DE69837517T2 - Verfahren und kompaktes System zur hochgenauen Inspektion einer Photomaske - Google Patents

Verfahren und kompaktes System zur hochgenauen Inspektion einer Photomaske Download PDF

Info

Publication number
DE69837517T2
DE69837517T2 DE69837517T DE69837517T DE69837517T2 DE 69837517 T2 DE69837517 T2 DE 69837517T2 DE 69837517 T DE69837517 T DE 69837517T DE 69837517 T DE69837517 T DE 69837517T DE 69837517 T2 DE69837517 T2 DE 69837517T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
data
laser interferometer
laser
scale
light beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69837517T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69837517D1 (de
Inventor
Naohisa c/o NEC Corporation Takayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69837517D1 publication Critical patent/DE69837517D1/de
Publication of DE69837517T2 publication Critical patent/DE69837517T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG:
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Reticelprüfsystem und ein Verfahren zum Prüfen eines Reticels, das verwendet wird, um ein vorbestimmtes Muster auf einem Halbleiterwafer herzustellen.
  • Herkömmlicher Weise wird bei einem Herstellungsprozess eines Schaltkreises mit Großintegration (LSI; engl.: Large Scale Integration) ein Reticel verwendet, um ein vorbestimmtes Muster auf dem Halbleiterwafer herzustellen, der durch Silizium oder dergleichen aufgebaut ist. Das Muster wird auf dem Halbleiterwafer ausgebildet, indem der Halbleiterwafer einem Licht durch das Reticel und eine optische Linse ausgesetzt wird. Wenn das Reticel selbst einen Musterfehler aufweist, wird daher das fehlerhafte Muster auf alle Wafer übertragen, die unter Verwendung des Reticels hergestellt werden. Folglich wird eine große Anzahl an fehlerhaften LSI-Schaltkreisen hergestellt. Dem entsprechend ist die Musterüberprüfung des Reticels sehr wichtig und essentiell für die Herstellung von LSI-Schaltkreisen. Weil in den letzten Jahren feinere Muster herzustellen waren, wird außerdem eine Prüfung hoher Genauigkeit von einer Sensitivität beim Detektieren von Fehlern von weniger als 0,2 μm bei einem Reticelprüfsystem gefordert.
  • Bei Prüfverfahren des Reticels zum Herstellen von LSI-Schaltkreisen gibt es zwei Arten der Verfahren. Eines ist ein chipweises (engl.: die-to-die) Prüfverfahren, um identische an unterschiedlichen Positionen auf dem gleichen Reticel ausgebildete Muster miteinander zu vergleichen, während ein anderes ein Chip-zu-Datenbasis (engl.: chip-to-database)-Prüfverfahren ist, um Entwurfsdaten, die verwendet werden, wenn das Reticelmuster gedruckt wird, mit dem Muster auf dem tatsächlichen Reticel zu vergleichen. Hier bedeutet "Chip" (engl.: die) eine bestimmte Gruppierung von Musterbereichen oder das Detektionsbild davon, was als eine Einheit einer Mustervergleichsprüfung definiert ist. Ferner bedeutet "Datenbasis" ein Referenzbild, das aus den Entwurfsdaten im Verhältnis zu einem tatsächlichen Musterbild synthetisiert wird, das von einem optischen System detektiert wird.
  • Herkömmlicher Weise umfasst ein übliches Reticelprüfsystem eine X-Y-Stufe zum Einstellen eines Reticels, ein Laserinterferometer zum Detektieren einer Position der X-Y-Stufe mit hoher Genauigkeit, eine optische Laserabtastvorrichtung zum Bewegen eines Laserstrahls in der Richtung der Y-Achse des Reticels, einen Detektionsabschnitt für übertragenes Licht zum Detektieren des übertragenen Lichts, einen optischen Bildeingabeabschnitt zum Erhalt eines optischen Bildes von dem Detektionsabschnitt für übertragenes Licht, einen Datenumwandlungsabschnitt zum Umwandeln der beim Drucken des Reticels verwendeten Entwurfsdaten, um das Referenzbild zu synthetisieren, einen Bildvergleichsabschnitt zum Vergleichen des optischen Bildes mit dem Referenzbild, um einen Musterfehler zu detektieren, und eine Steuereinrichtung zum Steuern des gesamten Systems.
  • Bei einem herkömmlichen Verfahren, ein Reticel unter Verwendung des herkömmlichen Reticelprüfsystems zu prüfen, benötigt es jedoch einige Stunden, um eine Lage des Reticels zu erfassen. Daher wird in nicht vermeidbarer Weise bewirkt, dass ein Fehler bei der Detektion der Bewegung der X-Y-Stufe durch das Laserinterferometer aufgrund von Änderungen der Umgebung (Temperatur, Feuchtigkeit, atmosphärischer Druck) während der Prüfung auftritt. Wenn der Fehler in die detektierte Ergebnisse des Laserinterferometer aufgenommen wird, kann die X-Y-Stufe nicht korrekt um eine bestimmte Strecke bewegt werden. Folglich wird eine Abweichung zwischen dem optischen Bild und dem Referenzbild erzeugt, auch wenn das Reticel tatsächlich keinen Fehler in seinem Muster aufweist.
  • Um dieses Problem zu vermeiden, ist es vorgesehen, dass das gesamte Reticelprüfsystem in einer Kammer mit Temperaturregelung angeordnet wird, um den Gasfluss konstant zu halten sowie die Temperatur und die Feuchtigkeit konstant zu halten. Zusätzlich ist ein Wellenlängenkompensator (eine Korrektureinrichtung) vorgesehen, um die Änderung im Brechungsindex in der Nähe des optischen Wegs des Laserinterferometers zu detektieren. Dadurch wird ein wirksamer Brechungsindex berechnet, um das Referenzbild in Echtzeit zu korrigieren. Dem entsprechend wird das optische Bild mit dem in Echtzeit korrigierten Referenzbild verglichen. In dem Wellenlängenkompensator wird eine Wellenlänge in einer tatsächlichen Umgebung mit der im Vakuum unter Verwendung einer Vakuumröhre mit einem bestimmten Abstand verglichen, um die Änderung im Brechungsindex zu detektieren und diesen zu korrigieren. Dieses Verfahren erfordert jedoch eine sehr große Kammer mit Temperaturregelung, die das gesamte System und den Wellenlängenkompensator umgibt. Das Verfahren bringt dahingehend Nachteile mit sich, als das System größer und sehr teuer wird.
  • US 4,926,489 offenbart ein Reticelprüfsystem mit einem X-Y-Tisch, um ein Reticel zu befördern, auf dem ein Muster vorab aufgedruckt ist; einem optischen System zum Bewegen eines Lichtstrahls, um einen Lichtstrahl auf das Reticel abzustrahlen; einem Maßstab, auf den ein Einfluss von Änderungen in der Umgebung geringer als der des Laserinterferometers ist, und um die Position des X-Y-Tisches zu messen; und einem Detektionsabschnitt für übertragenes Licht, um auf der Grundlage des übertragenen Lichts des Lichtstrahls, der auf das Reticel abgestrahlt wird, ein optisches Bild zu erhalten; und einem Bildvergleichsabschnitt, um das optische Bild mit einem Referenzbild zu vergleichen, um Fehler in dem Muster zu detektieren, sowie ein entsprechendes Prüfverfahren.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG:
  • Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Reticelprüfsystem und ein Verfahren zum Prüfen eines Reticels bereitzustellen, bei denen das Reticel mit hoher Genauigkeit geprüft werden kann, indem das in geeigneter Weise korrigierte Referenzbild synthetisiert wird, um es mit dem optischen Bild zu vergleichen, auch für den Fall, dass das Laserinterferometer dem Einfluss von Änderungen in der Umgebung unterworfen ist.
  • Weitere Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden im Verlauf der Beschreibung klar.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Prüfen eines Reticels wie in Anspruch 1 definiert bereitgestellt.
  • Im spezielleren werden die Abweichungsdaten berechnet durch: Speichern von Positionsdaten des Laserinterferometers und des Maßstabs in einer Position zu Beginn des Ausstrahlens des Lichtstrahls auf das Reticel und von Positionsdaten des Laserinterferometers und des Maßstabs in einer Position bei Abschluss des Ausstrahlens des Lichtstrahls; vorab Erhalten eines anfänglichen Abstandswerts des Unterschieds zwischen den Positionsdaten des Laserinterferometers in der Position bei Abschluss des Ausstrahlens des Lichtstrahls und der Positionsdaten des Laserinterferometers in der Position zu Beginn des Ausstrahlens des Lichtstrahls; Bewegen des X-Y-Tisches, auf dem das Reticel eines Prüfobjekts angeordnet ist, so dass die Positionsdaten, die von dem Maßstab detektiert werden, mit den Positionsdaten der Position zu Beginn des Ausstrahlens des Lichtstrahls übereinstimmen, die gespeichert werden, um die anfänglichen Positionsdaten des Laserinterferometers zu diesem Zeitpunkt zu speichern; nachfolgend Beginnen der Lichtstrahlausstrahlung auf das Reticel, während der X-Y-Tisch bewegt wird; Speichern der Abschlusspositionsdaten des Laserinterferometers zu diesem Zeitpunkt sowie Beenden der Lichtstrahlabstrahlung zu dem Zeitpunkt, an dem die von dem Maßstab detektierten Positionsdaten eine Positionsübereinstimmung mit den Positionsdaten der Position bei Abschluss des Ausstrahlens des Lichtstrahls erreichen; und Berechnen der Abstandsdaten des Unterschieds zwischen den Abschlusspositionsdaten des Laserinterferometers und den anfänglichen Positionsdaten des Laserinterferometers, um den Unterschied zwischen den Abstandsdaten und dem anfänglichen Abstandswert zu erhalten.
  • Außerdem beseitigt das Laserinterferometer einen Vibrationsunterschied in der Phase zwischen einer Linse des optischen Laserabtastsystems, das den Lichtstrahl ausstrahlt, und dem X-Y-Tisch. Somit können beide Effekte erreicht werden, indem das Laserinterferometer und der Maßstab in Kombination verwendet werden.
  • Die Detektion der Fehler in dem Muster an einer Mehrzahl von Stellen des Reticels wird sequentiell durchgeführt und wird, wenn bei einem Referenzbildsynthetisierprozess die Korrektur ausgelegt ist, um auf der Grundlage der bei der vorhergehenden Detektion des Fehlers erhaltenen Abweichungsdaten durchgeführt zu werden, die Synthese des Referenzbildes entsprechend den Änderungen in der Umgebung wirksam korrigiert.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Reticelprüfsystem wie in Anspruch 7 definiert bereitgestellt.
  • Die Abweichungsdaten sind der Unterschied zwischen einem anfänglichen Abstandswert des Unterschieds zwischen Abschlusspositionsdaten und anfänglichen Positionsdaten, die gemessen werden, bevor das Laserinterferometer von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst wird, und den Abstandsdaten des Unterschieds zwischen den Abschlusspositionsdaten und den anfänglichen Positionsdaten, die gemessen werden, nachdem das Laserinterferometer von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst wurde.
  • Außerdem ist der Maßstab ein Lasermaßstab und ist der Lichtstrahl ein Laserstrahl.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN:
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das einen Aufbau eines herkömmlichen Reticelprüfsystems zeigt;
  • 2 ist ein Blockdiagramm, um ein Reticelprüfsystem gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu zeigen;
  • 3 ist eine Veranschaulichung eines Chip-zu-Datenbasis-Prüfverfahrens;
  • 4 ist ein zeitliches Diagramm zum Prüfen des Reticels bei einem Verfahren zum Prüfung eines Reticels gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 5 ist ein Flussdiagramm eines vorherigen Prozesses des Verfahrens zum Prüfen eines Reticels gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 6 ist ein Flussdiagramm der Reticelprüfung gemäß der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM:
  • Bezug nehmend auf 1, wird für ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung zuerst ein herkömmliches Retikelprüfsystem und ein Verfahren, das das herkömmliche Reticelprüfsystem nutzt, beschrieben.
  • 1 ist ein Blockdiagramm, um einen Aufbau des herkömmlichen Retikelprüfsystems zu zeigen. Das herkömmliche Retikelprüfsystem hat eine Struktur, die mit dem herkömmlichen vergleichbar ist, das in der Einleitung der vorliegenden Beschreibung genannt ist. Um jedoch ein Verständnis des Problems bei einem Reticelprüfverfahren, das das herkömmliche System nutzt, zu erleichtern, ist der Aufbau des herkömmlichen Reticelprüfsystems mit Bezugszeichen erneut beschrieben.
  • Wie in 1 veranschaulicht, umfasst das herkömmliche Reticelprüfsystem eine X-Y-Stufe 102 zum Einstellen eines Reticels 101, ein Laserinterferometer 104 zum Detektieren einer Position der X-Y-Stufe mit hoher Genauigkeit, ein optisches Laserabtastsystem 105 zum Bewegen eines Laserstrahls in der Richtung der Y-Achse des Reticels 101, einen Detektionsabschnitt 107 für durchgelassenes Licht zum Detektieren des durchgelassenen Lichts, einen optischen Bildeingabeabschnitt 108 zum Erhalten eines optischen Bildes von dem Detektionsabschnitt 107 für durchgelassenes Licht, einen Datenumwandlungsabschnitt 109 zum Umwandeln der beim Drucken des Reticels verwendeten Entwurfsdaten, um das Referenzbild zu synthetisieren, einen Bildvergleichsabschnitt 110 zum Vergleichen des optischen Bildes mit einem Referenzbild, um einen Musterfehler zu detektieren, und eine Steuereinrichtung 111 zum Steuern des gesamten Systems.
  • Hier erfolgt eine Beschreibung hinsichtlich eines Verfahrens zum Prüfen eines Reticels unter Verwendung des herkömmlichen Reticelprüfsystems mittels des oben genannten Chip-zu-Datenbasis-Prüfverfahrens. Die Fehler auf dem gesamten Reticel werden detektiert, indem zuerst das Reticel 101 in einer Mehrzahl von sich einander leicht überlappenden Prüfbereichen unterteilt wird, um jeden Prüfbereich sequentiell zu prüfen, um schließlich die Fehler in jedem Bereich zu integrieren. Die Prüfung in jedem Prüfbereich wird wie folgt durchgeführt. Zuerst wird die X-Y-Stufe 102, die das Reticel 101 positioniert, in eine anfängliche Prüfposition des zugeordneten Prüfbereichs bewegt. Dann wird die X-Y-Stufe 102 in der Richtung der X-Achse vorbewegt, während sie mit dem Laserinterferometer 104 überwacht wird, um den Laserstrahl mittels des optischen Laserabtastsystems 105 jedes mal in der Richtung der Y-Achse zu bewegen, in der sie sich um eine bestimmte Strecke bewegt. Dann wird das durchgelassene Licht von dem Detektionsabschnitt 107 für durchgelassenes Licht detektiert, um für jeden einzelnen Frame das zweidimensionale Bild zu erhalten. Das erhaltene optische Bild wird ausgehend von dem optischen Bildeingabeabschnitt 108 zu dem Bildvergleichsabschnitt 110 übertragen. In dem Bildvergleichsabschnitt 110 wird das erhaltene optische Bild mit dem Referenzbild, das in dem Datenumwandlungsabschnitt 109 synthetisiert wurde, verglichen, um Unterschiede (die Fehler) zu detektieren. Außerdem ist ein "Frame" eine Einheit, die die verarbeitbaren Bilder von dem Bildvergleichsabschnitt 110 zu einem Zeitpunkt angibt (siehe 3).
  • Bei dem Verfahren zum Prüfen eines Reticels unter Verwendung des herkömmlichen Reticelprüfsystems benötigt es jedoch einige Stunden, um eine Lage des Reticels 101 zu erfassen. Daher wird in nicht vermeidbarer Weise bewirkt, dass ein Fehler bei der Detektion der Bewegung der X-Y-Stufe 102 durch das Laserinterferometer 104 aufgrund von Änderungen der Umgebung (Temperatur, Feuchtigkeit, atmosphärischer Druck) während der Prüfung auftritt. Wenn der Fehler in die detektierten Ergebnisse des Laserinterferometers 104 aufgenommen wird, kann die X-Y-Stufe 102 nicht korrekt um eine bestimmte Strecke bewegt werden. Folglich wird eine Abweichung zwischen dem optischen Bild und dem Referenzbild erzeugt, auch wenn das Reticel 101 tatsächlich in seinem Muster keinen Fehler aufweist. Auch wenn beide Bilder in dem anfänglichen Frame des Prüfbereichs aufeinander angepasst sind, addieren sich nämlich die kleinen Fehler einer Bewegungsstrecke der X-Y-Stufe 102, wenn die Anzahl an Frames ansteigt. Dadurch wird die Größe der Abweichung zwischen dem optischen Bild und dem Referenzbild vergrößert, so dass sie als die vergrößerte Abweichung in dem Prüfbereich erscheint, der beim abschließenden Prozess geprüft wird.
  • Diese Fehler werden dadurch verursacht, dass der Brechungsindex von Gas in einem optischen Pfad des Laserinterferometers 104 aufgrund von Änderungen in der Umgebung variiert wird und dass die Wellenlänge des von dem Laserinterferometer 104 emittierten Lasers entsprechend geändert wird. Zum Beispiel sind bei dem von Zygo Co. Ltd. hergestellten Laserinterferometer, das eine Auflösung von 1024 hat, die Faktoren eines effektiven Abstands und eines Brechungsindex im Verhältnis zu jeder Änderung in der Umgebung wie folgt.
  • Effektiver Abstand = (Messwert des Interferometers × Wellenlänge des Lasers im Vakuum)/(1024 × Brechungsindex).
  • Verhältnis der Änderung im Brechungsindex zur Temperatur:
    1 [PTM/%]
  • Verhältnis der Änderung im Brechungsindex zur Feuchtigkeit:
    0,01 [PTM/%]
  • Ein Verhältnis der Änderung im Brechungsindex zum atmosphärischen Druck:
    0,357 [PTM/%]
  • Wenn zum Beispiel der Abstand von 100 nm gemessen wird, wird der Fehler zu 0,1 μm, wenn der Brechungsindex um die 1 PPM geändert wird. Der Faktor, der insbesondere einen Brechungsindex beeinflusst, sind Änderungen des atmosphärischen Drucks. Er kann manchmal um etwa 50 nm Hg für eine Zeitdauer von einigen Stunden geändert werden, wobei der Fehler in diesem Fall bis zu etwa 1,8 μm erreicht. Bei dem Reticelprüfsystem, bei dem die Genauigkeit von etwa 0,1 μm hinsichtlich der Prüfauflösung gefordert ist, ist dieser Fehler von nicht vernachlässigbarer Größe, und er erscheint als große Abweichung zwischen dem optischen Bild und dem Referenzbild.
  • Bezug nehmend nun auf 2 bis 6, geht die Beschreibung zu einem Reticelprüfsystem und einem Verfahren zum Prüfen eines Reticels gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung über.
  • 2 ist ein Blockdiagramm, das einen Aufbau eines Reticelprüfsystems gemäß der Ausführungsform zeigt.
  • Zuerst wird jede Komponente, die das Reticelprüfsystem gemäß dieser Ausführungsform bildet, beschrieben. Ein Reticel 1 ist auf die obere Oberfläche einer X-Y-Stufe 2 aufgesetzt und in der Richtung der X- und der Y-Achse mittels eines Antriebsmechanismus (nicht gezeigt) bewegbar. Ein Laserinterferometer 4 detektiert eine relative Position in der Richtung der X-Achse der X-Y-Stufe genau, wobei ein Laser verwendet wird. Ein optisches Laserabtastsystem (optisches Lichtstrahlabtastsystem) 5 bewegt einen Laserstrahl (einen Lichtstrahl) durch eine Objektivlinse 3 in der Richtung der Y-Achse. Ein Detektionsabschnitt 7 für durchgelassenes Licht detektiert das durchgelassene Licht des Laserstrahls, das durch eine Kollektorlinse 6 gesammelt wird, um das optische Bild von diesem übertragenen Licht zu erhalten. Das optische Bild wird ausgehend von dem Detektionsabschnitt 7 für durchgelassenes Licht in einen optischen Bildeingabeabschnitt 8 eingegeben. Ein Datenumwandlungsabschnitt 9 wandelt die Entwurfsdaten, die beim Drucken des Reticels verwendet werden, um, um das Referenzbild zu synthetisieren. Ein Bildvergleichsabschnitt 10 vergleicht das optische Bild, das ausgehend von dem optischen Bildeingabeabschnitt 8 eingegeben wird, mit dem von dem Datenumwandlungsabschnitt 9 eingegebenen Referenzbild, um einen Musterfehler zu detektieren. Eine Steuereinrichtung 11 steuert alle Operationen dieses Prüfsystems. Entsprechende Positionsdaten werden ausgehend von dem Laserinterferometer 4 und einem unten beschriebenen Lasermaßstab 12 in einen Abweichungsdetektionsabschnitt 10 eingegeben, und der Abweichungsdetektionsabschnitt 13 vergleicht beide Daten, um die Abweichung zu erhalten.
  • Der Lasermaßstab 12 ist einer, zum Detektieren einer absoluten Position in der Richtung der X-Achse der X-Y-Stufe 2 und wird kaum von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst. Im Spezielleren ist der Lasermaßstab 12 einer, der hergestellt wird, indem ein mittels des Laserlichts vorbereitetes Hologrammgitter zwischen zwei Lagen von Quarzplatten dazwischen liegend anzuordnen, und ist einer, der gebildet ist, indem das Phänomen genutzt wird, das die Phase des gebrochenen Lichts durch das Hologrammgitter geändert wird, wenn das Gitter bewegt wird, wenn das Laserlicht ausgestrahlt wird. Es hat dort die Merkmale gegeben, die kaum von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst werden, und es ist nicht teuer, weil eine Wiederholungsgenauigkeit groß ist und der optische Pfad des Laserlichts verkürzt werden kann.
  • Zum Beispiel sind die Spezifikationen des von Sony Precision Technology Co., Ltd. hergestellten Lasermaßstabs wie folgt:
    Wiederholungsgenauigkeit: 0,02 μm
    Temperaturkoeffizient: –0,7 PPM/Grad (hauptsächlich aufgrund thermischer Expansion von Glas)
    Feuchtigkeitskoeffizient und Atmosphärendruckkoeffizient sind verglichen mit einem Temperaturkoeffizienten sehr klein.
  • In einem Reinraum, in dem ein solches Reticelprüfsystem normaler Weise aufgebaut ist, liegen Änderungen einer Umgebungstemperatur in dem Bereich von etwa ± 1 Grad. Mit einem solchen Umfang der Temperaturänderung wird der Fehler bei dem Lasermaßstab nur etwa ± 0,07 μm für die Messung von 100 mm im Maximum erreichen. Insbesondere hinsichtlich von Änderungen im atmosphärischen Druck und der Feuchtigkeit wird der Fehler vernachlässigbar klein, wodurch er verglichen mit dem Laserinterferometer 4 oder dergleichen eine überlegene Beständigkeit hinsichtlich der Änderungen in der Umgebung an den Tag legt.
  • Als nächstes geht die Beschreibung Bezug nehmend auf 3 bis 6 zu einem Reticelprüfverfahren gemäß dieser Ausführungsform weiter.
  • 3 ist nun eine veranschaulichende Ansicht, die das oben beschriebene Chip-zu-Datenbasis-Prüfsystem veranschaulicht. 4 ist ein zeitliches Diagramm für eine Prüfung in einem Prüfbereich des tatsächlichen Reticels 1. 5 ist ein Flussdiagramm eines vorherigen Prozesses des Reticelprüfverfahrens gemäß dieser Ausführungsform. 6 ist ein Flussdiagramm der Reticelprüfung gemäß dieser Ausführungsform.
  • Bei dieser Ausführungsform wird zum Beispiel der gesamte Prüfbereich in eine Mehrzahl der Prüfbereiche unterteilt (bei dieser Ausführungsform ein erster bis zu einem achten Prüfbereich), so dass sie einander überlappen, wobei die Richtung der X-Achse als Längsrichtung, wie in 3 gezeigt, definiert wird, um ausgehend von dem ersten Prüfbereich nacheinander in jedem Prüfbereich zu prüfen, und schließlich die Fehler jedes Prüfbereichs zu integrieren, um die gesamten Fehler des Reticels 1 zu prüfen.
  • An dieser Stelle werden die Einzelheiten der Prüfung in jedem Prüfbereich, wie unten gezeigt, beschrieben. Bevor die Prüfung eingeleitet wird, nimmt nun der Datenumwandlungsabschnitt 9 die Entwurfsdaten des Reticels 1 des Prüfobjekts, um die Daten in den nicht gefalteten Zustand vor jedem Prüfbereich zu bringen, um das Referenzbild zu synthetisieren. Dies ist eine Verarbeitung zum Synthetisieren des Referenzbilds während der Prüfung in kurzer Zeit.
  • Außerdem, wie in 5 gezeigt, wird der anfängliche Wert des Abstands zwischen der Laserabtastanfangsposition und der Laserabtastabschlussposition gemessen. Zuerst wird die X-Y-Stufe 2, die das Reticel 1 positioniert, bis zu der anfänglichen Abtastposition (Schritt "a") bewegt, und Positionsdaten S01 (siehe 4) des Lasermaßstabs 12 und Positionsdaten Da des Laserinterferometers 4 werden zu diesem Zeitpunkt von dem Abweichungsdetektionsabschnitt 13 gelesen und gespeichert (Schritt "b"). Nachfolgend wird die X-Y-Stufe 2 bis zu der Abtastabschlussposition bewegt (Schritt "c"), und wiederum werden Positionsdaten S45 (siehe 4) des Lasermaßstabs 12 und Positionsdaten Db des Laserinterferometers 4 von dem Abweichungsdetektionsabschnitt 13 gelesen und gespeichert (Schritt "d"). Zu diesem Zeitpunkt zieht der Abweichungsdetektionsabschnitt 13 die Positionsdaten Db des Laserinterferometers 4 an der Abtastabschlussposition von den Positionsdaten Da des Laserinterferometers 4 an der anfänglichen Abtastposition ab und speichert den Wert (Db–Da) als den anfänglichen Wert des Abstands (Schritt "e"). Auf diese Weise werden, weil die Bewegung des Laserstrahls mittels des optischen Laserabtastsystems 5 synchron mit einer ansteigenden Flanke des Pulses zum Bewegen um eine bestimmte Strecke von dem Laserinterferometer 4 zu dem optischen Laserabtastsystem 5, wie unten beschrieben, ausgeführt wird, die Positionsdaten des Lasermaßstabs, die zu einer Zeitgebung für den Abtastbeginn zu dem Prüfzeitpunkt werden, als S01 betrachtet, wobei die Positionsdaten des Lasermaßstabs, die zu einer Zeitgebung für ein abschließendes Abtasten zu dem Prüfzeitpunkt werden, als S45 betrachtet werden.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird, wie in 4 und 6 gezeigt, der tatsächliche Reticelprüfprozess eingeleitet. Die X-Y-Stufe 2, die das Reticel 1 positioniert, wird bis zu der anfänglichen Abtastposition des ersten Prüfbereichs bewegt (Schritt "f"). Nachfolgend beginnt die X-Y-Stufe 2, sich mit konstanter Geschwindigkeit in der X-Richtung zu bewegen (Schritt "g"). Der Abweichungsdetektionsabschnitt 13 detektiert die Position der X-Y-Stufe 2, und, wenn die Positionsdaten des Lasermaßstabs 12 mit der anfänglichen Abtastposition S01 übereinstimmen, die in dem vorhergehenden Prozess gespeichert wurden, und für die X-Y-Stufe 2 festgestellt wird, dass sie die anfängliche Abtastposition erreicht (Schritt "h"), werden Positionsdaten D04 des Laserinterferometers 4 als anfängliche Positionsdaten zum Prüfzeitpunkt gespeichert (Schritt "i"). Wenn die anfängliche Abtastposition mit einer anfänglichen Prüfposition übereinstimmt, dann kann der Prozess weggelassen werden, sich bis zu der anfänglichen Abtastposition vorzubewegen, während das Laserinterferometer 4 von der anfänglichen Prüfposition überwacht wird.
  • Zu jedem Zeitpunkt, an dem das Laserinterferometer 4 feststellt, dass die relative Position zwischen der Position der Objektivlinse 3 und der Position der X-Achsenrichtung der X-Y-Stufe 2 um eine bestimmte Strecke (zum Beispiel 1 μm) weiterbewegt wird (Schritt "j"), sendet dieses Laserinterferometer 4 dem optischen Laserabtastsystem 5 den Puls, der den Befehl bereitstellt, sich um eine bestimmte Strecke zu bewegen (Schritt "k"). Das optische Laserabtastsystem 5 bewegt den Laserstrahl in der X-Achsenrichtung bei jeder ansteigenden Flanke dieses Pulses (Schritt "m"). Der bewegte Laserstrahl wird durch die Objektivlinse 3 auf das Reticel 1 abgestrahlt, und das übertragene Licht wird mittels der Sammellinse 6 gesammelt, um an einem Detektionsabschnitt 7 für übertragenes Licht detektiert zu werden. Diese Abtastung wird bei jeder bestimmten Strecke wiederholt, und wenn für die Abtastung eines Frame festgestellt wird, dass sie abgeschlossen ist (Schritt "n"), nimmt der Detektionsabschnitt 7 für übertragenes Licht das zweidimensionale optische Bild des zugeordneten Frame (Schritt "p"), um es nachfolgend durch einen optischen Bildeingabeabschnitt 8 zu dem Bildvergleichsabschnitt 10 zu übertragen (Schritt "q").
  • Diese Abtastung wird fortgesetzt, und der Abweichungsdetektionsabschnitt 13 detektiert die Position der X-Y-Stufe 2, und, wenn die Positionsdaten des Lasermaßstabs 12 mit der in dem vorherigen Prozess gespeicherten Abtastabschlussposition S45 übereinstimmen und für die X-Y-Stufe festgestellt wird, dass sie die Abtastabschlussposition erreicht (Schritt "r"), werden Positionsdaten D92 des Laserinterferometers 4 zu diesem Zeitpunkt dieser Prüfung als die Abschlusspositionsdaten gespeichert (Schritt "s"). Nachfolgend werden die anfänglichen Positionsdaten D04 von den Abschlusspositionsdaten (D92) des Laserinterferometers 4 abgezogen, um die Abstandsdaten (D92–D04) zu erhalten. Weil die Positionsdaten von dem Laserinterferometer 4 und dem auf den entsprechenden Taktpuls ansprechenden Lasermaßstab 12 detektiert werden und die Positionsdaten des Laserinterferometers 4 synchron mit der abfallenden Flanke des Taktpulses des Laserinterferometers gesendet werden, werden nun die Positionsdaten des Laserinterferometers 4 zu diesem Zeitpunkt des Abtastbeginns als D04 betrachtet, wobei die Positionsdaten des Laserinterferometers 4 zum Zeitpunkt des Abschlusses des Abtastens als D92 betrachtet werden.
  • Aus diesen Abstandsdaten (D92–D04) wird ein anfänglicher Abstandswert (Db–Da) abgezogen, um Abweichungsdaten ((D92–D04)–(Db–Da)) zu berechnen (Schritt "t") und um sie zu dem Datenumwandlungsabschnitt 9 zu senden. Auch wenn die Positionsdaten des Lasermaßstabs (zum Beispiel S01 und S45) kaum von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst werden und weil die gleiche Position jederzeit im wesentlichen angegeben werden könnte, wird davon ausgegangen, dass der Grund, weshalb die Abstandsdaten des Laserinterferometers 4 (D92–D04) sich von dem anfänglichen Abstandswert (Db–Da) unterscheiden, darin liegt, dass als Folge davon, von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst zu werden, eine Abweichung in den detektierten Ergebnissen des Laserinterferometers verursacht wird. Dies heißt, das erhaltene optische Bild würde von diesen Abweichungsdaten ((D92–-D04)–(Db–Da)) expandiert und kontrahiert.
  • Andererseits synthetisiert der Datenumwandlungsabschnitt 9 das Referenzbild für jeden Frame in Echtzeit ausgehend von den dazwischen liegenden Daten, die in dem oben beschriebenen vorherigen Prozess entfaltet wurden (Schritt "u"), um sie zu dem Bildvergleichsabschnitt 10 zu senden (Schritt "v"). Zu diesem Zeitpunkt wird das synthetisierte Referenzbild auf der Grundlage der Abweichungsdaten genau korrigiert, um gesendet zu werden, nachdem die Abweichung von dem Referenzbild minimiert wurde. Auf diese Weise sind die Abweichungsdaten, die bei dieser Korrektur verwendet werden, die Abweichungsdaten, die bei Prüfung des Prüfbereichs erhalten werden, die einer des zugeordneten Prüfbereichs vorangeht. Zum Beispiel sind die Abweichungsdaten, die zum Korrigieren verwendet werden, wenn der dritte Prüfbereich geprüft wird, die Daten, die erhalten werden, wenn der zweite Prüfbereich geprüft wird. Auch wenn es keine Abweichungsdaten gibt, die zum Korrigieren hinsichtlich des ersten Prüfbereichs zu verwenden sind, wird jedoch angenommen, dass noch kein so großer Fehler verursacht wurde und zu korrigieren ist.
  • Daher vergleicht der Bildvergleichsabschnitt 10 das von dem optischen Bildeingabeabschnitt 8 eingegebene optische Bild mit dem von dem Datenumwandlungsabschnitt 9 eingegebenen zur Korrektur bereiten optischen Bild für jeden Frame, um den Fehler zu detektieren (Schritt "w").
  • Wie oben beschrieben, wird eine visuelle Prüfung des Reticels 1 hinsichtlich eines Prüfbereichs durchgeführt. Dieser Prüfprozess wird über den gesamten Prüfbereich einer Lage des Reticels durchgeführt. Wenn eine Prüfung des gesamten Prüfbereichs nicht abgeschlossen ist (Schritt "x"), wird die X-Y-Stufe 2 zu der anfänglichen Prüfposition des nachfolgenden Prüfbereichs bewegt (Schritt "y"), wobei die Schritte "g" bis "x" hinsichtlich des nachfolgenden Prüfbereichs durchgeführt werden. Wenn die Prüfung des gesamten Prüfbereichs abgeschlossen ist (Schritt "x"), werden außerdem die Prüfergebnisse jedes Prüfbereichs synthetisiert, um die Fehler der gesamten Oberfläche des Reticels 1 zu erhalten (Schritt "z") und um ausgehend von dem Bildvergleichsabschnitt 10 zu einer Anzeigeeinrichtung oder dergleichen (nicht gezeigt) ausgegeben zu werden.
  • Indem unter Verwendung des Lasermaßstabs 12 korrigiert wird, der von den Änderungen in der Umgebung kaum beeinflusst wird, kann somit die visuelle Prüfung des Reticels mit hoher Genauigkeit durchgeführt werden.
  • Auch wenn die Positionsdetektionsauflösung und die Wiederholungsgenauigkeit des Lasermaßstabs im Wesentlichen 0,01 μm betragen und verglichen mit dem Laserinterferometer 4 um eine Größenordnung schlechter sind, beträgt die Schrittweite beim Abtasten im Wesentlichen 0,1 μm, wodurch es kein Problem darstellt.
  • Auch wenn ein Verfahren zum Detektieren der Position der X-Achse lediglich mittels des Lasermaßstabs 12 im Allgemeinen auch in Erwägung gezogen werden kann, ohne dass dabei das Laserinterferometer 4 zu verwenden, wird außerdem die Objektivlinse 3 mit einer sich von der der X-Y-Stufe 2 unterscheidenden Phase oszilliert, wodurch, soweit diese Oszillation mittels des Laserinterferometers 4 ausgeglichen wird, eine Fehlerdetektion nicht mit hoher Genauigkeit durchgeführt werden kann. Daher ist die Verwendung des Laserinterferometers 4 und des Lasermaßstabs in Kombination erforderlich.
  • Um das optische Bild des Reticels 1 zu erhalten, kann als Ersatz davon, die Kombination des optischen Laserabtastsystems 5 und des Detektionsabschnitts 7 für durchgelassenes Licht zu verwenden, zwischenzeitlich auch die Kombination einer Queck silberlampe und eines CCD-Zeilensensors oder dergleichen verwendet werden.
  • Gemäß der Erfindung, wie oben beschrieben, kann das Reticel genau geprüft werden, indem der Messfehler des Laserinterferometers, der mit den Änderungen in der Umgebung einhergeht, unter Verwendung des Maßstabs berechnet wird, der von den Änderungen in der Umgebung kaum beeinflusst wird, und das hinsichtlich seines Fehlers korrigierte Referenzbild synthetisiert wird, um es mit dem optischen Bild zu vergleichen. Insbesondere weil der Fehler des Laserinterferometers 4 immer überwacht wird, um zum Synthetisieren des Referenzbildes bei einer Prüfung zum nächsten Zeitpunkt zurückgeführt zu werden, kann er übereinstimmen, auch wenn die Änderung in der Umgebung fortschreitet, wodurch eine Prüfleistung mit hoher Genauigkeit beibehalten werden kann. Außerdem sind eine große Kammer mit Temperaturregelung und der Wellenlängenkompensator nicht erforderlich, wodurch das gesamte System kompakt ausgeführt und im Preis reduziert werden kann. Außerdem kann es auf einfache Weise und kostengünstig hergestellt werden, indem der Maßstab dem herkömmlichen Aufbau hinzugefügt wird.
  • Außerdem wird die Änderung in der Umgebung nicht mittels einem indirekten Messverfahren, wie zum Beispiel der Kompensator, detektiert, sondern der Abstand, über den sich die Stufe tatsächlich bewegt, wird durch zwei Arten von Verfahren des Laserinterferometers und des Lasermaßstabs detektiert, um die Abweichung zu erhalten, wodurch, wenn man Vorteile der beiden Eigenschaften nutzt, das in geeigneter Weise korrigierte Referenzbild erhalten und genau geprüft werden kann.
  • Auch wenn die vorliegende Erfindung so weit in Verbindung mit nur einer bevorzugten Ausführungsform derselben beschrieben worden ist, ist es für einen Fachmann auf dem Gebiet auf einfache Weise nun möglich, die vorliegende Erfindung auf verschiedene andere Arten umzusetzen.
  • FIGURENLEGENDE
  • 1
    • certain pitch travelling pulse – Puls zur Bewegung um eine bestimmte Strecke
    • laser scanning optical system – optisches Laserabtastsystem
    • general controller – allgemeine Steuereinrichtung
    • objective lens – Objektivlinse
    • reticle – Reticel
    • laser interferometer – Laserinterferometer
    • optional image input section – optionaler Bildeingabeabschnitt
    • optical image – optisches Bild
    • image comparison section – Bildvergleichsabschnitt
    • inspected results – geprüfte Ergebnisse
    • collector lens – Sammellinse
    • X-Y stage – X-Y-Stufe
    • reference image – Referenzbild
    • data conversion section – Datenumwandlungsabschnitt
    • CAD data – CAD-Daten
  • transmitted-light detection section – Detektionsabschnitt für zugelassenes Licht
  • 2
    • certain pitch travelling pulse – Puls zur Bewegung um eine bestimmte Strecke
    • laser scanning optical system – optisches Laserabtastsystem
    • general controller – allgemeine Steuereinrichtung
    • objective lens – Objektivlinse
    • reticle – Reticel
    • Laser interferometer – Laserinterferometer
    • optional image input section – optionaler Bildeingabeabschnitt
    • optical image – optisches Bild
    • image comparison section – Bildvergleichsabschnitt
    • inspected results – geprüfte Ergebnisse
    • collector lens – Sammellinse
    • X-Y stage – X-Y-Stufe
    • reference image – Referenzbild
    • data conversion section – Datenumwandlungsabschnitt
    • CAD data – CAD-Daten
    • transmitted-light detection section – Detektionsabschnitt für zugelassenes Licht
    • position data – Positionsdaten
    • laser scale – Lasermaßstab
    • deviation-detection section – Abweichungsdetektionsabschnitt
    • deviation data – Abweichungsdaten
  • 3
    • comparison die – Vergleichschip
    • reticle – Reticel
    • eighth inspection region – achter Prüfbereich
    • seventh inspection region – siebter Prüfbereich
    • sixth inspection region – sechster Prüfbereich
    • fifth inspection region – fünfter Prüfbereich
    • fourth inspection region – vierter Prüfbereich
    • third inspection region – dritter Prüfbereich
    • second inspection region – zweiter Prüfbereich
    • first inspection region – erster Prüfbereich
    • Y direction – Y-Richtung
    • X direction – X-Richtung
    • scanning initiation position – anfängliche Abtastposition
    • scanning completion position – Abtastabschlussposition
    • Laser beam scanning – Laserstrahlabtastung
    • frame overlapped position – Position mit überlappenden Frames
    • first frame – erster Frame
    • second frame – zweiter Frame
    • third frame – dritter Frame
    • fourth frame – vierter Frame
  • 4
    • inspection region – Prüfbereich
    • inspection initiation position – anfängliche Prüfposition
    • scanning initiation position – anfängliche Abtastposition
    • scanning completion position – Abtastabschlussposition
    • Laser interferometer position data – Laserinterferometerpositionsdaten
    • Laser interferometer clock pulse – Taktpuls des Laserinterferometers
    • scale position data – Maßstabspositionsdaten
    • scale clock pulse – Taktpuls des Maßstabes
    • scanning initiation pulse – anfänglicher Abtastpuls
    • scanning completion pulse – Abtastabschlusspuls
    • initiation position data – anfängliche Positionsdaten
    • completion position data – Abschlusspositionsdaten
    • deviation data used for correcting – zum Korrigieren verwendet Abweichungsdaten
    • scanning initiation position – anfängliche Abtastposition
    • scanning completion position – Abtastabschlussposition
    • deviation data at inspection of a preceding detection region – Abweichungsdaten bei Prüfung eines vorherigen Detektionsbereichs
  • 5
    • travel X-Y stage 2 to scanning initiation position – bewege X- Y-Stufe 2 zur anfänglichen Abtastposition
    • store a position data S01 of a Laser scale 12 – speichere Positionsdaten S01 eines Lasermaßstabs 12
    • store a position data Da of a Laser interferometer 4 – speichere Positionsdaten Da eines Laserinterferometers 4
    • travel a X-Y stage 2 to scanning completion position – bewege X-Y-Stufe 2 zur Abtastabschlussposition
    • store a position data S45 of a Laser scale 12 – speichere Positionsdaten S45 eines Lasermaßstabs 12
    • store a position data Db of a Laser interferometer – speichere Positionsdaten Db eines Laserinterferometers 4
    • store distance initial value (Db–Da) – speichere anfänglichen Abstandswert (Db–Da)
  • 6
    • start – Beginn
    • travel X-Y stage 2 to inspection initiation position of first inspection region – bewege X-Y-Stufe 2 zur anfänglichen Prüfposition eines ersten Prüfbereichs
    • initiate t0 travel X-Y stage 2 in X-direction at a constant speed – beginne, X-Y-Stufe 2 in X-Richtung bei konstanter Geschwindigkeit zu bewegen
    • reach the scanning initiation position – anfängliche Abtastposition erreicht
    • store initiation position data of laser interferometer 4 – speichere anfängliche Positionsdaten des Laserinterferometers 4
    • moved by a predetermined pitch? – um vorbestimmte Strecke bewegt?
    • send a pulse from laser interferometer 4 to laser scanning optical system 5 – sende einen Puls vom Laserinterferometer 4 zum optischen Laserabtastsystem 5
    • scan by a laser beam – taste mittels eines Laserstrahls ab completed scanning of one frame? – Abtasten eines Frame abgeschlossen?
    • obtained optical image – erhaltenes optisches Bild transfer the optical image to image comparison section 10
    • übertrage das optische Bild zum Bildvergleichsabschnitt 10
    • reached scanning completion position? – Abtastabschlussposition erreicht?
    • store completion position data of the laser interferometer 4 – speichere Abschlusspositionsdaten des Laserinterferometers 4
    • calculate deviation data – berechne Abweichungsdaten
    • compare the reference image with optical image to detect defects – vergleiche das Referenzbild mit dem optischen Bild, um Fehler zu detektieren
    • completed the inspection of the entire inspection region? – Prüfung des gesamten Prüfbereichs abgeschlossen?
    • synthesize the defects of the entire surface of a reticle – synthetisiere die Fehler der gesamten Oberfläche eines Reticels
    • synthesize the reference image corrected by the deviation data calculated in an immediately preceding inspection region – synthetisiere das mittels der in einem unmittelbar vorherigen Prüfbereich berechneten Abweichungsdaten korrigierte Referenzbild
    • send the reference image to image comparison section – sende das Referenzbild zum Bildvergleichsabschnitt 10
    • travel X-Y stage 2 to inspection initiation position of a subsequent inspection region – bewege X-Y-Stufe 2 zur anfänglichen Prüfposition eines nachfolgenden Prüfbereichs
    • yes – ja
    • no – nein

Claims (12)

  1. Verfahren zur Prüfung eines Reticel, die Schritte umfassend: Ausstrahlen eines Lichtstrahls auf ein auf einem X-Y-Tisch (2) angeordnetes Reticel (1), auf dem ein Muster vorab aufgetragen ist, Empfangen des übertragenen Lichts und Bilden eines optischen Bildes, wobei beim Bewegen des X-Y-Tisches (2) die relative Position des X-Y-Tisches (2) mittels eines Laserinterferometers (4) gemessen wird; Vergleichen des optischen Bildes mit einem durch Konvertieren von beim Auftragen des Musters verwendeten Zeichnungsdaten erzeugten Referenzbildes; und Detektieren von Fehlern des Musters; dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die Schritte umfasst: Bereitstellen eines Maßstabs (12), für den ein Einfluss von Änderungen in der Umgebung geringer als auf das Laserinterferometer (4) ist, zum Detektieren der Position des X-Y-Tisches (2); Erhalten von Abweichungsdaten von Messfehlern des Laserinterferometers (4) aufgrund der Änderungen in der Umgebung unter Verwendung des Maßstabs (12); und Erzeugen des ausgehend von Zeichnungsdaten in dem Umfang der Abweichungsdaten korrigierten Referenzbildes.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Abweichungsdaten berechnet werden durch: Speichern von Positionsdaten des Laserinterferometers (4) und des Maßstabs in einer Position zu Beginn des Ausstrahlens des Lichtstrahls auf das Reticel (1) und von Positionsdaten des Laserinterferometers (4) und des Maßstabs in einer Position bei Abschluss des Ausstrahlens des Lichtsstrahls; Berechnen vorab eines anfänglichen Abstandswerts des Unterschieds zwischen den Positionsdaten des Laserinterferometers (4) in der Position bei Abschluss des Ausstrahlens des Lichtstrahls und den Positionsdaten des Laserinterferometers (4) in der Position zu Beginn des Ausstrahlens des Lichtstrahls; Bewegen des X-Y-Tisches (2), auf dem das Reticel (1) eines Prüfobjekts angeordnet ist, so dass die von dem Maßstab detektierten Positionsdaten mit den Positionsdaten der Position zu Beginn des Ausstrahlens des Lichtstrahls übereinstimmen, um die Beginnpositionsdaten des Laserinterferometers (4) zu diesem Zeitpunkt zu speichern; nachfolgend Beginnen der Lichtstrahlausstrahlung auf das Reticel (1), wobei der X-Y-Tisch (2) bewegt wird; Speichern der Abschlusspositionsdaten des Laserinterferometers (4) zu diesem Zeitpunkt sowie Beenden der Lichtstrahlausstrahlung zu dem Zeitpunkt, an dem die von dem Maßstab detektierten Positionsdaten eine Position erreichen, die den Positionsdaten der Position bei Abschluss des Ausstrahlens des Lichtstrahl entsprechen; und Berechnen der Abstandsdaten des Unterschieds zwischen den Abschlusspositionsdaten des Laserinterferometers (4) und der Beginnpositionsdaten des Laserinterferometers (4), um den Unterschied zwischen den Abstandsdaten und dem anfänglichen Abstandswert zu erhalten.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Laserinterferometer (4) hinsichtlich der Phase unterschiedliche Vibrationen zwischen einer Linse (3) des optischen Laserabtastsystems (5), das den Lichtstrahl ausstrahlt, und dem X-Y-Tisch (2) kompensiert.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Maßstab (12) ein Lasermaßstab ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtstrahl ein Laserstrahl ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Fehler in dem Muster an einer Mehrzahl von Stellen des Reticel (4) sequentiell detektiert wird und in einem Referenzbilderzeugungsprozess die Korrektur auf der Grundlage der Abweichungsdaten durchgeführt wird, die bei der fortschreitenden Detektion des Fehlers erhalten werden.
  7. Reticelprüfsystem, mit: einem X-Y-Tisch (2) zum Tragen eines Reticel (1), auf dem ein Muster vorab aufgetragen ist; einem optischen Lichtstrahlabtastsystem (5), um einen Lichtstrahl auf das Reticel auszustrahlen; einem Detektionsabschnitt (7) für übertragenes Licht, um auf der Grundlage des übertragenen Lichts des Lichtstrahls, der auf das Reticel (1) ausgestrahlt wird, ein optisches Bild zu erhalten; einem Laserinterferometer (4) zum Messen einer relativen Position des X-Y-Tisches; und einem Bildvergleichsabschnitt (10) zum Vergleichen des optischen Bildes mit einem Referenzbild, um Fehler des Musters zu detektieren; dadurch gekennzeichnet, dass das Reticelprüfsystem ferner umfasst einen Maßstab (12), für den ein Einfluss von Änderungen in der Umgebung geringer als auf das Laserinterferometer (4) ist, und zum Messen der Position des X-Y-Tisches (2); und einen Datenumwandlungsabschnitt (9), um Abweichungsdaten von Messfehlern des Laserinterferometers (4) aufgrund der Änderungen in der Umgebung unter Verwendung des Maßstabs (12) zu erhalten, um das ausgehend von beim Auftragen des Musters verwendeten Zeichnungsdaten durch die Abweichungsdaten korrigierte Referenzbild zu erzeugen.
  8. Reticelprüfsystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Abweichungsdaten der Unterschied zwischen einem anfänglichen Abstandswert, der der Unterschied zwischen Abschlusspositionsdaten und anfänglichen Positionsdaten gemessen, bevor das Laserinterferometer (4) von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst wird, ist, und den Abstandsdaten ist, die der Unterschied zwischen den Abschlusspositionsdaten und den Beginnpositionsdaten gemessen, nachdem das Laserinterferometer (4) von den Änderungen in der Umgebung beeinflusst wird, sind.
  9. Reticelprüfsystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Laserinterferometer (4) hinsichtlich der Phase unterschiedliche Vibrationen zwischen einer Linse des optischen Laserabtastsystems zum Ausstrahlen des Lichtstrahls und dem X-Y-Tisch kompensiert.
  10. Reticelprüfsystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Maßstab (12) ein Lasermaßstab ist.
  11. Reticelprüfsystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Lichtstrahl ein Laserstrahl ist.
  12. Reticelprüfsystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Datenumwandlungsabschnitt (9) das auf der Grundlage der bei der fortschreitenden Detektion der Fehler in dem Muster erhaltenen Abweichungsdaten korrigierte Referenzbild erzeugt.
DE69837517T 1997-11-25 1998-11-25 Verfahren und kompaktes System zur hochgenauen Inspektion einer Photomaske Expired - Lifetime DE69837517T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32326497A JP2956671B2 (ja) 1997-11-25 1997-11-25 レティクル検査方法および検査装置
JP32326497 1997-11-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69837517D1 DE69837517D1 (de) 2007-05-24
DE69837517T2 true DE69837517T2 (de) 2007-12-20

Family

ID=18152854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69837517T Expired - Lifetime DE69837517T2 (de) 1997-11-25 1998-11-25 Verfahren und kompaktes System zur hochgenauen Inspektion einer Photomaske

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6169603B1 (de)
EP (1) EP0919803B1 (de)
JP (1) JP2956671B2 (de)
KR (1) KR100291258B1 (de)
DE (1) DE69837517T2 (de)
TW (1) TW390955B (de)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW429414B (en) * 1998-08-11 2001-04-11 Nippon Kogaku Kk Stage apparatus, position detector and exposure device
US6369888B1 (en) * 1999-11-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for article inspection including speckle reduction
JP3874996B2 (ja) * 2000-05-30 2007-01-31 ファブソリューション株式会社 デバイス検査方法および装置
US6384911B1 (en) * 2000-09-19 2002-05-07 Machvision, Inc. Apparatus and method for detecting accuracy of drill holes on a printed circuit board
JP2003066341A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Nec Corp レチクル検査装置
JP3913555B2 (ja) * 2002-01-17 2007-05-09 ファブソリューション株式会社 膜厚測定方法および膜厚測定装置
JP3672884B2 (ja) * 2002-03-27 2005-07-20 株式会社東芝 パターン検査方法、パターン検査装置およびマスクの製造方法
US6831736B2 (en) 2002-10-07 2004-12-14 Applied Materials Israel, Ltd. Method of and apparatus for line alignment to compensate for static and dynamic inaccuracies in scanning
ATE434982T1 (de) 2002-12-23 2009-07-15 Lithotech Medical Ltd Chirurgisches gerät zur entnahme eines fremdkörpers und verfahren zu dessen herstellung
US7025498B2 (en) * 2003-05-30 2006-04-11 Asml Holding N.V. System and method of measuring thermal expansion
US7271891B1 (en) 2003-08-29 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity
JP4767665B2 (ja) * 2005-01-05 2011-09-07 富士通セミコンダクター株式会社 レチクル検査装置およびレチクル検査方法
KR100701974B1 (ko) 2005-12-14 2007-03-30 나노전광 주식회사 광위상 간섭계를 이용한 포토마스크 표면의 헤이즈검출장치 및 그 검출방법
US8194232B2 (en) * 2007-07-24 2012-06-05 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method
JP5234308B2 (ja) * 2007-07-30 2013-07-10 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US20090051895A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, device manufacturing method, and processing system
US8023106B2 (en) * 2007-08-24 2011-09-20 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
US8867022B2 (en) * 2007-08-24 2014-10-21 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US7453274B1 (en) * 2007-10-09 2008-11-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Detection of defects using transient contrast
JP5048558B2 (ja) * 2008-03-14 2012-10-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 基板検査方法および基板検査装置
JP5525739B2 (ja) 2008-09-16 2014-06-18 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン検査装置及びパターン検査方法
JP5121642B2 (ja) * 2008-09-19 2013-01-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク検査装置及びマスク検査方法
JP5635309B2 (ja) * 2010-06-18 2014-12-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
JP5832345B2 (ja) * 2012-03-22 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
JP6259642B2 (ja) * 2013-11-06 2018-01-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 計測装置
JP2017187436A (ja) * 2016-04-08 2017-10-12 株式会社Screenホールディングス 底面位置検出装置、画像取得装置、底面位置検出方法および画像取得方法
JP2019120654A (ja) * 2018-01-11 2019-07-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4926489A (en) * 1983-03-11 1990-05-15 Kla Instruments Corporation Reticle inspection system
US4805123B1 (en) * 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
GB8705302D0 (en) * 1987-03-06 1987-04-08 Renishaw Plc Combined scale & interferometer
JP2851306B2 (ja) * 1989-07-20 1999-01-27 旭光学工業株式会社 テーブル搬送システム
NL9100215A (nl) * 1991-02-07 1992-09-01 Asm Lithography Bv Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
US5552888A (en) * 1994-12-02 1996-09-03 Nikon Precision, Inc. Apparatus for measuring position of an X-Y stage

Also Published As

Publication number Publication date
JP2956671B2 (ja) 1999-10-04
KR100291258B1 (ko) 2002-02-28
EP0919803B1 (de) 2007-04-11
US6169603B1 (en) 2001-01-02
JPH11160039A (ja) 1999-06-18
KR19990045542A (ko) 1999-06-25
EP0919803A1 (de) 1999-06-02
DE69837517D1 (de) 2007-05-24
TW390955B (en) 2000-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69837517T2 (de) Verfahren und kompaktes System zur hochgenauen Inspektion einer Photomaske
CN102096325B (zh) 光强衰减装置及其衰减方法
DE69738335T2 (de) Verfahren zur Detektion einer Oberflächenlage und Abtastbelichtungsverfahren unter Verwendung derselbe
DE60314484T2 (de) Untersuchungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE69631260T2 (de) Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
DE69839069T2 (de) Wiederholte projektion eines maskenmusters unter verwendung einer zeitsparenden höhenmessung
DE60113153T2 (de) Verfahren zur Messung der Ausrichtung eines Substrats bezüglich einer Referenz-Ausrichtmarke
DE2810025C2 (de)
DE102007017630B4 (de) Verfahren zum Steigern der Messgenauigkeit beim Bestimmen der Koordinaten von Strukturen auf einem Substrat
DE102014213198B4 (de) Verfahren zur Lokalisierung von Defekten auf Substraten
DE602005001011T2 (de) Methode zur Bestimmung der Aberration eines Projektionssystems eines Lithographieapparats
EP2193404B1 (de) Kalibrierung einer positionsmesseinrichtung einer optischen einrichtung
DE10320658A1 (de) Polarisationszustandserfassungssystem, Lichtquelle und Belichtungsgerät
DE3428408C2 (de)
DE112016004012T5 (de) Techniken und systeme für modellbasierte messungen der kritischen dimension
DE102008017645A1 (de) Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats
DE102014209455B4 (de) Verfahren zur Vermessung einer Lithographiemaske oder eines Masken-Blanks
DE19817714C5 (de) Verfahren zur Messung der Lage von Strukturen auf einer Maskenoberfläche
DE102007000981B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Vermessen von Strukturen auf einer Maske und zur Berechnung der aus den Strukturen resultierenden Strukturen in einem Photoresist
DE102015209173A1 (de) Verfahren zum herstellen eines objektivs für eine lithographieanlage sowie messvorrichtung
EP0040700B1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Prüfung optischer Abbildungssysteme
DE102004010363A1 (de) Verfahren und Meßgerät zur Bestimmung einer örtlichen Variation des Reflektions- oder Transmissionsverhaltens über die Oberfläche einer Maske
DE3907279A1 (de) Verfahren und einrichtung zum kalibrieren der von einem direkt abbildenden belichtungssystem erzeugten struktur
US4521686A (en) Linewidth measuring with linearity calibration of the T.V. camera tube
DE4101750C2 (de) Justierverfahren und -vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition