CN107195518A - 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 - Google Patents
离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107195518A CN107195518A CN201710483558.3A CN201710483558A CN107195518A CN 107195518 A CN107195518 A CN 107195518A CN 201710483558 A CN201710483558 A CN 201710483558A CN 107195518 A CN107195518 A CN 107195518A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ion
- ion implanting
- adjustable plate
- drive link
- testing result
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/023—Means for mechanically adjusting components not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0455—Diaphragms with variable aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种离子注入量调节装置,包括:调节件,用于开启和关闭离子注入设备的离子出口;驱动结构,用于控制所述调节件运动以调节离子出口的开口度。本发明的有益效果是:可以灵活调节离子注入量。本发明还涉及一种离子注入设备、离子注入量调节方法、判断方法。
Description
技术领域
本发明涉及液晶产品制作技术领域,尤其涉及一种离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法。
背景技术
离子注入是影响OLED Device(有机发光二极管器件)性能的重要工艺,掺杂离子注入量的多少,决定了OLED TFT(有机发光二极管显示器中的薄膜晶体管)阈值电压、接触电阻大小,现有的离子注入设备中,离子出口的调节形式单一,只有Narrow(窄)、Wide(宽)两种模式,无法进行Dose(离子注入)量的调节。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法,可以灵活调节离子注入量。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种离子注入量调节装置,应用于离子注入设备,包括:
调节件,用于开启和关闭离子出口;
驱动结构,用于控制所述调节件运动以调节离子出口的开口度。
进一步的,所述调节件包括设置于离子出口处的调节板,所述调节板为一板状结构。
进一步的,所述驱动结构包括:
电机;
传动杆,所述传动杆的一端与所述电机驱动连接,所述传动杆的另一端与所述调节板传动连接。
进一步的,所述传动杆的另一端通过旋转轴与所述调节板的一端连接,所述调节板的另一端为自由端。
进一步的,所述调节件包括两个调节板,一个所述传动杆的另一端通过旋转轴与每个所述调节板的一端连接以同时控制两个所述调节板的运动,每个所述调节板的另一端为自由端。
进一步的,所述调节件包括两个调节板,所述驱动结构包括分别控制两个所述调节板的两个驱动单元,每个所述驱动单元包括:
所述电机;
所述传动杆,所述传动杆的一端与相应的所述电机驱动连接,所述传动杆的另一端与相应的所述调节板传动连接。
进一步的,两个所述调节板对称设置于离子注入设备的离子出口处。
本发明还提供一种离子注入设备,包括上述的离子注入量调节装置。
本发明还提供一种离子注入量调节方法,采用上述的离子注入量调节装置实现,包括:
驱动结构控制调节件运动;
检测离子注入量,并根据检测结果调节调节件的运动量。
本发明还提供一种判断方法,用于离子束均匀度的判断,采用上述的离子注入量调节装置实现,包括:
驱动结构控制调节件运动使得离子出口的开口度为第一开口度;
检测离子注入量,获得第一检测结果;
驱动结构控制调节件运动使得离子出口的开口度为第二开口度;
检测离子注入量,获得第二检测结果;
根据所述第一检测结果和所述第二检测结果是否满足预设要求而判断离子束注入的均匀度。
本发明的有益效果是:可以灵活调节离子注入量。
附图说明
图1表示本发明实施例中离子注入量调节装置结构示意图;
图2表示本发明实施例中离子注入量调节装置调节离子出口处于第一状态示意图;
图3表示本发明实施例中离子注入量调节装置调节离子出口处于第二状态示意图;
图4表示本发明实施例中离子注入量调节装置调节离子出口处于第三状态示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的特征和原理进行详细说明,所举实施例仅用于解释本发明,但是并不是对本发明的保护范围的限定。
如图1所示,本实施例提供一种离子注入量调节装置,应用于离子注入设备,包括:
调节件,用于开启和关闭离子出口关闭;
驱动结构,用于控制所述调节件移动以调节离子出口的开口度。
本实施例离子注入量调节装置可以将离子注入设备的离子出口关闭,并且可以通过驱动结构使得离子出口的开口度从0开始调节离子出口的开口度,且是可以灵活的调节为任意的开口度,从而可以调节从离子出口释放出的离子量。
所述调节件的具体结构形式可以有多种,只要实现对离子注入设备的遮挡、且在驱动结构的控制下可以调节离子出口的开口度即可,本实施例中,所述调节件包括设置于离子出口处的调节板3,所述调节板3为一板状结构。
所述调节板3的数量可以根据实际需要设定,本实施例的一个实施方式中,所述调节件包括一个所述调节板3。
所述驱动结构的具体结构形式可以有多种,只要实现对调节件的控制、以控制调节件移动以调节离子出口的开口度即可,本实施例中,所述驱动结构包括:
电机1;
传动杆2,所述传动杆2的一端与所述电机1驱动连接,所述传动杆2的另一端与所述调节板3传动连接。
所述传动杆2的另一端通过旋转轴与所述调节板3的一端连接,所述调节板3的另一端为自由端。
本实施例中,所述调节板3通过旋转的方式开启和关闭离子出口,当然也可以采用其他运动方式,例如,平移的方式、伸缩运动方式等;
本实施例中,所述调节板3为矩形结构,当然也可以采用其他结构形式,例如扇形等。
本实施例的另一个实施方式中,所述调节件包括两个调节板3,一个所述传动杆2的另一端通过旋转轴与每个所述调节板3的一端连接以同时控制两个所述调节板3的运动,每个所述调节板3的另一端为自由端。
所述驱动结构可以通过一个传动杆2同时控制两个所述调节板3的运动,也可以设置两个调节杆2分别独立控制两个所述调节板3,本实施例中优选的,所述驱动结构包括分别控制两个所述调节板3的两个驱动单元,每个所述驱动单元包括:
所述电机1;
所述传动杆2,所述传动杆2的一端与相应的所述电机1驱动连接,所述传动杆2的另一端与相应的所述调节板3传动连接。
图2表示的是调节板3关闭离子出口的状态示意图,此时,两个调节板3相接触,即两个调节板3的自由端之间的距离为0,离子不能从离子出口中流出;图3表示两个调节板3在驱动结构的控制下旋转预设角度的状态示意图,在驱动结构的控制下,两个调节板3旋转使得离子出口的开口度大于0,部分离子可从离子出口通过,竖直箭头表示离子束,曲向箭头表示相应的调节板3的旋转方向;图4表示的是两个调节板3旋转使得离子出口完全打开的状态示意图,此时所有的离子均可从离子出口通过。
本实施例中,两个所述调节板3对称设置于离子注入设备的离子出口处。图3中所示为中间的离子束从两个调节板3之间通过,在实际使用中并不限于此,可以根据实际需要使得预设区域的离子束通过两个调节板3之间。
本实施例中,通过离子量注入调节装置实现以电机1驱动调节板3的形式来灵活调节离子注入的离子量。
本发明还提供一种离子注入设备,包括上述的离子注入量调节装置。
本发明还提供一种离子注入量调节方法,采用上述的离子注入量调节装置实现,包括:
驱动结构控制调节件运动;
检测离子注入量,并根据检测结果调节调节件的运动量。
可以根据所需的离子注入量来调节调节件的运动量,从而调节离子出口的开口度。
本实施例还提供一种判断方法,用于离子束均匀度的判断,采用上述的离子注入量调节装置实现,包括:
驱动结构控制调节件运动使得离子出口的开口度为第一开口度;
检测离子注入量,获得第一检测结果;
驱动结构控制调节件运动使得离子出口的开口度为第二开口度;
检测离子注入量,获得第二检测结果;
根据所述第一检测结果和所述第二检测结果是否满足预设要求而判断离子束注入的均匀度。
通过调整离子开口的开口度保证离子纵向(离子束)的均一性,及离子束形貌,可以以预定速度控制一个调节板的运动,或者同时控制两个调节板的运动,获得第一检测结果和第二检测结果,根据所述第一检测结果和所述第二检测结果是否满足预设要求来判断离子束的均匀度,所述预设要求包括随着离子开口度的增大,离子注入量的增加是线性的,则离子束注入是均匀的。或者,可以分别控制两个调节板运动,然后将得到的第一检测结果和第二检测结果进行对比,所述预设要求包括两个调节板3运动量相同,得到第一检测结果和第二检测结果相同,则判断离子注入是均匀的。
以下具体介绍几种离子束均匀度的判断方法。
所述调节件包括两个调节板3,且两个调节板3对称设置于离子出口处时,离子束均匀度的判断方法的具体步骤包括:
驱动结构控制一个调节板3旋转预设角度至第一位置时,离子出口的开口度为第一开口度;
检测离子注入量,获得第一检测结果,所述第一检测结果包括第一离子注入量;
驱动结构控制另一个调节板3旋转所述预设角度至第二位置时,离子出口的开口度为第二开口度;
检测离子注入量,获得第二检测结果,所述第二检测结果包括第二离子注入量;
两个调节板3旋转相同的角度,此时第一开口度和第二开口度相同,但是离子出射的区域不同,在所述第一检测结果和所述第二检测结果满足预设要求,即所述第一离子注入量与所述第二离子注入量相同,则离子出口对应于第一位置与第二位置之间的离子束的注入是均匀的,反之,则离子出口对应于第一位置与第二位置之间的离子束的注入是不均匀,如果所述第一离子注入量大于所述第二离子注入量,则需将所述第二检测结果对应的离子注入区域内的离子束增加(或者减少所述第一检测结果对应的离子注入区域的离子束),如果所述第二离子注入量大于所述第一离子注入量,则需将所述第一检测结果对应的离子注入区域内的离子束增加(或者减少所述第二检测结果对应的离子注入区域的离子束),以此为例可以继续对比在相应的调节板旋转其他角度下的检测结果,以此判断结果作为调节离子束的均匀度的依据。
调节件包括两个调节板,驱动结构通过一个传动杆的另一端通过旋转轴与每个所述调节板的一端连接以同时控制两个所述调节板的运动,离子束均匀度的判断方法的具体步骤包括:
驱动结构控制两个调节板同时旋转第一预设角度,使得离子出口的开口度为第一开口度;
检测离子注入量,获得第一检测结果,所述第一检测结果包括第三离子注入量;
驱动结构控制两个调节板同时继续旋转一定的角度,使得离子出口的开口度为第二开口度,第二开口度不同于第一开口度;
检测离子注入量,获得第二检测结果,所述第二检测结果包括第四离子注入量;
根据所述第一检测结果和所述第二检测结果是否满足预设要求而判断离子束注入的均匀度,所述预设要求包括所述第三离子注入量与第四离子注入量之间的变化呈线性变化。
需要说明的是上述两个调节板第二次同时旋转的角度可以是让第二开口和第一开口不同的任意角度。
以上所述为本发明较佳实施例,需要说明的是,对于本领域普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明保护范围。
Claims (10)
1.一种离子注入量调节装置,应用于离子注入设备,其特征在于,包括:
调节件,用于开启和关闭离子出口;
驱动结构,用于控制所述调节件运动以调节离子出口的开口度。
2.根据权利要求1所述的离子注入量调节装置,其特征在于,所述调节件包括设置于离子出口处的调节板,所述调节板为一板状结构。
3.根据权利要求2所述的离子注入量调节装置,其特征在于,所述驱动结构包括:
电机;
传动杆,所述传动杆的一端与所述电机驱动连接,所述传动杆的另一端与所述调节板传动连接。
4.根据权利要求3所述的离子注入量调节装置,其特征在于,所述传动杆的另一端通过旋转轴与所述调节板的一端连接,所述调节板的另一端为自由端。
5.根据权利要求4所述的离子注入量调节装置,其特征在于,所述调节件包括两个调节板,一个所述传动杆的另一端通过旋转轴与每个所述调节板的一端连接以同时控制两个所述调节板的运动,每个所述调节板的另一端为自由端。
6.根据权利要求4所述的离子注入量调节装置,其特征在于,所述调节件包括两个调节板,所述驱动结构包括分别控制两个所述调节板的两个驱动单元,每个所述驱动单元包括:
所述电机;
所述传动杆,所述传动杆的一端与相应的所述电机驱动连接,所述传动杆的另一端与相应的所述调节板传动连接。
7.根据权利要求6所述的离子注入量调节装置,其特征在于,两个所述调节板对称设置于离子注入设备的离子出口处。
8.一种离子注入设备,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的离子注入量调节装置。
9.一种离子注入量调节方法,其特征在于,采用权利要求1-7任一项所述的离子注入量调节装置实现,包括:
驱动结构控制调节件运动;
检测离子注入量,并根据检测结果调节调节件的运动量。
10.一种判断方法,用于离子束均匀度的判断,其特征在于,采用权利要求1-7任一项所述的离子注入量调节装置实现,包括:
驱动结构控制调节件运动使得离子出口的开口度为第一开口度;
检测离子注入量,获得第一检测结果;
驱动结构控制调节件运动使得离子出口的开口度为第二开口度;
检测离子注入量,获得第二检测结果;
根据所述第一检测结果和所述第二检测结果是否满足预设要求而判断离子束注入的均匀度。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710483558.3A CN107195518A (zh) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 |
PCT/CN2018/080897 WO2018233337A1 (zh) | 2017-06-22 | 2018-03-28 | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 |
US16/323,418 US10734189B2 (en) | 2017-06-22 | 2018-03-28 | Ion implantation amount adjustment device and method, ion implantation apparatus and determination method |
EP18820941.5A EP3483915A4 (en) | 2017-06-22 | 2018-03-28 | DEVICE AND METHOD FOR ADJUSTING THE ION IMPLANTATION AMOUNT, ION IMPLANTATION DEVICE AND DETERMINATION METHOD |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710483558.3A CN107195518A (zh) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107195518A true CN107195518A (zh) | 2017-09-22 |
Family
ID=59878666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710483558.3A Pending CN107195518A (zh) | 2017-06-22 | 2017-06-22 | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10734189B2 (zh) |
EP (1) | EP3483915A4 (zh) |
CN (1) | CN107195518A (zh) |
WO (1) | WO2018233337A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018233337A1 (zh) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 |
CN111508808A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子注入设备及其控制方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102891207A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 上海凯世通半导体有限公司 | 用于太阳能晶片掺杂的束流传输系统 |
CN203983227U (zh) * | 2014-07-17 | 2014-12-03 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 离子源及采用该离子源的离子注入机 |
CN204167254U (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-18 | 昆山国显光电有限公司 | 离子注入均匀性调整装置以及离子注入装置 |
CN205319120U (zh) * | 2015-12-21 | 2016-06-15 | 昆山国显光电有限公司 | 离子注入装置 |
CN205428882U (zh) * | 2016-03-25 | 2016-08-03 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 一种离子注入设备 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS643948A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | Variable-width slit for large-current ion beam |
DE69026751T2 (de) * | 1989-05-17 | 1996-11-14 | Kobe Steel Ltd | Ionenbündelfokussierungsvorrichtung |
US5130552A (en) * | 1990-12-17 | 1992-07-14 | Applied Materials, Inc. | Improved ion implantation using a variable mass resolving system |
GB9210887D0 (en) * | 1992-05-21 | 1992-07-08 | Superion Ltd | Resolving slit assembly and method of ion implantation |
US5629528A (en) | 1996-01-16 | 1997-05-13 | Varian Associates, Inc. | Charged particle beam system having beam-defining slit formed by rotating cyclinders |
US5780863A (en) * | 1997-04-29 | 1998-07-14 | Eaton Corporation | Accelerator-decelerator electrostatic lens for variably focusing and mass resolving an ion beam in an ion implanter |
US6194734B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-02-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for operating a variable aperture in an ion implanter |
US6207964B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-03-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Continuously variable aperture for high-energy ion implanter |
JP5181824B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2013-04-10 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置及びイオンビーム測定方法 |
US8497486B1 (en) * | 2012-10-15 | 2013-07-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source having a shutter assembly |
CN107195518A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-09-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 |
-
2017
- 2017-06-22 CN CN201710483558.3A patent/CN107195518A/zh active Pending
-
2018
- 2018-03-28 US US16/323,418 patent/US10734189B2/en active Active
- 2018-03-28 WO PCT/CN2018/080897 patent/WO2018233337A1/zh unknown
- 2018-03-28 EP EP18820941.5A patent/EP3483915A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102891207A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 上海凯世通半导体有限公司 | 用于太阳能晶片掺杂的束流传输系统 |
CN203983227U (zh) * | 2014-07-17 | 2014-12-03 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 离子源及采用该离子源的离子注入机 |
CN204167254U (zh) * | 2014-11-14 | 2015-02-18 | 昆山国显光电有限公司 | 离子注入均匀性调整装置以及离子注入装置 |
CN205319120U (zh) * | 2015-12-21 | 2016-06-15 | 昆山国显光电有限公司 | 离子注入装置 |
CN205428882U (zh) * | 2016-03-25 | 2016-08-03 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 一种离子注入设备 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018233337A1 (zh) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 |
US20190164718A1 (en) * | 2017-06-22 | 2019-05-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Ion implantation amount adjustment device and method, ion implantation apparatus and determination method |
US10734189B2 (en) | 2017-06-22 | 2020-08-04 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Ion implantation amount adjustment device and method, ion implantation apparatus and determination method |
CN111508808A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子注入设备及其控制方法 |
CN111508808B (zh) * | 2020-04-30 | 2023-08-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 离子注入设备及其控制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190164718A1 (en) | 2019-05-30 |
EP3483915A4 (en) | 2020-03-18 |
US10734189B2 (en) | 2020-08-04 |
EP3483915A1 (en) | 2019-05-15 |
WO2018233337A1 (zh) | 2018-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107195518A (zh) | 离子注入量调节装置及方法、离子注入设备、判断方法 | |
CN205443432U (zh) | 一种线性蒸发源、蒸发源系统及蒸镀装置 | |
WO2018171590A1 (zh) | 曲面涂布装置及涂胶设备 | |
CN101063775A (zh) | 用于分配液体的分配器 | |
CN102755696A (zh) | 用于断层放疗和动态调强放疗的多叶准直器及其控制方法 | |
CN110306406B (zh) | 一种用于控制液体横向均匀性的装置及方法 | |
CN107529669A (zh) | 数据输出装置 | |
KR20170086544A (ko) | 액정 디스플레이 장치 | |
DE19945349A1 (de) | Verfahren und System zur Verhinderung eines inkontinenten Flüssigkeitstropfens | |
US8436632B2 (en) | System and method for optimizing LCD displays | |
CN110454208A (zh) | 协同液压支架跟机运行的供液动力自适应控制方法 | |
CN105895023A (zh) | 微机电光阀、显示屏和显示装置 | |
US10967410B2 (en) | Cooling device and cooling method | |
CN110115141A (zh) | 一种可调节排肥量的精准施肥装置 | |
US9348159B2 (en) | Ejection head for ejecting alignment film forming composition | |
CN102327758B (zh) | 配料装置的控制方法、配料装置以及沥青搅拌设备 | |
JPH06226170A (ja) | 可変スプレーノズルヘッダー | |
DE102004056297A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Ausgeben eines Flüssigkristalls | |
CN114251726B (zh) | 一种空调的前面板控制方法及前面板装置 | |
CN107422499A (zh) | 基板加热装置 | |
CN205860410U (zh) | 全热交换器、风门装置及其电机安装机构 | |
CN104600002A (zh) | 基板处理装置、驱动组件以及驱动部件控制方法 | |
CN110426870B (zh) | 一种液晶滴下组件和液晶滴下机 | |
KR20070066528A (ko) | 엔진 시험용 노즐 개방장치 | |
US7791048B2 (en) | Ion implanting apparatus and method for implanting ions |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170922 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |