JP2004518290A - 高qのマイクロメカニカルデバイス及びその同調方法 - Google Patents
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Abstract
キャパシタのような高Qのマイクロメカニカルデバイス、及びキャパシタの誘電体を静電気で移動することによりこれを同調する方法が提供される。高Qの同調可能なマイクロメカニカルキャパシタは、IC適合の、電気メッキ金属、表面マイクロ加工技術を使用して実現され、そして1GHz付近の周波数においてオンチップの同調可能なキャパシタに対して今日まで報告されている最大値である290を越えるQ係数を実証する。オンチップ(又はオフチップ)の高Qインダクタと組み合わされたときには、これら同調可能なキャパシタは、低位相ノイズの集積VCOアプリケーションだけでなく、同調可能な低ロスRFフィルタ及び同調可能な整合ネットワークにも有用であることが予想され、その両方の重要な機能は、ワイヤレス通信ハンドセットのマルチバンドプログラム性を改善できることである。このような高いオンチップQを可能にするこの設計の重要な特徴は、従来の設計のようにキャパシタプレート自体を移動するのではなく、キャパシタプレート間で誘電体を移動することをベースとする容量性同調方法である。この設計の1つの態様は、10Vの制御電圧に対し7.7%の同調範囲で1GHzにおいて291のQ測定値を達成し(C=1.21pF)、そして予想自己共振周波数(SRF)は、19GHzである。この設計の別の形態では、10Vに対して40%の広い同調範囲で、218のQが1GHzにおいて得られる(C=1.14pF)。
Description
【0001】
【技術分野】
本発明は、キャパシタや容量性スイッチのような高Qのマイクロメカニカルデバイス及びその同調方法に係る。
【0002】
【背景技術】
MEMS技術を使用して構成された同調可能なマイクロメカニカルキャパシタは、Qが60程度あることがこれまでに実証されており、この値は、従来のIC技術により製造される半導体ダイオード対応部分によって得られる値を遥かに越えるものである。このようなマイクロメカニカルキャパシタは、多くの場合に、懸架された上部メタルプレートを下部メタルプレート上で静電気により変位させて(印加電圧により)、両プレート間のキャパシタンスを変化できるようにしたものである。これらのキャパシタは、低抵抗率のメタル材料で構成できるので、相当に大きなQを示し、それらの半導体ダイオード対応部は、過剰な半導体直列抵抗のために大きな損失を受けることになる。今日まで、マイクロメカニカルキャパシタは、低位相ノイズの通信グレードの電圧制御発振器(VCO)に使用するためにオンチップ型、高QのLCタンクの実施に向かって首尾良く適用されている。
【0003】
しかしながら、同調可能なマイクロメカニカルキャパシタ技術における最近の進歩は、このようなデバイスの適用範囲を、VCO用のLCタンクに最初に焦点が合わせられたことを越えて、マルチバンドの再構成可能なワイヤレス通信ハンドセット用の同調可能な前選択フィルタの新たな課題へと向かって拡張し始めている。このような用途では、約200以上の非常に高いQが要求される。金属を使用して構成するにも関わらず、今日までのマイクロメカニカルキャパシタのQは、スチフネス値を充分に下げて充分に低い動作電圧を保証するためにしばしば長くなければならない金属懸架ビームの抵抗率が限定されていることから生じる損失のために依然として制限される。実際に、従来のマイクロメカニカルキャパシタ設計は、Q・対・動作電圧の妥協を明確に示している。
【0004】
バウハン氏の米国特許第5,696,662号は、プレート対に電圧を印加してプレート対を互いに直線的に移動することにより同調できる静電気作動式マイクロメカニカルキャパシタを開示している。
チャン氏等の米国特許第5,959,516号及び第6,094,102号は、マスター即ち中心キャパシタに印加された中心電圧がスレーブ即ち信号キャパシタのキャパシタンスをセットするような高QのMEMSキャパシタを開示している。
【0005】
【発明の開示】
本発明の目的は、長い上部プレート懸架ビームの必要性を排除することにより上記妥協を克服するキャパシタのような高Qのマイクロメカニカルデバイス及びその同調方法を提供することである。より詳細には、移動可能な上部プレートを使用して同調性を実施するのではなく、上部プレートは固定とされ、そして金属プレート間の誘電体が可動とされる。実際に、容量性の同調が、同調可能な誘電体を介して達成され、この誘電体は、デバイスのQに影響せず、ひいては、290以上ものQを許す誘電体ビームにより懸架される可動の誘電体プレートを介して実現される。
【0006】
本発明の上記目的及び他の目的の達成において、キャパシタのような高Qのマイクロメカニカルデバイスが提供される。このキャパシタは、基板と、該基板に支持された一対の導電層であってそれらの間に容量性ギャップを有する導電層と、それら導電層間のギャップに配置された誘電体とを備えている。又、キャパシタは、上記導電層間のギャップ内の誘電体を変位させて同調範囲にわたってキャパシタを同調させるための手段も備えている。
上記変位する手段は、ギャップ内の誘電体を静電気で変位させる。
上記キャパシタは、更に、上記層間で誘電体を移動するために誘電体に接続された少なくとも1つのスプリング素子も備えている。
【0007】
上記少なくとも1つのスプリング素子は、基板に支持された横方向又は垂直方向のスプリング素子を含む。
導電層の一方は、上部プレートの少なくとも一部分を形成し、他方の導電層は、下部プレートの少なくとも一部分を形成し、そして上部及び下部プレートの両方が基板に固定される。
導電層の各々は、導電性金属である。
基板は、半導体基体である。
上記同調範囲は、誘電体の厚みと、導電層間のギャップの厚みとの比をベースとする。
キャパシタのQ係数は、50、200又は290より大きい。
上記デバイスは、容量性スイッチである。
【0008】
更に、本発明の上記目的及び他の目的の達成において、キャパシタのようなマイクロメカニカルデバイスを同調する方法が提供される。この方法は、基板に支持された一対の導電層であってそれらの間に容量性ギャップを有する導電層を用意し、そしてそれら導電層間のギャップに誘電体を設ける段階を含む。この方法は、更に、上記導電層に電圧バイアスを印加して、導電層間で誘電体を静電気で変位させる段階を含む。
上記方法は、更に、上記層間で誘電体を移動する段階も含む。
本発明の上記目的及び他の目的、特徴並びに効果は、添付図面を参照して以下に詳細に説明した本発明を実施する最良の態様から容易に明らかとなろう。
【0009】
【発明を実施するための最良の形態】
添付図面を参照すれば、図1及び2は、本発明の同調可能なキャパシタを10で全体的に示し、重要な各要素を示すと共に、好ましい動作電圧構成を特定する概念図及び斜視図である。図示されたように、キャパシタ10は、基板14に固定された下部キャパシタプレート12と、この下部プレート12の上に懸架されるが基板14にしっかり固定されて移動することのできない上部キャパシタプレート16とを備えている。両プレート12及び16は、それらの全直列抵抗を最小にし、ひいては、デバイスのQを最大にするために銅(Cu)で作られる。
【0010】
誘電体スラブ18が2つのプレート12と16との間に懸架され、そして2つのプレート12及び16の外側でスプリング構造体20を経て基板14に固定される。この誘電体18は、自由に移動し、そしてそれとキャパシタプレート12及び16との間の重畳度を変更するか又はそれらの間の縁電界を変更するように静電気で変位することができる。前者のケースでは、DCバイアスが2つのプレート12と16との間に印加されたときに、キャパシタプレート12及び16の電荷が、誘電体18に誘起される電荷に静電力を及ぼし、図1に示すように、プレート12と16との間のギャップに向かって誘電体18を引っ張る。図2に示すワッフル形状のキャパシタ10は、所与のキャパシタンス変化に必要とされる移動距離(又は必要な電圧)を最小にし、そして以下に述べるように製造プロセスにおける犠牲層エッチング段階中にエッチング剤アクセス通路を与えるように設計される。
【0011】
可動の上部キャパシタプレート(以前の設計のような)ではなく可動の誘電体18を使用することにより、本発明の同調可能なマイクロメカニカルキャパシタ10は、次のような重要な効果を発揮する。
1.従来のものとは異なり、上部キャパシタプレート16は、直列抵抗を付加し、ひいては、Qを下げる長いスプリングによって懸架される必要がない。むしろ、プレート16は、比較的厚みがあり、懸架せずに使用されて、直列抵抗を下げ、Qを相当に高くすることができる。
2.以下の式(1)により左右されるように、キャパシタ10の同調範囲は、誘電体の厚みと容量性プレートのギャップとの比によって設定され、従来の可動上部プレート設計をしばしば制限したプルダウン現象に関与せずに、適切な設計により非常に大きくすることができる。
3.この可動誘電体キャパシタ10では、上部−下部プレートの電気的短絡が生じない。
【0012】
同調可能な誘電体キャパシタ設計
適当な静電気分析を介して、同調可能なキャパシタ10に対する誘電体変位x及び動作電圧Vaの関数としてキャパシタンスCの近似分析式を次のように導出しそして要約することができる。
【数1】
【0013】
上記の式は、一次設計には充分であるが、特に、図2の場合と同程度に複雑な構造において全キャパシタンス変化に著しく影響し得る縁電界キャパシタンスを考慮していない。従って、半導体デバイスシミュレータMEDICIを使用して、本発明の同調可能なキャパシタ10に対するキャパシタンス・対・電圧伝達関数を微同調することができる。
【0014】
製造
図3a−3eは、本発明のキャパシタ10に使用される製造プロセスを示す側面断面図である。このプロセスは、図3aにおいて、シリコンウェハ即ち基体32と最終的な金属構造体との間の分離層即ち誘電体層として働くようにSiO2の1μm層30を熱的成長させることから始まる。その後、先ず、300Å/2000ÅのCr/Cuの種層34を蒸着し、次いで、銅(Cu)の5μm層36(シート抵抗=4.2mΩ/平方)を電気メッキすることにより、下部キャパシタプレート12を形成する。次いで、Cu層36の上にニッケル(Ni)の3000Å層38を電気メッキして(図3aを参照)、その後のRIEプロセス中にエッチングチャンバのCu汚染を防止するために緩衝層として働くようにする。
【0015】
図3bを参照すれば、次いで、第1の2000Åのアルミニウム(Al)犠牲層40を蒸着してパターン化し、その後続層PECVDの窒化物誘電体フィルム42がその下のNi層38に接着するところの通路を形成する。窒化物フィルム42は、RIEによりパターン化されて、可動の誘電体プレート18を形成し、次いで、0.9μmの第2犠牲Alフィルム44の下に沈ませ、これは、図3cに示すように、誘電体層18と最終的な上部金属プレート16との間隔を定義する。エッチングされた誘電体のフィンガー間の谷状のトポグラフィーのために、0.9μmのAl層44の付着は、実際には、上部プレート16と誘電体18とが係合されたときにそれらの間に0.3μmのギャップのみを生じる。
【0016】
Al層44を通る通路をエッチングして上部プレートの固定部(図3c参照)を形成した後に、図3dに示すように、先ず、薄いCr/Cuの種層46を蒸着し、次いで、画成ホトレジストモールド50を介してCu層48を7μmの厚み(これは、上部プレート16が動作電圧印加のもとで曲がらないように確保するに充分な厚みである)に電気メッキすることにより、上部プレート16を形成する。この点において、PR及びPRの下の種層(上部プレート構造体の下の種層ではない)を除去する。最終的に、K3Fe(CN)6/NaOH溶液を使用して、2つのAl犠牲層40及び44を選択的にエッチングして誘電体42を解放し、この溶液は、Alを侵食するが、Cu及び窒化物誘電体42はそのまま残し、図3eの最終的断面を形成する。解放の後、臨界点乾燥剤をしばしば使用してキャパシタ10を乾燥し、くっつきを防止する。この流れにおける全てのプロセス段階は、200℃以下で行われるので、このプロセスは、トランジスタ回路とのポストIC一体化に従って行うことができる。
【0017】
結果及び考察
デバイスの性能を特徴付けるために、HP8753ESのsパラメータネットワーク分析器を、GSGチップ付きカスケード・マイクロテクのマイクロウェーブプローブと一緒に使用して、0.6ないし6GHzのRF測定を行った。図2のデバイス10の螺旋状スプリング20に対するRF性能を要約する測定及びモデリングされたデータは、同調バイアス0Vの状態で1GHzにおいて291の非常に高いQ(1.21pF)を示す。回路モデルを使用してそのリアクタンスプロットを拡張すると、このデバイスに対して予想される自己共振周波数(SRF)は、19GHzである。
【0018】
上述した横方向キャパシタデバイス10に加えて、図4は、10’で全体的に示された本発明の別のキャパシタのデバイス構造を示し、ここでは、垂直方向スプリング60を使用して、誘電体18’を上部プレート16’と下部プレート12’との間で垂直方向のみに移動する。この構造は、縁電界(縁キャパシタンス)の変化によって動作する。このキャパシタデバイス10’の製造されたものは、フィルムストレスという点から有利であり、1GHzにおいて218のQ係数で40%の同調範囲を得ることができた。
本発明を実施する最良の態様を以上に詳細に説明したが、当業者であれば、特許請求の範囲内で種々の変更がなされ得ることが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明により構成された同調可能なマイクロメカニカルキャパシタの側面図である。
【図2】
横方向/垂直方向スプリング素子を有する図1のキャパシタの斜視図である。
【図3a】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3b】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3c】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3d】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3e】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図4】
図2と同様であるが、垂直方向のスプリング素子をもつことを示す図である。
【技術分野】
本発明は、キャパシタや容量性スイッチのような高Qのマイクロメカニカルデバイス及びその同調方法に係る。
【0002】
【背景技術】
MEMS技術を使用して構成された同調可能なマイクロメカニカルキャパシタは、Qが60程度あることがこれまでに実証されており、この値は、従来のIC技術により製造される半導体ダイオード対応部分によって得られる値を遥かに越えるものである。このようなマイクロメカニカルキャパシタは、多くの場合に、懸架された上部メタルプレートを下部メタルプレート上で静電気により変位させて(印加電圧により)、両プレート間のキャパシタンスを変化できるようにしたものである。これらのキャパシタは、低抵抗率のメタル材料で構成できるので、相当に大きなQを示し、それらの半導体ダイオード対応部は、過剰な半導体直列抵抗のために大きな損失を受けることになる。今日まで、マイクロメカニカルキャパシタは、低位相ノイズの通信グレードの電圧制御発振器(VCO)に使用するためにオンチップ型、高QのLCタンクの実施に向かって首尾良く適用されている。
【0003】
しかしながら、同調可能なマイクロメカニカルキャパシタ技術における最近の進歩は、このようなデバイスの適用範囲を、VCO用のLCタンクに最初に焦点が合わせられたことを越えて、マルチバンドの再構成可能なワイヤレス通信ハンドセット用の同調可能な前選択フィルタの新たな課題へと向かって拡張し始めている。このような用途では、約200以上の非常に高いQが要求される。金属を使用して構成するにも関わらず、今日までのマイクロメカニカルキャパシタのQは、スチフネス値を充分に下げて充分に低い動作電圧を保証するためにしばしば長くなければならない金属懸架ビームの抵抗率が限定されていることから生じる損失のために依然として制限される。実際に、従来のマイクロメカニカルキャパシタ設計は、Q・対・動作電圧の妥協を明確に示している。
【0004】
バウハン氏の米国特許第5,696,662号は、プレート対に電圧を印加してプレート対を互いに直線的に移動することにより同調できる静電気作動式マイクロメカニカルキャパシタを開示している。
チャン氏等の米国特許第5,959,516号及び第6,094,102号は、マスター即ち中心キャパシタに印加された中心電圧がスレーブ即ち信号キャパシタのキャパシタンスをセットするような高QのMEMSキャパシタを開示している。
【0005】
【発明の開示】
本発明の目的は、長い上部プレート懸架ビームの必要性を排除することにより上記妥協を克服するキャパシタのような高Qのマイクロメカニカルデバイス及びその同調方法を提供することである。より詳細には、移動可能な上部プレートを使用して同調性を実施するのではなく、上部プレートは固定とされ、そして金属プレート間の誘電体が可動とされる。実際に、容量性の同調が、同調可能な誘電体を介して達成され、この誘電体は、デバイスのQに影響せず、ひいては、290以上ものQを許す誘電体ビームにより懸架される可動の誘電体プレートを介して実現される。
【0006】
本発明の上記目的及び他の目的の達成において、キャパシタのような高Qのマイクロメカニカルデバイスが提供される。このキャパシタは、基板と、該基板に支持された一対の導電層であってそれらの間に容量性ギャップを有する導電層と、それら導電層間のギャップに配置された誘電体とを備えている。又、キャパシタは、上記導電層間のギャップ内の誘電体を変位させて同調範囲にわたってキャパシタを同調させるための手段も備えている。
上記変位する手段は、ギャップ内の誘電体を静電気で変位させる。
上記キャパシタは、更に、上記層間で誘電体を移動するために誘電体に接続された少なくとも1つのスプリング素子も備えている。
【0007】
上記少なくとも1つのスプリング素子は、基板に支持された横方向又は垂直方向のスプリング素子を含む。
導電層の一方は、上部プレートの少なくとも一部分を形成し、他方の導電層は、下部プレートの少なくとも一部分を形成し、そして上部及び下部プレートの両方が基板に固定される。
導電層の各々は、導電性金属である。
基板は、半導体基体である。
上記同調範囲は、誘電体の厚みと、導電層間のギャップの厚みとの比をベースとする。
キャパシタのQ係数は、50、200又は290より大きい。
上記デバイスは、容量性スイッチである。
【0008】
更に、本発明の上記目的及び他の目的の達成において、キャパシタのようなマイクロメカニカルデバイスを同調する方法が提供される。この方法は、基板に支持された一対の導電層であってそれらの間に容量性ギャップを有する導電層を用意し、そしてそれら導電層間のギャップに誘電体を設ける段階を含む。この方法は、更に、上記導電層に電圧バイアスを印加して、導電層間で誘電体を静電気で変位させる段階を含む。
上記方法は、更に、上記層間で誘電体を移動する段階も含む。
本発明の上記目的及び他の目的、特徴並びに効果は、添付図面を参照して以下に詳細に説明した本発明を実施する最良の態様から容易に明らかとなろう。
【0009】
【発明を実施するための最良の形態】
添付図面を参照すれば、図1及び2は、本発明の同調可能なキャパシタを10で全体的に示し、重要な各要素を示すと共に、好ましい動作電圧構成を特定する概念図及び斜視図である。図示されたように、キャパシタ10は、基板14に固定された下部キャパシタプレート12と、この下部プレート12の上に懸架されるが基板14にしっかり固定されて移動することのできない上部キャパシタプレート16とを備えている。両プレート12及び16は、それらの全直列抵抗を最小にし、ひいては、デバイスのQを最大にするために銅(Cu)で作られる。
【0010】
誘電体スラブ18が2つのプレート12と16との間に懸架され、そして2つのプレート12及び16の外側でスプリング構造体20を経て基板14に固定される。この誘電体18は、自由に移動し、そしてそれとキャパシタプレート12及び16との間の重畳度を変更するか又はそれらの間の縁電界を変更するように静電気で変位することができる。前者のケースでは、DCバイアスが2つのプレート12と16との間に印加されたときに、キャパシタプレート12及び16の電荷が、誘電体18に誘起される電荷に静電力を及ぼし、図1に示すように、プレート12と16との間のギャップに向かって誘電体18を引っ張る。図2に示すワッフル形状のキャパシタ10は、所与のキャパシタンス変化に必要とされる移動距離(又は必要な電圧)を最小にし、そして以下に述べるように製造プロセスにおける犠牲層エッチング段階中にエッチング剤アクセス通路を与えるように設計される。
【0011】
可動の上部キャパシタプレート(以前の設計のような)ではなく可動の誘電体18を使用することにより、本発明の同調可能なマイクロメカニカルキャパシタ10は、次のような重要な効果を発揮する。
1.従来のものとは異なり、上部キャパシタプレート16は、直列抵抗を付加し、ひいては、Qを下げる長いスプリングによって懸架される必要がない。むしろ、プレート16は、比較的厚みがあり、懸架せずに使用されて、直列抵抗を下げ、Qを相当に高くすることができる。
2.以下の式(1)により左右されるように、キャパシタ10の同調範囲は、誘電体の厚みと容量性プレートのギャップとの比によって設定され、従来の可動上部プレート設計をしばしば制限したプルダウン現象に関与せずに、適切な設計により非常に大きくすることができる。
3.この可動誘電体キャパシタ10では、上部−下部プレートの電気的短絡が生じない。
【0012】
同調可能な誘電体キャパシタ設計
適当な静電気分析を介して、同調可能なキャパシタ10に対する誘電体変位x及び動作電圧Vaの関数としてキャパシタンスCの近似分析式を次のように導出しそして要約することができる。
【数1】
【0013】
上記の式は、一次設計には充分であるが、特に、図2の場合と同程度に複雑な構造において全キャパシタンス変化に著しく影響し得る縁電界キャパシタンスを考慮していない。従って、半導体デバイスシミュレータMEDICIを使用して、本発明の同調可能なキャパシタ10に対するキャパシタンス・対・電圧伝達関数を微同調することができる。
【0014】
製造
図3a−3eは、本発明のキャパシタ10に使用される製造プロセスを示す側面断面図である。このプロセスは、図3aにおいて、シリコンウェハ即ち基体32と最終的な金属構造体との間の分離層即ち誘電体層として働くようにSiO2の1μm層30を熱的成長させることから始まる。その後、先ず、300Å/2000ÅのCr/Cuの種層34を蒸着し、次いで、銅(Cu)の5μm層36(シート抵抗=4.2mΩ/平方)を電気メッキすることにより、下部キャパシタプレート12を形成する。次いで、Cu層36の上にニッケル(Ni)の3000Å層38を電気メッキして(図3aを参照)、その後のRIEプロセス中にエッチングチャンバのCu汚染を防止するために緩衝層として働くようにする。
【0015】
図3bを参照すれば、次いで、第1の2000Åのアルミニウム(Al)犠牲層40を蒸着してパターン化し、その後続層PECVDの窒化物誘電体フィルム42がその下のNi層38に接着するところの通路を形成する。窒化物フィルム42は、RIEによりパターン化されて、可動の誘電体プレート18を形成し、次いで、0.9μmの第2犠牲Alフィルム44の下に沈ませ、これは、図3cに示すように、誘電体層18と最終的な上部金属プレート16との間隔を定義する。エッチングされた誘電体のフィンガー間の谷状のトポグラフィーのために、0.9μmのAl層44の付着は、実際には、上部プレート16と誘電体18とが係合されたときにそれらの間に0.3μmのギャップのみを生じる。
【0016】
Al層44を通る通路をエッチングして上部プレートの固定部(図3c参照)を形成した後に、図3dに示すように、先ず、薄いCr/Cuの種層46を蒸着し、次いで、画成ホトレジストモールド50を介してCu層48を7μmの厚み(これは、上部プレート16が動作電圧印加のもとで曲がらないように確保するに充分な厚みである)に電気メッキすることにより、上部プレート16を形成する。この点において、PR及びPRの下の種層(上部プレート構造体の下の種層ではない)を除去する。最終的に、K3Fe(CN)6/NaOH溶液を使用して、2つのAl犠牲層40及び44を選択的にエッチングして誘電体42を解放し、この溶液は、Alを侵食するが、Cu及び窒化物誘電体42はそのまま残し、図3eの最終的断面を形成する。解放の後、臨界点乾燥剤をしばしば使用してキャパシタ10を乾燥し、くっつきを防止する。この流れにおける全てのプロセス段階は、200℃以下で行われるので、このプロセスは、トランジスタ回路とのポストIC一体化に従って行うことができる。
【0017】
結果及び考察
デバイスの性能を特徴付けるために、HP8753ESのsパラメータネットワーク分析器を、GSGチップ付きカスケード・マイクロテクのマイクロウェーブプローブと一緒に使用して、0.6ないし6GHzのRF測定を行った。図2のデバイス10の螺旋状スプリング20に対するRF性能を要約する測定及びモデリングされたデータは、同調バイアス0Vの状態で1GHzにおいて291の非常に高いQ(1.21pF)を示す。回路モデルを使用してそのリアクタンスプロットを拡張すると、このデバイスに対して予想される自己共振周波数(SRF)は、19GHzである。
【0018】
上述した横方向キャパシタデバイス10に加えて、図4は、10’で全体的に示された本発明の別のキャパシタのデバイス構造を示し、ここでは、垂直方向スプリング60を使用して、誘電体18’を上部プレート16’と下部プレート12’との間で垂直方向のみに移動する。この構造は、縁電界(縁キャパシタンス)の変化によって動作する。このキャパシタデバイス10’の製造されたものは、フィルムストレスという点から有利であり、1GHzにおいて218のQ係数で40%の同調範囲を得ることができた。
本発明を実施する最良の態様を以上に詳細に説明したが、当業者であれば、特許請求の範囲内で種々の変更がなされ得ることが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明により構成された同調可能なマイクロメカニカルキャパシタの側面図である。
【図2】
横方向/垂直方向スプリング素子を有する図1のキャパシタの斜視図である。
【図3a】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3b】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3c】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3d】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図3e】
本発明のキャパシタの製造プロセスを示す側面断面図である。
【図4】
図2と同様であるが、垂直方向のスプリング素子をもつことを示す図である。
Claims (18)
- 基板と、該基板に支持された一対の導電層であってそれらの間に容量性ギャップを有する導電層と、これら導電層間のギャップに配置された誘電体と、上記導電層間のギャップ内の誘電体を変位させて同調範囲にわたってキャパシタを同調させるための手段とを備えた高Qのマイクロメカニカルデバイス。
- 上記変位させる手段は、上記ギャップ内の誘電体を静電気で変位させる請求項1に記載のデバイス。
- 上記層間で誘電体を移動させるために誘電体に接続された少なくとも1つのスプリング素子を更に備えた請求項1に記載のデバイス。
- 上記少なくとも1つのスプリング素子は、上記基板に支持された横方向のスプリング素子を含む請求項3に記載のデバイス。
- 上記少なくとも1つのスプリング素子は、上記基板に支持された垂直方向のスプリング素子を含む請求項3に記載のデバイス。
- 上記導電層の一方は、上部プレートの少なくとも一部分を形成し、他方の導電層は、下部プレートの少なくとも一部分を形成し、そして上部及び下部プレートの両方が基板に固定される請求項1に記載のデバイス。
- 上記導電層の各々は、導電性金属である請求項6に記載のデバイス。
- 上記基板は、半導体基体である請求項1に記載のデバイス。
- 上記同調範囲は、上記誘電体の厚みと、上記導電層間のギャップの厚みとの比に基づく請求項1に記載のデバイス。
- 上記デバイスのQ係数は、50より大きい請求項1に記載のデバイス。
- 上記デバイスのQ係数は、200より大きい請求項10に記載のデバイス。
- 上記Q係数は、290より大きい請求項11に記載のデバイス。
- 上記デバイスは、キャパシタである請求項1に記載のデバイス。
- 上記デバイスは、容量性スイッチである請求項1に記載のデバイス。
- マイクロメカニカルデバイスを同調する方法において、
基板に支持された一対の導電層であってそれらの間に容量性ギャップを有する導電層を用意し、
上記導電層間のギャップに誘電体を設け、そして
上記導電層に電圧バイアスを印加して、上記導電層間で誘電体を静電気で変位させる、
という段階を備えた方法。 - 上記層間で誘電体を移動させる段階を更に備えた請求項15に記載の方法。
- 上記デバイスは、キャパシタである請求項15に記載の方法。
- 上記デバイスは、容量性スイッチである請求項15に記載の方法。
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