DE69715139T2

DE69715139T2 - Vorrichtung und Verfahren zur Wiedergabe von Informationen

Info

Publication number: DE69715139T2
Application number: DE69715139T
Authority: DE
Inventors: Bernard Bechevet; Jean-Frederic Clerc
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 1996-12-26
Filing date: 1997-12-22
Publication date: 2003-05-28
Anticipated expiration: 2017-12-23
Also published as: EP0851417B1; DE69715139D1; FR2757992B1; JPH10188376A; US5923581A; EP0851417A1; FR2757992A1

Description

Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung hat einen Aufzeichnungsträger, eine Lesevorrichtung dieses Trägers und Verfahren zur Benutzung dieser Vorrichtung zum Gegenstand. Ihr Anwendungsgebiet ist die Aufzeichnung von Informationen, wobei diese Informationen Bilder, Töne, Daten usw. darstellen können.
Die Erfindung kann insbesondere beim Fernsehen und bei der Herstellung von Computerspeichern angewendet werden.

Stand der Technik

Die Aufzeichnung von Informationen mittels einer Mikrospitze auf einem geeigneten Träger ist schon bekannt. Unter Mikrospitze versteht man eine mechanische Spitze, deren Größe unter ungefähr einem Mikrometer liegt. Diese Mikrospitzen sind generell elektrisch leitfähig. Ein zwischen einer solchen Spitze und einem Träger fließender Strom verursacht dessen lokale Erwärmung, was eine Veränderung der Struktur des Trägers zur Folge haben kann und ihn zum Beispiel von einem kristallinen Zustand in einen amorphen Zustand übergehen lassen kann. Dies ist die Schreiboperation. Das spätere Messen der Charakteristik des Materials (kristallin oder amorph), zum Beispiel aufgrund seiner Konduktivität, bildet die Leseoperation.
Diese Technik wird manchmal "Phasenveränderungsaufzeichnung" genannt. Sie führt zu einer hohen Informationsdichte. Die verwendete Spitze ist dann eine Spitze von der Art derjenigen, wie man sie bei den Atommikroskopie-Sonden (auf Englisch "Atomic Force Microscope" oder abgekürzt AFM) findet.
Die beigefügte Fig. 1 zeigt diese Technik. Man sieht dort ein Substrat 10, überzogen mit einer leitenden Schicht 12, die als Elektrode dient, und einer Aufzeichnungsschicht 14. Diese Schicht enthält Zonen, wo das Material entweder im amorphen Zustand (Zonen Za) oder im kristallinen Zustand (Zonen Zc) ist. Eine Mikrospitze 20 kommt mit diesen Zonen in Kontakt. Eine Quelle einer Spannung V ist mit der Mikrospitze 20 und der vergrabenen Elektrode 12 verbunden. Diese Spannung ermöglicht, durch das Ganze einen Strom I fließen zu lassen, der durch die Einrichtung 24 gemessen wird.
Der Strom I hat zwei Stärken, jeweils Ia und Ic, je nach dem, ob die geprüfte Zone amorph ist (Za) oder kristallin (Zc). Der Widerstand der Aufzeichnungsschicht 14 nimmt also einen der beiden Werte Ra oder Rc an, je nach dem, ob der Zustand des Materials amorph oder kristallin ist. In der Praxis ist der Widerstand Ra kleiner als der Widerstand Rc. Man erhält also:
- Ia = V/Ra, wenn die Aufzeichnungsschicht amorph ist,
- Ic = V/Rc, wenn die Aufzeichnungsschicht kristallin ist.
Die Unterscheidung zwischen den beiden Zuständen ist um so leichter, je größer das Verhältnis Ra/Rc ist.
Eine solche Technik wird in EP-A-0 665 541 beschrieben.
Die Fig. 2 und 3 zeigen eine andere Methode zum Lesen eines solchen Trägers, die auf den Tunneleffekt zurückgreift. Der Träger wird wieder durch ein Substrat 10 gebildet, mit einer vergrabenen Elektrode 12 und einer Aufzeichnungsschicht 14, und die Lesevorrichtung umfasst wieder eine Mikrospitze 20, eine Quelle 22 und eine Messvorrichtung 24, aber die Mikrospitze 20 ist hier von der Schicht 14 durch einen Abstand d getrennt. Trotz diese Zwischenraums kann ein Strom in die Aufzeichnungsschicht eindringen, mittels Tunneleffekt.
Um den Wert der Stromstärke zu ermitteln, bedient man sich eines Strom- Spannungs-Diagramms. Dies ist in der Fig. 3 dargestellt. In diesem Diagramm ist die Spannung auf der Abszissenachse aufgetragen und der Strom auf der Ordinatenachse. Die Strom-Spannungs-Kennlinie ist eine Kurve mit einem Knick wie bei den Tunnel-Dioden. Drei Kennlinien C1, C2, C3 sind in der Fig. 3 aufgetragen. Sie entsprechen drei verschiedenen Abständen d1, d2 und d3 der Spitze von der Aufzeichnungsschicht. Für eine gleiche Spannung ist der Strom um so größer, je kleiner der Abstand ist. In dem dargestellten Fall ist also d1 < d2 < d3.
Die Belastungslinie verbindet den Strom mit der Spannung unter Berücksichtigung des resistiven Aspekts der Schaltung. Wenn die geprüfte Zone amorph ist, ist der Widerstand Ra stark und der Spannungsabfall ist groß. Bei einer kristallinen Zone sind der Widerstand Rc und der Spannungsabfall kleiner. Die Belastungslinien präsentieren sich also wie dargestellt in der Fig. 3 mit den Bezugszeichen DCa und DCc jeweils für eine amorphe Zone Za und für eine kristalline Zone Zc.
Wenn man die einen Abstand d2 betreffende Kennlinie C2 betrachtet, befindet sich der Betriebspunkt also entweder in Ma (wenn die Zone amorph ist) oder in Mc (wenn die Zone kristallin ist). Das Strom-Spannungs-Paar ist dann entweder Ia-Va (amorphe Zone) oder Ic-Vc (kristalline Zone). Das Messen des Stroms ermöglicht also wieder, den Zustand der geprüften Zone, also der aufgezeichneten Information, zu unterscheiden.
Obwohl in mancherlei Hinsicht zufriedenstellend, haben diese Vorrichtungen Nachteile. Der erste, dargestellt in der Fig. 1, erfordert einen Kontakt zwischen der Spitze und der Aufzeichnungsschicht, was auf Dauer eine mechanische Abnützung der Spitze und Lesefehler zur Folge hat. Der zweite, dargestellt in den Fig. 2 und 3, befreit von diesen Schwierigkeiten, bringt aber andere mit sich, verbunden mit der Tatsache, dass das Messen sehr empfindlich ist gegenüber Veränderungen der Höhe der Spitze in Bezug auf die Aufzeichnungsschicht. Wie die Fig. 3 zeigt, hängt der in einer Zone (amorph oder kristallin) fließende Strom bei einer selben Spannung V sehr von dem Abstand d ab. Eine kristalline Zone könnte also sehr wohl als amorph betrachtet werden, wenn die Höhe der Spitze abnehmen würde.
Durch das Dokument EP-A-0 378 443 kennt man einen auf der Photoleitung beruhenden. Aufzeichnungsträger. Die Aufzeichnungsschicht kann wieder einen amorphen oder kristallinen Zustand annehmen, jedoch ist diese Schicht photoleitend. Die Elektronenextraktionsarbeit ändert sich je nach dem, ob eine Zone beleuchtet wird oder nicht. Das Lesen erfolgt durch das Sammeln von Elektronen, emittiert unter der Wirkung einer Bestrahlung.

Darstellung der Erfindung

Nach der Erfindung ist der Aufzeichnungsträger vom Photoleitungs-Typ, jedoch erfolgt das Lesen durch das Messen des in einer Mikrospitze fließenden Stroms, die sich über dem Träger befindet.
Noch genauer hat die vorliegende Erfindung ein System zum Lesen von Informationen zum Gegenstand, das einen Träger zur Aufzeichnung dieser Informationen umfasst, wobei dieser Träger ein Substrat, eine leitende Schicht und eine Aufzeichnungsschicht aus einem Material umfasst, das in verschiedenen Zonen entweder einen amorphen Zustand oder einen kristallinen Zustand aufweisen kann, wobei dieses System außerdem wenigstens eine Mikrospitze und Verschiebungseinrichtungen dieser Mikrospitze, um diese über irgendeiner der Aufzeichnungszonen des Trägers in Stellung zu bringen, und Einrichtungen zum Einspeisen eines Stroms in die Mikrospitze und in die genannte Zone sowie Einrichtungen zum Messen der Stärke dieses Stroms umfasst und dieses System dabei dadurch gekennzeichnet ist:
i) dass das Material der Aufzeichnungsschicht des Trägers ein Photoleitermaterial ist, dessen Resistivität von der Helligkeit bzw. Beleuchtung abhängt, wobei dieses Material für eine Zone, in der das Material amorph ist, bei Fehlen von Beleuchtung einen ersten Widerstand Ra hat, bei Vorhandensein von Beleuchtung einen zweiten Widerstand Ra* hat, sowie für eine Zone, in der das Material kristallin ist, bei Fehlen von Beleuchtung einen dritten Widerstand Rc hat, und bei Vorhandensein von Beleuchtung einen vierten Widerstand Rc* hat, wobei das Verhältnis Ra/Ra* anders ist als das Verhältnis Rc/Rc*;
ii) dass es außerdem eine Lichtquelle, die wenigstens die Zone des Trägers beleuchtet, über der die Spitze angeordnet ist, sowie Steuereinrichtungen dieser Lichtquelle umfasst, um einen Beleuchtungszustand oder einen Nichtbeleuchtungszustand der genannten Zone herzustellen.
Die Erfindung ermöglicht, ohne Berührung bzw. Kontakt eine amorphe Zone von einer kristallinen Zone zu unterscheiden. Sie ermöglicht, diese Unterscheidung bei Schichten durchzuführen, deren Planheitsabweichung über 100 um² einige nm beträgt, das heißt zu groß ist für ein Lesen mittels Tunneleffekt.
Die Unterscheidung zwischen einer amorphen Zone und einer kristallinen Zone beruht nicht auf der Veränderung des Widerstands zwischen dem amorphen Zustand und dem kristallinen Zustand, sondern auf der Veränderung des Widerstands zwischen dem beleuchteten Zustand und dem unbeleuchteten Zustand, wobei diese Veränderung von dem Zustand des Materials abhängt, je nach dem, ob es amorph ist oder kristallin. Mit anderen Worten müssen die Verhältnisse Ra/Ra* und Rc/Rc*, bei denen der Stern den beleuchteten Zustand symbolisiert, so groß wie möglich sein. Dieses Lesen kann sehr wohl ohne Kontakt erfolgen, denn die Empfindlichkeit bezüglich der Position der Spitze ist weniger groß als nach dem Stand der Technik. Jedoch kann das Lesen selbstverständlich auch mit Kontakt erfolgen.
Die Erfindung hat auch Verfahren zur Anwendung dieses Systems zum Gegenstand. Nach einer ersten Ausführungsart misst man für eine bestimmte Zone der Aufzeichnungsschicht die Intensitätsveränderung des Stroms, wenn man von einem ersten Beleuchtungszustand dieser Zone in einen zweiten Beleuchtungszustand dieser selben Zone übergeht, und leitet aus dieser Intensitätsveränderung den Wert der in dieser Zone aufgezeichneten Information ab.
Nach einer zweiten Ausführungsart misst man für eine bestimmte Zone der Aufzeichnungsschicht die Abstandsänderung zwischen der Mikrospitze und der Aufzeichnungsschicht, die eine konstante Stromintensität gewährleistet, wenn man von einem ersten Beleuchtungszustand dieser Zone in einen zweiten Beleuchtungszustand dieser selben Zone übergeht, und man leitet aus dieser Abstandsänderung den Wert der in dieser Zone aufgezeichneten Information ab.
Bei jedem dieser Verfahren kann man eine Zone nach der anderen lesen, indem man diese Zone abwechselnd in einen ersten Beleuchtungszustand und dann in einen zweiten Beleuchtungszustand versetzt, oder indem man den gesamten Träger abwechselnd in den einen und den anderen der beiden Beleuchtungszustände versetzt und in allen Zonen in jedem Beleuchtungszustand den in Betracht gezogenen Kennwert (Intensität oder Abstand) liest.

Kurzbeschreibung der Zeichnungen

- Die Fig. 1, schon beschrieben, zeigt einen bekannten Aufzeichnungsträger und eine bekannte Lesevorrichtung mit Kontakt;
- die Fig. 2, schon beschrieben, zeigt eine bekannte Lesevorrichtung ohne Kontakt;
- die Fig. 3, schon beschrieben, ist ein Strom-Spannungs-Diagramm, das den Betrieb der Vorrichtung der Fig. 2 zeigt;
- die Fig. 4 zeigt einen erfindungsgemäßen Aufzeichnungsträger sowie eine erfindungsgemäße Lesevorrichtung;
- die Fig. 5 ist ein Strom-Spannungsdiagramm, das die Einstellung der Intensität auf einen bestimmten Wert darstellt;
- die Fig. 6 ist ein Strom-Spannungsdiagramm, das die Veränderung der Intensität für eine amorphe und eine kristalline Zone darstellt;
- die Fig. 7 zeigt eine Ausführungsart einer Vorrichtung, wo der Abstand Mikrospitze-Trägerverstellbar ist;
- die Fig. 8 ist ein Diagramm, das den Transmissionskoeffizienten eines Photoleitermaterials im kristallinen Zustand in Abhängigkeit von der Wellenlänge darstellt;
- die Fig. 9 ist ein Diagramm, das den Transmissionskoeffizienten eines Photoleitermaterials im amorphen Zustand in Abhängigkeit von der Wellenlänge darstellt.

Detaillierte Darstellung von Ausführungsarten

In der nachfolgenden Beschreibung gelten folgende Bezeichnungen:
- Ra für den Widerstand einer amorphen Zone ohne Beleuchtung,
- Ra* für den Widerstand einer amorphen Zone unter Beleuchtung,
- Rc für den Widerstand einer kristallinen Zone ohne Beleuchtung,
- Rc* für den Widerstand einer kristallinen Zone unter Beleuchtung.
Die Bedingung, die bei der Anwendung der Erfindung beachtet werden muss, besteht darin, dass das Verhältnis R/Ra* ein anderes ist als das Verhältnis Rc/Rc*. Diese Bedingung erfüllen die Photoleitermaterialien im Allgemeinen ohne besondere Vorsichtsmaßnahmen bei ihrer Herstellung. Dies gilt zum Beispiel für die Silicium-Halbleiterverbindungen oder die II-IV- oder III-V-Verbindungen, oder für bestimmte Legierungen.
Die Fig. 4 zeigt einen Aufzeichnungsträger und eine Lesevorrichtung nach der Erfindung. Diese Figur greift Einrichtungen auf, die schon in der Fig. 2 dargestellt sind, mit denselben Bezugszeichen. Erfindungskonform ist der Aufzeichnungsträger, der das Bezugszeichen 15 trägt, aus einem Photoleitermaterial. Außerdem umfasst die Lesevorrichtung eine Lichtquelle 26, fähig wenigstens die geprüfte Zone zu beleuchten, wobei diese Quelle durch Einrichtungen 27 gesteuert wird. Die Vorrichtung umfasst Einrichtungen 23 zur Verschiebung der Mikrospitze 20 in zwei rechtwinkligen Richtungen, um die Spitze 20 über jede beliebigen Zone verschieben zu können, und Einrichtungen 25, um den Abstand d einstellen zu können, der die Mikrospitze 20 von der Aufzeichnungsschicht 15 trennt.
Die durch die Quelle 26 emittierte Strahlung entspricht der Bandlücke des Photoleitermaterials, um das Phänomen der Photoleitung einzuleiten bzw. herbeizuführen, was die Resistivität reduziert. Die Aufzeichnungsschicht 15 umfasst also amorphe oder kristalline Zonen, wobei jede entweder beleuchtet ist oder nicht beleuchtet ist. Diese Zonen werden in der Folge mit Za oder Zc bezeichnet, wenn es sich um nicht beleuchtete amorphe bzw. kristalline Zonen handelt, und mit Za* oder Zc*, wenn es sich um beleuchtete amorphe bzw. kristalline Zonen handelt.
Bei der in den Fig. 4 bis 7 dargestellten Durchführungsart des Verfahrens erfolgt die Lektüre in zwei Phasen:
- in einer ersten Phase, die die Beleuchtungsphase sein kann, entspricht das Verhalten der Vorrichtung dem Diagramm der Fig. 5; dieses Diagramm ist eine Strom- Spannungsdiagramm und zeigt zwei Kennlinien Ca* und Cc*, je nach dem, ob die Zone amorph oder kristallin ist; es sind auch zwei Belastungslinien dargestellt, jeweils DCa* und DCc*; in dieser ersten Phase passt man den Abstand (d) an, der die Mikrospitze 20 von der Aufzeichnungsschicht 15 trennt, um eine Stromintensität zu gleich einem bestimmten Wert Io zu erhalten; der Betriebspunkt ist dann der Punkt Ma* oder Nc*, je nach dem, ob die gelesene Zone amorph oder kristallin ist;
- in einer zweiten Phase versetzt man die gelesene Zone in einen zweiten Beleuchtungszustand, zum Beispiel ohne Beleuchtung in dem dargestellten Zustand, und man misst den daraus resultierenden Spannungsabfall; das Diagramm der Fig. 6 stellt das Phänomen bzw. den Vorgang dar: wenn man sich über einer amorphen Zone befindet, geht die Belastungslinie von der Position DCa* in die Position DCa über, da der Widerstand von Ra* nach Ra wandert; der Betriebspunkt gleitet von Ma* nach Ma und die Intensität sinkt von 10 auf Ia; wenn die Spitze sich über einer kristallinen Zone befindet, geht die Belastungslinie von der Position DCc* in die Position DCc über und der Widerstand geht von Rc* auf Rc über; der Betriebspunkt geht von Nc* auf Nc über.
Sobald Ra/Ra* sich von Rc/Rc* unterscheidet, sind die Intensitäten Ia und Ic verschieden und die Unterscheidung zwischen amorphem und kristallinem Zustand ist möglich.
Selbstverständlich kann man die Beleuchtungszustände auch umkehren, das heißt dass man mit einer ersten Phase ohne Beleuchtung beginnt und eine zweite Phase mit Beleuchtung folgen lässt. Man beobachtet dann eine Erhöhung und nicht eine Abnahme des Stroms, aber diese Veränderung reicht noch immer aus, um eine amorphe Zone von einer kristallinen Zone zu unterscheiden.
Bei einer anderen Variante arbeitet man mit konstanter Stromstärke (10) und man misst, mit oder ohne Beleuchtung, die Abstände zwischen der Mikrospitze 20 und der Aufzeichnungsschicht 15, die zu der gleichen Intensität führen. Die Unterscheidung erfolgt dann durch die beobachteten Distanzabweichungen.
Wie bei der ersten Ausführung kann man in zwei Phasen vorgehen:
- in einer ersten Phase versetzt man die Lesezone in einen ersten Beleuchtungszustand (Beleuchtung oder keine Beleuchtung) und regelt bzw. stellt den die Mikrospitze 20 von der Aufzeichnungsschicht 15 trennenden Abstand auf einen ersten Wert d1, um eine Intensität gleich einem bestimmten Wert Io zu erhalten,
- in einer zweiten Phase versetzt man die Lesezone in einen zweiten Beleuchtungszustand (keine Beleuchtung oder Beleuchtung) und regelt bzw. stellt den die Mikrospitze 20 von der Aufzeichnungsschicht 15 trennenden Abstand auf einen zweiten Wert d2, um die gleiche Intensität 10 zu erhalten, und leitet von dem Abstand zwischen dem ersten Wert d1 und dem zweiten Wert d2 die aufgezeichnete Information ab.
Bei beiden Verfahren kann man entweder eine Zone nach der anderen abarbeiten, indem man in jeder Zone von einem Beleuchtungszustand in den anderen übergeht, oder indem man alle Zonen in einen ersten Beleuchtungszustand versetzt und dann alle Zonen in einen zweiten Beleuchtungszustand.
Die Fig. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Regel- bzw. Einstelleinrichtungen des Abstands "d" zwischen der Mikrospitze 20 und der Aufzeichnungsschicht 15. Diese Einrichtungen umfassen eine flexible Membran 30, unter der die Mikrospitze 20 befestigt ist, eine Elektrode 32, die an der Oberseite der Membran befestigt ist, eine weitere Elektrode 34, zwei Dickenpassstücke 36, 38, ein steifes Plättchen 40 und eine zweite Elektrode 42, befestigt unter dem Plättchen 40. Die beiden Elektroden 32 und 42 sind mit den beiden Polen einer Spannungsquelle 44 verbunden. Die Regelung der durch die Quelle 44 erzeugten Spannung V ermöglicht, die zwischen den beiden Elektroden 32, 42 wirkende elektrostatische Kraft anzupassen, also die Verformung der Membran 30 zu regeln. Das Anpassen der Spannung erfolgt durch eine zentrale Verarbeitungseinheit 46, die auch den Wert der Intensität des die Mikrospitze durchquerenden Stroms geliefert bekommt. Diese Einheit 46 regelt die Spannung so, dass der Strom eine angemessene Stärke (10) hat. Diese Regelung der Höhe erfolgt für einen ersten Beleuchtungszustand. Sie kann für einen zweiten Beleuchtungszustand aufrecht erhalten werden, wobei in diesem Fall die Einheit 46 die Intensitätsänderung liest, die man erhält, wenn man die Zone in einen zweiten Beleuchtungszustand versetzt. Nach einer Variante hält die Verarbeitungseinheit 46 die Stromstärke für die beiden Beleuchtungszustände auf einem selben Wert und bestimmt die beiden anzuwendenden Werte, um die beiden Abstände zu erhalten, die dieselbe Stärke bzw. Intensität des Stroms sicherstellen.
Die Fig. 8 zeigt die Veränderungen des Transmissionskoeffizienten in Abhängigkeit von der Wellenlänge (in nm) für das Photoleitermaterial AgIn(Cr) im kristallinen Zustand. Der Inflexionspunkt der Schicht befindet sich bei ungefähr 1080 nm. In diesem Fall kann die zur Einleitung bzw. Herbeiführung der Photoleitung verwendete Lichtquelle ein Neodymdotierter Festkörperlaser sein, zum Beispiel ein mit 1060 nm arbeitender Neodymdotierter YAG-Laser.
Die Fig. 9 zeigt dieselben Veränderungen für das AgIn(Am)-Material im amorphen Zustand. Der Inflexionspunkt befindet sich bei ungefähr 850 nm. In diesem Fall kann eine mit 0,8 um arbeitende Laserdiode geeignet sein.

Claims

1. Syste :zum Wiedergeben bzw. Lesen von Informationen, mit einem Träger zur Aufzeichnung der genannten Informationen, wobei dieser Träger ein Substrat (10), eine leitende Schicht (12), eine Aufzeichnungsschicht (15) aus einem Material umfasst, das sich, in verschiedenen Zonen, entweder in einem amorphen Zustand oder einem kristallinem Zustand befindet, wobei dieses System außerdem wenigstens eine Mikrospitze (20) und Verschiebungseinrichtungen (23, 25) dieser Mikrospitze (20), um diese über irgendeiner der Aufzeichnungszonen (Za, Zc) des Trägers in Stellung zu bringen, und Einrichtungen (22) zum Einspeisen eines Stroms in die Mikrospitze (20) und in die genannte Zone (Za, Zc), sowie Einrichtungen zum Messen der Stärke dieses Stroms umfasst, und dieses System dabei

dadurch gekennzeichnet ist:

i) dass das Material der Aufzeichnungsschicht (15) des Trägers ein Photoleitermaterial ist, dessen Resistivität von der Helligkeit bzw. Beleuchtung abhängt, wobei dieses Material für eine Zone, in der das Material amorph ist, bei Fehlen von Beleuchtung einen ersten Widerstand Ra hat, bei Vorhandensein von Beleuchtung einen zweiten Widerstand Ra* hat, sowie für eine Zone, in der das Material kristallin ist, bei Fehlen von Beleuchtung einen dritten Widerstand Rc hat, und bei Vorhandensein von Beleuchtung einen vierten Widerstand Rc* hat, wobei das Verhältnis Ra/Ra* anders ist als das Verhältnis Rc/Rc*;

ii) dass es außerdem eine Lichtquelle (26) umfasst, die wenigstens die Zone des Trägers beleuchtet, über der die Spitze angeordnet ist, sowie Steuereinrichtungen (27) dieser Lichtquelle (26) umfasst, um einen Beleuchtungszustand oder einen Nichtbeleuchtungszustand der genannten Zone (Za*, Zc* (Za, Zc) herzustellen.

2. System nach Anspruch 1, bei dem die Verschiebungseinrichtungen (23-25) der Mikrospitze die Mikrospitze (20) über der Aufzeichnungsschicht (15) in Stellung bringen können, ohne Kontakt mit dieser.

3. System nach Anspruch 1, bei dem die Verschiebungseinrichtungen der Mikrospitze Einrichtungen (25) zur Regelung bzw. Einstellung des Abstands (d) umfassen, der die Mikrospitze (20) von der Aufzeichnungsschicht (15) trennt.

4. Verfahren zur Anwendung eines Wiedergabe- bzw. Lesesystems nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man für eine bestimmte Zone der Aufzeichnungsschicht (15) die Intensitätsveränderung des Stroms misst, wenn man von einem ersten Beleuchtungszustand dieser Zone in einen zweiten Beleuchtungszustand dieser selben Zone übergeht, und dass man aus dieser Intensitätsveränderung den Wert der in dieser Zone aufgezeichneten Information ableitet.

5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem man in zwei Phasen vorgeht:

- in einer ersten Phase versetzt man die zu lesende Zone in einen ersten Beleuchtungs- oder Nichtbeleuchtungszustand und stellt den die Mikrospitze (20) von der Aufzeichnungsschicht (15) trennenden Abstand (d) ein, um eine Intensität gleich einem bestimmten Wert (10) zu erhalten,

- in einer zweiten Phase versetzt man die zu lesende Zone in einen zweiten Zustand der Nichtbeleuchtung oder jeweils Beleuchtung, misst den neuen Intensitätswert (Ia oder Ic) und leitet aus der Intensitätsveränderung die aufgezeichnete Information ab.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 und 5, bei dem man, um die Gesamtheit der in dem Träger aufgezeichneten Informationen zu erhalten, Zone für Zone die genannte Intensitätsveränderung misst.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 und 5, bei dem man, um die Gesamtheit der in dem Träger aufgezeichneten Informationen zu erhalten, die für jede der Zonen des Trägers charakteristischen Intensitäten misst, indem man zunächst alle diese Zonen in einen ersten Beleuchtungszustand versetzt, dann die für jede dieser Zonen charakteristischen Intensitäten misst, indem man alle diese Zonen in einen zweiten Beleuchtungszustand versetzt, und man daraus für jede Zone die Intensitätsveränderung zwischen dem ersten und dem zweiten Zustand ableitet.

8. Verfahren zu Anwendung eines Wiedergabe- bzw. Lesesystems nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man für eine bestimmte Zone der Aufzeichnungsschicht (15) die Abstandsveränderung (d1, d2) zwischen der Mikrospitze (20) und der Aufzeichnungsschicht (15) misst, die dem Strom eine konstante Intensität sichert, wenn man von dem ersten Beleuchtungszustand dieser Zone in einen zweiten Beleuchtungszustand dieser selben Zone übergeht, und dass man aus dieser Abstandsveränderung den Wert der in dieser Zone aufgezeichneten Information ableitet.

9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem man in zwei Phasen vorgeht:

- in einer ersten Phase versetzt man die zu lesende Zone in einen ersten Beleuchtungs- oder Nichtbeleuchtungszustand und stellt den die Mikrospitze (20) von der Aufzeichnungsschicht (15) trennenden Abstand auf einen ersten Wert (d1) ein, um eine Intensität gleich einem bestimmten Wert (10) zu erhalten,

- in einer zweiten Phase versetzt man die zu lesende Zone in einen zweiten Zustand der Nichtbeleuchtung oder jeweils Beleuchtung, und wieder stellt man den die Mikrospitze (20) von der Aufzeichnungsschicht (15) trennenden Abstand auf einen zweiten Wert (d2) ein, um dieselbe Intensität (10) zu erhalten, und man leitet aus dem Abstand zwischen dem ersten Wert (d1) und dem zweiten Wert (d2) die aufgezeichnete Information ab.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 und 9, bei dem man, um die Gesamtheit der in dem Träger aufgezeichneten Informationen zu erhalten, Zone für Zone die genannte Abstandsveränderung misst.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 und 9, bei dem man, um die Gesamtheit der in dem Träger aufgezeichneten Informationen zu erhalten, man den ganzen Träger in einen ersten Beleuchtungszustand versetzt, man den Abstand zwischen der Mikrospitze (20) und der Aufzeichnungsschicht (15), um eine bestimmte Intensität (10) zu erhalten, für jede Zone des Trägers misst, man dann, um wieder dieselbe Intensität (10) zu erhalten, den ganzen Träger in einen zweiten Beleuchtungszustand versetzt und man den Abstand zwischen der Mikrospitze (20) und der Aufzeichnungsschicht (15) misst.