DE69821048T2 - Elektrostatische Linse mit Beschleunigung und Abbremsung zur variablen Fokussierung und Massenauflösung eines Ionenstrahls in einer Ionenimplantationsanlage - Google Patents

Elektrostatische Linse mit Beschleunigung und Abbremsung zur variablen Fokussierung und Massenauflösung eines Ionenstrahls in einer Ionenimplantationsanlage Download PDF

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich Allgemein auf das Gebiet der Ionenimplanter und mehr im Speziellen auf eine elektrostatische Linse zum variablen bzw. einstellbaren Fokussieren und Massenauflösen eines lonenstrahls in einem lonenimplanter, sowohl in den Beschleunigungs- als auch den Verzögerungsbetriebsarten bzw. Beschleunigungs- und Verzögerungsmoden.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Ionenimplantation ist die von der Industrie bevorzugte Technologie geworden, um Halbleiter bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen im großen Stil mit Verunreinigungen zu dotieren. Ionendosis und Ionenenergie sind die zwei wichtigsten Variablen die benutzt werden, um einen Implantationsschritt zu definieren. Ionendosis bezieht sich auf die Konzentration von implantierten Ionen für ein gegebenes Halbleitermaterial. Typischerweise werden Hochstrom-Implanter (im Allgemeinen mehr als 10 Milliampere (mA) Ionenstrahlstrom) für Hochdosis-Implantationen benutzt, während Mittelstrom-Implanter (im Allgemeinen fähig bis zu etwa 1 mA Strahlstrom) für Anwendungen niedrigerer Dosis benutzt werden.
  • Die Ionenenergie wird benutzt, um die Grenzzonen- bzw. Verbindungstiefe Qunction depth) in Halbleitergeräten bzw. -vorrichtungen zu steuern. Die Energieniveaus der Ionen, welche den Ionenstrahl darstellen, bestimmen den Grad der Tiefe der implantierten Ionen. Hochenergieprozesse, so wie diejenigen, welche benutzt werden, um retrograde Wannen (retrograde wells) in Halbleitervorrichtungen zu formen, erfordern Implantationen von bis zu einigen wenigen Millionen Elektronenvolt (MeV), während flache Verbindungen nur Energien unterhalb 1tausend Elektronenvolt (1 KeV) verlangen können.
  • Ein typischer Ionenimplanter umfasst drei Sektionen oder Untersysteme: (i) einen Anschluss zur Ausgabe eines Ionenstrahls, (ii) eine Strahllinie zum Massenauflösen und Einstellen des Fokus und des Energieniveaus des Ionenstrahls und (iii) eine Target- bzw. Zielkammer, welche die Halbleiterschei be bzw. den Halbleiterwafer enthält, der durch den Ionenstrahl implantiert werden soll. Die Strahllinie umfasst typischerweise eine massenauflösende Apertur fester Dimension und eine Beschleunigungs/Verzögerungslinse zum Fokussieren des Ionenstrahls. Der sich fortsetzende Trend zu kleineren und kleineren Halbleitervorrichtungen erfordert eine Strahllinienkonstruktion, welche dazu dient, hohe Strahlströme bei kleinen Energien zu liefern. Der hohe Strahlstrom sieht die notwendigen Dosisniveaus vor, während die niedrigen Energieniveaus flache Implantationen gestatten. Source/Drain-Verbindungen in Halbleitervorrichtungen erfordern zum Beispiel solch eine Hochstrom-Niederenergieanwendung.
  • Niederenergieionenstrahlen, welche sich durch eine gegebene Strahllinienkonstruktion fortpflanzen, leiden unter einer Bedingung, welche bekannt ist als Strahl-"Aufblähung bzw. Aufweitung", welche sich auf die Tendenz gleich geladener Ionen innerhalb des Ionenstrahls bezieht, sich gegenseitig abzustoßen (auch als Raumladungseffekt bekannt). Eine solche gegenseitige Abstoßung bewirkt, dass ein Strahl von andernfalls erwünschter Form weg vom beabsichtigten Strahllinienpfad divergiert. Strahlaufweitung ist insbesondere problematisch in Hochstrom-Niederenergieanwendungen, weil die hohe Konzentration von Ionen im Strahl (hoher Strom) die Kraft der gegenseitigen Abstoßung der Ionen übertreibt und die Fortpflanzungspotenziale (niedrige Energie) der Ionen unzureichend sind, um diesen gegenseitig abstoßenden Kräften entgegen zu wirken. Das Problem der Strahlaufweitung wächst mit wachsender Strahllinienlänge. Daher ist es ein Designziel von bevorzugten Strahllinienkonstruktionen, die Länge der Strahllinie zu minimieren.
  • Elektrostatische Linsen sind bekannt sowohl für das Beschleunigen als auch das Verlangsamen der Ionen in einem Ionenstrahl, um geeignete Energieniveaus zu erreichen, ebenso wie für das Fokussieren des Ionenstrahls, um den gegenseitig abstoßenden Ladungen entgegenzuwirken, welche für das Strahlaufweitungsphänomen verantwortlich sind. Typischerweise umfasst solch eine Linse eine Vielzahl von Elektroden von anwachsend größerem oder geringerem elektrischen Potenzial. Die individuellen Ionen innerhalb des Strahls werden bei Raten beschleunigt oder verzögert, welche von diesem Potienzialgradienten abhängen und Fokussieren wird durch die resultierenden elektrischen Felder erreicht, welche von den Elektroden ausgehen.
  • Ein Beispiel einer beschleunigenden/verzögernden fokussierenden elektrostatischen Linse ist im U.S. Patent Nr. 5,177,366 an King et, al. gezeigt, welches gemeinschaftlich zuerkannt ist dem Inhaber der vorliegenden Erfindung. Im King Patent sind eine massenauflösende Apertur und eine elektrostatische Linse durch ein Paar von Ablenkelektroden getrennt. Die massenauflösende Apertur weist Ionen aus dem Strahl zurück, welche ein nicht passendes Ladungs-zu-Masse Verhältnis haben. Die elektrostatische Linse wird in Verbindung mit einem unmittelbar strahlabwärts befindlichen Beschleuniger benutzt (i), um einen ionenstrahl, welcher anfangs durch ein Paar von Ablenkelektroden abgelenkt worden ist in orthogonalen Ebenen zu fokussieren und (ii) die Ionen im Strahl zu beschleunigen, um ein erwünschtes Implantationsenergie-Niveau zu erreichen. Die Fokussierung, die durch die Linse zu Stande gebracht wird, wird durch Variieren einer beliebigen der folgenden Größen eingestellt: der Spalt zwischen Elektroden, die Dicke der Elektroden, die Krümmung der Elektroden, das elektrische Potenzial der Elektroden oder die Dimensionen eines Schlitzes in einer ersten Elektrode, durch welchen der lonenstrahl passiert.
  • Variierung der Dimension des Schlitzes in einer Elektrode erfordert nichts desto weniger die Entfernung und Ersetzung von Platten, welche teilweise die Schlitzkonfiguration definieren. Entfernung und Ersetzung von Strahllinienkomponenten, um unterschiedliche Typen von Implantationsoperationen (d. h. verschiedene Strom- oder Energieniveaus) unterzubringen ist nichts desto weniger nicht wünschenswert, da die evakuierte Kammer, in welcher die Komponenten angeordnet sind, geöffnet werden muss. Das Öffnen der evakuierten Kammer erfordert unter Druck setzen auf Atmosphärendruck und nachfolgende erneute Evakuierung ebenso wie das Aussetzen des Inneren der Kammer gegenüber Kontamination..
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung einen elektrostatischen Linsenaufbau zum einstellbaren Massenauflösen in einer ersten Ebe ne und einstellbaren Fokussieren eines Ionenstrahls in der ersten Ebene und einer zweiten gegenseitig senkrechten oder orthogonalen Ebene vorzusehen, abhängig von Ionenstrahlstrom oder Energieniveaus, wobei dieser Aufbau insbesondere Anwendungen in Hochstrom-Niederenergie-Ionenimplantern hat.
  • Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, eine einstellbare elektrostatische Linsenunteranordnung vorzusehen, welche Elektroden hat, bei denen die Spalte, welche sich dazwischen befinden innerhalb eines Bereichs unendlich einstellbar sind, um Ionenstrahlfokussieren zu erleichtern, ohne Entfernung und Ersetzung von Linsenkomponenten zu erfordern.
  • Ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, Strahllinienlänge in einem Ionenimplanter zu minimieren, um Strahlaufweitungsbedingungen bzw. -zustände zu verhindern.
  • Noch ein weiteres Ziel der Erfindung ist es, eine einstellbare Linsenunteranordnung vorzusehen, welche eine variabel einstellbare elektrostatische Linse mit einer variabel einstellbaren auflösenden Apertur kombiniert, welch selbige Unteranordnung variables bzw. einstellbares Fokussieren in Verzögerungsbetriebsarten vorsieht, jedoch noch variables bzw. einstellbares Massenauflösen in Beschleunigungsbetriebsarten gestattet.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine elektrostatische Triodenlinse ist zur Benutzung in einem Ionenimplantationssystem vorgesehen. Die Linse umfasst eine Anschlusselektrode und eine einstellbare Linsenunteranordnung, welche eine Unterdrückungselektrode und eine Auflösungslektrode umfasst. Die Linsenunteranordnung ist nahe der Anschlusselektrode angeordnet, wo der Strahl eine minimale "Taille" in einer ersten (dispersiven) Ebene hat. Eine solche Anordnung minimiert die erforderten Spalte zwischen Elektroden und hilft dadurch, die Strahlaufweitung und die Elektronen-Verarmungsregion in der Verzögerungsbetriebsart zu minimieren.
  • Die Unterdrückungs- und Auflösungslektroden haben jeweils erste und zweite Teile, welche durch jeweilige Spalte getrennt sind. Ein Bewegungsmechanismus bewegt gleichzeitig die ersten Teile der Unterdrückungs- und Auflösungslektroden auf die zweiten Teile der Unterdrückungs- und Auflösungselektroden zu und respektive davon weg, um die Spalte dazwischen einzustellen. Die einstellbare Linsenunteranordnung konditioniert die Strahlausgabe durch die Anschlusselektrode, in dem sie (i) den Strahl variabel in gegenseitig orthogonalen (dispersiven und nicht-dispersiven) Ebenen in einer Verzögerungsbetriebsart (wo Massenauflösung weniger kritisch ist) fokussiert, während sie (ü) variable bzw. einstellbare Massenauflösung in der dispersiven Ebene in einer Beschleunigungsbetriebsart (wo Fokussieren weniger kritisch ist) erlaubt.
  • Im Allgemeinen wird der Spalt zwischen dem Auflösungselektrodenpaar eingestellt, um einstellbare Massenauflösung in der dispersiven Ebene in der Beschleunigungsbetriebsart zu erlauben. In der Beschleunigungsbetriebsart ist der fokussierende Effekt der Linsenunteranordnung wegen der "Steifigkeit" des Strahls und der reduzierten Tendenz zur Strahlaufweitung vernachlässigbar. Nichts desto weniger wird variable bzw. einstellbare Massenauflösung in der Beschleunigungsbetriebsart erreicht, in dem der Spalt zwischen dem Auflösungselektrodenpaar eingestellt wird. Indem die Fähigkeit gleichzeitiger Einstellung des Unterdrückungselektrodenspalts zusammen mit dem Auflösungselektrodenspalt vorgesehen wird, wird eine negative Unterdrückungsspannung auf der Spaltachse mit einer vernünftig kleinen Unterdrückungselektrodenspannung aufrecht erhalten, trotz der Existenz einer großen, positiven Spannung an der Anschlusselektrode, während variable bzw. einstellbare Massenauflösung noch erlaubt wird.
  • In der Verzögerungsbetriebsart funktioniert die Linsenunteranordnung so, dass sie den Ionenstrahl in gegenseitig orthogonalen (dispersiven und nichtdispersiven) Ebenen fokussiert. Einstellung des Auflösungselektrodenspalts sieht einstellbares Dispersiv-Ebenen-Fokussieren vor. Erhöhtes Fokussieren in der dispersiven Ebene wird durch Verringerung des Spalts der Auflösungselektrode erreicht. Einstellung der Spannung an der Unterdrückungselektrode gestattet einstellbares Nicht-Dispersiv-Ebenen-Strahlfokussieren. Im Allge meinen wird mehr Nicht-Dispersiv-Ebenen-Fokussieren erreicht, indem die Größe der negativen Spannung, welche an die Unterdrückungselektrode angelegt wird, erhöht wird.
  • Aspekte der Erfindung werden in den begleitenden Ansprüchen dargelegt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Draufsicht eines Ionenimplantationssystems, welches ein Ausführungsbeispiel einer elektrostatischen Triodenlinse gemäß der vorliegenden Erfindung inkorporiert;
  • 2 ist ein schematisches Diagramm, welches die Leistungsversorgungen zeigt, die benutzt werden, um Spannung für verschiedene Elemente des Systems aus 1 zu liefern;
  • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines einstellbaren Linsenunteranordnungsteils der Triodenlinse aus 1;
  • 4 ist eine explodierte Ansicht eines Teils der einstellbaren Linsenunteranordnung aus 3;
  • 5 ist eine detailliertere, Draufsicht der Triodenlinse des lonenimplantationssystems aus 1;
  • 6 ist eine Schnittansicht des einstellbaren Linsenunteranordnungsteils der Triodenlinse aus 5, welcher Längs der Linien 6–6 von 5 genommen ist;
  • 7 ist eine Schnittansicht der Elektrodenkomponenten der Triodenlinse von 5, welche Längs der Linien 7–7 von 5 genommen ist;
  • 8 ist eine Draufsicht der Elektrodenkomponenten der Triodenlinse aus 5;
  • 9 ist die Draufsicht der Elektrodenkomponenten aus 8, welche weiterhin den fokussierenden Effekt der Elektroden in der dispersiven Ebene eines Ionenstrahls zeigt, welcher hindurch passiert;
  • 10 ist die Schnittansicht der Elektrodenkomponenten von 7, welche weiterhin den fokussierenden Effekt der Elektroden in der nicht-dispersiven Ebene eines Ionenstrahls zeigt, welcher hindurch passiert.
  • Detaillierte Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels Bezugnehmend auf die Figuren offenbart 1 nun einen allgemein mit 10 bezeichneten Ionenimplanter, welcher eine Ionenquelle 12, einen Massen-Analysemagneten 14, einen Strahllinienaufbau 15 und eine Target- bzw. Ziel- oder Endstation 16 umfasst. Auf die Ionenquelle 12 und den Massen-Analysemagnet 14 wird gemeinsam mit ihren jeweiligen Leistungsversorgungen kollektiv als ein Anschluss bzw. Terminal 17 (siehe auch 2) Bezug genommen. Eine Anwendung der vorliegenden Erfindung ist in einem Niederenergieimplanter, so wie beispielsweise demjenigen, welcher in 1 gezeigt ist, worin die Strahllinienanordnung 15 wegen der Tendenz eines Niederenergiestrahls während der Propagation bzw. Fortpflanzung desselben zu diffundieren (d. h. "aufzuweiten") relativ kurz ist.
  • Die Ionenquelle 12 umfasst ein Gehäuse 18, welches eine Plasmakammer 20 definiert und einen Ionenextraktoraufbau 22. Der Strahllinienaufbau 15 umfasst ein Auflöser- bzw. Resolvergehäuse 23 und einen Strahlneutralisierer 24. Wie unten weiter erklärt wird, enthält das Auflösergehäuse 23 den Gegenstand der Erfindung. Der Strahlneutralisierer 24 funktioniert so, dass er die Strahlaufweitung minimiert. Strom abwärts vom Strahlneutralisierer 24 ist die Endstation 16, welche einen scheibenförmigen Waferträger 25 einschließt, auf welchem Wafer, die behandelt werden sollen, montiert werden. Der Waferträger 25 befindet sich in einer Targetebene, welche (im allgemeinen) senkrecht zur Richtung des Implantationsstrahls orientiert ist.
  • Die Ionenquelle 12 ist an einem L-förmigen Rahmen 26 montiert. lonisierbares Dotiersubstanzgas, welches entweder direkt in Form von komprimiertem Gas oder indirekt aus einer festen Form, welche verdampft worden ist, erhalten wird, wird in die Plasmakammer 20 eingesprüht bzw. eingespritzt. Typische Quellenelemente sind Bor (B), Phosphor (P), Gallium (Ga), Indium (In), Antimon (Sb) und Arsen (As). Die meisten dieser Quellenelemente werden in fes ter Form vorgesehen, mit Ausnahme von Bor, welches typischerweise in Form von gasförmigem Bor-Trifluorid oder Diboran vorgesehen wird. Energie wird in das ionisierbare Dotiersubstanzgas gegeben, um Ionen innerhalb der Plasmakammer 20 zu erzeugen. Im allgemeinen werden positive Ionen erzeugt, obwohl die vorliegende Erfindung auf Systeme anwendbar ist, in denen negative Ionen von der Quelle erzeugt werden. Die positiven Ionen werden durch einen Schlitz in der Plasmakammer 20 vom Ionenextraktoraufbau 22 extrahiert, welcher eine Vielzahl von Elektroden 27 umfasst. Die Elektroden werden mit negativen Potenzialspannungen geladen, welche in ihrer Größe anwachsen, wenn die Entfernung vom Plasmakammerschlitz anwächst. Dementsprechend funktioniert der Ionenextraktoraufbau so, dass er einen Strahl 28 von positiven Ionen aus der Plasmakammer extrahiert und die extrahierten Ionen in den Massen-Analysemagneten 14 beschleunigt, welcher vom Rahmen 26 getragen wird.
  • Der Massen-Analysemagnet 14 funktioniert so, dass er nur Ionen eines passenden Ladungs-zu-Masse Verhältnisses zum Auflöser- bzw. Resolvergehäuse 23 passieren lässt. Der Massen-Analysemagnet 14 wird benötigt, weil die Ionenquelle 12 zusätzlich zur Erzeugung von Ionen von passendem Ladungszu-Masse Verhältnis auch Ionen von größerem oder kleinerem Ladungs-zu-Masse Verhältnis als denjenigen das erwünscht ist, erzeugt. Ionen von nicht passendem Ladungs-zu-Masse Verhältnis sind für die Implantation in einen Wafer nicht geeignet.
  • Der Massen-Analysemagnet 14 schließt einen gekrümmten bzw. gekurvten Strahlpfad 29 ein, welcher durch eine Aluminium-Strahlführung 30 definiert ist, deren Evakuierung durch eine Vakuumpumpe 31 vorgesehen ist. Der Ionenstrahl 28, welcher sich längs dieses Pfades fortpflanzt, wird vom magnetischen Feld, welches vom Massen-Analysemagneten 14 erzeugt wird, beeinflusst. Die Stärke und Orientierung dieses Magnetfeldes wird durch Steuerelektronik 32 gesteuert, welche den elektrischen Strom durch die Feldwindungen des Magneten 14 durch den Magnetconnector bzw. Magnetanschluss 33 steuert. Teilweises Fokussieren des Ionenstrahls durch den Magneten 14, wird in der "dispersiven" Ebene (die Ebene des gekrümmten Strahlpfades 29) nur erreicht, in dem ein Gradient im magnetischen Feld (d. h., "Indizierung") erzeugt wird, oder indem die Eingangs- oder Ausgangspole des Magneten 14 gedreht werden.
  • Das magnetische Feld bewirkt, dass der Ionenstrahl 28 sich längs eines gekrümmten Strahlpfades 29 von einer ersten oder Eingangs-Trajektorie 34 nahe der Ionenquelle 12 zu einer zweiten oder Ausgangs-Trajektorie 35 nahe dem Auflösungsgehäuse 23 bewegt. Teile 28' und 28" des Strahls 28, welche zusammengesetzt sind aus Ionen, welche ein nicht passendes Ladungs-zu-Masse Verhältnis haben, werden von der gekrümmten Trajektorie weg und in die Wände der Aluminiumstrahlführung 30 abgelenkt. Auf diese Weise lässt der Magnet 14 nur diejenigen Ionen im Strahl 28 zum Auflösungsgehäuse 23 passieren, welche das erwünschte Ladungs-zu-Masse Verhältnis haben.
  • Die Eingangs- und Ausgangs-Trajektorien 34, 35 des Ionenstrahls 28, welche in der Ebene des gekrümmten Strahlpfades 29 sind, liegen in der dispersiven Ebene. Die "nicht-dispersive" Ebene ist hierin definiert, als die Ebene, welche sich sowohl senkrecht zur dispersiven Ebene als auch zur Targetebene befindet. Dementsprechend führt der Magnet 14 Massenanalyse in der dispersiven Ebene durch, in dem er Ionen von nicht passendem Ladungs-zu-Masse Verhältnis aus dem Strahl entfernt und den Strahl von der Eingangstrajektorie 34 zur Ausgangstrajektorie 35 und auf die Targetebene, in welcher der Wafer liegt, umlenkt.
  • Das Auflösungsgehäuse 23 enthält eine elektrostatische Linse 36, welche gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung konstruiert ist, welche den Ionenstrahl 28, der vom Magneten 14 ausgegeben wird, massenmäßig auflöst und fokussiert. Die elektrostatische Linse 36 ist als eine Triple- bzw. Dreifachelektroden- (Trioden-) Konfiguration konstruiert, welche ein Anschlusselektrodenpaar 37, ein Unterdrückungselektrodenpaar 38 und ein Erd- oder Auflösungselektrodenpaar 39 umfasst. Das Anschlusselektrodenpaar ist fest am Terminal bzw. Anschluss 17 angebracht, und operiert bei dessen Spannung (positiv in der Beschleunigungsbetriebsart und negativ in der Verzögerungsbetriebsart). Jede von dem Paar der Unterdrückungselektroden 38, so wie je de von dem Paar der Erdelektroden 38 (39) ist aufeinander zu und voneinander weg bewegbar, um den Spalt dazwischen einzustellen, wie unten mit Bezug auf 3 weiter erklärt ist. Die Unterdrückungselektrode 37 operiert bei einem negativen Potenzial und die Auflösungselektrode 39 ist bei Erdpotenzial (Null Volt).
  • Auf die Unterdrückungs- und Auflösungselektrodenpaare 38, 39 wird kollektiv Bezug genommen als die einstellbare Linsenunteranordnung 40. Das Auflösungsgehäuse 23 definiert eine Kammer 41, in welcher sich die elektrostatische Linse 36 befindet, ebenso wie ein Dosimetrieanzeiger, so wie zum Beispiel eine Faraday-Fahne bzw. ein Faraday flag 42 (welcher keinen Teil der vorliegenden Erfindung darstellt). Die Kammer 41 wird durch eine Vakuumpumpe 43 evakuiert. Der benachbarte Strahlneutralisierer 24 definiert eine Kammer 44, welche eine Elektronendusche 45 einschließt. Die Elektronendusche 45 neutralisiert die positive Ladung, welche sich andernfalls auf dem Targetwafer als ein Ergebnis des Implantiertwerdens durch den positiv geladenen Ionenstrahl 28 ansammeln würde.
  • Der scheibenförmige Waferträger 25 an der Endstation 16 wird vom Motor 46 gedreht. Der Ionenstrahl schlägt daher auf Wafern auf, welche an dem Träger montiert sind, während sie sich in einem kreisförmigen Pfad bewegen. Die Endstation 16 ist längs einer Achse 47 schwenkbar, welche im allgemeinen parallel zum Pfad des Ionenstrahls ist, so dass die Targetebene um diese Achse einstellbar ist. Auf diese Weise kann der Winkel der Ionenimplantation leicht aus der Normalen modifiziert werden.
  • Die einstellbare Linsenunteranordnung 40 funktioniert so, dass sie den Ionenstrahl (speziell im Verzögerungsmodus) fokussiert und den Ionenstrahl (speziell im Beschleunigungsmodus) massenmäßig auflöst. Die Unteranordnung 40 ist unmittelbar stromabwärts von der Anschlusselektrode 37 angeordnet, weil der Ionenstrahl an diesem Ort eine minimale Dimension (d. h. eine "Taille") in der dispersiven Ebene hat. Eine solche Positionierung minimiert die erforderten Spalte zwischen Elektroden und hilft daher, die Strahlaufweitung und die Elektronen-Verarmungsregion in der Verzögerungsbetriebsart zu minimieren.
  • In der Beschleunigungsbetriebsart funktioniert die Linse 35 hauptsächlich als Massenauflöser (Fokussieren weniger kritisch) und in der Verzögerungsbetriebsart funktioniert die Linse 35 hauptsächlich als ein fokussierendes Element (Massenauflösung weniger kritisch). Dementsprechend kann die Linse 35 sowohl im Beschleunigungsmodus (von 10 – 30 Kilovolt (kV) bis zu 90 kV bei 25 mA) als auch in der Verzögerungsbetriebsart (von 2 – 5 kV bis hinab zu 0.5 kV bei 2 mA) des Ionenimplantationsystems 10 benutzt werden.
  • Beide Betriebsarten werden möglich gemacht durch Einstellung variabler bzw. einstellbarer Hochspannungs-Leistungsversorgungen, welche in das System 10 inkorporiert sind, wie in 2 gezeigt. Eine erste Leistungs- bzw. Spannungsversorgung PS1 (Power Supply) liefert Leistung bzw. Spannung (+V1) an die Quelle 12, eine zweite Leistungs- bzw. Spannungsversorgung PS2 liefert Leistung bzw. Spannung (-V2) an den Anschluss bzw. Terminal 17, und eine dritte Leistungs- bzw. Spannungsversorgung PS3 liefert Leistung bzw. Spannung (-V3) an die Unterdrückungselektrode 38 der elektrostatischen Linse 36. Nur als Beispiel operiert PS1 von etwa 0.5 bis 90 kV, PS2 operiert von etwa –2 kV bis –30 kV und PS3 operiert von etwa –5 kV bis –25 kV.
  • Wiederum als Beispiel operiert PS1 in der Beschleunigungsbetriebsart bei 90 kV, welche direkt an die Quelle 12 angelegt werden. PS2 operiert bei –30 kV, was, gekoppelt mit PS1 60 kV (90 kV – 30 kV) an den Magneten 14 anlegt. Dementsprechend operiert der Anschluss bzw. Terminal bei 60 kV, welches die Spannung der Anschlusselektrode 37 ist. Elektrische Isolatorbuchsen 48 isolieren den Anschluss 17 von der Systemeinfassung (Erd-Erdung bzw. Erdpotenzial) und die elektrische Isolatorbuchse 49 isoliert den Anschluss 17 vom Auflösungsgehäuse 23 (ebenfalls Erdpotenzial). Der Ionenstrahl, welcher anfänglich durch den Abfall im Spannungspotenzial von 30 kV von der Quelle 12 zum Magneten 14 beschleunigt wird, wird auf seinem Weg zum Targetwafer bzw. Zielwafer in der Endstation, welche bei einem weiteren negativen Poten zial (Erdpotenzial) bezüglich des Terminals bzw. des Anschlusses ist, weiter beschleunigt.
  • In der Verzögerungsbetriebsart operiert PS1 bei 0.5 kV, was direkt an die Quelle 12 angelegt wird. PS2 operiert bei –5 kV, was gekoppelt mit PS1 –4.5 kV (0.5 kV – 5 kV) an den Magneten anlegt. Dementsprechend operiert der Anschluss bzw. Terminal bei –4.5 kV, welches die Spannung der Anschlusselektrode 37 ist. Der Ionenstrahl, welcher anfangs durch den Abfall im Spannungspotenzial von 5 kV von der Quelle 12 zum Magneten 14 beschleunigt wird, wird dann auf seinem Weg zum Targetwafer bzw. Zielwafer in der Endstation, welche sich bezüglich des Terminals auf einem positiven Potenzial (Erdpotenzial) befindet, verzögert bzw. verlangsamt.
  • 34 zeigen in größerem Detail die einstellbare Linsenunteranordnung 40, welche das Unterdrückungselektrodenpaar 38A, 38B und das Auflösungselektrodenpaar 39A, 39B enthält, nicht jedoch das Anschlusselektrodenpaar 37A, 37B, (welche fest am Anschluss bzw. Terminal 17 angebracht sind). Wie in 3 gezeigt, sind die Elektrodenpaare 38 und 39 so angeordnet, dass ein Ionenstrahl, welcher die zweite Trajektorie 35 aus dem Massen-Analysemagneten 14 und dem Anschlusselektrodenpaar (37A, 37B) heraus durchläuft, sukzessive durch und zwischen Spalten zwischen dem Unterdrückungselektrodenpaar 38 (38A und 38B) und dem Auflösungselektrodenpaar 39 (39A und 39B) passiert.
  • Wie in 4 gezeigt, sind die Auflösungselektroden 39A und 39B direkt jeweils an wassergekühlte Stahlblöcke 50A und 50B montiert, unter Benutzung geeigneter Befestigungen so wie zum Beispiel Schrauben (nicht gezeigt). Die Unterdrückungselektroden 38A und 38B sind jeweils durch Isolatoren 52A und 52B direkt an die Auflösungselektroden 39A und 39B montiert. L-förmige Klammern 54A und 54B, welche jeweils zwischen Block 50A und Auflösungselektrode 39A und zwischen Block 50B und Auflösungselektrode 39B angebracht sind, sehen Endplatten 56 und 58 vor, welche so funktionieren, dass sie die Enden des Spalts zwischen den Elektroden 39A und 39B (siehe auch 7 und 10) schließen.
  • Das Mittel um den Spalt d38 zwischen dem Unterdrückungselektrodenpaar 38A und 38B und den Spalt d39 zwischen den Auflösungselektroden 39A und 39B (siehe 8) einzustellen, ist durch gleitbare bzw. gleitende Wellen 60 und 62 vorgesehen, welche sich unabhängig voneinander in Richtungen längs der Achsen derselben bewegen. Die jeweiligen Spalte zwischen den Unterdrückungs- und Auflösungselektrodenpaaren werden dadurch selektiv einstellbar gemacht. Der erwünschte Spaltabstand wird abhängig vom erwünschten Fokussierungs- und Massenauflösungseffekt der Linse und dem erwünschten Energieniveau des Ionenstrahls ausgewählt.
  • Die Wellen 60 sind an den Orten der Löcher 64 direkt an den wassergekühlten Stahlblock 50B gekoppelt und daher indirekt an die Auflösungselektrode 39B und die Unterdrückungselektrode 38B. Die Wellen 62 sind an den Orten der Löcher 66 direkt an den wassergekühlten Stahlblock 50A gekoppelt und daher indirekt an die Auflösungselektrode 39A und die Unterdrückungselektrode 38A. Der Mechanismus, welcher Gleitbewegung der Wellen 60 und 62 in Richtungen längs der Achsen derselben erlaubt, ist nicht gezeigt, obwohl jeder beliebige geeignete Mechanismus so wie beispielsweise ein Servomotor benutzt werden kann. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein Paar von Servomotoren, welche außerhalb des Auflösungsgehäuses 23 angeordnet sind, jeweils mit den Wellen 60 und 62 verbunden. Solch ein Mechanismus sieht ein Mittel zur simultanen Einstellung der Abstände d38 und d39 vor, welche innerhalb eines gegebenen Bereichs unendlich einstellbar sind.
  • 5 und 6 sehen eine detailliertere Illustration der Art und Weise vor, in welcher die elektrostatische Triodenlinse 36 an das Auflösergehäuse 23 gekoppelt und innerhalb der Auflösungskammer 41 positioniert ist. Wie in 5 gezeigt, ist das Auflösergehäuse 23 mit Bolzen 68 an der Buchse 49 angebracht, welche das Gehäuse 23 vom Anschluss bzw. Terminal 17 isoliert. Eine Dichtung 70 ist vorgesehen, um die Integrität des Vakuums innerhalb des Gehäuses 23 aufrecht zu erhalten.
  • Die Terminalelektroden 37A und 37B, welche aus Graphit gemacht sind, sind mittels einer Vielzahl von Abstandsbolzen 72 am Terminal 17 angebracht, welche Aluminiumschubstangen 74 umfassen, die mit Graphit 76 beschichtet sind. Ein Schild- bzw. Abschirmmaterial 78 umgibt die Vielzahl von Abstandsbolzen 72, um die Abstandsbolzen vom Auflösergehäuse besonders in der Verzögerungsbetriebsart elektrisch abzuschirmen. Isolierende Ablenkplatten 80A und 80B isolieren jeweils die Anschlusselektroden 37A und 37B elektrisch vom Auflösergehäuse 23. Rückhalteglieder 82 und 84 sind an jeder Seite der isolierenden Ablenkplatten 80A und 80B angeordnet und erhalten deren Position aufrecht.
  • Die einstellbare Linsenunteranordnung 40 ist mittels einer Klammer 86, welche fest am Gehäuse 23 angebracht ist, am Auflösergehäuse 23 angebracht. Die Klammer 86 umfasst Nylonlager 88, welche Gleitbewegung der gleitbaren Schubstangen 60 und 62 längs der Achsen derselben erlauben. Eine Dichtung 90 ist vorgesehen, um die Integrität des Vakuums innerhalb des Gehäuses 23 aufrecht zu erhalten. Erweiterbare Vakuumdichtungen 92 erlauben es, dass das Vakuum aufrecht erhalten wird, während sie Gleitbewegung der Schubstangen 60 und 62 in die und aus der Auflösungskammer 41 heraus erlauben. Trageglieder 94 und 96 tragen jeweils die gleitbaren Schubstangen 60 und 62 innerhalb der Auflösungskammer 41. Trageglieder 98 bzw. 100 tragen jeweils die gleitbaren Schubstangen 60 und 62 außerhalb der Auflösungskammer 41. Die Ausrichtungskupplung 101 gestattet die richtige Ausrichtung der Wellen 60, 62.
  • 7 zeigt die Räume zwischen den Elektrodenelementen der Triodenlinse 36 und 8 zeigt die Spalte zwischen den selben Element-Elektrodenpaaren in der Triodenlinse, was die Anschlusselektrode 37 und die einstellbare Linsenunteranordnung 40 (einschließlich der Unterdrückungselektrode 38 und der Auflösungselektrode 39) einschließt. 7 zeigt die Anschlusselektrode 37B, die Unterdrückungselektrode 38B und die Auflösungselektrode 39B, welche alle aus Graphit gemacht sind, um die Effekte des Sputtering bzw. der Zerstäubung zu reduzieren. Der Raum 104 trennt die Elektroden 37B und 38B und der Raum 106 trennt die Elektroden 38B und 39B. Die Endplatten 56 und 58 sind an den oberen und unteren bzw. Decken- und Bodenenden der Elektrode 39B gezeigt. Die Räume 104 und 106 und die Endplatten 56 und 58 erstrecken sich in die Ebene von 7 und sind daher dieselben für die entsprechenden Elektroden 37A, 38A und 39A.
  • Die Breiten W1 und W2 der Räume 104 und 106 sind im offenbarten Ausführungsbeispiel jeweils 15 Millimeter (mm) und 5 mm. Die Breite W2 ist definiert durch korrespondierende, gegenüberliegende, gekrümmte Oberflächen 108B und 110B jeweils auf den Unterdrückungs- und Auflösungselektroden 38B und 39B. Die Unterdrückungs- und Auflösungselektroden 38A und 39A sind auf ähnliche Weise jeweils mit gekrümmten Oberflächen 108A und 110A vorgesehen. Die Breiten der Elektroden 37B (W3), 38B (W4) und 39B (W5) sind jeweils 2 mm, 20 mm (in der Mitte) und 30 mm (in der Mitte). Die Breiten der Elektroden 37A, 38A und 39A sind identisch.
  • 8 zeigt die Spalte zwischen den individuellen Elektroden, welche jedes Elektrodenpaar 37, 38 und 39 formen. Die Abstände zwischen den individuellen Elektrodengliedern in jedem Paar sind jeweils dargestellt bzw. repräsentiert als d37, d38 und d39. Im bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der feste Abstand d37 zwischen den Anschlusselektroden 37A und 37B ungefähr 66 mm. Der Abstand d38 zwischen den Unterdrückungselektroden 38A und 38B und der Abstand d39 zwischen den Auflösungselektroden 39A und 39B, sind nichts desto weniger wie oben erklärt abhängig variierbar.
  • Um den Effekt der Ablagerung und Zerstäubung von Querverunreinigungen bzw. Fremdverunreinigungen (cross-contaminants) auf den Elektroden 38 und 39 zu reduzieren, sind Kerben 112A und 112B jeweils in die Unterdrückungselektroden 38A und 38B geschnitten und Kerben 114A und 114B sind jeweils in die Auflösungselektroden 39A und 39B geschnitten. Die Kerben 112 und 114 minimieren das Oberflächengebiet, welches die Spalte definiert, die jeweils von den Abständen d38 und d39 repräsentiert werden, ohne die Fokussierungsfähigkeiten der Triodenlinse 36 nachteilig zu beeinflussen.
  • Die Anschlusselektrode 37 der Triodenlinse 36 funktioniert in Verbindung mit dem Massen-Analysemagneten 14 so, dass sie nicht erwünschbare Ionenspezies aus dem Ionenstrahl eliminiert, welche dem Magneten entkommen sind, welche jedoch ein Ladungs-zu-Masse Verhältnis haben, welches dem erforderten Verhältnis nahe jedoch nicht identisch ist. Entsprechend löst die Anschlusselektrode 37 den Ionenstrahl in der dispersiven Ebene weiterhin auf und definiert weiterhin die Form des Ionenstrahls 28 beim Potenzial des Terminals bzw. des Anschlusses 17. Die einstellbare Linsenunteranordnung 40 konditioniert diesen definierten Strahl vom Terminal, in dem sie (i) den Strahl variabel sowohl in der dispersiven als auch der nicht-dispersiven Ebene in einer Verzögerungsbetriebsart fokussiert, während sie (ii) variable bzw. einstellbare Massenauflösung in der dispersiven Ebene in einer Beschleunigungsbetriebsart erlaubt. Im allgemeinen wird der Spalt d39 zwischen dem Auflösungselektrodenpaar 39 eingestellt, um einstellbare Massenauflösung in der dispersiven Ebene in der Beschleunigungsbetriebsart zu erlauben, in welcher Strahlfokussieren weniger kritisch ist. In der Verzögerungsbetriebsart in welcher Massenauflösung weniger kritisch ist, sieht die Einstellung des Spalts d39 einstellbares Dispersiv-Ebenen-Fokussieren vor, während die Spannung auf der Unterdrückungselektrode 38 eingestellt wird um einstellbares Nicht-Dispersiv-Ebenen-Strahlfokussieren zu erlauben.
  • In der Beschleunigungsbetriebsart bewirkt die Krümmung der Äquipotenziallinien nahe dem Eingang der Triodenlinse 36 anfangs, dass der hereinkommende Ionenstrahl in der dispersiven Ebene fokussiert wird. (Die Äquipotenziallinien sind senkrecht zu den elektrischen Feldlinien, welche aus den Elektroden austreten, da das elektrische Feld entgegengesetzt zum Gradienten des elektrischen Potenzials ist.) Nichts desto weniger wird ein entgegenwirkender defokussierender Effekt durch die entgegengesetzte Krümmung der Äquipotenziallinien nahe dem Ausgang der Linse bewirkt. Dieser entgegenwirkende defokussierende Effekt ist weniger bzw. geringer als der fokussierende Effekt, weil die entgegengesetzte Krümmung (ebenso wie die Feldstärke) auf der Spaltachse geringer ist als sie es näher an den Elektroden ist, und weil der eintretende Ionenstrahl mehr auf diese Spalt-Mittelachse hin fokussiert worden ist. Insgesamt ist dieser fokussierende und defokussierende Ef fekt der Linse 36 in der Beschleunigungsbetriebsart vernachlässigbar in der dispersiven Ebene (ebenso wie in der nicht-dispersiven Ebene) wegen der "Steifigkeit" des Ionenstrahls und der reduzierten Tendenz zur Strahlaufweitung.
  • Nichts desto weniger wird in der Beschleunigungsbetriebsart variable bzw. einstellbare Massenauflösung erreicht, in dem der Spalt d39 zwischen dem Auflösungselektrodenpaar 39 eingestellt wird. In dem die Fähigkeit zur gleichzeitigen Einstellung des Unterdrückungselektrodenspalts d38 zusammen mit dem Auflösungselektrodenspalt d39 vorgesehen wird, wird eine negative Unterdrückungsspannung auf der Achse mit einer vernünftig kleinen Unterdrückungselektrodenspannung (–10 kV bis –15 kV) aufrecht erhalten, trotz der Existenz der großen positiven Spannung an der Anschlusselektrode 37, während variable bzw. einstellbare Massenauflösung noch gestattet wird. Zum Beispiel kann durch gleichzeitiges Einstellen der Abstände d38 und d39 ein Dispersiv-Ebenen-Feldpotenzial bei einer Mittelachse der Linse von –165 V erhalten werden, wenn nur –12 KV an die Unterdrückungselektrode 38 angelegt werden.
  • In der Verzögerungsbetriebsart funktioniert die Triodenlinse 36 so, dass sie den Ionenstrahl sowohl in den dispersiven (9) als auch den nichtdispersiven (10) Ebenen fokussiert. Mit Bezug auf 9 wird ein eintretender Ionenstrahl 116, welcher sich längs des einfallenden Strahlpfades 35 fortpflanzt, anfänglich in der dispersiven Ebene durch die Krümmung der Äquipotenziallinien 118 nahe dem Eingang der einstellbaren Linsenunteranordnung 40 defokussiert. Nichts desto weniger wird ein größerer, entgegenwirkender, fokussierender Effekt durch die entgegengesetzte Krümmung der Äquipotenziallinien nahe dem Ausgang der Linse bewirkt. Dieser entgegenwirkende, fokussierende Effekt ist größer als der anfängliche defokussierende Effekt, weil die entgegengesetzte Krümmung (ebenso wie die Feldstärke) näher an den Elektroden größer ist als sie es auf der Achse ist, und weil der eintretende Ionenstrahl auf diese Elektroden zu defokussiert. worden ist. An diesem Punkt hat sich der Ionenstrahl hinab bis zu ungefähr 0.5 kV verlangsamt und ist daher sowohl hoch sensitiv gegenüber Äquipotenziallinienkrümmung als auch hoch empfänglich für Strahlaufweitung. Erhöhte Fokussierung in der dispersiven Ebene wird erreicht in dem der Spalt d39 der Auflösungselektrode 39 verringert wird, was die Feldstärke und die Krümmung der Äquipotenziallinien und daher die Stärke der Dispersiv-Ebenen-Fokussierung erhöht.
  • Mit Bezug auf 10 wird Fokussieren im Verzögerungsmodus in der nichtdispersiven Ebene durch die gekrümmten Oberflächen 108 und 110 der jeweiligen Unterdrückungs- und Auflösungselektroden 38 und 39 (7) erreicht. Die Spannung, die an die Unterdrückungselektrode 38 angelegt wird, resultiert in entsprechend gekrümmten Äquipotenziallinien 118 (10). nichtdispersives Fokussieren ist nicht sensitiv gegenüber der Breite W5 der Auflösungselektrode 39 oder ihrer endgültigen Ausgangskonfiguration, weil sie bei Erdpotenzial (Null Feld) ist. Die Auflösungselektrode 39 ist nichts desto weniger mit einer zweiten gekrümmten Oberfläche 120 vorgesehen, welche unnötiges Abschneiden des fokussierten Ionenstrahls 122 vermeidet, der von der Linse 36 ausgegeben wird.
  • Die Endplatten 56 und 58 dienen dazu, die Krümmung der Äquipotenziallinien 118 in der nicht-dispersiven Ebene innerhalb des Elektrodenspalts zu erhöhen, wobei sie effektiv Fokussierungs-Aberrationen entfernen, in dem sie konsistentes Nicht-Dispersiv-Ebenen-Fokussieren unabhängig von der Position innerhalb der dispersiven Ebene bewirken. Das Fokussieren in der nichtdispersiven Ebene wird eingestellt, in dem die Spannung, welche an die Unterdrückungselektrode 38 angelegt wird, typischerweise innerhalb des Bereichs von –10 bis –25 Kilovolt (kV) geändert wird. Im allgemeinen wird mehr Nicht-Dispersiv-Ebenen-Fokussieren erreicht, in dem die Größe der negativen Spannung erhöht wird, was die Krümmung der Äquipotenziallinien 118 nahe dem Ausgang der Linse erhöht.
  • Die Steuerung sowohl der Dispersiv-Ebenen- als auch der Nicht-Dispersiv-Ebenen-Fokussierung kann in der Verzögerungsbetriebsart unter Benutzung der offenbarten Erfindung relativ leicht erreicht werden. Zuerst wird die Nicht-Dispersiv-Ebenen-Fokussierung eingestellt, in dem die Unterdrückungselektrodenspannung geändert wird. Dann wird die Einstellung der Dispersiv- Ebenen-Fokussierung erreicht, in dem der Auflösungselektrodenspalt d39 eingestellt wird (d. h. in dem gleichzeitig die Abstände d38 und d39 geändert werden). Bewegung der Unterdrückungselektrode 38 zusammen mit der Auflösungselektrode 39 behindert nicht den fokussierenden Effekt in der Verzögerungsbetriebsart. Anfänglich wird der einstellbare Abstand d38 auf ungefähr 50 mm gesetzt und der einstellbare Abstand d39 wird auf 10 mm weniger, oder ungefähr 40 mm gesetzt.
  • Daher bleibt die erfindungsgemäße Triodenlinse 36, obwohl sie insbesondere nützlich ist in Hochstrom- (15 bis 20 Milliamp.), Niederenergie- (hinab bis 0.5 KeV) Anwendungen (Verzögerungsmodus) in Anwendungen höherer Energie (Beschleunigungsmodus) nützlich. In beiden Typen von Anwendungen ist die Breite des Ionenstrahls ungefähr 4 Zentimeter (cm) in der dispersiven Ebene und 10 cm in der nicht-dispersiven Ebene. Der Fokus des Ionenstrahls ist 10 cm stromabwärts für Dispersiv-Ebenen-Fokussierung und 5 Meter (m) stromaufwärts für Nicht- Dispersiv-Ebenen-Fokussierung.
  • Entsprechend ist ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer einstellbaren elektrostatischen Linse zum variablen bzw. einstellbaren Fokussieren und variablen bzw. einstellbaren Massenauflösen eines Ionenstrahls beschrieben worden. Im Bewusstsein der vorangehenden Beschreibung versteht es sich nichts desto weniger, dass sich diese Beschreibung nur auf ein Beispiel bezieht, dass die Erfindung nicht auf die speziellen Ausführungsbeispiele, welche hierin beschrieben worden sind, begrenzt ist, und dass verschiedene Neuanordnungen, Modifikationen und Ersetzungen bezüglich der vorausgehenden Beschreibung implementiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen, wie er durch die folgenden 20999 Ansprüche definiert ist.

Claims (17)

  1. Eine einstellbare Linsenunteranordnung (40) zur Verwendung in einer Strahllinienanordnung zwischen einem Anschluss und einer Endstation eines Ionenimplantationssystems und zum einstellbaren Massenauflösen eines Ionenstrahls in einer ersten Ebene und zum einstellbaren Fokussieren des Ionenstrahls in der ersten Ebene und in einer orthogonalen zweiten Ebene, wobei die Linsensubanordnung (40) innerhalb des erwähnten Anschlusses angeordnet ist und Folgendes aufweist: (i) eine Unterdrückungselektrode (38), an die eine variable Spannung angelegt werden kann, wobei die Elektrode (38) erste und zweite Teile (38A, 38B) aufweist, die dazwischen einen Spalt (d38) bilden, durch den der Ionenstrahl läuft; (ii) eine Auflösungselektrode (39) mit ersten und zweiten Teilen (39A, 39B), die dazwischen einen Spalt (d39) definieren, durch den der Ionenstrahl läuft; und (iii) einen Bewegungsmechanismus (60, 62) zur Aufprägung einer simultanen Bewegung der ersten Teile der Unterdrückungs- und Auflösungselektroden (38A, 39A) zu und weg von den zweiten Teilen der Unterdrückungs- bzw. Auflösungselektroden (38B, 39B).
  2. Die Linsenunteranordnung (40) nach Anspruch 1, wobei die ersten Teile (38A, 39A) der Unterdrückungselektrode (38) bzw. der Auflösungselektrode (39) entsprechende gekrümmte Oberflächen (108A, 110A) aufweisen, die zueinander hinweisen, und wobei die zweiten Teile (38B, 39B) der Unterdrückungselektrode (38) bzw. der Auflösungselektrode (39) entsprechende gekrümmte Oberflächen (108B, 110B) aufweisen, die aufeinander zu weisen.
  3. Die Linsenunteranordnung (40) nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten Teile (38A, 38B) der Unterdrückungselektrode (38) genutete Oberflächen (112A, 112B) aufweisen, die aufeinander zu weisen und durch die der Ionenstrahl läuft.
  4. Die Linsenunteranordnung (40) nach Anspruch 1, wobei die Spalte (d38 und d39) unendlich bzw. unbeschränkt innerhalb eines gegebenen Bereichs einstellbar sind.
  5. Die Linsenunteranordnung (40) nach Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten Teile (39A, 39B) der Auflösungselektrode (39) genutete Oberflächen (114A, 114B) aufweisen, die aufeinander zu weisen und durch die der Ionenstrahl läuft.
  6. Die Linsenunteranordnung (40) nach Anspruch 5, wobei ferner eine erste Endplatte (56) zwischen den ersten Enden der ersten und zweiten Teile (39A, 39B) der Auflösungselektrode (39) angeordnet sind, und wobei eine zweite Endplatte (58) angeordnet ist zwischen den zweiten Enden der ersten und zweiten Teile (39A, 39B) der Auflösungselektrode (58), und zwar derart, dass die ersten und zweiten Endplatten (56, 58) und die genuteten Oberflächen (114A, 114B) einen Kanal bilden, durch den der Ionenstrahl läuft.
  7. Die Linsenunteranordnung (40) nach Anspruch 5, wobei die Auflösungselektrode (39) auf einem elektrischen Erdpotential gehalten wird.
  8. Die Linsenunteranordnung (40) nach Anspruch 5, wobei die ersten und zweiten Teile (39A, 39B) der Auflösungselektrode (39) mit zweiten gekrümmten Oberflächen (120A, 120B) versehen sind, die sich im Allgemeinen parallel zu den ersten gekrümmten Oberflächen (110A, 110B) erstrecken.
  9. Eine elektrostatische Triodenlinse (36) zur einstellbaren Massenauflösung eines Ionenstrahls in einer ersten Ebene und zur einstellbaren Fokussierung des Ionenstrahls in der ersten Ebene und einer orthogonalen zweiten Ebene, wobei die Linse (36) Folgendes aufweist: eine Anschlusselektrode (37) mit ersten und zweiten Teilen (37A, 37B) mit einem Spalt (d37) dazwischen, durch den der Ionenstrahl läuft; und eine einstellbare Linsensubanordnung (40) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die Unterdrückungselektrode zwischen den erwähnten Anschluss- und Auflösungselektroden angeordnet ist.
  10. Die Triodenlinse nach Anspruch 9 bei Abhängigkeit von Anspruch 7, wobei die Anschlusselektrode (37) entweder auf einer positiven Spannung während einer Beschleunigungsbetriebsart (Mode) des Betriebs des Systems (10) oder auf einer negativen Spannung während einer Verzögerungsbetriebsam (Mode) des Betriebs des Systems gehalten wird.
  11. Ein Ionenimplantationssystem (10), welches Folgendes aufweist: einen Anschluss (17) zum Emittieren eines Ionenstrahls; einen Strahllinienabschnitt (15) zur Führung des Ionenstrahls emittiert von dem Anschluss; und eine Ziel- oder Targetstation (16) zum Empfang des durch den Strahllinienabschnitt geführten Ionenstrahls, wobei der Strahllinienabschnitt (15) eine elektrostatische Linse (36) gemäß Anspruch 9 oder 10 aufweist.
  12. Verwendung der einstellbaren elektrostatischen Linsensubanordnung gemäß Anspruch 1 in der Strahllinienanordnung zwischen einem Anschluss und einer Endstation in einem Ionenimplantationssystem, wobei die folgenden Schritte vorgesehen sind: Leiten eines Ionenstrahls durch die ersten und zweiten Spalte; Ändern der Größe der an die Unterdrückungselektrode (38) angelegten Spannung, um den Ionenstrahl in einer ersten Ebene zu fokussieren; und gleichzeitige Änderung der ersten und zweiten Abstände (d38, d39) zur Fokussierung des Ionenstrahls in einer zweiten Ebene, wobei letztere im Wesentlichen senkrecht zur ersten Ebene angeordnet ist.
  13. Das Verfahren nach Anspruch 12, wobei der erste Abstand (d38) größer ist als der zweite Abstand (d39).
  14. Das Verfahren nach Anspruch 12, wobei ferner der Schritt des Krümmens der Oberflächen (108A, 108B) an den ersten und zweiten Teilen (38A, 38B) der Unterdrückungselektrode (38) vorgesehen ist und der Oberflächen (110A, 110B) an den ersten und zweiten Teilen (39A, 39B) der Auflösungselektrode (39), wobei die gekrümmten Oberflächen (108, 110) aufeinander zu weisen.
  15. Das Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Ionenstrahl sich bei seiner Leitung durch die Spalte verzögert.
  16. Das Verfahren nach Anspruch 12, wobei ferner die folgenden Schritte vorgesehen sind: Vorsehen genuteter Oberflächen (112A, 112B), die aufeinander zu weisen, auf den ersten und zweiten Teilen (38A, 38B) der Unterdrückungselektrode (38), und ferner genutete Oberflächen (114A, 114B), die aufeinander zu weisen, auf den ersten und zweiten Teilen (39A, 39B) der Auflösungselektrode (39).
  17. Das Verfahren nach Anspruch 16, wobei ferner der folgende Schritt vorgesehen ist: Vorsehen einer ersten Endplatte (56) angeordnet zwischen den ersten Enden der ersten und zweiten Teile (39A, 39B) der Auflösungselektrode (39) und einer zweiten Endplatte (58) angeordnet zwischen den zweiten Enden der ersten und zweiten Teile (39A, 39B) der Auflösungselektrode (39), und zwar derart, dass der Ionenstrahl durch einen Kanal geleitet wird, der durch die ersten und zweiten Endplatten (56, 58) und die genuteten Oberflächen (114A, 114B) gebildet ist.
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