DE69633682T2

DE69633682T2 - Mikromechanischer Kondensator

Info

Publication number: DE69633682T2
Application number: DE69633682T
Authority: DE
Inventors: Paul E. Friedley Bauhahn
Original assignee: Honeywell Inc
Current assignee: Honeywell Inc
Priority date: 1995-08-21
Filing date: 1996-08-20
Publication date: 2006-02-09
Anticipated expiration: 2016-08-21
Also published as: WO1997007517A3; US5696662A; CA2219945A1; WO1997007517A2; EP0846328A2; JP3808899B2; DE69633682D1; DE69607011D1; DE69607011T2; EP0846328B1; EP0932171B1; EP0932171A2; JP2006128721A; JPH11513193A; EP0932171A3

Description

ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Die Erfindung betrifft mikromaschinell hergestellte Bauelemente und insbesondere mikromechanische Kondensatoren auf einem Substrat. Die Erfindung betrifft ganz besonders Kondensatoren mit einer verstellbaren Kapazität.
US-Patent Nr. 4,490,772 beschreibt einen Abgleichkondensator, der sowohl durch Spannung als auch mechanisch verstellbar ist.
Die europäische Auslegeschrift 0 637 042 beschreibt einen mikromechanischen Kondensator, der eine erste Platte, die auf der Oberfläche eines Substrats ausgebildet ist, und ein Glied oder eine zweite Platte, die in einer zur ersten Platte weisenden, und von der ersten Platte beabstandeten, Position angebracht ist, beinhaltet. Sowohl die erste als auch die zweite Platte wirken als Elektroden eines Parallelplattenkondensators. Wenn an die Elektroden eine Spannung angelegt wird, so wird die zweite infolge elektrostatischer Kräfte zur ersten Platte hin oder von der ersten Platte weg gelenkt, was eine Änderung der Gesamtkapazität des Kondensators ermöglicht.
KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung stellt einen mikromechanischen Kondensator nach Anspruch 1 bereit.
Die vorliegende Erfindung stellt des Weiteren einen mikromechanischen Kondensator nach Anspruch 2 bereit.
Die vorliegende Erfindung stellt des Weiteren einen mikromechanischen Kondensator nach Anspruch 3 bereit.
Der Kondensator kann die Merkmale des abhängigen An spruchs 4 enthalten.
Bei der vorliegenden Erfindung handelt es sich um einen mikromaschinell hergestellten Kondensator mit einem breit einstellbaren Abstimmbereich. Dieses Bauelement weist keine Schleifkontakte wie die Kondensatoren nach dem Stand der Technik auf, wie beispielsweise jene mit Kondensatorplatten auf einer Achse, die sich parallel zueinander bewegen. Das Verfahren der mikromaschinellen Herstellung des mikromechanischen Mechanismus', d. h. des Kondensators, gleicht im Wesentlichen dem für die Herstellung üblicher integrierter Schaltkreise. Allerdings sind die mechanischen Spannungen bei der mikromaschinellen Herstellung signifikanter und kritischer als in der IC-Technologie. Diese Kondensatoren können in einem integrierten Schaltkreis mit dem gleichen Verfahren hergestellt werden, das für die Herstellung des integrierten Schaltkreises selbst angewendet wird.
Die vorliegende Erfindung hat eine Konfiguration, bei der es sich um einen digital abstimmbaren Kondensator handelt, welcher eine Reihe von Balken oder Platten unterschiedlicher Breite aufweist, die neben einer gemeinsamen Platte angeordnet sind. Die Platten können gezielt einzeln oder in Kombination zu der gemeinsamen Platte hin oder von der gemeinsamen Platte fort bewegt werden, um so eine gewünschte einstellbare Kapazität zu erzeugen.
Die Erfindung wird in abstimmbaren Funkfrequenz- und Mikrowellenschaltkreisen verwendet. Sie findet außerdem für Bauelemente Anwendung, die zur Impedanzanpassung von integrierten Schaltkreisen an externe Schaltkreise, die mit unterschiedlichen Frequenzen arbeiten, verwendet werden. Die Erfindung kann in einem Verstärker zum Bereitstellen einer verstellbaren Bandbreite verwendet werden, um Signale bei bestimmten Frequenzen für eine maximale Verstärkung zu verstärken oder um andere elektronische Charakteristika zu verstellen. Beispiels weise kann die für einen abstimmbaren Oszillator verwendet werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Schaubild eines mikromechanischen Drehabstimmkondensators, der nach dem Verfahren von 4 hergestellt wurde, in Kombination mit dem Kondensator der 3a und 3b, welcher die vorliegende Erfindung verkörpert.
2a–2c sind Schnittansichten des Kondensators von 1 mit verschiedenen Elektrodenanschlüssen.
3a zeigt einen mikromechanischen Digitalabstimmkondensator, welcher die vorliegende Erfindung verkörpert.
3b ist ein Schaltplan des Kondensators von 3a.
4a–4i veranschaulichen eine Reihe von Verfahrensschritten zur Herstellung von Drehabstimmkondensatoren und mikromechanischen Digitalabstimmkondensatoren, wobei die mikromechanischen Digitalabstimmkondensatoren die vorliegende Erfindung verkörpern.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
1 und 2a–2c zeigen Ansichten des elektrostatisch betätigten mikromechanischen Kondensators 10 mit einem breiten Abstimmbereich. Der mikromechanische Kondensator 10 ist keine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Er ist vielmehr ein Beispiel, das dem Verständnis der vorliegenden Erfindung dient, die in den Ansprüchen 1 bis 4 definiert ist. Der Kondensator 10 hat ein mikromechanisches Varaktor-Design, das einen breiten Abstimmbereich eines Abstimmkondensators mit einander überlappenden oder ineinander ver schachtelten Kondensatorplatten 12 und 14 mit der reproduzierbaren Bewegung uhrenartiger Federn 16, bei denen es sich um spiralförmige metallische oder dielektrische Arme handelt, beinhaltet. Ein fester Mittelpfosten 18 stützt drehbare Kondensatorplatten 14 mittels Federn 16. Der Pfosten 18 und die Kondensatorplatten 14 sind auf einem Substrat 20 ausgebildet und werden durch das Substrat 20 gestützt. In einem Ruhezustand sind die Platten 14 symmetrisch rotational zwischen den beiden Plattenpaaren 12 angeordnet. Wenn die Platten einander überlappen, so befindet sich jede Platte 14 zwischen einem Plattenpaar 12.
Gemäß der Konfiguration von 2a bilden die Platten 14 eine Elektrode des Abstimmkondensators 10, und die Plattenpaare 12 bilden die andere Elektrode des Kondensators 10. Wenn an die Platten 12 und 14 kein Signal angelegt wird, so ist jede Platte 14 rotational und symmetrisch zwischen den jeweiligen Plattenpaaren 12 angeordnet. Dies ist die Gleichgewichtsposition der Platten 14 relativ zu den Platten 12, die durch die Federn 16 hergestellt wird. Wird eine Spannung an die Platten 12 und 14 angelegt, so führt dies zu einem elektrostatischen Drehmoment, welches die Drehstellung der Platten 14 relativ zu den Platten 12 und folglich den Wert des Kondensators 10 verändert. Die Gleichgewichtsposition der Platten 14 relativ zu den Platten 12 führt bei Fehlen einer externen oder elektrostatischen Kraft zu einem Minimalwert der Kapazität des Kondensators 10.
Die elektrostatische Kraft, die zum Bewirken einer Verstell- oder Abstimmbewegung der Platten 14 relativ zu den Platten 12 verwendet wird, kann von einem elektrischen Signal, das eine niedrige Frequenz aufweist (relativ zu der Frequenz des Signals, das durch die Kapazität der Platten verändert werden soll), oder von einem Gleichstrom stammen. Das Signal zum Steuern der Kondensatorplattenposition (d. h. das Kapazitäts abstimm- oder -verstellsignal) zu dem Kondensator 10 kann über das Signal, das von dem Kondensator 10 verarbeitet werden soll oder das der Kondensator 10 verändern soll, gelegt werden. Es kann aber auch das Signal, das verarbeitet oder verändert werden soll, über das kapazitätssteuernde Gleichstromsignal oder Signal mit niedrigerer Frequenz (beispielsweise ein Kilohertz) gelegt werden. Das zu verarbeitende Signal kann im Megahertz- bis Gigahertzbereich liegen. Die Spannungen der Signale können im Mikrovolt- bis zweistelligen Voltbereich liegen.
Indem die Mittelplatte 14 mit spiralförmigen dielektrischen oder metallischen Armen 16 gestützt wird, kann das Drehmoment, das zum Drehen der Konstruktion erforderlich ist, minimal sein und kann leicht mit einer elektrostatischen Kraft des niederfrequenten Signals oder Gleichstromsignals, das an den Platten 12 und 14 anliegt, bewirkt werden. Die Federn 16 bestehen in der Regel aus dem gleichen Metall wie die Platte 14. Die Platten 12 und 14 bestehen aus einem Metall wie beispielsweise Nickel mit einer Goldplattierung oder Kupfer mit einer Goldplattierung. Die Platten 12 und 14 können einen Durchmesser von 200 bis 400 μm aufweisen. Der Abstand zwischen den Platten 12 und der benachbarten Platte 14 misst von einem bis zwei μm. Die federn 16 haben die gleiche Dicke wie die Platte, weil sie sich in derselben Schicht befinden, die für die Platte 14 verwendet wird. Die Federn 16 sind etwa 0,5 μm breit und von einem bis zwei μm dick.
Der Wert Q des Kondensators 10 bewegt sich im dreistelligen Bereich. Die Umschalt- oder Verstellgeschwindigkeit des Kondensators 10 liegt im Millisekunden- oder einem noch kleineren Bereich, was für nahezu alle Anwendungszwecke des Kondensators ausreichend ist.
Die Kapazität zwischen einer Plattengruppe 12 und 14 liegt im Pikofarad-Bereich. Es können Kondensatoren 10 miteinander zu einem Array parallel geschaltet werden, um größere Kapazitäten und/oder einen größeren Verstellbereich der Kapazität zu erreichen.
Mit dem Aufbau 10 gemäß den 2a–2c sind verschiedene Konfigurationen möglich. Bei der ersten oben erwähnten Konstruktion, die in 2a zu sehen ist, werden metallische Spiralarme 16 verwendet, und der mittige Stützpfosten 18 bildet die Verbindung zu einer Seite des Kondensators, was zu einem größeren Kapazitätswert als bei den anderen Konfigurationen führt. Die Platten 12 bilden eine Elektrode, und die Platten 14 bilden die andere Elektrode des Kondensators 10. Die Elektrodenanschlüsse sind durch die Verdrahtung 13 dargestellt. Bei einer zweiten Konfiguration, die in 2b zu sehen ist, werden dielektrische Spiralarme 16 verwendet, und die einander diametral gegenüberliegenden Platten 14 sind über einen radialen Metallring 38 miteinander verbunden, ohne dass eine externe Verbindung nötig wäre. Jedes Plattenpaar 12 ist eine Elektrode des Kondensators 10. Die Elektrodenanschlüsse sind durch die Verdrahtung 15 dargestellt. Mit zwei in Reihe geschalteten Abstimmkondensatoren ist die Gesamtkapazität geringer als bei der ersten Konfiguration. Allerdings ist die Reiheninduktivität geringer als bei der ersten Konfiguration, da der Leitpfad durch die Spirale der Federn 16 nicht vorhanden ist. In 2c ist eine dritte Konfiguration gezeigt. Jede Platte der Paare benachbarter Platten 12 ist von der anderen durch einen Isolator 19 isoliert. Die diametral einander gegenüberliegenden Platten 14 sind jeweils miteinander verbunden. Eine Elektrode sind die oberen Platten 12, und die andere Elektrode sind die unteren Platten 12. Die Elektrodenanschlüsse sind durch die Verdrahtung 17 dargestellt. Die elektrischen Eigenschaften des Kondensators in 2c gleichen denen des Kondensators in 2b.
3a zeigt einen digital abstimmbaren Kondensator 11, der die vorliegende Erfindung verkörpert, mit Balken 21, 22 und 23 von unterschiedlicher Breite 39. Der Kondensator 11 kann ein binär abstimmbarer Kondensator sein. Jeder Balken hat einen Abschnitt 24, der natürlich mehrere μm von der Oberfläche des Dielektrikums 25 beabstandet ist. Die Balken 21, 22 und 23 sind federartig und sind am Abschnitt 37 am Dielektrikum befestigt. Eine Spannung, die zwischen der Elektrode 27 und dem Ende 28 des Balkens 21, dem Ende 29 des Balkens 22 und dem Ende 30 des Balkens 23 angelegt wird, bewirkt, dass der Abschnitt 24 sich in Kontakt mit der Oberfläche des Dielektrikums 25 bewegt, was praktisch einen jeweiligen kapazitiven Schalter 31 (siehe 3b) schließt, um eine Kapazität 32, 33 bzw. 34 zwischen Elektroden bzw. Anschlüssen 26 und 27 anzuschließen. Der Abschnitt 35 jedes Balkens ist ein Widerstand 35, der zwischen den Anschlüssen 28, 29 oder 30 und dem kapazitiven Schalter 31 in Reihe geschaltet ist. Der Abschnitt 36 des Balkens 21, 22 oder 23 kann eine kapazitive Verbindung zwischen dem Balken und der Elektrode 26 sein, oder es kann ein Durchgang im Dielektrikum mit einem leitenden Material, wie beispielsweise einem Metall, zwischen dem Abschnitt 36 und der Elektrode 21 vorhanden sein. Andererseits kann aber auch das Ende 28, 29 oder 30 anstelle der Verbindung 26 des Kondensators 32, 33 bzw. 34 als eine Elektrode dienen, obgleich der Reihenwiderstand 35 den Q-Wert des Kondensators verringert. Der Q-Wert einer solchen Konfiguration kann erhöht werden, indem der Widerstand 35 durch ein hoch-leitfähiges Material wie beispielsweise ein Metall ersetzt wird. Bei beiden Anschlusskonfigurationen werden die Steuersignale und die kapazitativ verarbeiteten Signale wie jene für den Kondensator 10 kombiniert. Wenn der Anschluss 26 eine Elektrode ist, so befindet sich die Kapazität zwischen dem Abschnitt 36 und der Elektrode 26 praktisch in Reihe mit der Kapazität 32, 33 oder 34. Die letztgenannte Anschlusskonfiguration führt zu einer geringeren Kapazität als bei der oben erwähnten erstgenannten Anschlusskonfiguration.
Das Steuersignal zur Leitung 28, 29 oder 30 kann ein Niederfrequenzsignal (beispielsweise 1 kHz) oder ein Gleichspannungs-Logiksignal (mit einer Amplitude von 5 bis 20 Volt) sein, um den Abschnitt 24 des jeweiligen Balkens 28, 29 oder 30 gegen das Dielektrikum 25 zu ziehen, um den kapazitativen Schalter zu schließen, der praktisch zwischen dem Abschnitt 24 und dem Dielektrikum 25 existiert.
Die Balken 21, 22 oder 23 können 1 bis 200 μm breit sein. Der Abschnitt 24 kann 100 bis 500 μm lang sein; der Abschnitt 36 kann von 500 bis 1.000 μm lang sein, und der Widerstand 35 kann von 10 bis 100 μm lang sein. Der Abschnitt 24 des Balkens 21, 22 oder 23 kann 1 bis 2 μm dick sein. Die benachbarten Balken des digital abstimmbaren Kondensators können jeweilige Breiten 39 aufweisen, die um einen Faktor von 2 kleiner oder größer sind. Beispielsweise beträgt bei einem binären Kondensator 11 die Breite 39 des Balkens 22 die Hälfte der Breite 39 von Balken 21; die Breite 39 des Balkens 23 misst die Hälfte der Breite 39 von Balken 22, usw. Eine gewünschte Kapazität kann durch Logikspannungssignale ausgewählt werden, die an 27 und 28, 29 und/oder 30 usw. angelegt werden. Wenn man annimmt, dass der größte Balken 21 an den Anschlüssen 26 und 27 einen "Ein"-Kapazitätswert von einer Einheit aufweist (3a und 3b), so kann der Kondensator 11 im Fall eines Kondensators mit sechs Balken einen Wert haben, der aus dem Bereich von Null bis Eins-und-31/32 Einheiten ausgewählt wird, was in Schritten von Einheiten mit einer Größe von einem Zweiunddreißigstel mit Niedrigstbitwertänderungen eines angelegten Sechsbit-Logiksignals verändert werden kann.
Der digital abstimmbare Kondensator 11 weist geringere Verluste auf als ein Festkörperkondensator. Einige der Verluste eines Festkörperkondensators sind auf eine Nichtlinearität zurückzuführen, die durch eine Veränderung der Amplitude des Signals in dem Bauelement verursacht werden, wie beispielsweise eine in Rückwärtsrichtung vorgespannte Diode, die als ein Festkörperkondensator fungiert, wobei die Verarmungsbreite verändert wird, um die Kapazität zu ändern. Der Q-Wert des Festkörperbauelements mit einem Kapazitätsänderungsverhältnis von 10 : 1 kann sehr niedrig sein, wie beispielsweise 1 bis 3. Im Fall eines Festkörperkondensators mit einem kleineren Kapazitätsänderungsverhältnis kann der Q-Wert durchaus 20 betragen. Ein Festkörperkondensator kann innerhalb von Mikrosekunden auf einen ausgewählten Kapazitätswert abgestimmt werden, was eine Geschwindigkeit ist, die für die meisten Anwendungszwecke normalerweise gar nicht benötigt wird. Der digital abstimmbare Kondensator der vorliegenden Erfindung kann innerhalb des dreistelligen Mikrosekundenbereichs auf einen ausgewählten Kapazitätswert abgestimmt werden, was für nahezu alle Anwendungszwecke ein ausreichender Wert ist. Des Weiteren kann der digital abstimmbare Kondensator, beispielsweise der binär abstimmbare Kondensator, sowohl einen Q-Wert von über 100 als auch ein Kapazitätsänderungsverhältnis von größer als 100 aufweisen.
Der digital abstimmbare Kondensator 11 kann mit dem gleichen Verfahren wie dem für den Drehabstimmkondensator 10 – und gleichzeitig mit dem Verfahren für den Drehabstimmkondensator 10 – auf demselben Substrat hergestellt werden. Man kann mit einem Substrat 40 aus GaAs, Saphir, Quarz oder halbisolierendem Silicium, wie in 4a gezeigt, beginnen. Das Substrat 40 kann etwa 625 μm dick sein. Wie in 4b zu sehen, wird auf dem Substrat 40 eine Schicht 41 aus einer dielektrischen Zusammensetzung, bestehend aus Siliciumdioxid, Siliciumnitrid oder einem anderen dielektrischen Material, mit einer Dicke von 1 bis 2 μm gebildet. Nun wird die Schicht 41 mit einem Photoresist maskiert, es wird eine Metallschicht aufgebracht, und der Photoresist wird entfernt. Bei dem Photoresistmaterial handelt es sich um ein bekanntes und handelsübliches Material. Mann kann alternativ auch zuerst die Metallschicht aufbringen, anschließend die Metallschicht maskieren, die nicht-maskierten Abschnitte des Metalls entfernen oder fortätzen und dann den Photoresist entfernen. Die Metallschicht kann mit einer Dicke von 500 bis 4.000 Ångström gebildet werden (1 Ångström = 0,1 Nanometer). Das Metall kann Nickel, Nichrom, Gold-Kupfer oder Nickel-Kupfer sein. Jedes dieser Verfahren führt zu Metallinseln 42, wie in 4c zu sehen. Das Verfahren wird wiederholt, um eine Widerstandsinsel 43 herzustellen, wie in 4c zu sehen. Die Widerstandsinsel 43 kann aus Nichrom, Tantalnitrid, Chrom-Silicium oder anderen vergleichbaren Zusammensetzungen bestehen. Die Dicke des Widerstands 43 misst etwa 2.000 Ångström. Nachdem der Widerstand 43 und Abschnitte einiger Metallinseln 42 maskiert wurden, wird eine dielektrische Schicht mit einer Dicke von etwa 2.000 Ångström aufgebracht; oder das Dielektrikum wird auf alle freiliegenden Flächen (siehe 3c) aufgebracht, so dass ein Großteil der Fläche – mit Ausnahme des Widerstands 43 und Abschnitten der Inseln 42 – maskiert ist, woraufhin die nicht-maskierten Bereiche weggeätzt werden. Die Maskierung wird entfernt, was zu den übrig bleibenden dielektrischen Schichten 44 führt, wie in 4d zu sehen.
Als nächstes wird ein Photoresist auf einen Abschnitt des Widerstands 43, auf alle dielektrischen Bereiche oder Inseln 44 – mit Ausnahme eines Abschnitts eines dielektrischen Bereichs 44 – aufgetragen. Eine Opferschicht von zwei bis drei μm wird auf alles aufgebracht, was von Photoresistschicht bedeckt und nicht bedeckt ist. Die Opferschicht setzt sich aus einem leicht zu ätzenden Material zusammen, wie beispielsweise einem mittels Katodenzerstäubung mit Vorspannung aufgebrachten Quarz (SiO₂) oder Polyamid. Der Photoresist wird zusammen mit dem darauf abgelagerten Opfermaterial entfernt; oder es kann die Opferschicht aufgebracht und anschließend maskiert werden, woraufhin Abschnitte der Opferschicht weggeätzt werden, bevor der Photoresist entfernt wird. Das führt zu Inseln 45 aus Opfermaterial auf einem Abschnitt des Widerstands 43 und auf den meisten der dielektrischen Inseln oder Bereiche 44, wie in 4e zu sehen. Ein Photoresist wird nur auf bestimmten Abschnitten von Opferschichtbereichen oder -inseln 45 aufgetragen. Es wird ein Galvanisierungsgrund auf alles aufgebracht, was vom Photoresist bedeckt und nicht bedeckt ist. Der Galvanisierungsgrund ist etwa 600 Ångström dick und besteht aus Gold, Titan-Gold oder Titan. Der Galvanisierungsgrund ist eine Adhäsionsschicht für die folgende Metallplattierung. Die Metallplattierung wird mit einer Dicke von etwa 1 bis 2 μm auf die Galvanisierungsgrundschicht aufgebracht. Bei dem Plattierungsmetall kann es sich um Nickel, Gold, Kupfer oder Nickel-Kupfer handeln. Der Photoresist wird zusammen mit dem Galvanisierungsgrund und der Metallplattierung auf dem Photoresist entfernt, was zu Bereichen oder Inseln 46 führt. Der entfernte Photoresist führt außerdem zu federartigen Spiralen in Regionen 51 der zweitgrößten Insel auf der rechten Seite in 4f. Photoresist wird auf zwei kleinere Inseln 46 aufgetragen, und zwar die erste und dritte von links in 4f. Nun wird eine zweite Opferschicht von 2 bis 3 μm aufgebracht. Der Photoresist wird entfernt, was zu relativ großen Inseln 48 führt, wie in 4g zu sehen. Ein Photoresist 49 wird auf alle linksseitigen Inseln 48 und nur auf einen mittleren Abschnitt der rechten Inseln 48 aufgebracht, wie in 4g zu sehen. Es wird ein Galvanisierungsgrund aufgebracht, woraufhin eine dritte Metallschicht auf den Grund plattiert wird. Der Grund und das Metall sind die gleichen wie oben. Der Photoresist wird zusammen mit der Metallplattierung und dem Grund auf dem Photoresist entfernt, so dass die Metallinseln 50 übrig bleiben, wie in 4h zu sehen. Abschließend werden die Opferschichten 49, 48 und 45 entfernt oder fortgeätzt, wofür man ein Lösemittel wie beispielsweise gepufferte HF oder eine handelsübliche Substanz zum Entfernen des Opfermaterials verwendet. Das Resultat ist ein digital abstimmbarer Kondensator 11 und ein Drehabstimmkondensator 10.

Claims

Mikromechanischer Kondensator (11), gekennzeichnet durch: eine Längsplatte (27), die auf einem ersten Abschnitt eines Substrats (40) ausgebildet ist; eine dielektrische Schicht (25), die auf der Längsplatte und einem zweiten Abschnitt (24) des Substrats ausgebildet ist; eine Querplatte (21; 22; 23), die auf der dielektrischen Schicht ausgebildet ist, wobei ein erster Abschnitt (37) der Querplatte mit der dielektrischen Schicht, die auf dem zweiten Abschnitt des Substrats ausgebildet ist, in Kontakt steht und ein zweiter Abschnitt (24) der Querplatte (21) über der dielektrischen Schicht, die auf der Längsplatte ausgebildet ist, angeordnet ist; und wobei: die Längs- und die Querplatte Elektroden des Kondensators sind; und der zweite Abschnitt (24) der Querplatte von der dielektrischen Schicht beabstandet ist; und das Anlegen einer Spannung an die Längsplatte (27) und an die Querplatte (21; 22; 23) bewirkt, dass sich die Querplatte so bewegt, dass sie mit der dielektrischen Schicht in Kontakt steht, wodurch sich die Kapazität des Kondensators (11) von einem unbedeutenden Wert zu einem bedeutenden Wert ändert.
Mikromechanischer Kondensator (11), der folgendes aufweist: eine Längsplatte (27), die auf einem ersten Abschnitt eines Substrats (40) ausgebildet ist; eine dielektrische Schicht (25), die auf der Längsplatte und einem zweiten Abschnitt (24) des Substrats ausgebildet ist; eine Mehrzahl von Querplatten (21; 22; 23), die auf der dielektrischen Schicht ausgebildet sind, wobei ein erster Abschnitt (27) einer jeden der Mehrzahl von Querplatten mit der dielektrischen Schicht, die sich auf dem zweiten Abschnitt des Substrats befindet, in Kontakt steht und ein zweiter Abschnitt (24) einer jeden der Mehrzahl von Querplatten über der dielektrischen Schicht, die auf der Längsplatte ausgebildet ist, angeordnet ist; und wobei: die Längsplatte und eine jede der Mehrzahl von Querplatten Elektroden des mikromechanischen Kondensators sind; und der zweite Abschnitt einer jeden der Mehrzahl von Querplatten von der dielektrischen Schicht beabstandet ist; und das Anlegen einer Spannung an die Längsplatte (27) und an eine Querplatte oder an mehrere der Mehrzahl von Querplatten bewirkt, dass sich die eine Querplatte bzw. die mehreren der Mehrzahl von Querplatten so bewegt bzw. bewegen, dass sie mit der dielektrischen Schicht in Kontakt steht bzw. stehen, wodurch sich die Kapazität des Kondensators von einem unbedeutenden Wert zu einem ausgewählten bedeutenden Wert ändert.
Mikromechanischer Kondensator, gekennzeichnet durch: ein Substrat (40); eine erste Längsplatte (27), die auf dem Substrat ausgebildet ist; eine zweite Längsplatte (26), die auf dem Substrat ausgebildet ist; eine dielektrische Schicht (25), die auf der ersten und der zweiten Längsplatte ausgebildet ist; und wenigstens eine Querplatte (21; 22; 23) mit einem ersten Abschnitt (37), der auf der dielektrischen Schicht ausgebildet ist, und mit einem zweiten Abschnitt (24); und wobei: der erste Abschnitt der wenigstens einen Querplatte mit der dielektrischen Schicht, die auf der ersten Längsplatte ausgebildet ist, in Kontakt steht; und der zweite Abschnitt der wenigstens einen Querplatte von der dielektrischen Schicht, die auf der zweiten Längsplatte ausgebildet ist, beabstandet ist; und das Anlegen einer Spannung von einer Quelle, die mit der zweiten Längsplatte (26) und der wenigstens einen Querplatte (21; 22; 23) verbunden ist, bewirkt, dass sich der zweite Abschnitt der wenigstens einen Querplatte so bewegt, dass er mit der dielektrischen Schicht (25), die auf der zweiten Längsplatte ausgebildet ist, in Kontakt steht, wodurch sich die Kapazität an der ersten und der zweiten Längsplatte von einem unbedeutenden Wert zu einem ausgewählten bedeutenden Wert ändert.
Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator (11) mikromaschinell auf einem Substrat (40) mittels Technologie zur Herstellung integrierter Schaltkreise hergestellt wird.