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GEBIET DER
ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung betrifft allgemein Ausrüstung für die Ionenimplantation und
insbesondere einen seitlichen Spannungsentlastungsmechanismus für einen
Vakuumbalg in einer solchen Ausrüstung.
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ALLGEMEINER
STAND DER TECHNIK
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Die
Ionenimplantation ist zu einer akzeptierten Standardtechnologie
in der Industrie geworden, um Arbeitsstücke wie z.B. Silizium-Wafer
oder Glassubstrate mit Unreinheiten in der Massenproduktion von
Gegenständen
wie z.B. integrierten Schaltkreisen und Flachbildschirmen zu dotieren. Übliche Ionenimplantationssysteme
weisen eine Ionenquelle auf, die ein gewünschtes Dotandenelement ionisiert, welches
dann beschleunigt wird, um einen Ionenstrahl von vorgegebener Energie
zu bilden. Der Ionenstrahl wird auf die Fläche des Arbeitsstücks gelenkt,
um das Arbeitsstück
mit dem Dotandenelement zu implantieren. Die energetischen Ionen
des Ionenstrahls durchdringen die Fläche des Arbeitsstücks, so
dass sie in das Kristallgitter des Arbeitsstückmaterials eingebettet werden,
um eine Region mit einer gewünschten
Leitfähigkeit
zu bilden.
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Ionenenergie
wird benutzt, um die Übergangstiefe
bei Halbleitervorrichtungen zu steuern. Die Energieniveaus der Ionen,
welche den Ionenstrahl ausmachen, bestimmen die Tiefe der implantierten
Ionen. Hochenergetische Prozesse, wie sie z.B. zur Bildung von Retrograde
Wells in Halbleitervorrichtungen benutzt werden, machen Implantationen
von bis zu einigen Millionen Elektronenvolt (MeV) erforderlich,
während
flache Übergänge nur Energien
unterhalb von tausend Elektronenvolt (1 keV) benötigen.
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Ein üblicher
Ionenimplantator umfasst drei Abschnitte oder Subsysteme: (i) eine
Endvorrichtung zum Ausgeben eines Ionenstrahls, (ii) eine Strahllinie zur
Masseauflösung
und zum Einstellen von Fokussierung und Energieniveau des Ionenstrahls,
und (iii) eine Zielkammer, die den Halbleiter-Wafer enthält, der
mit dem Ionenstrahl implantiert werden soll. Der fortdauernde Trend
hin zu immer kleineren Halbleitervorrichtungen macht einen Strahllinienaufbau
erforderlich, der hohe Strahlströme
bei niedriger Energie liefern kann. Der hohe Strahlstrom stellt
die nötigen
Dotierungsniveaus bereit, während
die niedrigen Energieniveaus flache Implantationen ermöglichen. Source/Drain-Übergänge von Halbleitervorrichtungen
beispielsweise benötigen
eine solche Anwendung mit hohen Strömen und niedriger Energie.
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Niedrigenergie-Ionenstrahlen,
die sich durch einen jeweiligen Strahllinienaufbau hindurch fortpflanzen,
leiden unter einem Phänomen
namens „Aufblähen" des Strahls, womit
eine Tendenz bezeichnet wird, dass Ionen mit gleicher Ladung sich
in dem Ionenstrahl gegenseitig abstoßen. Ein solches gegenseitiges
Abstoßen
führt dazu,
dass ein Strahl von ansonsten gewünschter Form von einem vorgesehenen
Strahllinienweg abweicht. Da das Problem des Aufblähens des
Strahls mit wachsender Länge der
Strahllinie zunimmt, ist es eine gestalterische Aufgabe für einen
bevorzugten Strahllinienaufbau, die Länge der Strahllinie zu minimieren
oder zu verkürzen.
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Üblicherweise
ist die Zielkammer im Wesentlichen senkrecht zu der Achse der verkürzten Strahllinie
ausgerichtet, so dass der Ionenstrahl senkrecht zu der Ebene des
Substrats auftrifft. Allerdings machen es bestimmte Implantate notwendig,
dass der Ionenstrahl das Substrat mit einer Ausrichtung erreicht,
die einige Grade von der Senkrechten abweicht. Um solche Implantationen
zu zuzulassen, ist die Zielkammer um die Achse des Strahlwegs herum schwenkbar
angeordnet. Beispielsweise kann ein Neige- und Drallmechanismus
vorgesehen sein, um ein Schwenken jeder der zwei senkrechten Achsen zu
erlauben, die im Allgemeinen in der Ebene eines Substrats in der
Zielkammer liegen. Ein ausdehnbarer Balg stellt die Schnittfläche zwischen
der Strahllinie und der beweglichen Zielkammer bereit.
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Für Anwendungen,
bei denen eine Bewegung des Balgs in einer einfachen axialen Kompression
oder Ausdehnung nötig
ist, liegen keine Seitenspannungen vor, und die Welligkeit des Balgs
kann in ausreichender Weise die Dehn- oder Druckspannungen in der
axialen Richtung bereitstellen. Wenn allerdings die Zielkammer im
Verhältnis
zu dem Strahllinienweg verschwenkt, ist der Balg üblicherweise
in der Ebene, die senkrecht zu dem Strahlweg liegt, Querkräften ausgesetzt.
Die Balghalterung wird innerhalb der Ebene seitwärts gedrängt (d.h. die Balghalterung tendiert
zu einer seitlichen Verschiebung). Auch kleine Seitwärtsbewegungen
bei metallgeschweißten Bälgen können zu
großen
seitlichen Querspannungen an den Halterungspositionen führen.
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Das
feste Montieren des Balgs an beiden Enden richtet diese Querspannungen
in der Ebene, die senkrecht zu dem Strahlweg liegt (sowie parallelen Ebenen),
auf die Positionen der festen Halterungen. Diese Querspannung kann
zu einem vorzeitigen Versagen des Balgs führen, indem sie die Anzahl
seiner Lebensdauerzyklen reduziert. Da der Implantationsprozess üblicherweise
in einer Hochvakuum-Verarbeitungskammer (mit z.B. bis zu 1 × 10–7 Torr)
stattfindet, um die Dispersion des Ionenstrahls zu verhindern, und
um das Risiko der Kontaminierung des Substrats durch Flugpartikel
zu minimieren, führt jede
Beeinträchtigung
der Stabilität
des Balgs zu einem Verlust dieser Vakuumbedingungen. Der Vakuumverlust
und die resultierende Kontaminierung des Balginneren stören den
durchgeführten
Implantationsprozess.
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US-Patentschrift
3,218,792 offenbart einen Balg zur Benutzung mit einem Elektronenstrahl-Vakuumschweißsystem,
das eine Vakuumabdichtung zu einem Arbeitsstück aufrechterhält, während das Arbeitsstück seitwärts bewegt
wird. Ein Wandervorgang eines inneren und äußeren Balgs erhält die Dichtung
aufrecht, während
die Bewegung des Arbeitsstücks
zugelassen wird.
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EP-B-0
780 877 offenbart ein Mittel zum Verringern der Querspannung in
einem Vakuumbalg. Es ist außerdem
wünschenswert,
einen verbesserten Balg zum Verbinden von zwei Abschnitten eines
Ionenimplantators bereitzustellen, die sich im Verhältnis zueinander
bewegen. Es ist außerdem
wünschenswert,
einen Mechanismus zur seitlichen Spannungsentlastung für einen
Vakuumbalg bereitzustellen, einschließlich eines Balgs zur Benutzung
in einem Ionenimplantator.
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KURZDARSTELLUNG
DER ERFINDUNG
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Ein
verbesserter Balg ist zur Benutzung in beispiesweise einem Ionenimplantator
bereitgestellt. Der Balgaufbau umfasst einen ersten Halterungsabschnitt,
der an einem Ende des Balgaufbaus angeordnet ist, zum festen Anordnen
des Balgaufbaus an einer ersten Vakuumkammer; einen zweiten Halteabschnitt,
der an einem gegenüberliegenden
Ende angeordnet ist, um den Balgaufbau verschiebbar an einer zweiten
Vakuumkammer anzuordnen; und einen Balg aus rostfreiem Stahl, der
zwischen dem ersten und zweiten Halterungsabschnitt angeordnet ist.
Der Balg erstreckt sich im Wesentlichen entlang einer Längsachse,
und ist entlang dieser Achse ausdehnbar und zusammenziehbar. Der
zweite Halterungsabschnitt erlaubt eine radiale Schiebebewegung
des Balgaufbaus im Verhältnis
zu der zweiten Kammer in einer ersten Ebene, die im Wesentlichen
senkrecht zu der Achse ist. Der zweite Halterungsabschnitt umfasst
wenigstens eine Schiebedichtungsunteranordnung zum Aufrechterhalten
des Vakuums, und einen Stützring
und eine Schiebeplatte, die an gegenüberliegenden Enden der Schiebedichtungs-Unteranordnung
sind. Die Schiebeplatte und die Schiebedichtungsunteranordnung stellen
eine verschiebbare vakuumdichte Passfläche dazwischen bereit.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER FIGUREN
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1 ist
eine Draufsicht auf einen Ionenimplantator, in den der verbesserte
Balg gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung eingebaut ist;
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2 ist
eine Querschnittansicht des Implantatorbalgs, der in dem Ionenimplantator
aus 1 gezeigt ist;
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2a ist
eine vergrößerte Teilansicht
des Schiebedichtungsaufbaus des Implantatorbalgs aus 2;
und
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3 ist
eine Endansicht des Stützrings
des Schiebedichtungsaufbaus des Implantatorbalgs aus 2,
entlang den Linien 3-3.
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GENAUE BESCHREIBUNG
DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
DER ERFINDUNG
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Bezug
nehmend auf 1 ist ein Ionenimplantator,
allgemein mit 10 bezeichnet, gezeigt, der eine Ionenquelle 12,
einen Masseanalysemagneten 14, einen Strahllinienaufbau 15,
und eine Ziel- oder Endstation 16 aufweist. Ein ausdehnbarer
Stahlbalgaufbau 18, der die Bewegung der Endstation 16 im Verhältnis zu
dem Strahllinienaufbau 15 zulässt, verbindet die Endstation 16 und
den Strahllinienaufbau. Obwohl 1 einen
Ultraniedrigenergie-(UNE)-Ionenimplantator zeigt, werden Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung auch in anderen Typen von Implantatoren angewandt.
Ausführungsformen der
Erfindung werden auch in jeder Vakuumumgebung angewandt, in der
ein Balg, der zwei Komponenten verbindet, mehr als einer einfachen
axialen Kompression oder Ausdehnung ausgesetzt ist, ohne dass die
Stabilität
des Vakuums beschädigt
wird.
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Die
Ionenquelle 12 umfasst eine Plasmakammer 20 und
einen Ionenextraktoraufbau 22. Energie wird einem ionisierbaren
Dotandengas zugeführt,
um Ionen in der Plasmakammer 20 zu erzeugen. Im Allgemeinen
werden positive Ionen erzeugt, obwohl Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung auf Systeme angewandt sind, bei denen von der Quelle negative
Ionen erzeugt werden. Die positiven Ionen werden durch einen Schlitz
in der Plasmakammer 20 durch den Ionenxtraktroaufbau 22 extrahiert,
der mehrere Elektroden 27 aufweist. Die Elektroden sind
mit Spannungen mit negativem Potential geladen, deren Stärke zunimmt,
je mehr der Abstand von dem Schlitz der Plasmakammer zunimmt. Entsprechend
dient der Ionenextraktoraufbau dazu, einen Strahl 28 aus
positiven Ionen von der Plasmakammer zu extrahieren, und die extrahierten Ionen
in den Masseanalysemagneten 14 zu beschleunigen.
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Der
Masseanalysemagnet 14 dient dazu, nur Ionen eines geeigneten
Ladung-Masse-verhältnisses zu
dem Strahllinienaufbau 15 durchzulassen, der ein Resolver-Gehäuse 23 und
einen Strahlneutralisator 24 umfasst. Der Masseanalysemagnet 14 weist
einen gekrümmten
Strahlweg 29 auf, der durch eine Aluminium-Strahlführung 30 begrenzt
ist, deren Evakuierung durch eine Vakuumpumpe 31 erreicht
wird. Der Ionenstrahl 28, der sich entlang diesem Weg fortpflanzt,
wird durch das Magnetfeld beeinflusst, das von dem Masseanalysemagneten 14 erzeugt
wird, um Ionen mit einem ungeeigneten Ladung-Masse-Verhältnis abzuweisen.
Die Stärke
und Ausrichtung dieses Magnetfelds werden durch Steuerelektronik 32 gesteuert,
die den elektrischen Strom durch die Feldwicklungen des Magneten 14 durch
Magnetverbindung 33 steuert.
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Das
Magnetfeld veranlasst den Ionenstrahl 28 dazu, sich entlang
dem gekrümmten
Strahlweg 29 zu bewegen, von einer ersten oder Eintrittsbahn 34 nahe
der Ionenquelle 12, zu einer zweiten oder Austrittsbahn 35 nahe
dem Resolver-Gehäuse 23.
Abschnitte 28' und 28" des Strahls 28,
die Ionen umfassen, die ein ungeeignetes Ladung-Masse-Verhältnis aufweisen,
werden weg von der gekrümmten
Bahn in die Wände
der Aluminium-Strahlführung 30 gelenkt. Auf
diese Weise leitet der Magnet 14 nur die Ionen im Strahl 28 an
das Resolver-Gehäuse 23 weiter,
die das gewünschte
Ladung-Masse-Verhältnis aufweisen.
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Das
Resolver-Gehäuse 23 weist
eine Endvorrichtungselektrode 37, eine elektrostatische
Linse 38 zum Fokussieren des Ionenstrahls, und eine Dosimetrieanzeige
wie z.B. einen Faraday-Kennzeichner 42 auf. Der Strahlneutralisator 24 weist
einen Plasma-Shower 45 zum Neutralisieren der positiven Ladung
auf, die sich anderenfalls auf dem Ziel-Wafer akkumulieren würde, während dieser
durch den positiv geladenen Ionenstrahl 28 implantiert
wird. Die Gehäuse
für Strahlneutralisator
und Resolver werden durch Vakuumpumpe 43 evakuiert.
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Unterhalb
des Strahlneutralisators 24 ist die Endstation 16 angeordnet,
die einen scheibenförmigen
Wafer-Träger 44 aufweist,
an dem zu behandelnde Wafer befestigt werden. Der Wafer-Träger ist
auf einer Zielebene angeordnet, die (im Wesentlichen) senkrecht
zu der Richtung des Implantationsstrahls ausgerichtet ist. Der scheibenförmige Wafer-Träger 44 an
der Endstation 16 wird durch Motor 46 gedreht. Der
Ionenstrahl trifft so auf Wafer, die an dem Träger befestigt sind, während sie
sich auf einem kreisförmigen
Weg bewegen. Die Endstation 16 schwenkt um Punkt 62,
welcher der Schnittpunkt des Wegs 64 des Ionenstrahls und
des Wafers W ist, so dass die Zielebene um diesen Punkt herum einstellbar
ist. Auf diese Weise kann der Winkel der Ionenimplantation leicht
von der Senkrechten abweichend modifi ziert werden. Der ausdehnbare
Balg, der genauer in 2 gezeigt ist, erlaubt diese
relative Bewegung der Endstation 16 und des Strahllinienaufbaus 15.
Ein Balg in der UNE-Umgebung
muss kompakt sein, um die Länge
der Strahllinie zu minimieren. Auf diese Weise ist die Anzahl der
ausdehnbaren Wellen des Balgs beschränkt, und so dessen Fähigkeit,
seitliche Querspannungen zu absorbieren.
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Wie
in 2 gezeigt, umfasst der ausdehnbare Balgaufbau 18 einen
Balgaufbau 50 und einen Schiebedichtungsaufbau 52.
Der Balgaufbau 50 ist aus rostfreiem Stahl aufgebaut und
umfasst einen Balg 54, eine Endstationshalterungsklemme 56,
und eine Schiebedichtungshalterungsklemme 58. Obwohl im
Querschnitt gezeigt, muss der ausdehnbare Balgaufbau 18 dazu
in der Lage sein, ein Vakuum aufrechtzuerhalten, und umfasst daher
einen eingeschlossenen Aufbau, das heißt, der Metallbalgaufbau 50 weist
eine im Wesentlichen zylindrische Form auf, und der Schiebedichtungsaufbau 54 weist
ist Wesentlichen ringförmig.
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Obwohl
die Steifigkeit des Metallbalgs im Allgemeinen etwa 1200 Pfund/Zoll
beträgt,
kann der Balg um Schwenkpunkt 62 in der Ebene schwenken, die
senkrecht zu Achse 64 ist, entlang welcher der Ionenstrahl 28 sich
bewegt. Wie in 1 gezeigt, ist Punkt 62 der
Schnittpunkt der Achse 64 und der Ebene eines Wafers W,
der von dem scheibenförmigen Wafer-Träger 44 abgestützt ist.
Der scheibenförmige Wafer-Träger 44 ist
mit Neige- und Drallmechanismen versehen (nicht dargestellt), die
den Wafer-Träger
jeweils um die zwei linearen Achsen schwenken, welche die Ebene
definieren, die senkrecht zu der Achse 64 ist. Das Schwenken
des Wafer-Trägers 44 um
den Punkt 62 verursacht Seitenkräfte, und führt zu Querspannungen, die
in der Ebene und parallelen Ebene wirken. Das Schwenken führt dazu,
dass ein Bogen vollzogen wird, der dem Schwenkwinkel und dem Abstand
von Punkt 62 entspricht.
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Die
Endstationhalterungsklemme 56 ist mit Gewindebohrungen 70 versehen,
durch die die Klemme 56 mit der Endstation 16 verschraubt
sein kann. Alternativ kann die Halterungsklemme einstückig mit
der Endstation ausgebildet sein. Nut 72 ist für ein Dichtungselement
wie z.B. einen elastomerischen O-Ring
(nicht dargestellt) vorgesehen, um eine Vakuumdichtung zwischen
dem Balgaufbau 50 und der Endstation aufrechtzuerhalten.
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Die
Schiebedichtungshalterungsklemme 58 ist mit Gewindebohrungen
versehen, durch die die Klemme 58 mit dem Schiebedichtungsaufbau 52 durch
Schrauben 74 verschraubt werden kann. Alternativ kann die
Halterungsklemme 58 einstückig mit dem Schiebedichtungsaufbau
ausgebildet sein. Ein Dichtungselement wie z.B. ein elastomerischer O-Ring 76 ist
in einer Umfangsnut in der Klemme 58 angeordnet, um eine
Vakuumdichtung zwischen dem Balgaufbau 50 und dem Schiebedichtungsaufbau 52 aufrechtzuerhalten.
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Der
Schiebedichtungsaufbau 52 umfasst einen Stützring 78,
mehrere Dichtungsunteranordnungen 80 (siehe 2a),
und eine Schiebeplatte 82. Der Stützring 78 kann einstückig mit
der Balgklemme 58 ausgebildet sein. Der Stützring 78 und
die Schiebeplatte 82 sind aus rostfreiem Stahl hergestellt.
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Wie
oben erläutert,
stellt Dichtung 76 eine vakuumdichte Verbindung zwischen
dem Balgaufbau 50 und dem Stützring 78 her. Wie
im Folgenden erläutert,
stellen die Dichtungsunteranordnungen 80 eine vakuumdichte
Verbindung zwischen dem Stützring
und der Schiebeplatte 82 her. Zusätzlich können übliche Vakuumdichtungsmittel
zwischen der Schiebeplatte 82 und dem Neutralisatorgehäuse vorgesehen
sein, wie im Stand der Technik bekannt, um das Vakuumsystem zu vervollständigen.
Alternativ kann die Schiebeplatte 82 einstückig mit
dem Neutralisatorgehäuse
und flach geschliffen ausgebildet, um eine harte und glatte Dichtungsfläche bereitzustellen.
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Die
Dichtungsunteranordnungen 80 sind genauer in 2a gezeigt.
Jede der Unteranordnungen 80a, 80b, und 80c umfasst
ein elastomerischen O-Ring 84 und eine Schiebering 86.
Die elastomerischen O-Ringe 84a bis 84c können beispielsweise aus
einem Fluorelastomer-Dipolymer, wie z.B. Viton® (Typ
9711) hergestellt sein, einem eingetragenen Markenzeichen von E.I.
DuPont de Nemours and Company, Wilmington, Delaware. Die Schieberinge 86a bis 86c können beispielsweise
aus einem ultrahochmolekularem Polyethylenmaterial (UHMW-Polyethylen)
hergestellt sein. In der bevorzugten Ausführungsform sind die Schieberinge 86a bis 86c im
Vergleich zu der Elastizität
der O-Ringe 84a bis 84c relativ unelastisch. Wie
in 3 gezeigt (einer Endansicht des Stützrings 78),
ist jede der Dichtungsunteranordnungen 80a, 80b,
und 80c innerhalb einer jeweiligen Umfangsnut 88a, 88b,
bzw. 88c in dem Stützring 78 angeordnet.
Nut 88b, in der die mittlere Dichtungsunteranordnung 80b angeordnet
ist, ist mit einer Kante 89 versehen, gegen die der mittlere Schiebering 86b abgestützt ist.
Als Resultat existiert an der Berührungsfläche der Schiebeplatte 82 und der
Schieberinge 86 eine kleine Lücke 90 an anderen Positionen
als denen der Schieberinge. Wie in 2a gezeigt,
beträgt
die Distanz d dieser Lücke 90 in
etwa 0,5 Millimeter (mm).
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Die
UHMW-Schieberinge 86 stellen eine Vakuumdichtung zwischen
dem Stützring 78 und
der Schiebeplatte 82 bereit, während sie eine verschiebbare
Bewegung dieser zwei Elemente im Verhältnis zueinander erlauben.
Die Schiebe-Berührungsfläche zwischen
dem Stützring 78 und
der Schiebeplatte absorbiert die seitlichen Kräfte und die resultierenden Querspannungen,
die durch den schwenkenden Wafer-Träger 44 verursacht
werden, und die anderenfalls von dem Balgkörper absorbiert werden müssten.
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Im
Betrieb schwenkt die Endstation 16 um Punkt 62 in
der Ebene, die senkrecht zu der Strahlachse 64 ist. Diese
Ebene ist parallel zu der, die von der Berührungsfläche des Stützrings 78 und der Schiebeplatte 82 gebildet
wird. Die relative Bewegung des Stützrings und der Schiebeplatte
minimiert etwaige seitliche Querkräfte in der Ebene der Berührungskräfte. Kleine
Seitwärtsbewegungen
von bis zu 2 Zentimetern (cm) verhindern so, dass diese seitlichen
Querkräfte
auf den Balgaufbau 50 übertragen werden.
So erlaubt der Schiebedichtungsaufbau 52 eine unverfälschte radiale
Bewegung der Klemme 58 im Verhältnis zu der Strahlachse 64.
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Die
Benutzung von UHMW-Schieberingen 86 zwischen dem Stützring 78 und
der Schiebeplatte 82 erlaubt eine solche Seitwärtsbewegung,
ohne die Vakuumbedingungen in dem Balg zu stören. Vakuum wird durch eine
externe Pumpe (nicht dargestellt) bereitgestellt, die Luft aus Umfangskanälen 91 und 92 in
dem Stützring 78 pumpt.
Die externe Pumpe ist über
Anschluss 93 und Kanal 94 mit dem inneren Kanal 91 verbunden.
Die Pumpe ist über
Anschluss 93, Leitung 95, und Kanal 96 mit
dem anderen Kanal 92 verbunden.
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Im
Betrieb ist das Äußere des
Balgaufbaus 18, dargestellt durch den radial äußeren Abschnitt 98 der
Lücke 90 zwischen
dem Stützring 78 und
der Schiebeplatte 82 (2a) in
Atmosphärendruck
(P1) angeordnet. Das Innere des Balgaufbaus 18, dargestellt
durch den radial inneren Abschnitt 99 der Lücke 90 zwischen
dem Stützring 78 und
der Schiebeplatte 82, in Prozessdruck (P30) (z.B. Vakuumbedingungen bis
zu 1 × 10–7 Torr)
angeordnet. Die äußere Pumpe evakuiert
die Kanäle 91 und 92 auf
einen subatmosphärischen
Druck P2, der zwischen Druck P1 und P3 liegt.
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Obwohl
die bevorzugte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung unter Benutzung von drei Dichtungsunteranordnungen 80a, 80b,
und 80c gezeigt wurde, ist es vorge sehen, dass nur zwei
Unteranordnungen ausreichend sein können. Wenn beispielsweise nur
Dichtungsunteranordnungen 80b und 80c bereitgestellt
würden,
würde nur
Kanal 92 von der externen Pumpe auf einen mittleren Druck P2
evakuiert. Das Hinzufügen
von Dichtungsanordnung 80a ist als ein Sicherheitsmechanismus
vorgesehen, um die Druckdifferenz zwischen dem Äußeren und dem Inneren der Balganordnung 18 aufrechtzuerhalten,
die jeweils bei einem Druck P1 bzw. P3 angeordnet ist.