DE69810422D1 - Ferroelektrisches Bauelement für integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Ferroelektrisches Bauelement für integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number
DE69810422D1
DE69810422D1 DE69810422T DE69810422T DE69810422D1 DE 69810422 D1 DE69810422 D1 DE 69810422D1 DE 69810422 T DE69810422 T DE 69810422T DE 69810422 T DE69810422 T DE 69810422T DE 69810422 D1 DE69810422 D1 DE 69810422D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor circuit
integrated semiconductor
ferroelectric component
ferroelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69810422T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69810422T2 (de
Inventor
Yuji Judai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE69810422D1 publication Critical patent/DE69810422D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69810422T2 publication Critical patent/DE69810422T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • H01L28/60Electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
DE69810422T 1997-10-24 1998-10-22 Ferroelektrisches Bauelement für integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung Expired - Lifetime DE69810422T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29304697A JP3424900B2 (ja) 1997-10-24 1997-10-24 半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69810422D1 true DE69810422D1 (de) 2003-02-06
DE69810422T2 DE69810422T2 (de) 2003-05-15

Family

ID=17789787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69810422T Expired - Lifetime DE69810422T2 (de) 1997-10-24 1998-10-22 Ferroelektrisches Bauelement für integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20020000588A1 (de)
EP (1) EP0911879B1 (de)
JP (1) JP3424900B2 (de)
DE (1) DE69810422T2 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0837504A3 (de) * 1996-08-20 1999-01-07 Ramtron International Corporation Teilweise oder ganz eingekapselte ferroelektrische Anordnung
KR100324316B1 (ko) * 1999-03-26 2002-02-16 김영환 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법
KR100333641B1 (ko) * 1999-06-30 2002-04-24 박종섭 하부전극 손상을 방지할 수 있는 강유전체 메모리 소자의 캐패시터 형성 방법
JP3644887B2 (ja) 2000-04-11 2005-05-11 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004095861A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5327139B2 (ja) * 2010-05-31 2013-10-30 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20160086960A1 (en) * 2014-09-22 2016-03-24 Texas Instruments Incorporated Low-Temperature Passivation of Ferroelectric Integrated Circuits for Enhanced Polarization Performance

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4782380A (en) * 1987-01-22 1988-11-01 Advanced Micro Devices, Inc. Multilayer interconnection for integrated circuit structure having two or more conductive metal layers
DE69225082T2 (de) * 1991-02-12 1998-08-20 Matsushita Electronics Corp Halbleiter-Vorrichtung mit Verdrahtung der verbesserten Zuverlässigkeit und Verfahren zu ihner Herstellung
US5218512A (en) * 1991-08-16 1993-06-08 Rohm Co., Ltd. Ferroelectric device
EP0557937A1 (de) * 1992-02-25 1993-09-01 Ramtron International Corporation Ozongasverarbeitung für ferroelektrischen Speicherschaltungen
EP0739037B1 (de) * 1993-08-05 2000-10-25 Matsushita Electronics Corporation Halbleiterbauelement mit Kondensator und dessen Herstellungsverfahren
JP3274326B2 (ja) * 1995-09-08 2002-04-15 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US5750419A (en) * 1997-02-24 1998-05-12 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a ferroelectric capacitor
TW396454B (en) * 1997-06-24 2000-07-01 Matsushita Electrics Corporati Semiconductor device and method for fabricating the same
US6249014B1 (en) * 1998-10-01 2001-06-19 Ramtron International Corporation Hydrogen barrier encapsulation techniques for the control of hydrogen induced degradation of ferroelectric capacitors in conjunction with multilevel metal processing for non-volatile integrated circuit memory devices

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11126876A (ja) 1999-05-11
DE69810422T2 (de) 2003-05-15
EP0911879A1 (de) 1999-04-28
EP0911879B1 (de) 2003-01-02
JP3424900B2 (ja) 2003-07-07
US20020047111A1 (en) 2002-04-25
US20020000588A1 (en) 2002-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19882361T1 (de) Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise in Substraten und eingebettete Schaltkreise
DE69610368D1 (de) Ferroelektrische Kapazität für integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung
DE69936050D1 (de) Graben-gate halbleiterbauelemente und verfahren zur deren herstellung
DE69808502D1 (de) Flexible schaltungen und träger und verfahren zur herstellung
DE69515189D1 (de) SOI-Substrat und Verfahren zur Herstellung
DE69528117D1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen
DE69818537D1 (de) Wischtuch und Verfahren zur Herstellung
DE69630944D1 (de) Hochspannungsfester MOS-Transistor und Verfahren zur Herstellung
DE69837030D1 (de) Silizium-germanium-halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung
DE69930700D1 (de) Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69431023D1 (de) Halbleiteraufbau und Verfahren zur Herstellung
DE69631315T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69508885D1 (de) Halbleiterdiode und Verfahren zur Herstellung
DE69432016D1 (de) Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen und erzeugte Halbleiterscheibe
DE69838683D1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung
DE69625132D1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren für ihre Herstellung
DE69132995T2 (de) Kontakt für Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69810422T2 (de) Ferroelektrisches Bauelement für integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Herstellung
DE69709230T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung Halbleitern
DE69927143D1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung
DE69528683D1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE69416619T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69930102D1 (de) Verfahren zur herstellung von integrierten schaltungen
DE69700827D1 (de) Elektrische Komponente und Verfahren zur Herstellung
DE69737211D1 (de) Integrierte mikrowellenschaltungen und verfahren zur herstellung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: PANASONIC CORP., KADOMA, OSAKA, JP