DE69800188T2 - Steuerverfahren für eine Speicherzelle mit nur einmal programmierbarem nicht flüchtigen CMOS-Speicher - Google Patents

Steuerverfahren für eine Speicherzelle mit nur einmal programmierbarem nicht flüchtigen CMOS-Speicher

Info

Publication number
DE69800188T2
DE69800188T2 DE69800188T DE69800188T DE69800188T2 DE 69800188 T2 DE69800188 T2 DE 69800188T2 DE 69800188 T DE69800188 T DE 69800188T DE 69800188 T DE69800188 T DE 69800188T DE 69800188 T2 DE69800188 T2 DE 69800188T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control method
memory
time programmable
programmable non
memory cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69800188T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69800188D1 (de
Inventor
Richard Fournel
Fabrice Marinet
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SA filed Critical STMicroelectronics SA
Publication of DE69800188D1 publication Critical patent/DE69800188D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69800188T2 publication Critical patent/DE69800188T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/16—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links
DE69800188T 1997-04-29 1998-04-28 Steuerverfahren für eine Speicherzelle mit nur einmal programmierbarem nicht flüchtigen CMOS-Speicher Expired - Fee Related DE69800188T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9705300A FR2762708B1 (fr) 1997-04-29 1997-04-29 Procede de commande d'une cellule memoire et memoire non volatile programmable une seule fois en technologie cmos

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69800188D1 DE69800188D1 (de) 2000-08-03
DE69800188T2 true DE69800188T2 (de) 2001-03-08

Family

ID=9506430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69800188T Expired - Fee Related DE69800188T2 (de) 1997-04-29 1998-04-28 Steuerverfahren für eine Speicherzelle mit nur einmal programmierbarem nicht flüchtigen CMOS-Speicher

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5943264A (de)
EP (1) EP0875903B1 (de)
DE (1) DE69800188T2 (de)
FR (1) FR2762708B1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004047638A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Infineon Technologies Ag Nichtflüchtige Speicherzelle und Verfahren zum Betreiben einer nichtflüchtigen Speicherzelle

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6034890A (en) * 1998-01-22 2000-03-07 Citizen Watch Co., Ltd. Semiconductor nonvolatile memory device and method of writing thereto
US6781436B2 (en) * 2002-07-25 2004-08-24 Infineon Technologies Ag Programming transistor in breakdown mode with current compliance
US6944294B2 (en) * 2002-11-13 2005-09-13 Wen-Feng Tsay Mobile phone hand-free holder
EP1573747B1 (de) * 2002-12-12 2009-10-21 Nxp B.V. Einmal programmierbare speicheranordnung
US7800932B2 (en) * 2005-09-28 2010-09-21 Sandisk 3D Llc Memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance
US7767499B2 (en) * 2002-12-19 2010-08-03 Sandisk 3D Llc Method to form upward pointing p-i-n diodes having large and uniform current
US7486537B2 (en) * 2006-07-31 2009-02-03 Sandisk 3D Llc Method for using a mixed-use memory array with different data states
US20080025069A1 (en) * 2006-07-31 2008-01-31 Scheuerlein Roy E Mixed-use memory array with different data states
US7450414B2 (en) * 2006-07-31 2008-11-11 Sandisk 3D Llc Method for using a mixed-use memory array
US7888200B2 (en) * 2007-01-31 2011-02-15 Sandisk 3D Llc Embedded memory in a CMOS circuit and methods of forming the same
US7868388B2 (en) * 2007-01-31 2011-01-11 Sandisk 3D Llc Embedded memory in a CMOS circuit and methods of forming the same
US7586773B2 (en) 2007-03-27 2009-09-08 Sandisk 3D Llc Large array of upward pointing p-i-n diodes having large and uniform current
CN101452938B (zh) * 2007-11-30 2010-11-03 上海华虹Nec电子有限公司 一次可编程非挥发性存储器单元

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4881114A (en) * 1986-05-16 1989-11-14 Actel Corporation Selectively formable vertical diode circuit element
DE69213539T2 (de) * 1991-04-26 1997-02-20 Canon Kk Halbleitervorrichtung mit verbessertem isoliertem Gate-Transistor
US5257222A (en) * 1992-01-14 1993-10-26 Micron Technology, Inc. Antifuse programming by transistor snap-back
FR2724483B1 (fr) * 1994-09-12 1996-12-27 Sgs Thomson Microelectronics Procede de decodage d'adresse dans une memoire en circuit integre et circuit memoire mettant en oeuvre le procede
JPH0955483A (ja) * 1995-06-09 1997-02-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR0172408B1 (ko) * 1995-12-11 1999-03-30 김광호 다수상태 불휘발성 반도체 메모리 및 그의 구동방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004047638A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Infineon Technologies Ag Nichtflüchtige Speicherzelle und Verfahren zum Betreiben einer nichtflüchtigen Speicherzelle
US7385837B2 (en) 2004-09-30 2008-06-10 Infineon Technologies Ag Nonvolatile memory cell and methods for operating a nonvolatile memory cell
DE102004047638B4 (de) * 2004-09-30 2011-12-01 Qimonda Ag Nichtflüchtige Speicherzelle

Also Published As

Publication number Publication date
DE69800188D1 (de) 2000-08-03
US5943264A (en) 1999-08-24
EP0875903A1 (de) 1998-11-04
FR2762708B1 (fr) 1999-06-04
EP0875903B1 (de) 2000-06-28
FR2762708A1 (fr) 1998-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69800188D1 (de) Steuerverfahren für eine Speicherzelle mit nur einmal programmierbarem nicht flüchtigen CMOS-Speicher
DE69500065T2 (de) Nichtflüchtiger programmierbarer Flip-Flop mit vordefiniertem Anfangszustand für Speicherredundanzschaltung
DE69524507D1 (de) Selbst-Programmierschaltung für eine nicht-flüchtige Speicheranordnung
DE69524645D1 (de) Speicherzelle mit programmierbarer Antischmelzsicherungstechnologie
EP1008025A4 (de) Steuerung der konfiguration in einer programmierbaren logik-einheit mittels nichtflüchtiger bauelemente
DE69232458T2 (de) Programmierbare Zeitsteuerung für Speicher
SG60103A1 (en) Non-volatile memory with embedded programmable controller
DE69634182D1 (de) Direktspeicherzugriffssteuerung mit programmierbarer Zeitsteuerung
DE69526123D1 (de) Fehlersteuerungsverfahren für flash-eeprom-speichermatritzen
DE69811773T2 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung und Programmierverfahren
DE69726304D1 (de) Nichtflüchtiger schreibbarer speicher mit programmierungsaufhebungsbefehl
DE69810096T2 (de) Nichtflüchtiger speicher
DE69510230T2 (de) Speicherkassette mit seriellem zugriff für eine speicherprogrammierbare steuerung
DE69434679D1 (de) Elektrisch programmierbare Festwertspeicheranordnung
DE69810995D1 (de) Rekonfigurierbarer Dual-Modus-Speicher in programmierbaren logischen Einrichtungen
DE69202340D1 (de) Programmierungsspannungsregelschaltung für programmierbare speicher.
DE69431735D1 (de) Nichtflüchtiger Speicher
DE69700258T2 (de) Elektrisch modifizierbarer nichtflüchtiger Mehrpegelspeicher mit autonomer Auffrischung
DE69423077T2 (de) Steuerungsvorrichtungen für nichtflüchtige Speicheranordnungen
DE4442067B8 (de) Programmierbare Permanentspeicherzelle
DE69828145D1 (de) Automatische Heizungssteuerung für eine Geschirrspülmaschine
DE69626044D1 (de) Speicher programmierbare steuerung
GB9908563D0 (en) Method for updating program components stored on a one-time programmable memory
DE69837778D1 (de) Steuerungsvorrichtung für eine produktionsanlage
DE60021041D1 (de) Nichtflüchtiger Speicher und Steuerungsverfahren dafür

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee