittel sind aufgesetzt auf zumindest
eine der Montageoberflächen
des Substrats zum Bearbeiten von Mikrowellenradarsignalen. Kontrollsignalbearbeitungsmittel
sind auch auf zumindest eine der Montageoberflächen des Substrats aufgesetzt
zur Bereitstellung von Steuersignalen für die Mikrowellensignalbearbeitungsmittel.
Leistungsbeeinflussungsmittel sind zusätzlich aufgesetzt auf zumindest
eine der Montageoberflächen
des Substrats, um elektrische Leistung zur Inbetriebnahme der Mikrowellensignalbearbeitungsmittel
und Steuersignalbearbeitungsmittel bereitzustellen. Eine Wärmesenkenschnittstelle
ist an einem Satz von Wärmeleitungselementen
angekoppelt oder an Durchleitungen, die vertikal durch die Substratschichten
hindurchlaufen und welche unter thermischen Aspekten in der Nähe von ausgewählten Bereichen
der Mikrowellensignalbearbeitungsmittel, der Leistungsbeeinflussungsmittel
und der Steuersignalbearbeitungsmittel angebracht sind, um thermische Energie
von den Wärmeerzeugungselementen
wegzuleiten, die auf dem Substrat aufgesetzt sind, und zwar hin
zu einer Kühlplatte.
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Das "Zuckerwürfel"-Modul umfaßt einen
relativ frühen
Sende-Empfangs-Modulaufbau, in welchem grundlegende Sende- und Empfangsfunktionen,
wie sie seinerzeit ersonnen wurden, in einer einzelnen modularen
Sende-Empfangseinheit ausgeführt
sind, wobei der Betriebsaufbau solche Funktionen unterstützt, die
gemeinsam auf einem Hauptsubstrat integriert sind. Während diese
Vorrichtung wohl so arbeitet wie beabsichtigt, wurde festgestellt,
daß bestimmte
inhärente
Mängel
existieren. Zum Beispiel gilt, daß das "Zuckerwürfel"-Modul einen kompakten Aufbau zeigt,
dabei aber nur einen einzigen Sende-Empfangs-Kanal aufweist und
beschränkt
ist durch seinen Aufbau auf einen Betrieb mit relativ niedriger
Hochfrequenzleistungsausgabe und strukturell beschränkt ist
auf eine einzelne Hochfrequenzverbindung mit einem Hochfrequenzmehrfachaufbau.
Weiterhin gilt, obwohl dieser Typ von Modul eine Fähigkeit
zum Einstecken von bestimmten elektrischen Verbindungen an seinem
rückwärtigen Ende aufweist,
es keine leicht zugängliche
Möglichkeit
zum Einstecken von Antennenverbindungen aufweist. Stattdessen weist
jedes Modul einen Antennenstrahler auf, der an seinem vorderen Ende
eingebaut ist, wobei bei der Installation Probleme verursacht werden
beim Ausrichten von fehlausgerichteten Strahlern zwischen den eingebauten
Sende-Empfangs-Modulen.
Dies liegt daran, daß ausgesandte und
empfangene Strahlen ausgerichtete Antennenstrahler benötigen, um
eine Strahlkontrolle in Übereinstimmung
mit Systembefehlen zu ermöglichen.
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Weiterhin
beschränkt
der modulintegrierte Strahler des "Zuckerwürfel"-Moduls die Bandbreite während des
Aussendens und Empfangens, und da er einen einfachen unpolarisierten
zusammengefügten
Aufbau aufweist, beschränkt
er den Betrieb des Strahlers auf eine festgelegte Polarisation.
Das "Zuckerwürfel"-Sende-Empfangs-Modul
ist somit gekennzeichnet durch eine fehlende Flexibilität hinsichtlich
der Polarisation, wohingegen ein guter Systemaufbau Polarisationsflexibilität erfordert,
um verschiedene Einstellungen der Strahlungseigenschaften inklusive
Bandbreite und Polarisation zu ermöglichen. Trägt zum Beispiel ein empfangenes
Signal einen hohen Rauschpegel in einer bestimmten Polarisation,
so ist es wünschenswert,
eine Flexibilität
zu haben, um die Polarisation auf einen Winkel einzustellen, bei
dem das Rauschen reduziert ist. Auf diese Weise wird das Signal-Rauschverhältnis verstärkt und
schwächere
Signale können
erfaßt
werden mit einer im wesentlichen verringerten Rauschinterferenz.
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Weiterhin
kann in einer Antennenanordnung, die "Zuckerwürfel"-Sende-Empfangs-Module verwendet, der
Stift innerhalb des einzigen koaxialen Hochfrequenzsteckverbinders
zwischen einem jedem "Zuckerwürfel"-Modul und dem Systemmehrfachaufbau
anfällig
sein für
eine zu große
axiale Bewegung in Abhängigkeit
von mechanischen Vibrationen der Antenne. Solche Stiftbewegungen
können Hochfrequenzpfadlängen verändern, wodurch
es zu einem erhöhten Rauschpegel
sowie fehlerhaften Phasenänderungen
kommt, was zu einer Strahldispersion führt, und dadurch die beabsichtigte
Strahlkontrolle beeinflußt.
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Neben
anderen in Verbindung mit dem "Zuckerwürfel"-Sende-Empfangs-Modul
auftretenden Problemen tritt auch die Entfernung von Wärme als Problem
auf, die durch die sich darin befindlichen aktiven Bauteile erzeugt
wird. Thermische Leiter, die vertikal durch den Schichtaufbau des
Moduls hin zu einer Wärmeübertragungsschnittstelle
verlaufen, sorgen nur für
eine begrenzte Wärmeübertragung zur
Entfernung von Wärme
aus den aktiven Schaltkreisbauteilen. Im Ergebnis führt eine
schlechte thermische Leistung mit dazu, daß nur relativ niedrige Hochfrequenzleistungsausgaben
stattfinden.
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In
jüngerer
Vergangenheit wurde ein verbessertes Sende-Empfangs-Modul durch
den Inhaber der vorliegenden Erfindung entwickelt und ist offenbart
im US-Patent 5,745,076 mit dem Titel "Transmit/Receive Module For Planar Active
Apertures", ausgegeben
an Thomas R. Turlington et al. am 28. April 1998. Das darin offenbarte
Sende-Empfangs-Modul, welches vom Inhaber der vorliegenden Erfindung
als "StackPak" bezeichnet wird,
umfaßt
einen Modulaufbau, welcher in die Rückseite einer aktiven Apertur
eingesteckt werden kann und welcher diskrete Hochfrequenzgleichstrom-
und Datenverteilungsmehrfachaufbauten umfaßt, die planar sind in ihrem
Aufbau, und zusammengesteckt sind, und zwar eine auf der anderen
zwischen einer kalten Platte und einer Antennenanordnung, wobei
die Antennenelemente und Zirkulatoren angeordnet sind in einer einzelnen
physikalischen Einheit, welche die vordere Schicht der Apertur bildet.
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Das
Sende-Empfangs-Modul selbst umfaßt eine Mehrfachchipmikrowellenpackung,
welche aus einer Vielzahl von Schichten einer Hochtemperaturkeramik
(HTCC = High Temperature Cofired Ceramic) besteht, und Erdungsebenen
umfaßt,
Streifenleitungen, Daten- und Gleichstromverbinder, thermische Durchleitungen
und Hochfrequenzeingaben/-ausgaben, die durch die Hochfrequenzanordnung
für eine
Vielzahl von monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreisen
(MMIC = Monolithic Microwave Integrated Circuit Chips) verlaufen,
die angeordnet sind in Hohlräumen,
die in der Schicht der Hochfrequenzanordnung ausgebildet sind. Die
Architektur des Moduls umfaßt
einen einzelnen Sende-Empfangs-Hochfrequenzsignalkanal, welcher seine
Steuerfunktionen hinsichtlich des Verstärkungsabgleichs, der Phasenverschiebung
und der Zwischenleistungsverstärkung
sowohl in den Sende- als auch den Empfangsbetriebsarten teilt.
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Werden "StackPak"-Sende-Empfangs-Module
eingebaut, so liegen sie an der kalten Platte an, um intern erzeugte
Wärme abzuführen. Weiterhin
hat jedes Sende-Empfangs-Modul Steckverbinderstifte, die sich von
einer vorderen Modulseite nach vorne erstrecken, um alle Leistungs-,
Steuerungs- und Hochfrequenzverbindungen, die für das Modul erforderlich sind,
wenn es installiert wird, durch Einstecken in die rückwärtige Seite
einer Antennenanordnung bereitzustellen. Die sich nach vorne erstreckenden
Stifte laufen durch zugeordnete Hülsen, welche sich wiederum
durch die übereinander
angeordneten Schichten erstrecken, wodurch die notwendigen Verbindungen
bereitgestellt werden, die zwischen den Stiften und den Antennenstrahlern
bereitzustellen sind, den Hochfrequenzmehrfachaufbauten und den Steuer- und Leistungssystemen
in den verschiedenen Schichten.
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Das "StackPak"-Schema erinnert
so an einen Schweizer Käse,
in dem Sinne, daß die
Hülsen durch
die Öffnungen
der Anordnung verlaufen, um die notwendigen Verbindungen für die Gleichstromleistung,
Gleichstromdigitalsteuerung und Hochfrequenzsignalverbindungen für die Sende-Empfangs-Module
bereitzustellen.
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Wird
Wärme auf
einen Wärmetauscher
abgeführt,
so kann ein "StackPak" Sende-Empfangs-Modul nur einen Teil
seiner vorderen Oberfläche
zum Abführen
von Wärme
verwenden. Integrierte Galliumarsenid-Schaltkreise werden normalerweise
für die
Hochfrequenzleistungsverstärkung
in Sende-Empfangs-Modulen verwendet und die Temperatur und Zuverlässigkeitsspezifikationen
für diese
Vorrichtungen verlangen eine Erhöhung
der Wärmeabführung zum
Vergrößern der
Leistungseinstufung.
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Somit
zeigen "StackPak" Sende-Empfangs-Module
eine relativ schlechte Wärmeabführung, und
dementsprechend beschränken
sie die Erzeugung von Hochfrequenzleistung, und zwar größtenteils
aufgrund der Tatsache, daß der
vorne angebrachte "Vorhof" des Sende-Empfangs-Moduls die Wärmeübertragungs-
und elektrischen Verbindungsfunktionen teilen muß, wodurch sich ein Betrieb
mit einer stark beschränkten
Oberfläche
zur Wärmeentfernung
ergibt.
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Während der
substratbasierte Aufbau des "StackPak" Kavitäten in einer
Hochfrequenzaufbaulage verwendet zur Anordnung von verschiedenen Hochfrequenzhalbleitervorrichtungen,
um die Hochfrequenzschaltkreise in einem einzelnen Hochfrequenzkanal
zu unterstützen,
sind zwischen zwei oder mehreren diskreten Sende-Empfangs-Kanälen keine Halbleitervorrichtungslayouts
oder Hochfrequenzschaltkreisdurchführungen und Hochfrequenzabschirmungen
und Isolierungen vorgesehen.
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Das "StackPak" Sende-Empfangs-Modul
ist auch beschränkt
aufgrund der Tatsache, daß es Hochfrequenzeingabe-/Ausgabekoaxialsteckverbinder
an drei verschiedenen Kanten des Moduls verwendet, wodurch die Fähigkeit
der Modulinstallation beeinträchtigt
wird, die Hochfrequenzschaltkreislänge, der Hochfrequenzleistungsverlust
und die Hochfrequenzkanalisolation.
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Das "StackPak" Sende-Empfangs-Modul wird
weiterhin behindert aufgrund der beschränkten Kapazität zum Weiterleiten
von Gleichstromleistung von einer externen Gleichstromquelle auf
das Sende-Empfangs-Modul. Somit liefert in einer aktiven Apertur
ein Niedrigspannungsbus normalerweise Leistung an Sende-Empfangs-Module
von einer externen Leistungsquelle, d. h. von einem Kleinstromwandler,
welcher eine Hauptquellenspannung (wie zum Beispiel 240 Volt) auf
eine niedrige Gleichspannung (wie z. B. 10 V oder 11 V) für die Verwendung im
Modul wandelt. Das Gewicht des Gleichspannungsbusses (LVDC = Low
Voltage DC) vergrößert sich
im Verhältnis
zum Quadrat der Länge
des Buspfades und im Verhältnis
zum Quadrat des Stroms, welcher durch den LVDC fließt. Eine
vergrößerte Hochfrequenzausgabeleistung
erfordert vergrößerte Sendestromimpulse,
welche erhöhte
Anforderungen an den Spitzenstrom der Eingabeversorgungsleistungsschaltkreise
stellen, d. h. einen vergrößerten Buspfadquerschnitt
und Gewicht erfordern, falls Vergrößerungen bei den Busleistungsverlusten
und der Wärmeerzeugung
vermieden werden sollen. Diese Prinzipien sind auch anwendbar auf
jede beliebige Eingabe LVDC Pfadlänge, die mit der den externen LVDC
Buspfad verbunden ist, und welche sich innerhalb des Sende-Empfangs-Moduls
hin zu Leistungsverteilungspunkten erstreckt. Jedoch wäre die interne
LVDC Buspfadlänge
normalerweise relativ kurz und würde
weniger Auswirkung haben auf die Busleistungsverluste und Wärmeerzeugung,
als dies beim externen LVDC Bus der Fall wäre. In Übereinstimmung mit einer ordnungsgemäßen Praxis
beim Designaufbau führt
der LVDC Busaufbau wünschenswerterweise
dazu, daß Verluste
bei oder unterhalb eines vorgegebenen Prozentsatzes der Hochfrequenzleistungsausgabe
liegen, was einer Kontrolle des Wirkungsgrads beim Herstellen der Ausgabe
von Hochfrequenzausgabeleistung dient. Somit verlangen die Erhöhungen bei
der Hochfrequenzleistungsausgabe wesentlich vergrößerte LVDC
Busgröße und Gewicht.
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Somit
beeinflußt
der Aufbau des "StackPak" Sende-Empfangs-Moduls
im wesentlichen die Hochfrequenzleistungsausgabe, da eine zu große Busgröße und Gewicht
erforderlich sind, um wünschenswerte
Pegel der Hochfrequenzausgabeleistung zu erreichen. Andere Faktoren,
wie eine schlechte Wärmeabführung beschränken ebenfalls
die Hochfrequenzausgabeleistung beim "StackPak" Aufbau. Obwohl das Modul zu einigen
Kostenverbesserungen führen kann
durch Drahtbonden von Chip zu Chip, führt es immer noch zu einigen
Kostennachteilen, die sich aus Faktoren ergeben, die die Verwendung
von Mehrfachgehäuse/Verbindungs-/Abdichtungsstücken umfassen.
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Ein
weiteres elektronisches Modul für
eine Anordnung einer phasengesteuerten Gruppenantenne ist in US-A-5
276 455 offenbart. Das dort offenbarte Modul kann entweder ein Sender
oder ein Empfänger
sein, oder kann beide Funktionen ausfüllen. Gemäß der Offenbarung umfaßt ein jedes
Modul ein Substrat und eine Trägerschicht,
wobei die Trägerschicht
elektrische und thermische Leitfähigkeit
aufweist. Einige aktive Schaltkreisbauteile sind direkt auf die
Trägerschicht
innerhalb der Kavitäten
aufgesetzt, die innerhalb des Substrats ausgebildet sind. Ein Deckel
wird bereitgestellt, welcher auf dem Substrat abdichtend angebracht
ist und einen einzelnen inneren Gehäuseraum für alle Schaltkreisbauteile bereitstellt,
die von der Außenseite
des Moduls isoliert sind. Hochfrequenzeingabe- und Ausgabeanschlüsse sind
an jeweiligen gegenüberliegenden
Enden des Substrats angebracht. Gleichstromleistungszuführungsverbindungen
und logische Verbindungen sind ebenfalls bereitgestellt an wechselseitig
gegenüberliegenden
Enden des Substrats.
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Trotz
der Fortschritte, die beim Stand der Technik bei den oben genannten
Sende-Empfangs-Modulen
gemacht worden sind, gibt es nach wie vor ein Bedürfnis für Verbesserungen,
die zu Reduktionen bei Gewicht, Kosten und Größe führen, während zur selben Zeit die erforderlichen
Leistungsparameter beizubehalten sind.
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Beim
Durchführen
weiterer Entwicklungen von Sende-Empfangs-Modulen, ist es wünschenswert,
daß die
folgenden Ziele erfüllt
werden: (1) Maximale Hochfrequenzausgabeleistung; (2) Minimierung
der abgeschirmten Hochfrequenzschaltkreisdurchführungen innerhalb eines Moduls;
(3) Minimierung der Kennziffern für das empfangene Rauschen; (4)
Maximale Isolierung zwischen Hochfrequenzkanälen, um eine ordentliche Strahlsteuerung
und -formung zu ermöglichen;
(5) Phasenanpassbarkeit zum Erleichtern der Strahlsteuerung; (6)
Minimierung der Wärmeerzeugung;
(7) Minimierung des thermischen Widerstands, was eine maximale Wärmeableitung ermöglicht;
(8) Minimierung eines Halbleiterübergangstemperaturanstiegs;
(9) Minimierung der einfließenden
Stromleistung; (10) Minimierung der Wegführung der logischen Schaltkreise;
und (11) eine relative Einfachheit bei der Installation in einer
Antennenanordnung.
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Zusammengefaßt ist zu
sagen, daß der Stand
der Technik gemäß seinen
früheren
und gegenwärtig
bekannten Ausbildungen im allgemeinen mangelhaft gewesen ist beim
Erfüllen
der oben genannten Ziele, und zwar sowohl jeweils einzeln als auch
gemeinschaftlich. Die vorliegende Anmeldung zielt deshalb auf ein
verbessertes Sende-Empfangs-Modul ab, welches die oben genannten
Ziele erfüllt,
während
gleichzeitig Kosten reduziert werden, eine größere Verläßlichkeit erreicht wird, sowie
eine größere Handhabbarkeit.
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Zusammenfassung
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Dementsprechend
ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Verbesserung bei
Mikrowellen-Sende-Empfangs-(T/R)-Modulen bereitzustellen.
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Es
ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Verbesserung
bei Sende-Empfangs-Modulen
bereitzustellen, die in Verbindung mit einer aktiven Apertur eines
Impulsradarsystems verwendet werden.
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Und
es ist nochmals ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, eine
verbesserte Packung für
Sende-Empfangs-Module bereitzustellen, die in in einem Radarsystem
mit phasengesteuerter Gruppenantenne verwendet werden.
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Und
es ist ein nochmals weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, eine
preiswerte Packung für ein
Sende-Empfangs-Modul bereitzustellen, was zu einer reduzierten thermischen
Impedanz führt,
während
eine hohe Kanalisolation zwischen einer Vielzahl von diskreten Sende-Empfangs-Kanälen bereitgestellt
wird, die Seite an Seite in einem gemeinsamen Gehäuseaufbau
untergebracht sind.
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Die
zuvorstehend erläuterten
und weitere Ziele werden erreicht durch ein Sende-Empfangs-Modul, wie in Anspruch
1 definiert. Weitere bevorzugte Ausführungsformen sind in den Ansprüchen 2 bis
55 definiert. Gemäß weiteren
Aspekten der vorliegenden Erfindung sind eine Vielzahl, bevorzugterweise
zwei, diskrete Sende-Empfangs-(T/R)-Kanäle ausgebildet in einer einzelnen
gemeinsamen Packung und weisen die Fähigkeit auf, kombinierte Funktionen
bereitzustellen, Steuerungs- und Leistungsbeeinflussung, während ein
einziges Mehrfachschichtsubstrat mit mehreren Kavitäten verwendet wird,
welches aus Hochtemperaturkeramikschichten (HTCC = High Temperature
Cofired Ceramics) besteht. Die Keramikschichten haben äußere Oberflächen mit
jeweiligen Metallisierungsmustern von Erdungsebenen und Leitern
sowie Durchführungen oder
vertikale Durchleitungen, die darin ausgebildet sind, um eine dreidimensionale
Führung
von sowohl Hochfrequenz- als auch Gleichstromsignalen bereitzustellen,
um so neben anderem ein Paar von Hochfrequenzmehrfachsignalkopplern
zu konfigurieren, welche in dem Substrat eingebettet sind und deren Übergang
zu einer Hoch frequenzschnittstelle einen Mehrfachstift-Hochfrequenzsteckverbinderaufbau am
vorderen Ende der Packung auweist. Die Hochfrequenzsignalpfade sind
in elektrischen Abschirmungen eingeschlossen, die durch parallele
Leitungen von Durchführungen
und darübergreifenden streifenleiterförmigen Leiterelementen
gebildet sind. Eine Gleichstrom- und Logikschnittstelle ist am rückwärtigen Ende
der Packung angebracht und umfaßt Mittel,
mit denen Gleichstrom und Steuersignale auf eine Vielzahl von aktiven
Schaltbausteinen gegeben werden, und die anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise
(ASIC = Application Specific Integrated Circuit Chips) sowie monolithisch
integrierte Mikrowellenschaltkreise (MMIC = Microwave Integrated Circuit
Chips) mittels Federkontaktelementen enthalten. Die MMIC, welche
Hochfrequenzleistungsschaltkreise umfassen, erzeugen den Großteil der
Wärme, sind
in Mehrfachebenenkavitäten
untergebracht, die in dem Substrat ausgebildet sind, und sind direkt
angebondet an eine im wesentlichen flache Kühlplatte, die an der Unterseite
des Substrats befestigt ist, und die als effiziente thermische Schnittstelle
zu einem externen Wärmetauscher
in Art einer kalten Platte dient. Eine Beeinflussung der Gleichstromleistung wird
ebenfalls durchgeführt
durch einen Energiespeicherungsunteraufbau in Form einer Kondensatorbank,
die extern angebracht ist an der Rückseite der Sende-Empfangs-Modulpackung,
um zusätzliche Leistung
zur Erzeugung von Spitzenleistung bereitzustellen.
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Ein
weiterer Bereich der Anwendbarkeit der vorliegenden Erfindung wird
ersichtlich aus der im folgenden gegebenen ausführlichen Beschreibung. Es sei
jedoch angemerkt, daß die
ausführliche
Beschreibung und das spezifische Beispiel, obwohl sie die bevorzugte
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung erläutern,
nur zum Zwecke der Veranschaulichung gegeben wird, da zahlreiche
Veränderungen, Abänderungen
und Modifiktionen, die innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden
Erfindung liegen, für
den Fachmann aus dieser ausführlichen
Beschreibung in naheliegender Weise ersichtlich werden.
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Kurze Figurenbeschreibung
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Die
vorliegende Erfindung wird besser verständlich, wenn sie in Zusammenschau
mit den beigefügten
Zeichnungen betrachtet wird, welche nur zum Zwecke der Veranschaulichung
beigefügt
sind und somit nicht zu einer Beschränkung der vorliegenden Erfindung
führen
sollen.
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Es
zeigen:
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1 ein elektrisches Blockdiagramm,
welches ein Radarsystem mit phasengesteuerter Gruppenantenne grob
veranschaulicht, die ein Sende-Empfangs-Modul in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung aufweist;
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2A bis 2D eine perspektivische Ansicht von oben,
sowie Draufsichten von der Seite und unten auf ein Sende-Empfangs-Modul
in Übereinstimmung
mit der bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung;
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3 eine perspektivische Darstellung
einer Engergiespeicherkondensatorbank, die am rückwärtigen Ende des in 1 gezeigten Sende-Empfangs-Moduls
angebracht ist;
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4 eine Explosionsdarstellung
der in 3 gezeigten Kondensatorbank;
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5A, 5B, 5C und 5D Ansichten von oben, der
Seite und unten sowie einen schematischen Schaltplan der Schaltkreisanordnung
der in 4 gezeigten Kondensatorbank;
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6 eine Draufsicht auf das
Innere der in 1 gezeigten
Sende-Empfangs-Modulpackung, welche
versehen ist mit Bauteilen eines jeden funktionellen Untersystems,
welches darin untergebracht ist;
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7A bis 7B Ansichten von der Seite, von oben,
von unten und von vorne einer nicht bestückten Sende-Empfangs-Modulpackung,
wie in 1 gezeigt;
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8 einen Querschnitt durch
die in 7B gezeigte Sende-Empfangs-Modulpackung,
und zwar längs
der Linien 8-8 hiervon;
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9 einen Querschnitt der
in 7B gezeigten Sende-Empfangs-Modulpackung,
und zwar längs
der Linen 9-9 hiervon;
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10 einen Querschnitt der
in 7B gezeigten Sende-Empfangs-Modulpackung,
und zwar längs
der Linien 10-10 hiervon;
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11 eine vergrößerte Ansicht
des linken Seitenbereichs des in 8 gezeigten
Querschnitts, welche weiterhin die Aufeinanderschichtung der verschiedenen
HTC Keramikschichten zeigt, die im vorderen Bereich des in 7B gezeigten Sende-Empfangs-Modulpackung
angebracht sind;
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12A bis 12D Ansichten von der Seite, von oben,
von unten und von vorne auf eine nicht bestückte Sende-Empfangs-Modulpackung
in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung, wie in 7A bis 7G gezeigt,
die dabei eine unten angebrachte Kühlplatte aufweisen, die mit
einem Hochfrequenzkoaxialsteckverbinderaufbau im vorderen Bereich
der Packung angebracht ist;
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13 einen Querschnitt der
in 12B gezeigten Sende-Empfangs-Modulpackung,
und zwar längs
der Linie 13-13 hiervon;
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14 ein Diagramm, welches
weiterhin die HTCC Keramikschichten im vorderen Bereich der Packung
zeigt zusammen mit Mustern der Erdungs- und Signaldurchleitungen,
die einen Hochfrequenzübergang
zwischen bestimmten Schichten bilden;
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15 einen schematischen elektrischen Schaltplan,
der die Hochfrequenzsignalpfade veranschaulicht, die innerhalb der
Packung in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung ausgeführt sind;
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16 ein vereinfachtes elektrisches
Blockdiagramm der Zweikanalsende-/Empfangsschaltkreisarchitektur,
welche mit den in 6 gezeigten Bauteilen
ausgeführt
ist;
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17A bis 17C Veranschaulichungen des Erdungsmetallisierungsmusters,
der Metallisierung der Durchleitungen und des Musters der oberen
Metallisierung, die ausgebildet sind in Verbindung mit der in 14 gezeigten HTCC Schicht 1;
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18A bis 18B Veranschaulichungen der Metallisierungsmuster
der Durchleitungen und der oberen Oberfläche, die ausgebildet sind in
Verbindung mit der in 14 gezeigten
HTCC Schicht 2;
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19A bis 19B eine Veranschaulichung des Metallisierungsmusters
der Durchleitungen und der oberen Oberfläche, die in Verbindung mit
der in 14 gezeigten
HTCC Schicht 3 gezeigt sind;
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20A bis 20B Veranschaulichungen des Metallisierungsmusters
der Durchleitungen und einer Erdung, die in Verbindung mit der in 14 gezeigten HTCC Schicht 4 ausgebildet
sind;
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21A bis 21B Veranschaulichungen des Metallisierungsmusters
der Durchleitung und der oberen Oberfläche, die in Verbindung mit
der in 14 gezeigten
HTCC Schicht 5 ausgebildet sind;
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22A bis 22B Veranschaulichungen der Metallisierungsmuster
der Durchleitungen an der oberen Oberfläche, die in Verbindung mit
der in 14 gezeigten
HTCC Schicht 6 ausgebildet sind;
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23A bis 23B Veranschaulichungen des Metallisierungsmusters
der Durchleitung und Erdung, die in Verbindung mit der in 14 gezeigten HTCC Schicht 7 ausgebildet
sind;
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24A bis 24B Veranschaulichungen des Metallisierungsmusters
der Durchleitung an der oberen Oberfläche, die in Verbindung mit
der in 14 gezeigten
HTCC Schicht 8 ausgebildet sind;
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25A bis 26B Veranschaulichungen der Metallisierungsmuster
der Durchleitung an der oberen Oberfläche, die in Verbindung mit
der in 4 gezeigten HTCC
Schicht 9 ausgebildet sind; und
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26A bis 26B Veranschaulichungen des Metallisierungsmusters
der Durchleitung und der Erdung, welche in Verbindung mit der in 14 gezeigten HTCC Schicht 10 ausgebildet
ist.
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Ausführliche
Beschreibung der Erfindung
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Betrachtet
man die Figuren und insbesondere 1,
so ist ein Blockdiagramm offenbart, welches in allgemeiner Form
eine aktive Apertur 1 eines Radarsystems 2 offenbart,
welches eine Vielzahl von phasengesteuerten Gruppenantennenelementen 3 umfaßt, die
mit einer Vielzahl von identischen Zweikanal-Sende-Empfangs-Modulen 10 mittels
jeweiligen Hochfrequenzzirkulatoren 4 verbunden sind. Ein jedes
Sende-Empfangs-Modul 10 umfaßt ein Paar von Hochfrequenzsendeports
TX1 und TX2 sowie ein Paar von Empfangsports RX1 und RX2, die mit verschiedenen
Antennenelementen 3 und Zirkulatoren 4 verbunden
sind, um zwei getrennte und unterschiedliche Sende-Empfangs-Kanäle zu verwirklichen,
die innerhalb eines gemeinsamen Sende-Empfangs-Moduls 10 ausgebildet
sind. Beide Sende-Empfangs-Kanäle teilen
weiterhin einen gemeinsamen Eingangsport TXM eines Sendemehrfachaufbaus 5 und
ein gemeinsames Ausgangsport RXM eines Empfangsmehrfachsaufbaus 6,
die Teil eines gemeinsamen Hochfrequenzmehrfachaufbaus für das System
darstellen. Die kombinierte Ausgabe aus dem Empfangsmehrfachaufbau 6 wird
auf den Empfangsabschnitt (nicht gezeigt) des Radarsystems 2 gegeben.
Hochfrequenzimpulse, die zur Aussendung erzeugt werden, werden über einen
Gruppentreiber 7 auf den Sendemehrfachaufbau 5 gegeben.
Die sechs Hochfrequenzeingabe-/ausgabe ports TX1, TX2, RX1, RX2,
TXM und RXM definieren eine Hochfrequenzschnittstelle für das Sende-Empfangs-Modul 10.
Das Modul 10 empfängt
weiterhin Gleichstromleistung aus einer Gleichstromquelle 8 sowie Strahlsteuerungskontrollsignale,
welche empfangen werden von einem Strahlregler 9 über eine
Leistungs-Logikschnittstelle.
All diese Untersysteme sind unter der Kontrolle eines oder mehrerer
Mikroprozessoren (nicht gezeigt), die in dem Radarsystem 2 untergebracht
sind.
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Betrachtet
man nun die Einzelheiten der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wie
in den 2A bis 2D gezeigt, so zeigt das
Sende-Empfangs-Modul 10 ein längliches, relativ dünnes Profil und
verwirklicht ein Paar diskreter Sende-Empfangs-Kanäle innerhalb
einer einzelnen gemeinsamen Packung, die einen Mehrfachschichtsubstrataufbau 12 zeigen,
der aus einer Vielzahl von Hochtemperaturkeramikschichten (HTCC)
besteht, die später
beschrieben werden, die miteinander verbunden sind in einer im wesentlichen
flachen, rechteckförmigen
Anordnung, welche einen relativ breiten vorderen Endbereich 14 und
einen relativ schmalen hinteren Endbereich 16 umfaßt. Das
Substrat 12 dient als Mittel zum Verbinden einer Anzahl
von aktiven und passiven Bauteilen, die im folgenden beschrieben
werden, zum Bereitstellen einer doppelten Sende-/Empfangsfunktion
für ein
Radarsystem mit phasengesteuerter Gruppenantenne.
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Wie
in den 2A bis 2C gezeigt, reicht ein flaches
metallisiertes rechteckförmiges
Gehäuse 18 über einen
Metallringrahmen, welcher im folgenden gezeigt wird, und verbunden
ist mit der Oberseite des Substrats 12 zum Schutze der
elektronischen Bauteile, die innerhalb des Substrats untergebracht
sind, und um auch eine Hochfrequenzabschirmung hierfür bereitzustellen.
Eine flache rechteckförmige
Kühlplatte 20 ist
ebenfalls mit der Unterseite des Substrats 12 verbunden,
wie in 2D gezeigt, und
dient als thermische Schnittstelle zum Verteilen und Übertragen
von Wärme,
die innerhalb des Moduls 10 erzeugt wird, auf einen externen
Wärmetauscher,
zum Beispiel eine kalte Platte (nicht gezeigt). Am vorderen Ende
des Substrats 12 sind, wie im besten aus 2A ersichtlich, sechs (6) diskrete Hochfrequenzsteckverbinder
angebracht in einem einzigen Steckverbinderunteraufbau 22,
der leicht in die Rückseite der
Antennenordnung eingesteckt werden kann, und welcher als Hochfrequenzschnittstelle
für alle
Hochfrequenzsignale dient, die auf das Modul ein- und ausgekoppelt
werden. Diese Bauteile sind weiterhin an das Substrat 10 hart
angelötet
und bilden eine Packung, die hermetisch abgedichtet ist.
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Alle
weiteren elektrischen Bauteile zwischen dem Modul 10 und
der externen Vorrichtung, um z. B. Gleichstromleistung und Steuersignale
herbeizuführen,
werden durch die Gleichstrom/Logikschnittstelle geführt, die
an der unteren Seite des Substrats angebracht ist, wobei die Kühlplatte 20 dazwischen
liegt, und umfassen einen Satz von zwölf (12) federähnlichen
Fingern 241 , 242 ... 2412 (2C),
und sind auf einer kleinen, im wesentlichen rechteckigen Schaltplatine 26 (5A bis 5C) aufgesetzt, die an der Unterseite
des Moduls 10 hinter der Kühlplatte 20 angebracht
sind. Die Schaltplatine 26 bildet einen Teil des Gleichstromleistungsspeicherungssystems,
welche einen Kondensatorbankunteraufbau 28 umfaßt, der fünf (5) elektrische
Kondensatoren 301 , 302 ... 305 und fünf (5) Sicherungen 321 , 322 ... 325 aufweist (2A), die jeweils in Reihe verbunden sind
mit den Kondensatoren 301 ... 305 und deren Zweck darin besteht, dem
Modul auf wohlbekannte Weise zusätzliche
Gleichstromleistung zuzuführen,
und zwar während
des Spitzenleistungsbetriebs.
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Der
Kondensatorbankunteraufbau 28 ist weiterhin in den 3, 4 und 5A bis 5D gezeigt. Zusätzlich zu
der Schaltplatine 26 umfaßt der Kondensatorbankunteraufbau 28 zusätzlich ein
flaches Gehäuseelement
oder "Kamm" 34, der
an der unteren Oberfläche 36 der
Schaltplatine 26 angebracht ist zum Schutz der Finger 241 , 242 ... 2412 (5C)
und ein relativ größeres oberes
Element oder "Organisationshilfsmittel" 38, welches
an der oberen Oberfläche 40 der
Schaltplatine 26 angebracht ist zum Schutz der Kondensatoren 301 ... 305 und
Sicherungen 321 ... 325 , die darauf aufgesetzt sind.
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Die
Elemente 34 und 38 bestehen bevorzugterweise aus
gegossenem Kunststoff. Wie in 4 gezeigt,
umfaßt
der "Kamm" 34 einen
vergrößerten Bereich 42 an
einem Ende hiervon, welcher die Breite hiervon überspannt und zwölf relativ
kurze identische parallele Schlitze 441 , 442 ... 4412 umfaßt, die
so ausgelegt sind, daß sie über und
um die Finger 241 , 242 ... 2412 passen,
die in den 5B und 5C dargestellt sind.
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Das "Organisationshilfsmittel" 38 umfaßt einen
erhöhten
Bereich 46, wie in 4 gezeigt,
welcher fünf
offene Kavitäten 481 ... 485 umfaßt, die
um die Kondensatoren 301 ... 305 paßt. Hinter den Kavitäten 481 ... 485 sind
fünf kleinere
Kavitäten 501 ... 505 ausgebildet
in einem relativ dünneren
Bereich 52, welcher die Sicherungen 321 ... 325 umgibt und schützt.
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Sowohl
die obere als auch untere Oberfläche 40 und 36 der
Schaltplatine 26 umfassen Metallisierungsmuster in Form
von Leiterelementen, wie sie in den 5A und 5C gezeigt sind, zur Bereitstellung der
Gleichstrom/Logikschnittstelle. Hinsichtlich des Leitermusters auf
der oberen Oberfläche 40 sind,
wie in 5A gezeigt, zehn
gleich große
relativ kleine rechteckförmige
Leiter 521 , 522 ,
... 5210 und ein Leiter 54 mit
doppelter Breite angebracht. Das Leiterelement 54 verbreitert
sich hin zu einem breiteren Bereich der Metallisierung 56,
der sich unter den vier größeren Kondensatoren 302 ... 305 erstreckt.
Eine Seite dieser Kondensatoren ist gemeinsam mit der Metallisierungsfläche 56 verbunden.
Ein relativ kleiner rechteckförmiger
Metallisierungsbereich 58 erstreckt sich teilweise unterhalb
des vorderen Endes des kleineren Kondensators 301 und
ist damit verbunden. Das andere Ende der Kondensatoren 301 bis 305 endet
jeweils in fünf
gleichen Metallisierungsflächen 601 , 602 ... 605 und verbindet eine Seite der Kondensatoren 301 ... 305 an
das angrenzende Ende der jeweiligen Sicherungen 321 –325 . Das gegenüberliegende Ende der Sicherung 321 für
den kleineren Kondensator 301 verbindet
einen kleinen Metallisierungsbereich 61, der eine verbindende
Durchleitung durch die hintere Oberfläche 36 der Platine 26 umfaßt. Die gegenüberliegenden
Enden der Sicherungen 322 ... 335 verbinden eine gemeinsame Metallisierungsfläche 63,
die auch Verbindungsdurchleitungen zu der hinteren Oberfläche 36 der
Platine 26 (5C)
umfaßt.
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Betrachtet
man nun die hintere Oberfläche 36 der
Schreibplatine 26, so sieht man, daß die zwölf metallischen Federfingerverbindungselemente 241 , 242 ,
... 2412 mit den oberen Leiterelementen 521 , ... 5210 und 54 lagerichtig
ausgerichtet sind und wechselweise verbunden sind mittels elektrischer
Durchleitungen (nicht gezeigt) durch die Platine 26. Vier Metallisierungsflächen 62, 64, 66 und 68 sind
zusätzlich
auf der rückwärtigen Oberfläche 36 ausgebildet, wobei
die Metallisierungsfläche 62 verbunden
ist mit dem Fingerverbindungselement 243 ,
die Metallisierungsfläche 64 verbunden
ist mit dem Steckverbinderelement 244 ,
die Metallisierungsfläche 66 gemeinsam
verbunden ist mit einem ersten Paar von angrenzenden Verbindungselementen 245 und 266 , während die
Metallisierungsfläche 66 gemeinsam verbunden
ist mit einem zweiten Paar von Verbindungselementen 247 , 248 .
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Das
Sende-Empfangs-Modul 10 arbeitet mit zwei Spannungsversorgungspotentialen
von jeweils externen Gleichstromquellen (nicht gezeigt), nämlich einer
positiven Versorgungsspannung (+10,5 V Gleichstrom) und einem negativen
Versorgungsspannungspotential (–6,5
V Gleichspannung). Die negative –6,5 V Versorgungsspannung
wird mit dem Modul mittels eines Fingerelements 244 verbunden und
hat eine Erdungsrückleitung
mittels des Fingerelements 243 .
Entsprechende Verbindungen hiervon sind mit den an der oberen Oberfläche vorgesehenen Leiterelementen 524 und 543 der 5A mittels Durchleitungen
(nicht gezeigt) durch die Platine 26 vorgesehen. Die beiden
Metallisierungsbereiche 62 und 64 sind über die
Reihenschaltung des kleineren Kondensators 301 und
seiner zugeordneten Sicherung 322 mittels
der an der oberen Oberfläche
angebrachten Leiterelemente 58 und 61 gekoppelt.
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Die
positive +10,5 Volt Versorgungsspannung ist gemeinsam mit den Verbindungsfingerelementen 247 und 248 verbunden,
wo sie dann auf die oberen Leiterelemente 54 und 56 gegeben
werden, die gemeinsam sind an einer Seite der vier parallel verbundenen
Kondensatoren 302 , 303 , 304 und 305 . Eine +10,5 Volt Erdungsrückführung wird
von den Finger 245 und 246 abzweigend zu der relativ großen Metallisierungsfläche 66 bereitgestellt,
die zurück
auf das Leiterelement 63 an der vorderen Oberfläche 40 (5A) führt. Diese Schaltkreisanordnung
ist weiterhin schematisch in 5D gezeigt.
Die verbleibenden Finger 241 , 242 und 249 ... 2412 werden verwendet für logische
Eingabe-/Ausgabesignale für das
Modul, wie gezeigt, zum Beispiel, enthalten sie die Steuersignale
VPROG, BIT, CMD–,
CMD+, TR– und
TR+.
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Werden
sie an das Substrat 12 angelegt, so kontaktieren die Leiterelemente 521 , ... 526 , 527 ... 5210 komplementäre gegenüberliegende
Kontaktsegmente 551 , ... 5510 auf dem Substrat, wie z. B. 7C und 12C zeigen.
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Betrachtet
man nun die strukturellen Einzelheiten des Pakets des Sende-Empfangs-Moduls,
so ist 6 allgemein veranschaulichend
für einen
Aufbau, welcher als TWIN PAKTM ("Zwillingspaket") bezeichnet wird,
da er bestückt
ist mit zwei Sätzen
von mit Halbleitern versehenen integrierten Schaltkreischips, die
u. a. monolithisch integrierte Mikrowellenschaltkreise (MMIC) und
anwendungsspezifische integrierte Schaltkreise (ASIC) umfassen zum
Verwirklichen von zwei getrennten und unabhängigen Sende-Empfangs-Kanälen. Während zwei
Sende-Empfangs-Kanäle
für die
bevorzugte Ausführungsform dieser
Erfindung vorgesehen sind, ist es vorstellbar, daß mehr als
zwei Kanäle
verwirklicht werden könnten,
falls notwendig, mit einem innovativeren Aufbau.
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Nichts
desto weniger umfaßt
ein jeder der beiden Kanäle
der vorliegenden Erfindung jeweils: Einen Modulregler 70, 72,
einen Schalter/Phasenschieber 74, 76, einen Vor-
oder Nachverstärker/Abschwächer/Schalter/Treiberverstärker 78, 80;
einen Verstärker 82, 84 mit
niedrigem Rauschen, ein Empfängerschutzelement 86 und 88 und
einen Leistungsverstärker 90 und 92.
Zwischen diesen Elementen angebracht sind ein Regler 94 mit
gemeinsamen Gate, einem Leistungs-FET-Schalter 96 und einem Leistungsregler 98.
Diese Elemente sind weiterhin im Blockdiagramm der 16 gezeigt und werden in größerer Einzelheit
im folgenden betrachtet.
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Das
Substrat 12 umfaßt,
wie weiter in 7B und 12B gezeigt, sechs Mehrfachebenenkavitäten, von
denen drei, wie durch die Bezugszeichen 100, 102 und 104 gezeigt,
angebracht sind längs
einer Seitenkante des Substrats 12 und verwendet werden
in Verbindung mit einem der Sende-Empfangs-Kanäle, während die anderen drei Kavitäten 106, 108 und 110 gleiche
Mehrfachebenenkavitäten umfassen
längs der
anderen Seitenkante des Substrats 12 und verwendet werden
in Verbindung mit dem anderen Sende-Empfangs-Kanal.
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Die
Kavitäten 100 ... 110 sind
weiterhin in Querschnitten 8, 9, 10 und 13 gezeigt.
Mit Ausnahme der vorne liegenden Kavitäten 104 und 110,
die jeweils nur im Leistungsverstärker 90 und 92 vorgesehen
sind, umfassen die anderen Kavitäten 100, 102 und 106, 108 zwei
oder mehr integrierte Schaltkreisbauteile, die in 6 gezeigt sind. Solch eine Anordnung
führt zu
separaten isolierten Kavitäten
für die Hochfrequenzverstärkungsstufen
in der Eingabe und Ausgabe der Sendeschaltkreise. Zum Beispiel teilen die
beiden rückwärtigen Kavitäten 100 und 106 jeweilige
Schalter/Phasenschieber MMIC 74, 76 und Vorverstärker/Abschwächer/Schalter/Treiberverstärker MMIC 78, 80.
Die dazwischenliegenden Kavitäten 102 und 108 umfassen
jeweils Verstärker
mit niedrigem Rauschen (LNA = Low Noise Amplifiers) 82 und 84 und
Empfängerschutzmittel 86, 88.
Hinsichtlich der Modulregler 70 und 72 sei angemerkt,
daß sie nicht
in den Kavitäten
liegen, sondern angebracht sind auf einer oberen HTCC Schicht des
Substrats 12.
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Die
beiden Modulregler 70 und 72, der Gateregler 94 und
die Leistungssteuerung 98 bestehen aus ASIC, wohingegen
die Phasenschieber/Schalter 74, 76; die Nachverstärker/Abschwächer/Schalter/Treiberelemente 78, 80;
die Verstärker 82, 84 mit niedrigem
Rauschen und die zwei Ausgabeleistungsverstärker 90, 92 MMIC
umfassen, die in den Kavitäten 100, 102, 104, 106, 108 und 110 untergebracht sind,
und welche in direkten Kontakt gebracht sind mit und angebondet
sind an die Kühlplatte 20,
wie zum Beispiel in 14 gezeigt.
Während
die Kühlplatte 20 bevorzugterweise
aus einer Kupfer-Wolfram-Legierung
besteht, um die Wärmeableitung
der durch die MMIC erzeugten Wärme
durch die Platte 20 zu einem externen Wärmewandler (nicht gezeigt) zu
verbessern, können
andere Wärmeleitungsmetallmaterialien
auch verwendet werden, je nach Wunsch, wie zum Beispiel Kupfermolybdän oder Aluminiumsiliziumcarbid.
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Ein
Metallringrahmen, der mit dem Bezugszeichen 112 bezeichnet
ist, ist auf der Oberseite des Substrats 12 hartgelötet, wie
zum Beispiel in 6 und 13 gezeigt, und ist so ausgelegt,
daß er
an einen Hauptteil des Substrats 12 jenseits des vorderen Endbereichs 14 angrenzt,
um die sechs Kavitäten 100, 102 ... 110 zu
umfassen, sowie die Bereiche, die die Modulregler 70 und 72 umfassen
und die gemeinsamen Schaltkreisbauteile 94, 96 und 98,
die in der Mitte des Substrats auf einer jeden Seite der Sende-Empfangs-Kanäle untergebracht
sind. Ihr Zweck besteht darin, das flache Gehäuseelement 18 aufzunehmen
und zu stützen,
welches in 1 und 2A gezeigt ist, und eine
Isolierung und Hochfrequenzabschirmung von jeweiligen Elementen
bereitzustellen.
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7A bis 7D dienen der Veranschaulichung des Aufbaus
des Substrats 12 in seinem nicht bestückten Zustand und ohne einen
Hochfrequenzsteckverbinderaufbau 22 und ohne die Kühlplatte 20. Die 12A bis 12D dienen andererseits dazu, denselben
nicht bestückten
Aufbau des Substrats 12 zu zeigen, umfassen jetzt aber
auch die Kühlplatte 20 und
den Hochfrequenzsteckverbinderaufbau 22. Die Schraffur
dient dazu, Oberflächen
anzuzeigen, die Flächen
mit freiliegender Metallisierung, zum Beispiel Gold, umfassen.
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7 dient der Veranschaulichung
der freiliegenden unteren Oberfläche 114 des
Substrats 12 und umfaßt
darin Öffnungen 116, 118 ... 126,
die der Form der Kavitäten 100, 102 ... 110 entsprechen,
die in 7B gezeigt sind,
und zwar von oben betrachtet. Die Oberfläche 114 umfaßt weiterhin
die am tiefsten gelegene Oberfläche
der tiefstliegenden Schicht 131 ,
einer Vielzahl von übereinanderliegenden
HTCC Schichten 131 ... 1315 , wie in 8 bis 11, 13 und 14 gezeigt. Das Metallisierungsmuster
umfaßt
eine Erdungsebene der Metallisierung 128, die zwei Eingabeleitersegmente 553 und 555 umfaßt, sowie
die isolierten Eingabe-/Ausgabeleitersegmente 551 , 552 , 554 , 556 ... 5510 ,
welche mit den Leitersegmenten 521 ... 526 , 54, 527 ... 5210 der Kondensatorbankverbindungsplatine 26 wie
zum Beispiel in 5A gezeigt zusammentreffen.
Es ist ersichtlich, daß das
Leitersegment 553 der 7C und das Segment 523 der 5A eine
gemeinsame Erdungsverbindung gemeinsam mit dem Segment 555 der 7C und
den Segmenten 525 , 526 der 5A bilden.
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7D zeigt die Stirnfläche 130 des
vorderen Endbereichs 14 des Substrats 12, welche
sechs (6) isolierte kreisförmie
Metallisierungssegmente 1321 , 1322 ... 1326 umfaßt, welche
die Stiftanordnung von sechs (6) ausgerichteten Blindanpassungseinstecksteckverbindern 1341 , 1342 ... 1346 festlegen, die im Steckverbinderaufbau 22 umfaßt sind,
wie weiter in 12G gezeigt,
und eingeschlossen sind in einem länglichen im wesentlichen rechteckförmigen Abdeckblech 136.
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Der
Steckverbinderaufbau 22 führt zu einer Inline-Steckverbinderanordnung,
die aus zwei getrennten Sende-(TX)-Steckverbindern 1342 und 1346 besteht,
zwei separaten Empfangs(RX)-Steckverbindern 1341 und 1345 für
die individuelle Verbindung mit Antennenelementen einer jeden Anordnung,
aber nur zu zwei Mehrfachsteckverbindern 1343 und 1344 , welche die Verbindung teilen mit
einem Sende- und Empfangsmehrfachaufbau, und welche es ermöglichen,
daß das
Modul 10 leicht in die Anordnung während der Montage eingesteckt
werden kann und danach bei Bedarf leicht davon entfernt werden kann.
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Es
ist ersichtlich unter Bezugnahme auf 12B,
daß die
innere Oberfläche
der Kühlplatte 20 auch
eine Metallisierung umfaßt,
welche die Kavitätsöffnungen 116, 118 ... 126 der 7C bedeckt. Es ist diese
Oberfläche,
auf der alle wärmeerzeugenden
MMIC in den sechs Kavitäten 100, 102 ... 110 aufgesetzt
sind.
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Betrachtet
man nun die Querschnitte der 8 bis 11 und der 13, 14,
so ist dort der Mehrfachebenenaufbau des Hochtemperaturkeramiksubstrats 12 gezeigt.
Wie in 11 ersichtlich,
besteht das Substrat 12 zum Beispiel aus 15 zusammenhängenden
Schichten 131 , 132 ... 1315 des HTCC Materials, welche Dicken
aufweisen zwischen 0,006 Zoll bis 0,020 Zoll, und wobei die Schichten 131 bis 1310 verwendet
werden, um die sechs Kavitäten 100, 102, 104, 106, 108 und 110 zu
bilden.
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Der
Mehrfachebenenaufbau des Substrats 12, wie in 14 gezeigt, ermöglicht es,
daß passive Bauteile
innerhalb der Kavitäten
auf der Schicht oder der Stufe 134 angebracht
sind zum Beispiel, und daß Drahtbonding-Verbindungen
zwischen Chips bei der Schicht 132 vorgesehen
sind und daß Verbindungen bereitgestellt
werden zu den MMIC, die auf der Kühlplatte 20 angebracht
sind. In 14 bedeutet
das Bezugszeichen 90 den Hochfrequenzleistungsausgabeverstärker MMIC 90,
der in der Kavität 104 angebracht
ist. Die Schicht 1310 umfaßt eine
Schicht, auf der der Leistungssteuerungs-ASIC 98 angebracht
ist. Weiterhin ist die Schicht 1310 die
Schicht, auf der das Ringrahmenelement 112 (13) und die Steckverbinderstifte 1381 ... 1386 eines Blindanpassungseinstecksteckverbinderaufbaus 22 durch
Hartlöten
aufgebracht sind. Die Steckverbinderstifte 1381 bis 1386 umfassen Elemente, welche hergestellt
und geliefert sind von Gilbert Engineering, Inc., aus Phoenix, Arizona,
und werden ausgebildet durch ein Element, welches als Gilbert-Einsteck
oder "GPPO" (= Gilbert presson-)
Steckverbinder bezeichnet werden. Die fünf am weitesten oben liegenden Schichten 1311 bis 1315 ,
die in der rechten Seite von 14 gezeigt
sind, umfassen was als "Attrappen"-Schichten bezeichnet wird, und bilden
den vorderen Bereich 14 des Substrats 12.
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Die
Substratschichten 131 bis 1310 sichern die Fähigkeit, eine 3-D Durchführung von
sowohl Hochfrequenzsignalen als auch Gleichstromsignalen innerhalb
des Substrats 12 bereitzustellen sowie ein Einbetten eines
Paars von Hochfrequenzmehrfachkoppelelementen hierin. Hochfrequenzdurchführung und Übergänge umfassen
das Koppeln der Eingaben und Ausgaben von dem sechs Stifte umfassenden Steckverbinderaufbau 22 und
stellen einen wohl abgestimmten Aufbau für all die MMIC bereit, die
in den Kavitäten 100 ... 110 untergebracht
sind. Eine abgeschirmte 3-D Durchführung wird erzielt innerhalb
des Substrats 12 und resultiert daraus, daß die Schichten 131 ... 1310 ,
aufgebaut sind aus zusammenhängenden
diskreten dielektrischen Schichten, von denen eine jede sein eigenes
Muster einer Erdungsebene und vertikale Durchführungen oder Durchleitungen aufweist,
zusammen mit jeweiligen Mustern aus streifenförmigen Leitern, die ausgebildet
sind aus der oberen Oberfläche
hiervon, wie im folgenden gezeigt wird. Hochfrequenzsignale gehen
in das Modul 10 hinein und verlassen dieses Mittel des
Steckverbinderaufbaus 22.
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Der
Steckverbinderaufbau 22 umfaßt sechs gleiche Hochfrequenzkoaxialsteckverbinder 1341 ... 1346 ,
und umfaßt
Stifte 1381 ... 1386 , die linear angeordnet sind (12D), und zwar innerhalb
des Abdeckblechs 136 und über dieses. In 14 ist der Steckverbinderstift 138i so
gezeigt, daß er
mit einem streifenförmigen
Leiter 140 auf der Oberseite der HTCC Schicht 1310 verbunden ist. Der streifenförmige Leiter 140 erstreckt
sich nach innen, wo er mit einer vertikalen Durchführung 142 verbunden
ist, welche sich hinaberstreckt zu einer Länge eines streifenförmigen Leiters 144 auf
der Oberseite der Schicht 136 .
Unmittelbar unterhalb des Leiters 144 auf der Oberseite
der Schicht 135 ist eine Länge eines
streifenförmigen
Leiters 146, welcher sich unter den Leiter 144 erstreckt.
Solch eine Anordnung erlaubt eine Hochfrequenzkopplung zwischen
den Leitern 144 und 146 und soll dazu dienen,
das Konzept von zwei Hochfrequenzmehrfachkopplern zu veranschaulichen,
bei denen einer als Signalaufteiler und einer als Signalkombinierer
dient, welche eingebettet sind im Substrat 12 und im folgenden
beschrieben werden.
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Weiterhin
ist, wie in 14 gezeigt,
ein streifenförmiger
Leiter 146 mit einer vertikalen Durchführung 148 verbunden,
die nach unten abfällt
zur Oberseite der Schicht 132 und
dem streifenförmigen
Leiter 150. An dem äußeren Ende
des Leiters 150 ist ein angebondetes Drahtelement 151,
welches den MMIC 90 verbindet. Ein streifenförmiges Leiterelement 149,
welches als kapazitiver Stummel dient, ist ebenfalls auf der Oberseite
der Schicht 131 gezeigt, unmittelbar
unterhalb der Drahtbondingverbindung des Elements 151 mit
dem Leiter 150. Isolierung und Abschirmung des Hochfrequenzkopplers,
der durch die streifenförmigen
Leiter 144 und 146 aufgebaut ist, werden weiterhin
bereitgestellt durch die obere und untere Erdungsebene 152 und 154,
welche mehrere vertikale Durchführungen 156, 158 und 162 umfassen,
welche die Oberseite der Schichten 134 und 137 jeweils abschließen.
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Weiterhin
ist, wie in 14 gezeigt,
das Abdeckblech 136 mit drei Erdungsebenen 164, 166 und 168 verbunden,
welche weiter verbunden sind mit mehreren vertikalen Durchführungen 170, 172 und 174.
Dies bringt in Kombination mit der Metallegierungsplatte 20 eine
Abschirmung für
die Signale, die in den Hochfrequenzsteckverbinderaufbau 22 hinein und
aus diesem hinaus gehen.
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Dadurch
wird ein Hochfrequenzaufbau erreicht, der einen Abschnitt von einem
Steckverbinder zu einem streifenförmigen Leiter umfaßt, einen
Abschnitt von streifenförmigem
Leiter zu streifenförmigem
Leiter, einen Kopplerabschnitt und einen Abschnitt von streifenförmigem Leiter
zu MMIC.
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Eine
Minimierung der Hochfrequenzausgabedurchführung wird erzielt durch den
Aufbau der Erfindung, wie er in 14 gezeigt
ist. Der daraus erzielte Vorteil beruht auf der Tatsache, daß ungefähr eins
bis zwei dB Verlust erzeugt werden können durch jeden Zoll der Hochfrequenzdurchführung von einem
Leistungsverstärker
zur Hochfrequenzschnittstelle durch eine oder mehrere Modulschichten. Solch
ein Verlust würde
die Ausgabehochfrequenzleistung von nominell 100% auf ungefähr 80% absenken
bei Verwendung von Tonerdekeramikdielektrika als Substrat und Schichtmaterial,
oder auf ungefähr 63%
bei Verwendung einer herkömmlichen
schwarzen Keramik.
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Betrachtet
man die 17A, 17B, 17C bis 26A und 26B, worin sich dieselben
Bezugszeichen auf gemeinsame Elemente beziehen, so sind hierin die
vertikalen Durchführungen
gezeigt, die ausgebildet sind durch eine jede der dielektrischen
HTCC Schichten 131 ... 1310 und die jeweiligen streifenförmigen Leitermetallisierungsmuster,
die an den oberen Oberflächen
hiervon ausgebildet sind.
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Betrachtet
man zunächst 17A, 17B und 17C,
so ist hierin die am tiefsten liegende Schicht 131 des
Substrats 12 gezeigt und eine, welche eine Erdungsebene 128 (7C) umfaßt, wobei die nach oben gerichtete
Seite hiervon in 17A gezeigt
ist längs
den Gleichstromlogikleiterschnittstellenelementen 551 ... 5510 .
Im allgemeinen rechteckförmige unmetallisierte
Flächen 116 ... 126,
welche Öffnungen
für die
sechs Kavitäten 100, 102 ... 110 festlegen, sind
ebenfalls in 17A gezeigt.
Dieses selbe Muster von Öffnungen
existiert auch in den oberen HTCC Schichten 131 ... 1310 .
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17B offenbart das Muster
von Durchführungen,
die vertikal durch die HTCC Schicht 131 ausgebildet
sind. Die kreisförmigen
Durchleitungsmuster 180, 182, 184 ... 198, 200 sind
Veranschaulichungen für
eine Vielzahl von zylindrischen vertikalen Durchführungsmustern,
welche in Kombination mit den oberen Keramikschichten 132 und 1313 gesehen
werden können,
sowie den 18A und 19B, um zylinderähnliche
abgeschirmte Passagen für
hochfrequenzsignaltragende Durchleitungen zu bilden, die in kreisförmigen Mustern
von Durchleitungen angeordnet sind und vertikal zwischen Schichten
verlaufen. Paare von paarweise parallelen Leitungen von Durchführungen 202, 204 ... 216, 218 entsprechen abschirmenden
Passagen für
signaltragende streifenförmige
Leiter, die in der Schicht 132 angebracht sind
(18A, 18B) oberhalb der Schicht 131 .
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Die
obere Oberfläche
der Schicht 131 , wie in 17C gezeigt, umfaßt ein streifenförmiges Metallisierungsmuster,
welches im Zusammenspiel mit den darunterliegenden Leitungen der Durchführungen 202 ... 218 dazu
dient, eine am Boden kanalförmig
ausgebildete Hochfrequenzabschirmungsschicht für die signaltragenden Leiter
bereitzustellen, die oberhalb einer Schicht 132 zusammen
mit streifenförmigen
Elementen 222, 224 ... 336, 338 angebracht
sind.
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Betrachtet
man nun die Schicht 132 und 18A und 18B, so ist die Anordnung der vertikalen Durchführungen,
die in 18A gezeigt ist,
im wesentlichen dieselbe wie die in 17A gezeigte,
mit Ausnahme der Abwesenheit von Durchführungen im Bereich der Fläche, die
mit den Bezugszeichen 240 bezeichnet ist. Das Muster der
Metallisierung der 18B paßt zu dem
der 17C, umfaßt nun aber auch
zum Beispiel hochfrequenzsignaltragende streifenförmige Leiter 240, 242 ... 264, 266,
wobei Leiter 240, 242, 250, 254, 256, 258, 260, 262 und 266 in vertikalen
Durchführungen 241, 251, 255, 257, 259, 261, 263, 365 und 267 enden.
Grenzen der Metallisierung 268, 270 ... 278, 280 umschließen die
Kavitätsbereiche 116 ... 126 (17A). Es ist wichtig, daß man sich
vor Augen führt,
daß die
streifenförmigen Leiter 250, 254 und 266 mittels
vertikaler Durchführungen 251, 255 und 267 zu
Hochfrequenzsteckverbindern 1341 (RX1), 1322 (TX1) und 1346 (TX2)
hinausreichen, die in 12D dargestellt
sind.
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Bei
der in 19A und B gezeigten dritten Schicht 133 entspricht deren Muster von vertikalen Durchführungen,
wie in 19A gezeigt,
dem Muster von Durchführungen
der 17B und 18A, insbesondere mit Hinblick
auf die parallelen Leitungspaare von Durchführungen 202 .. 218.
Die obere Oberfläche
der Metallisierung der 19B umfaßt im wesentlichen
dasselbe streifenförmige
Muster wie in 17C gezeigt,
wobei aber ein Extra-Metallisierungsbereich 281 enthalten
ist, und dient so als obere mit Kanälen versehene Abschirmschicht,
wodurch ein abgeschirmter äußerer Leiter
oder eine Passage für
die in der Schicht 132 enthaltenen
signaltragenden Leiter bereitgestellt wird.
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Die
unteren drei Schichten 131 , 132 und 133 des
HTCC Materials bilden somit eines von zwei Niveaus der Hochfrequenzführung und
eines zum Durchführen
von Hochfrequenzsignalen zwischen den verschiedenen MMIC in den
Kavitäten 100 ... 110 und
dem Steckverbinderaufbau 22 (12D).
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Geht
man weiter nach oben im Substrat 12, so umfaßt die Schicht 134 , wie in den 20A und 20B gezeigt,
eine HTCC Schicht, die eine erste innere Erdungsebene realisiert.
Seine Anordnung von Durchführungen,
wie in 20A gezeigt,
paßt im
wesentlichen zu dem Durchführungsmuster,
wie in der darunterliegenden Schicht 133 (19A) gezeigt. Die obere
Oberfläche
der Schicht 134 (20B) umfaßt eine Erdungsebene aus einem
streifen förmigen Leiter,
der durch das Bezugszeichen 282 dargestellt ist, zusammen
mit einer Vielzahl von kreisförmigen Öffnungen,
in denen Durchführungen 241, 243 ... 267 wie
gezeigt enthalten sind. Diese Durchführungen entsprechen den darunterliegenden
Durchführunen mit
denselben Nummern wie in 19B.
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Als
nächstes
verwirklichen die Zwischenschichten 135 , 136 und 137 zusätzlich dazu,
daß sie spezielle
Muster von Leitern und Durchführungen enthalten,
auch ein Paar von Hochfrequenzsignalkopplern, die mit beiden Sende-Empfangs-Kanälen verbunden
sind, und welche dazu führen,
daß zwei relativ
teure GPPO Mehrfachsteckverbinder überflüssig werden. Ein Beispiel,
wie solch ein Koppler bei der vorliegenden Erfindung hergestellt
wird, ist in 14 gezeigt,
unter Bezugnahme auf die streifenförmigen Leiter, die mit dem
Bezugszeichen 144 und 146 bezeichnet sind.
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Betrachtet
man nun die fünfte
HTCC Schicht 135 , wie in 21A und 21B gezeigt, so ist in 21A ein vertikales Durchführungsmuster
von Durchführungen
und streifenförmigen
Leitern gezeigt, welches u. a. auch die kreisförmigen Durchführungsmuster 180, 181, 182 ... 198 , 200 umfaßt, aber nun
auch neue parallele Leitungspaare von Durchführungen 284, 286, 288 und 290 umfaßt, wobei
die Paare 286, 288 und 290 in jeweiligen
zusätzlichen kreisförmigen Durchleitungsmustern 292, 294 und 296 enden,
die am Hochfrequenzsteckverbinderende des Substrats angebracht sind.
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Mit
Hinblick auf das Metallisierungsmuster auf der oberen Oberfläche der
Schicht 135 , wie in 21B gezeigt, umfaßt es Paare
von parallelen streifenförmigen
Abschirmungsleitern 298, 300 und 302 oberhalb
der parallelen Leitungen von Durchführungen 284, 286 und 288,
die in 21A gezeigt sind.
Weiterhin sind abschirmende streifenförmige Leitungen 304, 306 ... 312, 314 abermals
um die Öffnungen
der Kavitäten 102, 104 ... 110 ausgebildet.
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Mittig
angebracht auf der Schicht 135 sind zwei
darunterliegende Streifenleitungssegmente 316 und 318 der
beiden Hochfrequenzsignalkoppler, wobei einer ein Sendemehrfachkoppler 320 ist,
der als Hochfrequenzsignalaufteiler dient, und der andere ein Empfangsmehrfachkoppler 322,
der als Hochfrequenzsignalkombinierer dient, und dessen jeweiligen übereinanderliegenden
streifenförmigen
Segmente mittels der Bezugszeichen 324 und 326 in 22B (Schicht 136 ) gezeigt sind. Eine Seite des Empfangsmehrfachkopplersegments 316 ist
mit dem Leiter 328 und der Durchführung 259 verbunden,
während
das gegenüberliegende
Ende mit einem länglichen
Leiter 330 verbunden ist, welcher durch das Leiterpaar 312 zu
einer vertikalen Durchführung 334 im
kreisförmigen
Durchführungsmuster 294 führt, und
welcher zu den Hochfrequenzsteckverbindern 1344 (12D) führt.
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Eine
Seite des Empfangsmehrfachkopplersegments 322 ist mit dem
Leiter 336 und der Durchführung 184 verbunden,
während
das gegenüberliegende
Ende hiervon mit einem länglichen
Leiter 338 verbunden ist, der durch ein Leiterpaar 300 hindurch zu
einer vertikalen Durchführung 340 im
kreisförmigen
Durchführungsmuster 292 führt, und
dann zu den Verbinder 134; in 12D. 21B zeigt
auch ein Abschirmungsleiterpaar 341, welches mit dem angrenzenden
Abschirmungsleiterpaar 302 gemeinsam einen Leiter teilt.
Eine vertikale Durchführung 342 ist
nun auch bereitgestellt im kreisförmigen Durchführungsmuster 296.
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Betrachtet
man nun die Schicht 136 , so ist das
Durchführungsmuster
der Schicht 136 , welches in 22A gezeigt ist, ähnlich zu
dem in der darunterliegenden Schicht 135 ,
die in 21A gezeigt ist. Die
streifenförmigen
Leitermuster auf der oberen Oberfläche der Schicht 136 dienen abermals als Abschirmungselemente
zum Bereitstellen von Abschirmungsumhüllungen für die darunterliegenden Hochfrequenzleiter 300 und 330,
die in 21B gezeigt sind,
sowie für
eine Hochfrequenzleitung 344, die mittels der Durchführung 179 und
einer Seite des Sendemehrfachkopplersegments 324 verbunden
ist. Nun wird eine Hochfrequenzleitung 346 für das empfangene
Signal (RX2) des zweiten Sende-Empfangs-Kanals verbunden zwischen
einer Durchführung 265 und
einer vertikalen Durchführung 342 im kreisförmigen Durchführungsmuster 296 am
Hochfrequenzverbinderende des Substrats 12. Weiterhin ist,
wie in 22B gezeigt,
eine Seite des Empfangsmehrfachkopplersegments 322 mit
dem Leiter 348 und der Durchführung 257 verbunden,
während
die andere Seite mit dem Leiter 350 und der Durchführung 263 verbunden
ist.
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Somit
umfassen die Schichten 135 und 136 , welche die Erdungsebenenmetallisierung 282 der Schicht 134 übergreifen,
wie in 20B gezeigt,
ein zweites Niveau für
Hochfrequenzdurchführung,
welches haupsächlich
verwendet wird zum Führen
von Hochfrequenzsignalen hin zu den Mehrfachkopplern 320 und 322 und
von diesen weg; jedoch führt,
wie oben erläutert,
die Schicht 136 auch das Hochfrequenzempfangssignal
von der Antennenanaordnung und dem Steckverbinderaufbau 22 (12D) zu dem Verstärker 84 mit
geringem Rauschen, welcher in der Kavität 108 untergebracht
ist.
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Die
Schicht 137 umfaßt eine
zweite Erdungsebenenschicht. Sie umfaßt ein Durchführungsmuster,
wie in 23A gezeigt,
welches im wesentlichen dem Durchführungsmuster in der darunterliegenden Schicht 136 entspricht, die in 22A gezeigt ist. 23B veranschau licht das Metallisierungsmuster, welches
auf der Oberseite der Schicht 137 ausgebildet
ist und umfaßt
eine Erdungsebenenmetallisierung 352, aber umfaßt nun sechs
(6) kreisförmige Öffnungen
für die
sechs vertikalen Hochfrequenzsteckverbinderdurchführungen 251, 255, 267, 334, 340 und 342.
Die Erdungsebenenmetallisierung 352 umfaßt auch
sieben (7) Isolationsstummel 354, 356 ... 364, 366,
welche angebracht sind zwischen den sechs (6) Hochfrequenzsteckverbindern 1341 ... 1346 (12D).
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Die
oberen HTCC Schichten 138 , 139 und 1310 stellen
ein Niveau bereit zum Durchführen
von Gleichstromleistung und logischen Kontrollsignalen zwischen
den verschiedenen MMIC und ASIC sowie zum Bereitstellen einer Verbindung
der Stifte 1381 , 1382 ... 1386 der
Hochfrequenzsteckverbinder 1341 , 1342 ... 1346 des
Hochfrequenzsteckverbinderaufbaus 22 am vorderen Bereich 14 des
Substrats 12.
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Im
Hinblick auf die keramischen Schichten 138 und 139 sind die Muster von vertikalen Durchführungen,
wie in 24A und 25A gezeigt ähnlich, aber
umfassen nun sechs (6) bogenförmige
Durchführungsmuster 368, 370 ... 376, 378,
vor den Durchführungen 251 ... 267 am
Steckverbinderende des Substrats. Jedoch haben die oberen Oberflächen hiervon
ausgewählt
unterschiedliche Muster von streifenförmigen Leitermetallisierungen,
wie in 24B und 25B gezeigt. Die obere Oberfläche der Metallisierung
der Schicht 138 , wie in 24B gezeigt, umfaßt ein Leitermuster
von streifenförmigen Leitern,
Isolierungsgrenzen, sowie sieben (7) Steckverbinderstiftisolationsstummeln 380 ... 402, welche
zu den Stummeln 354 ... 366 der Schicht 137 (23B)
passen.
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Das
Durchführungsmuster
der in 26A gezeigten
Schicht 1310 ist ähnlich zu
dem in 25 gezeigten
Durchleitungsmuster für
die darunterliegende Schicht 139 ;
jedoch sind zusätzlich
zu den bogenförmigen
Durchleitungsmustern 368 ... 378 hierin Durchleitungen 404 ... 414 enthalten,
die ausgerichtet sind mit Durchleitungen 251 ... 267,
und welche bereitgestellt sind zum Zusammenfügen mit sechs streifenförmigen Leiterelementen 416 ... 426,
wie in 26B gezeigt.
Die sechs Steckverbinderstifte 1381 , 1382 ... 1386 sind
an die streifenförmigen
Leiterelemente 416 ... 426 bei der Herstellung
des Substrats 12 hart angelötet worden.
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Ein
Satz von sieben (7) Stiftisolationsstummeln 430 ... 442 sind,
wie in 26B gezeigt,
zwischen den Stiftsteckverbinderstreifen 416 .. 426 angebracht
und von diesen isoliert. Eine Erdungsebene ist weiter bereitgestellt
durch eine große
Metallisierungsfläche,
die durch das Bezugszeichen 444 angezeigt ist, und welche
darin ausgebildete Öffnungen enthält zum Aufnehmen
der MMIC und ASIC, die in den Kavitäten 100... 110 des
Substrats 12 untergebracht sind.
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Nachdem
die Aufbaueinzelheiten der HTCC Schichten 131 ... 1310 betrachtet worden sind, werden nunmehr
die dadurch festgelegten Hochfrequenzsignalpfade betrachtet, die
im Blockdiagramm der 15 gezeigt
sind. Betrachtet man nun nochmals 15,
so kann man sehen, daß Hochfrequenzsignale
für zwei
diskrete Sende-Empfangs-Kanäle
in das Substrat 12 eingekoppelt und von diesem ausgekoppelt
werden über
den Steckverbinderaufbau 22, der an einem Ende des Substrats
angebracht ist. Gleichstromleistungs- und Logiksteuersignale werden
auf das Substrat 12 an dem anderen Ende wie gezeigt gegeben.
Die Hochfrequenzsignalpfade, die in 15 gezeigt
sind, können
auf der oberen Oberfläche
der Schicht 131 gefunden werden,
wie in 18B gezeigt,
und die oberen Oberflächen
der Schichten 135 und 136 sind in 21B bzw. 22B gezeigt und dabei ist,
wie zuvor angemerkt, die Hochfrequenzführung in zwei Bereiche unterbrochen, nämlich einen
unteren Bereich, der die Schichten 131 , 132 und 133 enthält, sowie
einen oberen Bereich, der die Schichten 135 und 136 enthält. Die Schicht 132 des unteren Hochfrequenzbereichs wird
hauptsächlich
verwendet für
die Durchleitung von Hochfrequenzsignalen zwischen den MMIC und
hin zu dem Steckverbinderaufbau 22 und von diesem weg,
während
Schichten 135 und 136 des oberen Bereichs verwendet werden
für die
Realisierung der beiden Mehrfachkoppler 320 und 322.
Wie oben erläutert,
wird die Schicht 136 auch verwendet
für die
Durchleitung des empfangenen Hochfrequenzsignals für einen
der Kanäle.
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Betrachtet
man nun nochmals
16,
so ist darin die elektrische Architektur des Zweikanal-Sende-Empfangs-Hochfrequenzschaltkreises
gezeigt, der auf und innerhalb des Substrats
12 angebracht ist.
Die Schaltkreise für
einen jeden Kanal sind im wesentlichen dieselben wie die, die in
US 5,745,076 , Turlington
et al., gezeigt und erläutert
sind, und zwar insoweit, als dieselben elektrischen Schaltbausteine jeweils
in einem jeden Kanal verwendet werden für eine Verstärkungsanpassung,
Phasenverschiebung und Zwischenleistungsverstärkung während der beiden Sendebetriebsarten.
Jedoch arbeitet ein jeder Kanal unabhängig von dem anderen, während sie
in einer speziellen Weise nicht nur die Sende- und Empfangsmehrfachaufbauten
mittels der Hochfrequenzkoppler
320 und
322 teilen,
sondern auch die Leistung und den Betrieb des Gate-Reglers
94,
des POWERFET-Schalters
96 und der Leistungssteuerung
98.
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Dementsprechend
gilt, wie in 16 gezeigt,
daß ein
jeder Kanal umfaßt:
Ein Empfängerschutzelement 86, 88 (R/P
= Receiver Protector); einen Verstärker 82, 84 mit
niedrigem Rauschen, der zwei Verstärkungsstufen umfaßt, einen
Hochfrequenzschalter und Phasenschieber (SW/PHS = Switch/Phase shifter) 74, 76,
der einen Hochfrequenzschalter mit einem einzelnen Pol und doppeltem
Schaltweg umfaßt
und einen digital geregelten Phasenschieber; einen Verstärker/Abschwächer für die Trimmung
des Verstärkers/Schalter/Treiberverstärker (AMP/ATTN/SW/DVR) 78, 80,
der drei Stufen einer Vorverstärkung
oder Nachverstärkung
umfaßt, einen
zweiten Schalter mit einzelnem Pol und doppeltem Schaltweg, der
angebracht ist zwischen einem Paar von digital geregelten Abschwächern für die Verstärkungstrimmung
und zwei Stufen der Treiberverstärkung;
und einem Leistungsverstärker 90, 92,
der drei Stufen der Hochfrequenzleistungsverstärkung umfaßt.
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Strahlreglungssignale
werden von dem Strahlsteuerungsregler 9 (1) eingespeist auf separate Modulregler 70 und 72,
so daß jeweils
Phasen und Amplitudenreglung über
Hochfrequenzsende- und Empfangssignale in den jeweiligen Sende-Empfangs-Kanälen bereitgestellt
werden. Jedoch arbeiten die Modulregler 70 und 72 bevorzugterweise
auf einer beschränkten
Basis mit geteilter Modulsteuerung über den Leistungsregler 98 durch
Bereitstellen einer Übersprechkanalreglung,
so daß in
dem Falle, daß einer
der Modulregler ausfällt,
der andere Modulregler übernimmt.
Weiterhin wird ein jeder Modulregler 70 oder 72 das
gesamte Modul ausschalten, falls er bestimmte Bedingungen feststellt,
um zu verhindern, daß ein
fehlerhafter Modulbetrieb die Genauigkeit der gesamten Strahlreglung
negativ beeinflußt.
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Die
Verwendung eines Mehrschichtsubstrats, welches ausgeführt sein
kann als ein MLCC wie zum Beispiel eine HTCC-Struktur, führt zu einer
Reihe von damit einhergehenden Vorteilen hinsichtlich der Flexibilität des Aufbaus,
der Leistung und verringerter Kosten. Der mehrschichtige Aufbau
ermöglicht isolierte
Querverbindungen für
sowohl Hochfrequenz- als auch Gleichstromführung, aufgrund der Tatsache,
daß Erdungsebenen
zwischen Signalleitungen angebracht sind. Die Gesamtdichte des Aufbaus
wird vergrößert aufgrund
seiner Fähigkeit,
bestimmte passive Mikrowellenbauteile zu integrieren, und der Fähigkeit
eine 3D Durchleitung von sowohl Hochfrequenz- als auch Gleichstromsignalen
zu erzielen.
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In
der vorliegenden Erfindung müssen
weniger Module zusammengefügt
und getestet werden pro Anwendungsort, wodurch sich eine erste Größenordnung
von Einsparungen ergibt. Zusätzlich können die
Sende-Empfangs-Module 10 so aufgebaut werden, daß sie eine
Modulmontage erleichtern und die Montage der Module in die Gruppenantenne erleichtern.
Als Ergebnis der verbesserten Sende-Empfangsschaltkreisarchitektur
und der verbesserten Layoutarchitektur, die so erreicht wird, ermöglicht die
Erfindung weiterhin Verbesserungen im Leistungsvermögen und
bei den Kosten, die realisiert werden können in einem Mehrkanal-Sen de-Empfangs-Modul,
welches bequem eingesteckt werden kann in einen Antennenaufbau,
während
elektrische und Wärmesenkenverbindungen
gleichzeitig zwischen den Modulen und dem Aufbau realisiert werden.
Es ist wichtig hervorzuheben, daß Hochfrequenzverbindungen
hergestellt werden, die eine hohe Unempfindlichkeit gegen Erschütterungen
aufweisen, wodurch die Qualität
der Hochfrequenzsignalbearbeitung unterstützt wird, und daß die Verbindung
mit der Wärmesenke
durchgeführt
wird mit einem großen
Oberflächenkontaktbereich,
wodurch eine erhöhte
Wärmeableitung
unterstützt
wird, wodurch es zu einem reduzierten Anstieg von Temperaturen bei Übergängen von
Halbleitervorrichtungen im Modul kommt, sowie einer höheren Hochfrequenzleistungsfähigkeit
des Moduls.
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Nachdem
nun auf diese Weise gezeigt und erläutert worden ist, was bei der
vorliegenden Erfindung als bevorzugte Ausführungsform zu betrachten ist,
sollte darauf gleichzeitig hingewiesen werden, daß dies nur
zur Veranschaulichung und nicht zu Zwecken der Beschränkung getan
wurde. Dementsprechend sind alle Modifikationen, Abwandlungen und Änderungen,
die innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung liegen, wie er in
den nachfolgenden Ansprüchen
definiert ist, auch als eingeschlossen anzusehen.