DE69723697D1 - Spannungsregler mit Spannungsabfallkompensation für Programmierschaltung von nichtflüchtigen und elektrisch programmierbaren Speicherzellen - Google Patents

Spannungsregler mit Spannungsabfallkompensation für Programmierschaltung von nichtflüchtigen und elektrisch programmierbaren Speicherzellen

Info

Publication number
DE69723697D1
DE69723697D1 DE69723697T DE69723697T DE69723697D1 DE 69723697 D1 DE69723697 D1 DE 69723697D1 DE 69723697 T DE69723697 T DE 69723697T DE 69723697 T DE69723697 T DE 69723697T DE 69723697 D1 DE69723697 D1 DE 69723697D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
volatile
memory cells
programmable memory
electrically programmable
drop compensation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69723697T
Other languages
English (en)
Inventor
Marco Fontana
Massimo Montanaro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69723697D1 publication Critical patent/DE69723697D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
DE69723697T 1997-09-30 1997-09-30 Spannungsregler mit Spannungsabfallkompensation für Programmierschaltung von nichtflüchtigen und elektrisch programmierbaren Speicherzellen Expired - Lifetime DE69723697D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP97830484A EP0905710B1 (de) 1997-09-30 1997-09-30 Spannungsregler mit Spannungsabfallkompensation für Programmierschaltung von nichtflüchtigen und elektrisch programmierbaren Speicherzellen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69723697D1 true DE69723697D1 (de) 2003-08-28

Family

ID=8230791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69723697T Expired - Lifetime DE69723697D1 (de) 1997-09-30 1997-09-30 Spannungsregler mit Spannungsabfallkompensation für Programmierschaltung von nichtflüchtigen und elektrisch programmierbaren Speicherzellen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5982677A (de)
EP (1) EP0905710B1 (de)
DE (1) DE69723697D1 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177783B1 (en) * 1999-09-13 2001-01-23 Adc Telecommunications, Inc. Current balancing for voltage regulator having inputs from multiple power supplies
DE60218812D1 (de) 2001-12-28 2007-04-26 St Microelectronics Srl Verfahren zur Regulierung der Sourcespannung während der Programmierung einer nichtflüchtigen Speicherzelle und dementsprechende Programmierungsschaltung
EP1331645A3 (de) * 2001-12-28 2004-02-04 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren zur Regelung der Spannungen von Drain und Substrat einer nichtflüchtigen Speicherzelle während des Programmierens und dementsprechende Programmierschaltung
US7123508B1 (en) 2002-03-18 2006-10-17 T-Ram, Inc. Reference cells for TCCT based memory cells
US6940772B1 (en) * 2002-03-18 2005-09-06 T-Ram, Inc Reference cells for TCCT based memory cells
FR2838840B1 (fr) * 2002-04-23 2005-04-01 St Microelectronics Sa Comparateur de tension d'alimentation
US20040062123A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Oki Electric Industry Co., Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device able to detect test mode
DE60226987D1 (de) 2002-12-30 2008-07-17 St Microelectronics Srl Verfahren zur Stabilisierung der Drain-Spannung in einem nichtflüchtigen Speicher mit mehreren Zuständen und zugehörige Speichervorrichtung
EP1566723B1 (de) * 2004-02-20 2007-11-21 STMicroelectronics S.r.l. Leistungsverwaltungseinheit für einen Flashspeicher mit einer gemeinsamen Regulierung mehrerer Ladungspumpen
FR2867893A1 (fr) * 2004-03-18 2005-09-23 St Microelectronics Sa Dispositif pour l'etablissement d'un courant d'ecriture dans une memoire de type mram et memoire comprenant un tel dispositif
US7012841B1 (en) * 2004-08-24 2006-03-14 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit and method for current pulse compensation
US7099204B1 (en) * 2005-03-23 2006-08-29 Spansion Llc Current sensing circuit with a current-compensated drain voltage regulation
ITMI20070777A1 (it) * 2007-04-17 2008-10-18 St Microelectronics Srl Metodo e circuiteria di programmazione di una cella di memoria in paeticolare di tipo flash nor
US7733075B1 (en) * 2007-10-26 2010-06-08 Xilinx, Inc. Voltage sensing in a supply regulator for a suspend mode
JP5421133B2 (ja) * 2009-02-10 2014-02-19 セイコーインスツル株式会社 ボルテージレギュレータ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5212458A (en) * 1991-09-23 1993-05-18 Triquint Semiconductor, Inc. Current mirror compensation circuit
US5220273A (en) * 1992-01-02 1993-06-15 Etron Technology, Inc. Reference voltage circuit with positive temperature compensation
US5336986A (en) * 1992-02-07 1994-08-09 Crosspoint Solutions, Inc. Voltage regulator for field programmable gate arrays
DE9316427U1 (de) * 1993-10-27 1994-02-10 Rieter Werke Haendle Schwenkvorrichtung für einen Schaber
DE69328253T2 (de) * 1993-12-31 2000-09-14 St Microelectronics Srl Spannungsregler zum Programmieren nichtflüchtiger und elektrisch programmierbarer Speicherzellen
US5602790A (en) * 1995-08-15 1997-02-11 Micron Technology, Inc. Memory device with MOS transistors having bodies biased by temperature-compensated voltage
DE69619501D1 (de) * 1996-03-20 2002-04-04 St Microelectronics Srl Verwaltungseinrichtung zur Ein-/Ausgabe von Daten, insbesondere für einen nicht flüchtigen Speicher

Also Published As

Publication number Publication date
US5982677A (en) 1999-11-09
EP0905710B1 (de) 2003-07-23
EP0905710A1 (de) 1999-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69328253T2 (de) Spannungsregler zum Programmieren nichtflüchtiger und elektrisch programmierbarer Speicherzellen
DE69723697D1 (de) Spannungsregler mit Spannungsabfallkompensation für Programmierschaltung von nichtflüchtigen und elektrisch programmierbaren Speicherzellen
DE69517060T2 (de) Spannungsreduzierung für nichtflüchtige Speicherzelle
DE68913695T2 (de) Mikrorechner mit einem elektrisch löschbaren und programmierbaren nichtflüchtigen Speicher.
IL134304A0 (en) Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping
DE3886722D1 (de) Elektrisch löschbarer und programmierbarer Festwertspeicher mit Und-Nicht-Zellenstruktur.
DE69522629D1 (de) Spannungsreferenz für ferroelektrischen Speicher vom IT/IC-Typ
TW279984B (en) Nonvolatile memory and method of programming the same
DE69804122T2 (de) Quellenseitig mit zwei auswahl-transistoren verbundene nand-schwebegatterspeicherzelle und programmierverfahren
DE3684351D1 (de) Programmierbarer festwertspeicher mit reduzierter programmierspeisespannung.
DE69533858D1 (de) Hochpräzise spannungsregelschaltung zum programmieren von mehrstufigen flash-speichern
DE69615995T2 (de) Elektrisch löschbarer und programmierbarer festwertspeicher mit nichtuniformer dieelektrischer dicke
DE69700258D1 (de) Elektrisch modifizierbarer nichtflüchtiger Mehrpegelspeicher mit autonomer Auffrischung
DE3850482D1 (de) Elektrisch löschbarer und programmierbarer Festwertspeicher mit Stapelgatterzellen.
DE69633000D1 (de) Zellendekodiererschaltkreis für einen nichtflüchtigen elektrisch programmierbaren Speicher und entsprechendes Verfahren
GB9710493D0 (en) Electrically programmable memory and method of programming
DE69514791D1 (de) Flash-EEPROM mit onchip-Löschung-Source-Spannungsgenerator
DE60202312D1 (de) Speicherzelle, nichtflüchtige Speicheranordnung und Steuerungsverfahren dafür, Zulässigkeitsverbesserung bei niedriger Speisespannung
DE69631123D1 (de) Verfahren und Schaltung zum Lesen von nichtflüchtigen Speicherzellen mit niedriger Versorgungsspannung
DE69325278D1 (de) Nichtflüchtige, elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnung mit einem Spannungsregler
DE69806096D1 (de) Elektrodenmaterial, dessen Herstellungsmethode, ferroelektrischer Kondensator, und nichtflüchtige Speicheranordnung
DE69814948D1 (de) Schwachstromprogrammieren von schwebenden Gatterspeichern
DE69427686T2 (de) Schaltungsanordnung zum Messen der Schwellenspannungaufteilung von nicht-flüchtigen Speicherzellen
GB9701927D0 (en) Circuit and method of measuring the negative threshold voltage of a non-volatile memory cell
ITMI913355A0 (it) Procedimento per la definizione di porzioni di ossido sottile particolarmente per celle di memoria a sola lettura programmabili e cancellabili elettricamente

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de