DE69511207T2 - Festkörperkondensator und mikrofonvorrichtungen - Google Patents

Festkörperkondensator und mikrofonvorrichtungen

Info

Publication number
DE69511207T2
DE69511207T2 DE69511207T DE69511207T DE69511207T2 DE 69511207 T2 DE69511207 T2 DE 69511207T2 DE 69511207 T DE69511207 T DE 69511207T DE 69511207 T DE69511207 T DE 69511207T DE 69511207 T2 DE69511207 T2 DE 69511207T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diaphragm
membrane
electrode
receiving
articulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69511207T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69511207D1 (de
Inventor
Peter Loeppert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Knowles Electronics LLC
Original Assignee
Knowles Electronics LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Knowles Electronics LLC filed Critical Knowles Electronics LLC
Publication of DE69511207D1 publication Critical patent/DE69511207D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69511207T2 publication Critical patent/DE69511207T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067—Mechanical properties
    • B81B3/0072—For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R25/00—Deaf-aid sets, i.e. electro-acoustic or electro-mechanical hearing aids; Electric tinnitus maskers providing an auditory perception
    • H04R25/60—Mounting or interconnection of hearing aid parts, e.g. inside tips, housings or to ossicles
    • H04R25/604—Mounting or interconnection of hearing aid parts, e.g. inside tips, housings or to ossicles of acoustic or vibrational transducers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Description

    Technisches Gebiet
  • Die Erfindung betrifft Festkörperkondensatoren. Insbesondere betrifft die Erfindung Miniaturfestkörperkondensatormikrofone, welche dort nützlich sind, wo kleine Abmessungen gewünscht werden, wie beispielsweise für Sensoren von Hörgeräten.
    • Stand der Technik
  • Ein typisches Kondensatormikrofon umfaßt ein eine Vorspannung erzeugendes Element, Vbias (üblicherweise ein Elektret), ein Membran/Gelenkelektrode-Paar, welches eine Kapazität ausbildet, die sich mit dem Schalldruck ändert, und eine Feldeffekttransistorschaltung (FET) zum Puffern des Ausgangssignals. Miniaturmikrofone, welche in Hörgeräten oder anderen Anwendungen verwendet werden, sind typischerweise Elektretkondensatormikrofone. Diese sind mit hoch präzisen, gestanzten Metallteilen, organischen Membranfilmen, wie beispielsweise Mylar und Polyester, und hoch geladenen Elektretfilmen zum Vorspannen der Mikrofone aufgebaut. Diese Mikrofone haben einige Nachteile. Ihre Größe wurde reduziert bis zu den Grenzen der Herstellbarkeit. Eine mangelnde Einheitlichkeit beim Stanz- und Montageverfahren führt zu einer hohen Streuung in der Empfindlichkeit. Darüber hinaus führen Temperatur- und Feuchtigkeitseffekte auf dem organischen Membranfilm und dem Elektret zu einer Langzeitdrift der Mikrofonleistungsfähigkeit.
  • Bei dem Versuch, diese mit herkömmlichen Miniaturmikrofonen verbundenen Nachteile zu beseitigen, haben verschiedene Entwickler versucht, Festkörpermikrofone unter Verwendung von Halbleitertechniken herzustellen. Derartige Mikrofone unter Verwendung anorganischer Dünnfilme haben das Potential die mit herkömmlichen Miniaturmikrofonen verbundenen Probleme zu lösen. Bisher war jedoch der Versuch, derartige Festkörpermikrofone aufzubauen, dahingehend nicht erfolgreich, daß gleichzeitig sowohl die notwendige Empfindlichkeit als auch eine gute Herstellbarkeit nicht erreicht wurden.
  • Herkömmliche Mikrofone haben rechtwinklige Membran/Gelenkelektrode-Paare und messen üblicherweise einige Millimeter an einer Seite mit einem Abstand zwischen der Membran und der Gelenkelektrode von einigen zehntel Mikrometer. Eine Elektretvorspannung von einigen hundert Volt ist erforderlich, um die Mikrofonempfindlichkeit in einen gewünschten Bereich zu bringen. Bei der Entwicklung eines Festkörpermikrofons, beispielsweise aus Silizium, ist es wünschenswert, die Vorspannung in den Bereich von 5 bis 10 Volt zu reduzieren, um Umfangsstabilitätsprobleme des Elektrets zu vermeiden. Diese Spannung kann auf bequeme Weise direkt von einer Stromversorgung oder einer herkömmlichen Ladungspumpenschaltung gewonnen werden. Die Reduktion des Vorspannungswertes erfordert eine entsprechende Erhöhung der Kapazitätsänderung (ΔC) der Kapazität (C), um eine entsprechende Empfindlichkeit aufrecht zu erhalten. Ein Verfahren zum Aufrechterhalten der Empfindlichkeit des Miniaturmikrofons liegt darin, den Abstand zwischen der Membran und der Gelenkelektrode auf etwa 1 bis 2 um zu reduzieren. Es ist weiterhin notwendig, eine mechanische Übereinstimmung der Membran (beispielsweise Auslenkung über Schalldruckpegel) in einem mit herkömmlichen Mikrofonen wenigstens vergleichbaren Bereich zu halten.
  • In einer Membran existieren zwei Arten von Kräften, welche einer Auslenkung in Abhängigkeit vom Druck entgegenwirken. Die erste Kraft umfaßt Plattenbiegekräfte, welche proportional zur Dicke der Membran sind. Diese Kräfte können durch Verwendung von sehr dünnen Membranfilmen reduziert werden. Die zweite Kraft, welche der Auslenkung entgegenwirkt, umfaßt Membrankräfte, welche proportional zur auf die Membran angewendeten Spannung sind. Im Falle einer dünnen Filmmembran ist Spannung im wesentlichen nicht bewußt hinzugefügt, aber diese ist ein Ergebnis der Herstellungstechnik sowie Fehlanpassungen von thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Membran und dem speziellen Mittel, welches zum Halten der Membran verwendet wird.
  • Entwickler, welche Festkörpermikrofone hergestellt haben, bemerkten das Problem der Restspannung in der Membran. Hohm und Hess, J. Acoust. Soc. Am. 85, 476-480 (1989) verwendeten eine flache Siliziumnitritmembran mit hoher Restspannung. Zur Reduktion der Spannung implantierten sie Stickstoff zum Entspannen des Nitritfilms. Diese Technik ist jedoch sehr empfindlich bezüglich der Implantierungsdosierung und Energie sowie bzgl. eines thermischen Ausglühzyklus. Es ist schwierig eine Gleichmäßigkeit der ursprünglichen Spannung über eine derartige Membran zu steuern, und ein derartiges Verfahren kann der Membran keine Langzeitstabilität verleihen.
  • Berggvist und Rudolf, Transducers 91, Proceedings of the International Converence on Solid-State Sensors and Actuators (IEEE, New York, 1991) S. 266- 269, reduzierten Membranspannungen auf andere Weise. Sie stellten eine Niederspannungsmembran unter Verwendung von leicht dotierten Einkristallsilizium her. Obwohl dies bei der Reduktion der Membranspannung erfolgreich war, bildete sich eine parasitäre Kapazität, welche den Vorteil der niedrigen Membranspannung zunichte machte.
  • Eine Voranmeldung (US-Anmeldung mit der Seriennr. 07/853488, Europäische Veröffentlichungsnr. 0 561 566, seitens des Anmelders) offenbart eine Festkörperkondensatoreinrichtung mit einer festen Gelenkelektrode, die eine feste Elektrode in einem Parallelplattenkondensator ausbildet, und mit einer Membran mit einer vorbestimmten Dicke. Die Membran ist empfindlich auf auftretende Schalldruckwellen und bildet eine bewegliche Elektrode in dem Parallelplattenkondensator. Die Vorrichtung umfaßt ferner eine Aufnahmevorrichtung mit einem Aufnahmespalt zur Aufnahme der Membran um den Umfang der Membran herum in Zusammenwirkung mit der Gelenkelektrode. Um die Membran ohne physikalische Befestigung zu haltern ist die Dicke des Aufnahmespalts größer als die Dicke der Membrand.
    • Darstellung der Erfindung, Aufgabe, Lösung, Vorteile
  • Erfindungsgemäß umfaßt eine Festkörperkondensatoreinrichtung, welche auf einem einzelnen Siliziumwafer aufgebaut ist, eine feste, perforierte Gelenkelektrode, welche aus dem Siliziumwafer ausgebildet ist, welcher eine feste Elektrode in einem Parallelplattenkondensator ausbildet; eine Membran, welche empfindlich für auftretende Schalldruckwellen ist und eine bewegliche Elektrode in dem Parallelplattenkondensator bildet; und eine Aufnahmevorrichtung mit einem Aufnahmespalt (g) zum Rückhalten der Membran derart, daß diese mit der Gelenkelektrode zusammenwirkt, ohne auf die Membran nennenswerte Spannung auszuüben, wobei die Dicke des Aufnahmespaltes größer ist als die Dicke der Membran, um die Membran ohne physikalische Verbindung im Aufnahmespalt zu halten, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmevorrichtung radial innerhalb des Umfangs der Membran angeordnet ist.
  • In vorteilhafter Weise sind mehrere derartige Aufnahmevorrichtungen beabstandet radial innerhalb des Umfangs der Membran angeordnet.
  • Andere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit den folgenden Zeichnungen.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1a und 1b sind Schnittansichten, welche die Herstellung einer erfindungsgemäßen Membran illustrieren;
  • Fig. 2 ist eine Aufsicht auf die Membran von Fig. 1b;
  • Fig. 3 ist eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Gelenkelektrode;
  • Fig. 4 ist eine Aufsicht auf die Gelenkelektrode von Fig. 3;
  • Fig. 5 ist eine Schnittansicht eines herkömmlichen Kondensators; und
  • Fig. 6 ist eine Schnittansicht eines anderen herkömmlichen Kondensators;
  • Fig. 7 ist eine Aufsicht der Erfindung;
  • Fig. 8 ist eine perspektivische Ansicht der Ausführungsform gemäß Fig. 7; und
  • Fig. 9 ist eine Schnittansicht der Ausführungsform von Fig. 7, welche im wesentlichen auf die Membran wirkende Kräfte illustriert.
    • Bester Weg zur Ausführung der Erfindung
  • Während diese Erfindung auf unterschiedlichste Art und Weise ausgeführt werden kann, sind in den Zeichnungen und der Beschreibung bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Detail beschrieben, wobei diese lediglich als beispielhaft zu verstehen sind, zur Veranschaulichung des erfindungsgemäßen Prinzips und nicht zum Einschränken der Erfindung auf die illustrierten bevorzugten Ausführungsformen.
  • Festkörpermikrofone im Stand der Technik enthalten eine Membran, deren Ecken fest mit dem Kondensator verbunden sind. Derartige feste Verbindungen üben Spannung auf eine dünne Membran während ihrer Herstellung aus. Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß nur wenig Spannung in die Membran eingebracht wird, wenn diese nur lose gehalten ist. Im Ergebnis zeigt die Membran eine größere Empfindlichkeit bezüglich Schalldruck.
  • Eine mit 12 bezeichnete Membran mit niedriger Spannung ist mit dem in Fig. 1a und 1b illustrierten Verfahren herstellbar. Ein doppelseitig polierter < 100> orientierter Siliziumwafer wird mit ersten und zweiten 400 Å Oxidschichten 16, 18 auf jeweiligen Seiten eines Wafers 14 oxidiert. Anschließend wird eine 1000 Å Schicht aus Aluminium 20 auf der ersten Oxidschicht 16 mittels Verdampfen aufgebracht. Alternativ wird eine Schicht aus polykristallinem Silizium (Poly) mittels chemischem Aufdampfen bei niedrigem Druck anstatt der Aluminiumschicht 20 aufgebracht. Als nächstes wird eine 1 um dicke Siliziumnitridschicht 24 mittels plasma verstärktem chemischem Aufdampfen (PECVD) auf die Aluminiumschicht 20 aufgebracht und in Form der Membran 12 geätzt. Als nächstes wird eine zweite 1000 A Kupfer-Schicht aus Aluminium 26 mittels Verdampfen auf die Siliziumnitridschicht 24 aufgebracht. Die erste und zweite Aluminiumschicht 20, 26 werden um ihren Umfang herum genau unterhalb der Kante der Siliziumnitridschicht 24 geätzt. Dieses Ätzen bildet das "gestufte" Umfangsprofil der Aluminiumschichten 20, 24 aus, um die Oxidschichten 16 zur Verbindung mit einer zweiten Nitridschicht 30 freizulegen.
  • Die zweite Schicht aus PECVD-Nitrid 30 ist 1,5 um dick und wird aufgebracht und nachfolgend zum Ausbilden von Aufnahmevorrichtungen 36 geätzt. Die Aufnahmevorrichtungen 36 umfassen einen Aufnahmeträger 38 und einen Aufnahmearm 40. Die Aufnahmevorrichtung 36 nehmen, wie voranstehend beschrieben, die Membran 12 auf, um diese ohne Ausübung von Spannung oder Druck auf die Membran 12 zu haltern. Die Figuren sind nicht maßstabsgetreu, da die Dicke der Siliziumschicht 15 im Vergleich mit den übrigen Schichten sehr groß ist.
  • Fig. 2 zeigt eine Aufsicht auf die Membran 12 mit den entsprechend angeordneten Aufnahmevorrichtungen 36. Die Aufnahmevorrichtungen 36 sind kleine, voneinander getrennte Elemente, so daß ihre innere Spannung keinen Bruch der Aufnahmevorrichtung 36 oder dem Rest der Anordnung bedingt. Diese Aufnahmevorrichtungen können unterschiedliche Formen annehmen.
  • Zum Vollenden der Herstellung der Membran 12 wird die zweite Aluminiumschicht 26 auf der Oberseite der Membran 12 abgezogen, und es wird eine Verbindungsschicht 44 durch Aufbringen einer Schicht aus Chrom/Gold-Metall auf der Membran 12 ausgebildet, wie in Fig. 1b dargestellt. Das Gold des Chrom/Gold-Metalls wird von der Oberfläche der Membran abgeätzt, wodurch die Verbindungsschicht 44 eine sehr dünne Chromschicht (100-200 Å in der Dicke) umfaßt. Die Verbindungsschicht 44 dient zum Verbinden der Membran 12 mit einer anderen Schaltung des Wafers 14. Die zweite Oxidschicht 18 an der Rückseite des Wafers 12 wird dann geätzt, um als Maske für ein nachfolgend beschriebenes Kavitätsätzen zu dienen.
  • Zum Ausführen des Kavitätsätzens wird der Wafer 12 in ein anisotropes Ätzmittel, wie beispielsweise EDP, getaucht, um die Kavität 48 auszubilden. Zum Wegätzen der ersten und zweiten Aluminiumschichten 20, 26 wird ein Aluminiumätzmittel verwendet, um die Membran freizulegen. Ein abschließendes Eintauchen in eine gepufferte HF-Lösung entfernt die erste Oxidschicht 16 unter der Membran 12.
  • Wie in Fig. 1b dargestellt, hat die Membran eine Dicke "t", und die Aufnahmevorrichtung 36 bildet einen Spalt mit einer Spaltdicke "g" aus. Der Spalt nimmt die Membran 12 im Zusammenwirken der Anordnung bezüglich der Gelenkelektrode auf, um die Membran ohne tatsächliche Verbindung an diese zu haltern. Auf diese Weise ist die Membran an ihrem Ort gehaltert, ohne merkliche Spannung auf die Membran 12 auszuüben.
  • Fig. 2 zeigt eine Aufsicht auf die Membran 12. Die Membran 12 umfaßt ein längliches hinteres Element 52, welches sich zu einer Seite hin erstreckt und in einem quadratischen Anschlußsteg 54 endet, welcher auf dem Siliziumsubstrat befestigt ist. Wie zuvor bereits erwähnt, wird das Gold des Chrom/Gold-Metalls von der Membranoberfläche 12 entfernt. Es wird jedoch etwas Gold auf dem Anschlußfleck bzw. Pad 54 belassen, um eine Verbindung in bekannter Weise zu ermöglichen. Während das hintere Element 52 frei schwebt, ist seine Bewegung nach unten durch das Siliziumsubstrat und nach oben durch die Haltevorrichtungen eingeschränkt.
  • Die Verbindungsschicht 44 auf der Membran 12 ist auf den Mittelbereich der Membran 12 beschränkt, wo die Auslenkung der Membran am größten ist. Diese Anordnung maximiert die Empfindlichkeit des Mikrofons und minimiert parasitäre Kapazitäten zwischen der Membran 12 und der übrigen Struktur. Da die Membran 12 vom Siliziumsubstrat isoliert ist, wird parasitäre Kapazität ferner durch Anwendung einer Schutzspannung auf das Substrat reduziert, welche vom Ausgang einer FET-Schaltung abgeleitet wird.
  • Der Aufbau der in der praktischen Ausführung der Erfindung verwendeten Gelenkelektrode ergibt sich am besten unter Bezugnahme auf Fig. 3, welche eine Schnittansicht der Gelenkelektrode 64 zeigt, welche mittels Ätzen aus dem Silizi umwafer hergestellt ist. Die Gelenkelektrode 64 weist mehrere Perforierungen 66 zum Minimieren einer Steifheit aufgrund von zwischen der Membran 12 und der Gelenkelektrode 64 gefangener Luft auf. Die Gelenkelektrode 64 wird aus dem Siliziumchip ausgebildet, welcher stark mit Bor dotiert ist. Dies setzt die Gelenkelektrode 64 unter Spannung, verbessert die Leitfähigkeit und dient als ein Ätzstop zum Ausbilden der erforderlichen Geometrie. Der oben erwähnte Berggvist betonte die Notwendigkeit einer hochperforierten Gelenkelektrode. Er identifizierte jedoch die Notwendigkeit einer niedrigen Spannung der Gelenkelektrode in falscher Weise unter Verwendung leicht dotierten einkristallinen Siliziums. Erfindungsgemäß ist eine steife Gelenkelektrode bevorzugt, da diese die größtmögliche relative Bewegung zwischen der Membran und der Gelenkelektrode ermöglicht.
  • Die Herstellung der Gelenkelektrode 64 beginnt mit einem doppelt polierten, < 100> orientierten Siliziumwafer 68, auf dem eine Nitridschicht aufgebracht und zum Maskieren eines flachen Spaltes 70 geätzt wird. Der flache Spalt 70 wird etwa 2 um tief in das Silizium mit einem anisotropen Ätzmittel geätzt. Das zurückbleibende Nitrid wird entfernt und es wird eine neue Schicht aufgebracht und derart geätzt, daß dünne Inseln zurückbleiben, welche über den Stellen, wo die Löcher 72 erforderlich sind, angeordnet sind. Eine starke Bordotierung wird in die vordere Oberfläche diffundiert, um einen p+-Ätzstop mit etwa 4 um Tiefe auszubilden. Das Nitrid auf der Rückseite des Wafers von der zweiten Schichtabscheidung wird derart geätzt, daß es eine Maske für das Kavitätsätzen bildet. Eintauchen des Wafers in ein isotropes Ätzmittel, wie beispielsweise EDP, bildet die Kavität 48 aus, wodurch sich die perforierte Gelenkelektrode 64 ergibt.
  • Bei einem alternativen Verfahren zum Herstellen der Gelenkelektrode 64 wird statt eines Ätzens zum Ausbilden des Spaltes 70 der Umfang des Wafers 78 derart mittels Aufbringen von dünnen Filmen ausgebildet, wie im Stand der Technik bekannt, um den Spalt 70 herzustellen.
  • Fig. 4 zeigt eine Aufsicht auf die Gelenkelektrode 64. In dieser Figur ist eine vergleichsweise kleine Anzahl von Löchern 76 illustriert. Bei einer praktischen Aus führung der Erfindung ist es jedoch häufig üblich, eine Gelenkelektrode mit wesentlich mehr Perforationen auszubilden.
  • Erfindungsgemäß sind die Membran und die Gelenkelektrode mittels Bonden miteinander verbunden, wobei eine der herkömmlichen Techniken, wie beispielsweise eutektisches Löten, elektrostatisches Bonden oder Siliziumfusionsbonden, verwendet wird. Ein gebondetes Paar ist in der Schnittansicht von Fig. 5 dargestellt. Zum Fertigstellen der Einheit zum Verwenden in einem Mikrofon wird die Kombination aus Membran und Gelenkelektrode auf einem Träger 80 befestigt, welcher zusammen mit der Gelenkelektrode 64 eine geschlossene Rückkammer 82 ausbildet Auf einem der Siliziumteile werden zum Ausbilden eines vollständigen Mikrofonelementes eine FET-Schaltung 84 wie auch eine Vorspannungsquelle (nicht dargestellt) einfach integriert.
  • Gemäß einer weiteren Ausführung der Erfindung ist die Membran 12 und die Gelenkelektrode 64 auf einem einzelnen Siliziumwafer ausgebildet, wie in Fig. 6 dargestellt. In dieser Ausführungsform wird zuerst die Gelenkelektrode 64 unter Verwendung von bordotierten Verfahren, wie oben unter Bezug auf Fig. 3 beschrieben, ausgebildet, ohne vorheriges Ausbilden des flachen Spaltes. Nach dem Bordotieren wird eine leicht dotierte polykristalline Siliziumschicht aufgebracht. Die vordere Fläche des Wafers bleibt relativ eben, und der p+-Ätzstop wird nun unter die Oberfläche eingebracht. Als nächstes werden die Membran 12 und die Haltevorrichtungen 36 auf dem Siliziumwafer 14 ausgebildet, unter Verwendung derselben allgemeinen Verfahren, wie oben unter Bezugnahme auf Fig. 1a und 1b beschrieben. Wenn der Wafer 14 in EDP zum Ausbilden der Kavität 48 eingetaucht wird, dann werden die Opferschichten zum Freilegen der Membran 12 entfernt und der Spalt ausgebildet. Der die Gelenkelektrode 64 umfassende Siliziumwafer wird mit einer Basis 92 verbunden, um eine geschlossene Rückkammer 94 auszubilden. Zum Ausbilden des vollständigen Mikrofonelementes wird eine FET- Schaltung und eine Vorspannungsquelle auf dem Siliziumteil integriert.
  • Beim Ausführen der Erfindung ist es notwendig, akustische Lecks um die Membran herum zwischen der Schallquelle und der Rückkammer zu vermeiden. Derartige akustische Lecks werden in der Vorrichtung in Fig. 6 dadurch vermieden, daß Umfangskanten der Membran 12 den Siliziumwafer 14 kontaktieren, wenn sich die Membran 12 aufgrund elektrostatischer Anziehung durch die Vorspannung in Richtung Gelenkelektrode bewegt. Bei der in Fig. 5 veranschaulichten Vorrichtung ist ein akustisches Leck mittels eines Ringes im Rückelektrodenelement vermieden, welcher mit der Membran 12 in Eingriff kommt, wenn sich diese in Richtung der Gelenkelektrode 64 unter denselben elektrostatischen Anziehungen bewegt. Diese Vorrichtungen erlauben jedoch eine niederfrequente Luftströmung von der Rückkammer zur Kompensation statischer Druckdifferenzen zwischen der Rückkammer und der Umgebung.
  • Eine Modifikation der Vorrichtung von Fig. 1a, 1b und 2 ist in Fig. 7 und 8 illustriert. Erfindungsgemäß sind die Haltevorrichtungen 36 radial einwärts am Umfang der Membran 12 angeordnet. Diese Haltevorrichtungen dieser Ausführungsform sind ähnlich zu den Haltevorrichtungen 36 von Fig. 1 und 2, wie oben beschrieben, ausgebildet, mit der Ausnahme, daß die Haltevorrichtungen dieser Ausführungsform jeweils zwei Haltearme 40 umfassen. Wie in Fig. 7 und 8 dargestellt, werden sowohl um den Umfang der Membran 12 herum angeordnete als auch radial einwärts vom Umfang der Membran 12 ausgehende Haltevorrichtungen 12 verwendet. Zusätzlich ist das rückwärtige Element 52 mit einem U-förmigen Abschnitt 100 ausgebildet, welcher ebenfalls von einer Haltevorrichtung 36 aufgenommen wird. Der U-förmige Abschnitt 100 biegt sich, um der Membran 12 eine Bewegung in Richtung des rückwärtigen Elementes 52 zu ermöglichen, was zusätzlich der Membran 12 die Möglichkeit gibt, einen größeren Grad von Bewegung zur weiteren Spannungsreduktion durchzuführen.
  • Fig. 9 ist eine Schnittansicht der Ausführungsform von Fig. 7 und 8. Wie dargestellt, wirken die Haltevorrichtungen 36 derart zusammen, daß sie ein Biegen (mit Strichlinien dargestellt) der Membran 12 verhindern, während gleichzeitig eine Spannung durch starres Klammern vermieden ist.
  • Die Erfindung wurde unter Bezugnahme auf verschiedene Ausführungsformen und Bedingungen beschrieben, welche die Erfindung nicht einschränken sollen. Der Fachmann im Stand der Technik wird die Veränderungen von den Ausführungsformen und Bedingungen, welche hierin beschrieben sind, verstehen, welche ohne Abkehr von der Erfindung, wie in den beigefügten Ansprüchen dargestellt, möglich sind.

Claims (3)

1. Festkörperkondensator, welcher auf einem einzigen Silicium-Wafer ausgebildet ist und umfaßt eine feste perforierte Gelenkelektrode (64), welche aus dem Silicium-Wafer (14) gebildet ist und eine feste Elektrode in einem Parallelplattenkondensator bildet; eine Membran, welche empfindlich für auftreffende Schalldruckwellen ist und eine bewegliche Elektrode in dem Parallelplattenkondensator bildet; und eine Aufnahmevorrichtung (36) mit einem Aufnehmerspalt (g) zum Rückhalten der Membran derart, daß diese mit der Gelenkelektrode (64) zusammenwirkt, ohne auf die Membran nennenswerte Spannung auszuüben, wobei die Dicke des Aufnehmerspaltes (g) größer ist als die Dicke der Membran (12), um die Membran (12) ohne physikalische Verbindung im Aufnehmerspalt (g) zu halten, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmevorrichtung (36) radial innerhalb des Umfangs der Membran (12), angeordnet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie mehrere Aufnahmevorrichtungen (36) umfaßt, welche radial innerhalb des Umfangs der Membran (12) angeordnet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufnahmevorrichtungen (36) im wesentlichen gleichmäßig voneinander beabstandet sind.
DE69511207T 1994-05-05 1995-05-05 Festkörperkondensator und mikrofonvorrichtungen Expired - Fee Related DE69511207T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/238,965 US5490220A (en) 1992-03-18 1994-05-05 Solid state condenser and microphone devices
PCT/US1995/005642 WO1995031082A1 (en) 1994-05-05 1995-05-05 Solid state condenser and microphone devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69511207D1 DE69511207D1 (de) 1999-09-09
DE69511207T2 true DE69511207T2 (de) 2000-02-03

Family

ID=22900067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69511207T Expired - Fee Related DE69511207T2 (de) 1994-05-05 1995-05-05 Festkörperkondensator und mikrofonvorrichtungen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5490220A (de)
EP (1) EP0707781B1 (de)
AU (1) AU2472595A (de)
DE (1) DE69511207T2 (de)
DK (1) DK0707781T3 (de)
WO (1) WO1995031082A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10052196B4 (de) * 2000-02-15 2005-07-14 Mitsubishi Denki K.K. Mikrofoneinheit

Families Citing this family (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5740261A (en) * 1996-11-21 1998-04-14 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
JP3360558B2 (ja) * 1997-01-06 2002-12-24 株式会社村田製作所 圧電型電気音響変換器
US5870482A (en) * 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone
DE19741046C1 (de) * 1997-09-18 1999-05-06 Sennheiser Electronic Verfahren zur Herstellung eines Ein-Chip-Mikrophons
US6249586B1 (en) * 1998-01-21 2001-06-19 Fachhochschule Furtwangen Slot microphone
WO1999063652A1 (en) * 1998-06-05 1999-12-09 Knowles Electronics, Inc. Solid-state receiver
FI105880B (fi) 1998-06-18 2000-10-13 Nokia Mobile Phones Ltd Mikromekaanisen mikrofonin kiinnitys
JP3992840B2 (ja) * 1998-06-22 2007-10-17 北陸電気工業株式会社 圧電発音器及びその製造方法
US6088463A (en) 1998-10-30 2000-07-11 Microtronic A/S Solid state silicon-based condenser microphone
AU5030100A (en) * 1999-05-19 2000-12-05 California Institute Of Technology High performance mems thin-film teflon electret microphone
US6522762B1 (en) * 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
JP4459498B2 (ja) * 1999-09-06 2010-04-28 パルス・エムイーエムエス・アンパルトセルスカブ シリコンベースのセンサーシステム
AU7601500A (en) * 1999-09-21 2001-04-24 University Of Hawaii Method of forming parylene-diaphragm piezoelectric acoustic transducers
US6532293B1 (en) * 2000-02-08 2003-03-11 Knowles Electronics Llc Acoustical transducer with reduced parasitic capacitance
DE10195878T1 (de) * 2000-03-07 2003-06-12 Hearworks Pty Ltd Doppelkondensatormikrophon
US6535460B2 (en) 2000-08-11 2003-03-18 Knowles Electronics, Llc Miniature broadband acoustic transducer
US6987859B2 (en) 2001-07-20 2006-01-17 Knowles Electronics, Llc. Raised microstructure of silicon based device
US7439616B2 (en) * 2000-11-28 2008-10-21 Knowles Electronics, Llc Miniature silicon condenser microphone
US7434305B2 (en) 2000-11-28 2008-10-14 Knowles Electronics, Llc. Method of manufacturing a microphone
US8623709B1 (en) 2000-11-28 2014-01-07 Knowles Electronics, Llc Methods of manufacture of top port surface mount silicon condenser microphone packages
US7166910B2 (en) * 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
US6741709B2 (en) * 2000-12-20 2004-05-25 Shure Incorporated Condenser microphone assembly
US6847090B2 (en) 2001-01-24 2005-01-25 Knowles Electronics, Llc Silicon capacitive microphone
US6859542B2 (en) 2001-05-31 2005-02-22 Sonion Lyngby A/S Method of providing a hydrophobic layer and a condenser microphone having such a layer
US7298856B2 (en) * 2001-09-05 2007-11-20 Nippon Hoso Kyokai Chip microphone and method of making same
US7065224B2 (en) * 2001-09-28 2006-06-20 Sonionmicrotronic Nederland B.V. Microphone for a hearing aid or listening device with improved internal damping and foreign material protection
US8147544B2 (en) 2001-10-30 2012-04-03 Otokinetics Inc. Therapeutic appliance for cochlea
US7023066B2 (en) * 2001-11-20 2006-04-04 Knowles Electronics, Llc. Silicon microphone
AU2002365352A1 (en) * 2001-11-27 2003-06-10 Corporation For National Research Initiatives A miniature condenser microphone and fabrication method therefor
US6870939B2 (en) * 2001-11-28 2005-03-22 Industrial Technology Research Institute SMT-type structure of the silicon-based electret condenser microphone
US6781231B2 (en) * 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6667189B1 (en) 2002-09-13 2003-12-23 Institute Of Microelectronics High performance silicon condenser microphone with perforated single crystal silicon backplate
US7142682B2 (en) * 2002-12-20 2006-11-28 Sonion Mems A/S Silicon-based transducer for use in hearing instruments and listening devices
US7184563B2 (en) * 2003-03-04 2007-02-27 Knowles Electronics Llc. Electret condenser microphone
JP2004356708A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Hosiden Corp 音響検出機構及びその製造方法
JP4181580B2 (ja) * 2003-11-20 2008-11-19 松下電器産業株式会社 エレクトレット及びエレクトレットコンデンサー
US7391873B2 (en) * 2003-12-01 2008-06-24 Audioasics A/S Microphone with voltage pump
US7165647B2 (en) * 2003-12-18 2007-01-23 Pei-Chau Lee Mechanical acoustic filter by erosion etching
WO2005086534A1 (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. エレクトレットコンデンサーマイクロフォンユニット
US7853027B2 (en) * 2004-03-05 2010-12-14 Panasonic Corporation Electret condenser
DE102004011149B3 (de) * 2004-03-08 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Mikrophon und Verfahren zur Herstellung eines Mikrophons
WO2005086535A1 (ja) * 2004-03-09 2005-09-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. エレクトレットコンデンサーマイクロホン
SG121923A1 (en) * 2004-10-18 2006-05-26 Sensfab Pte Ltd Silicon microphone
US7415121B2 (en) * 2004-10-29 2008-08-19 Sonion Nederland B.V. Microphone with internal damping
US7346178B2 (en) * 2004-10-29 2008-03-18 Silicon Matrix Pte. Ltd. Backplateless silicon microphone
US7329933B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 Silicon Matrix Pte. Ltd. Silicon microphone with softly constrained diaphragm
DE102004058879B4 (de) * 2004-12-06 2013-11-07 Austriamicrosystems Ag MEMS-Mikrophon und Verfahren zur Herstellung
US7936894B2 (en) * 2004-12-23 2011-05-03 Motorola Mobility, Inc. Multielement microphone
US7795695B2 (en) 2005-01-27 2010-09-14 Analog Devices, Inc. Integrated microphone
DE102005008514B4 (de) * 2005-02-24 2019-05-16 Tdk Corporation Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
DE102005008511B4 (de) * 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
DE102005016243B3 (de) * 2005-04-08 2006-09-28 Austriamicrosystems Ag Mikromechanisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung und Verwendung
US7825484B2 (en) * 2005-04-25 2010-11-02 Analog Devices, Inc. Micromachined microphone and multisensor and method for producing same
US20070071268A1 (en) * 2005-08-16 2007-03-29 Analog Devices, Inc. Packaged microphone with electrically coupled lid
US7885423B2 (en) * 2005-04-25 2011-02-08 Analog Devices, Inc. Support apparatus for microphone diaphragm
US7449356B2 (en) * 2005-04-25 2008-11-11 Analog Devices, Inc. Process of forming a microphone using support member
SG127754A1 (en) * 2005-05-16 2006-12-29 Sensfab Pte Ltd Silicon microphone
EP1742506B1 (de) * 2005-07-06 2013-05-22 Epcos Pte Ltd Mikrofonanordnung mit P-typ Vorverstärkerseingangsstufe
US20070040231A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Harney Kieran P Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
US8130979B2 (en) * 2005-08-23 2012-03-06 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
US8351632B2 (en) * 2005-08-23 2013-01-08 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
US7961897B2 (en) * 2005-08-23 2011-06-14 Analog Devices, Inc. Microphone with irregular diaphragm
US8477983B2 (en) * 2005-08-23 2013-07-02 Analog Devices, Inc. Multi-microphone system
US20080247572A1 (en) * 2005-09-09 2008-10-09 Nxp B.V. Micro-Electro-Mechanical System (Mems) Capacitor Microphone and Method of Manufacturing Thereof
US20070121972A1 (en) * 2005-09-26 2007-05-31 Yamaha Corporation Capacitor microphone and diaphragm therefor
DE102005053767B4 (de) * 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005053765B4 (de) * 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
US7469461B2 (en) * 2005-12-09 2008-12-30 Taiwan Carol Electronics Co., Ltd. Method for making a diaphragm unit of a condenser microphone
TWI315643B (en) * 2006-01-06 2009-10-01 Ind Tech Res Inst Micro acoustic transducer and manufacturing method thereof
US7992283B2 (en) * 2006-01-31 2011-08-09 The Research Foundation Of State University Of New York Surface micromachined differential microphone
DE602007007198D1 (de) * 2006-03-30 2010-07-29 Sonion Mems As Akustischer einchip-mems-wandler und herstellungsverfahren
US8081783B2 (en) * 2006-06-20 2011-12-20 Industrial Technology Research Institute Miniature acoustic transducer
WO2008003051A2 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Analog Devices, Inc. Stress mitigation in packaged microchips
US8270634B2 (en) * 2006-07-25 2012-09-18 Analog Devices, Inc. Multiple microphone system
WO2008022048A2 (en) * 2006-08-10 2008-02-21 California Institute Of Technology Microfluidic valve having free-floating member and method of fabrication
US20080042223A1 (en) * 2006-08-17 2008-02-21 Lu-Lee Liao Microelectromechanical system package and method for making the same
US20080075308A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-27 Wen-Chieh Wei Silicon condenser microphone
US20080083957A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Wen-Chieh Wei Micro-electromechanical system package
DE102006047203B4 (de) * 2006-10-05 2013-01-31 Austriamicrosystems Ag Mikrophonanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
US8569850B2 (en) 2006-10-11 2013-10-29 Sensfab Pte Ltd Ultra low pressure sensor
US7894622B2 (en) 2006-10-13 2011-02-22 Merry Electronics Co., Ltd. Microphone
US8165323B2 (en) * 2006-11-28 2012-04-24 Zhou Tiansheng Monolithic capacitive transducer
US20080175425A1 (en) * 2006-11-30 2008-07-24 Analog Devices, Inc. Microphone System with Silicon Microphone Secured to Package Lid
WO2008134530A2 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 University Of Florida Research Foundation, Inc. A capacitive microphone with integrated cavity
US7694610B2 (en) * 2007-06-27 2010-04-13 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Photo-multiplier tube removal tool
JP2009038732A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Panasonic Corp 電子部品とその製造方法及び該電子部品を備える電子装置
TWI380456B (en) 2008-04-30 2012-12-21 Pixart Imaging Inc Micro-electro-mechanical device and method for making same
CN101580222B (zh) * 2008-05-15 2011-11-16 原相科技股份有限公司 微机电元件与制作方法
US7812418B2 (en) * 2008-07-29 2010-10-12 Fortemedia, Inc Chip-scaled MEMS microphone package
US7951636B2 (en) * 2008-09-22 2011-05-31 Solid State System Co. Ltd. Method for fabricating micro-electro-mechanical system (MEMS) device
US8134215B2 (en) * 2008-10-09 2012-03-13 United Microelectronics Corp. MEMS diaphragm
US8238018B2 (en) 2009-06-01 2012-08-07 Zhou Tiansheng MEMS micromirror and micromirror array
US8897470B2 (en) 2009-07-31 2014-11-25 Macronix International Co., Ltd. Method of fabricating integrated semiconductor device with MOS, NPN BJT, LDMOS, pre-amplifier and MEMS unit
TWI444052B (zh) * 2009-12-17 2014-07-01 Ind Tech Res Inst 電容式傳感器及其製造方法
DE102011050040B4 (de) 2010-05-14 2016-10-06 National Tsing Hua University Kapazitives Mikrosystem-Mikrofon
US8436435B2 (en) 2010-07-27 2013-05-07 National Tsing Hua University MEMS capacitive microphone
US9341275B2 (en) 2010-09-15 2016-05-17 Minipumps, Llc Molded and packaged elastomeric check valve
US9036231B2 (en) 2010-10-20 2015-05-19 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
US10551613B2 (en) 2010-10-20 2020-02-04 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
US8860154B2 (en) * 2011-03-11 2014-10-14 Goertek Inc. CMOS compatible silicon differential condenser microphone and method for manufacturing the same
US8503699B2 (en) 2011-06-01 2013-08-06 Infineon Technologies Ag Plate, transducer and methods for making and operating a transducer
US9031266B2 (en) * 2011-10-11 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Electrostatic loudspeaker with membrane performing out-of-plane displacement
US9374643B2 (en) 2011-11-04 2016-06-21 Knowles Electronics, Llc Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture
US9385634B2 (en) 2012-01-26 2016-07-05 Tiansheng ZHOU Rotational type of MEMS electrostatic actuator
KR101379680B1 (ko) 2012-05-09 2014-04-01 이화여자대학교 산학협력단 듀얼 백플레이트를 갖는 ｍｅｍｓ 마이크로폰 및 제조방법
US9491539B2 (en) 2012-08-01 2016-11-08 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus disposed on assembly lid
US9078063B2 (en) 2012-08-10 2015-07-07 Knowles Electronics, Llc Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
JP6450687B2 (ja) 2013-01-11 2019-01-09 ミニパンプス， エルエルシー ダイヤフラム逆止弁およびその製造方法
US9676614B2 (en) 2013-02-01 2017-06-13 Analog Devices, Inc. MEMS device with stress relief structures
JP6127600B2 (ja) * 2013-03-12 2017-05-17 オムロン株式会社 静電容量型センサ、音響センサ及びマイクロフォン
US9264833B2 (en) * 2013-03-14 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for integrated microphone
US9338559B2 (en) 2013-04-16 2016-05-10 Invensense, Inc. Microphone system with a stop member
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
US9179221B2 (en) * 2013-07-18 2015-11-03 Infineon Technologies Ag MEMS devices, interface circuits, and methods of making thereof
US9344808B2 (en) * 2014-03-18 2016-05-17 Invensense, Inc. Differential sensing acoustic sensor
DE102014108984B4 (de) 2014-06-26 2017-04-06 Tdk Corporation Wandlerelement
CN204046818U (zh) 2014-07-28 2014-12-24 瑞声声学科技(深圳)有限公司 电容mems麦克风
KR101550633B1 (ko) * 2014-09-23 2015-09-07 현대자동차 주식회사 마이크로폰 및 그 제조 방법
US10167189B2 (en) 2014-09-30 2019-01-01 Analog Devices, Inc. Stress isolation platform for MEMS devices
US9743191B2 (en) 2014-10-13 2017-08-22 Knowles Electronics, Llc Acoustic apparatus with diaphragm supported at a discrete number of locations
US9872116B2 (en) 2014-11-24 2018-01-16 Knowles Electronics, Llc Apparatus and method for detecting earphone removal and insertion
KR101610149B1 (ko) * 2014-11-26 2016-04-08 현대자동차 주식회사 마이크로폰 제조방법, 마이크로폰, 및 그 제어방법
FR3033468B1 (fr) * 2015-03-02 2018-04-13 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif a membranes actionnables et haut-parleur digital comportant au moins un tel dispositif
US9794661B2 (en) 2015-08-07 2017-10-17 Knowles Electronics, Llc Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package
US9401158B1 (en) 2015-09-14 2016-07-26 Knowles Electronics, Llc Microphone signal fusion
US10131538B2 (en) 2015-09-14 2018-11-20 Analog Devices, Inc. Mechanically isolated MEMS device
US9830930B2 (en) 2015-12-30 2017-11-28 Knowles Electronics, Llc Voice-enhanced awareness mode
US9779716B2 (en) 2015-12-30 2017-10-03 Knowles Electronics, Llc Occlusion reduction and active noise reduction based on seal quality
US9812149B2 (en) 2016-01-28 2017-11-07 Knowles Electronics, Llc Methods and systems for providing consistency in noise reduction during speech and non-speech periods
CN108702574B (zh) * 2016-02-04 2021-05-25 美商楼氏电子有限公司 差分mems麦克风
ITUA20163571A1 (it) * 2016-05-18 2017-11-18 St Microelectronics Srl Trasduttore acustico mems con elettrodi interdigitati e relativo procedimento di fabbricazione
KR101807069B1 (ko) * 2016-10-21 2017-12-08 현대자동차 주식회사 마이크로폰 및 그 제조방법
JP2019201263A (ja) 2018-05-15 2019-11-21 凸版印刷株式会社 Ｍｅｍｓマイクロフォン
US11417611B2 (en) 2020-02-25 2022-08-16 Analog Devices International Unlimited Company Devices and methods for reducing stress on circuit components
US11981560B2 (en) 2020-06-09 2024-05-14 Analog Devices, Inc. Stress-isolated MEMS device comprising substrate having cavity and method of manufacture
CN114390384A (zh) * 2021-12-31 2022-04-22 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH466376A (de) * 1968-03-01 1968-12-15 Ibm Anordnung zur Umwandlung von Drücken in digitale elektrische Signale
US3663768A (en) * 1971-01-15 1972-05-16 Northern Electric Co Electret transducer
US3772133A (en) * 1971-11-08 1973-11-13 Industrial Research Prod Inc Backplate construction for electret transducer
NL7313455A (nl) * 1973-10-01 1975-04-03 Philips Nv Mikrofoon met elektrostatische capsule.
JPS57193198A (en) * 1981-05-22 1982-11-27 Toshiba Corp Electrostatic microphone
SE428081B (sv) * 1981-10-07 1983-05-30 Ericsson Telefon Ab L M Tilledningsram for en elektretmikrofon
US4651120A (en) * 1985-09-09 1987-03-17 Honeywell Inc. Piezoresistive pressure sensor
US4771638A (en) * 1985-09-30 1988-09-20 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Semiconductor pressure sensor
US4783821A (en) * 1987-11-25 1988-11-08 The Regents Of The University Of California IC processed piezoelectric microphone
JPH0748564B2 (ja) * 1988-05-07 1995-05-24 シャープ株式会社 シリコンマイクロセンサ
JP2681207B2 (ja) * 1989-02-01 1997-11-26 株式会社 オーディオテクニカ 静電型電気音響変換器の振動板
US4993072A (en) * 1989-02-24 1991-02-12 Lectret S.A. Shielded electret transducer and method of making the same
US5146435A (en) * 1989-12-04 1992-09-08 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Acoustic transducer
EP0561566B1 (de) * 1992-03-18 1999-07-28 Knowles Electronics, Inc. Festkörper-Kondensatormikrofon
US5208789A (en) * 1992-04-13 1993-05-04 Lectret S. A. Condenser microphones based on silicon with humidity resistant surface treatment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10052196B4 (de) * 2000-02-15 2005-07-14 Mitsubishi Denki K.K. Mikrofoneinheit

Also Published As

Publication number Publication date
US5490220A (en) 1996-02-06
DE69511207D1 (de) 1999-09-09
EP0707781B1 (de) 1999-08-04
AU2472595A (en) 1995-11-29
EP0707781A1 (de) 1996-04-24
DK0707781T3 (da) 2000-01-31
WO1995031082A1 (en) 1995-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69511207T2 (de) Festkörperkondensator und mikrofonvorrichtungen
DE69325732T2 (de) Festkörper-Kondensatormikrofon
DE102017212613B9 (de) MEMS-Bauelement und Herstellungsverfahren für ein MEMS-Bauelement
DE69032583T2 (de) Miniaturdruckwandler hoher Empfindlichkeit mit gespannter Membran
DE69116532T2 (de) Mikrominiatur-Differenzdruckwandler und Herstellungsverfahren dazu
DE102006055147B4 (de) Schallwandlerstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schallwandlerstruktur
DE69823679T2 (de) Miniaturisiertes halbleiter-kondensatormikrophon
DE102010008044B4 (de) MEMS-Mikrofon und Verfahren zur Herstellung
DE69317833T2 (de) Intergrierter kapazitiver Wandler
DE69925803T2 (de) Mikromechanischer halbleiter-beschleunigungssensor
DE102018203029A1 (de) Kapazitives MEMS-Bauelement, kapazitiver MEMS-Schallwandler, Verfahren zum Bilden eines kapazitiven MEMS-Bauelements und Verfahren zum Betreiben eines kapazitiven MEMS-Bauelements
DE102004011144B4 (de) Drucksensor und Verfahren zum Betreiben eines Drucksensors
EP0721587A1 (de) Mikromechanische vorrichtung und verfahren zu deren herstellung
EP2214421B1 (de) Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur und Verfahren zum Betreiben eines solchen Bauelements
DE102015108918A1 (de) System und Verfahren für ein Mikrofon
DE4410631A1 (de) Kapazitiver Sensor bzw. Wandler sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP2460365A1 (de) Bauelement mit einer mikromechanischen mikrofonstruktur und verfahren zur herstellung eines solchen bauelements
EP1958480A1 (de) Mikromechanische struktur zum empfang und/oder zur erzeugung von akustischen signalen, verfahren zur herstellung einer mikromechanischen struktur und verwendung einer mikromechanischen struktur
DE102006047203A1 (de) Mikrophonanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
WO2000009440A1 (de) Mikromechanischer sensor und verfahren zu seiner herstellung
DE102020120232A1 (de) Mems-sensor
DE102017200108A1 (de) Mikromechanische Schallwandleranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102013224631A1 (de) Mikrospiegel und Herstellungsverfahren für zumindest einen in einer Mikrospiegelvorrichtung anordbaren oder angeordneten Mikrospiegel
EP1474355B1 (de) Mikromechanisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE102004011145A1 (de) Mikrophon und Verfahren zur Herstellung eines Mikrophons

Legal Events

Date Code Title Description
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KNOWLES ELECTRONICS, LLC, ITASCA, ILL., US

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: ZEITLER, VOLPERT, KANDLBINDER, 80539 MUENCHEN

8339 Ceased/non-payment of the annual fee