JP2019201263A - Memsマイクロフォン - Google Patents

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泰子 後藤
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Tadahiro Nomura
直裕 野村
直樹 稲垣
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直樹 稲垣
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Abstract

【課題】 感度を向上させることが可能なMEMSマイクロフォンを提供する。【解決手段】 MEMSマイクロフォンは、開口部11Aを有するガラス基板11と、開口部11Aを覆うようにしてガラス基板11上に設けられ、第1導電層13Bを含むメンブレン13と、メンブレン13の上方に空洞15を介して設けられ、音波を通す複数の貫通孔18を有し、第2導電層16Aを含むバックプレート16とを含む。第1導電層13Bは、金属、又は導電性酸化物で構成される。第2導電層16Aは、金属、又は導電性酸化物で構成される。【選択図】 図3

Description

本発明は、音を検出するMEMSマイクロフォンに関する。
一般的なMEMSマイクロフォンは、半導体基板(例えばシリコン基板)上に素子が形成される。半導体製造技術を利用することで、MEMSマイクロフォンを小型化することができる。MEMSマイクロフォンは、複数の貫通孔を有するバックプレート電極と、音波による音圧に応じて振動するメンブレン電極(ダイヤフラム電極)とを有する。音圧によってメンブレン電極が振動すると、バックプレート電極とメンブレン電極と間の容量が変化する。MEMSマイクロフォンは、容量変化に応じた電圧変化を検出することにより、音を検出する。
特許第5513813号公報 米国特許第5,490,220号明細書
本発明は、感度を向上させることが可能なMEMSマイクロフォンを提供する。
本発明の一態様に係るMEMSマイクロフォンは、開口部を有するガラス基板と、前記開口部を覆うようにして前記ガラス基板上に設けられ、第1導電層を含むメンブレンと、前記メンブレンの上方に空洞を介して設けられ、音波を通す複数の貫通孔を有し、第2導電層を含むバックプレートとを具備する。前記第1導電層は、金属、又は導電性酸化物で構成され、前記第2導電層は、金属、又は導電性酸化物で構成される。
本発明によれば、感度を向上させることが可能なMEMSマイクロフォンを提供することができる。
第1実施形態に係るMEMSマイクロフォンの平面図。 図1に示したMEMSマイクロフォンの下面図。 図1に示したA−A´線に沿ったMEMSマイクロフォンの断面図。 図1に示したB−B´線に沿ったMEMSマイクロフォンの断面図。 図1に示したC−C´線に沿ったMEMSマイクロフォンの断面図。 複数の物質の抵抗率を説明する図。 第2実施形態に係るMEMSマイクロフォンの断面図。 第2実施形態に係るMEMSマイクロフォンの断面図。 第2実施形態に係るMEMSマイクロフォンの断面図。 第3実施形態に係るバックプレート電極、メンブレン電極、及びガラス基板の開口部の平面図。 第4実施形態に係るMEMSマイクロフォンの断面図。 第4実施形態に係るバックプレート電極、メンブレン電極、及びガラス基板の開口部の平面図。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
以下の実施形態は、MEMSマイクロフォンの構成例である。MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)とは、電気回路と微細な機械構造とを1つの基板上に集積させたデバイスである。
[1] 第1実施形態
[1−1] MEMSマイクロフォン10の構成
図1は、第1実施形態に係るMEMSマイクロフォン10の平面図である。図2は、図1に示したMEMSマイクロフォン10の下面図である。図3は、図1に示したA−A´線に沿ったMEMSマイクロフォン10の断面図である。図4は、図1に示したB−B´線に沿ったMEMSマイクロフォン10の断面図である。図5は、図1に示したC−C´線に沿ったMEMSマイクロフォン10の断面図である。
一般的なMEMSは、半導体材料と、半導体の製造記述とを用いて形成される。また、一般的なMEMSでは、微細加工が有利なように、シリコン基板(ポリシリコン)が用いられる。これに対し、本実施形態では、MEMSマイクロフォン10の基板として、ガラス基板11が用いられる。ガラス基板11は、絶縁性を有する。ガラス基板11としては、例えば無アルカリのガラスが用いられる。ガラス基板11の厚さは、概略0.5mmである。ガラス基板11の平面形状は、例えば四角形である。本実施形態は、MEMSマイクロフォン10にガラス基板11を用いたことにより、シリコン基板を用いた一般的なMEMSとは積層構造が異なる。
ガラス基板11は、開口部11Aを有する。開口部11Aは、円形を有する。開口部11Aの径は、概略1mmである。開口部11Aは、例えばテーパ形状を有する。図2に示した開口部11Aは、ガラス基板11の上面側の径(すなわち、最小の径)を示している。
ガラス基板11上には、保護層12が設けられる。保護層12は、ガラス基板11の開口部11Aの周囲を囲むように形成される。保護層12は、クロム(Cr)などの金属で構成される。ガラス基板11の開口部11Aは、フッ酸(フッ化水素酸)を含む溶液を用いたウェットエッチングで形成される。保護層12は、ウェットエッチング工程において、後述するメンブレンが溶液に侵されるのを防ぐ機能を有する。
ガラス基板11上及び保護層12上には、開口部11Aを覆うように、メンブレン(ダイヤフラムともいう)13が設けられる。メンブレン13は、円形を有する。メンブレン13のサイズは、ガラス基板11の開口部11Aのサイズより大きい。メンブレン13は、絶縁層13A、導電層13B、及び絶縁層13Cが順に積層された3層構造である。導電層13Bは、メンブレン13の電極(振動電極)として機能する。導電層13Bは、金属で構成され、例えば、膜厚35nm程度のモリブデン(Mo)で構成される。導電層13Bとしては、クロム(Cr)、又はアルミニウム(Al)などを用いてもよい。また、導電層13Bとしては、ITO(インジウム錫酸化物)などの導電性酸化物を用いてもよい。絶縁層13A、及び絶縁層13Cはそれぞれ、例えば、膜厚250nm程度のシリコン窒化物(SiNx)で構成される。化学式に記載された“x”は、組成比が任意であることを意味する。
メンブレン13は、少なくとも1つの貫通孔14を有する。図2には、一例として、2個の貫通孔14を示している。また、図3には、簡略化のために、1個の貫通孔14を例示している。貫通孔14は、メンブレン13に急激な音圧が印加された場合に、当該音圧を逃がすことで、メンブレン13が破損するのを抑制する機能を有する。
メンブレン13の上方には、空洞(cavity)15を介して、バックプレート16が設けられる。バックプレート16は、導電層16A、及び絶縁層16Bが順に積層されて構成される。導電層16Aは、バックプレート16の電極(固定電極)として機能する。導電層16Aは、金属で構成され、例えば、膜厚35nm程度のモリブデン(Mo)で構成される。導電層16Aとしては、クロム(Cr)、又はアルミニウム(Al)などを用いてもよい。また、導電層16Aとしては、ITO(インジウム錫酸化物)などの導電性酸化物を用いてもよい。絶縁層16Bは、例えば、膜厚2000nm程度のシリコン窒化物(SiNx)で構成される。
メンブレン13とバックプレート16との間には、前述した空洞15が設けられる。空洞15の厚さは、概略3μmである。空洞15は、絶縁層17によって周囲が囲まれる。絶縁層17は、ガラス基板11のうち空洞15を除く領域の全体に設けられる。絶縁層17と、バックプレート16の絶縁層16Bとは、連続層であり、一体で形成される。すなわち、絶縁層17及び絶縁層16Bは、ガラス基板11の概略全面に設けられる。
バックプレート16は、複数の貫通孔18を有する。複数の貫通孔18は、バックプレート16の全面に亘って設けられる。図3には、簡略化のために、3個の貫通孔18を例示している。複数の貫通孔18は、バックプレート16のメンブレン13と反対側から印加される音波を空洞15に通す機能を有する。バックプレート16が多くの貫通孔18を有しているため、音圧に応じてバックプレート16が振動するのを抑制できる。すなわち、バックプレート16の導電層16Aは、固定電極として機能する。
バックプレート16のメンブレン13側には、複数の突起19が設けられる。図3には、一例として、2個の突起19を示しているが、突起19の数は、任意に設定可能である。突起19は、バックプレート16とメンブレン13とが接触するのを防ぐ機能を有する。バックプレート16とメンブレン13との接触は、MEMSマイクロフォン10の動作中、及び製造工程中に発生する可能性がある。
バックプレート16及び絶縁層17上には、保護層20が設けられる。保護層20は、例えば、膜厚150nm程度のアモルファスシリコンで構成される。保護層20は、空洞15を形成するための犠牲層(例えばシリコン酸化物(SiOx))をウェットエッチングで除去する際に、バックプレート16の絶縁層16Bを保護する機能を有する。保護層20を含めてバックプレート16と定義してもよい。この場合、バックプレート16は、導電層16A、絶縁層16B、及び絶縁層(保護層)20が順に積層された3層構造を有する。
(メンブレン端子の構成)
次に、メンブレン13に電気的に接続された端子(メンブレン端子)の構成について、図1、図2、及び図4を用いて説明する。
メンブレン13の導電層13Bには、任意の方向(例えば図1における左斜め下方向)に延びる配線層21が電気的に接続される。配線層21と導電層13Bとは、連続層であり、一体で形成される。導電層13Bの下及び上にはそれぞれ絶縁層が設けられる。導電層13Bの下及び上の2つの絶縁層はそれぞれ、メンブレン13の絶縁層13A、13Cと連続層である。配線層21の一端には、メンブレン端子22が電気的に接続される。メンブレン端子22は、絶縁層17に形成された開口部23によって露出される。
(バックプレート端子の構成)
次に、バックプレート16に電気的に接続された端子(バックプレート端子)の構成について、図1、図2、及び図5を用いて説明する。
ガラス基板11上には、任意の方向(例えば図1における左斜め上方向)に延びる絶縁層24が設けられる。絶縁層24は、例えばシリコン酸化物(SiOx)で構成される。絶縁層24は、メンブレン13の端部に重なるように構成される。絶縁層24と空洞15とは、絶縁層25によって区分される。絶縁層25は、絶縁層17と同じ材料(シリコン窒化物(SiNx))で構成され、絶縁層17と連続層である。
バックプレート16の導電層16Aには、絶縁層24と同じ方向に延びる配線層26が電気的に接続される。配線層26は、絶縁層25の両側面及び底面に沿って設けられるとともに、絶縁層24上に設けられる。
配線層26の一端には、バックプレート端子27が電気的に接続される。バックプレート端子27は、絶縁層17に形成された開口部28によって露出される。
前述したように、絶縁層24は、メンブレン13の端部に重なるように構成される。絶縁層24とメンブレン13とが重なる領域は、図1及び図5の符号“OA”で示される。領域OAの存在により、メンブレン13の導電層13Bの端部と配線層26との距離を空けることができる。これにより、配線層26とメンブレン13の導電層13Bとがショートするのを防ぐことができる。
また、領域OAにおいて、配線層26と導電層13Bとの厚さ方向の距離を長くすることができる。これにより、領域OAにおける寄生容量を低減できる。また、図5において、絶縁層25の幅を狭くする、すなわち領域OAを長くすることで、配線層26と導電層13Bとが絶縁層13Cを介して向き合う領域を狭くすることができる。これにより、領域OAにおける寄生容量を低減できる。なお、寄生容量とは、メンブレン13が振動しない領域で生じる容量である。
[1−2] MEMSマイクロフォン10の動作
次に、上記のように構成されたMEMSマイクロフォン10の動作について説明する。
MEMSマイクロフォン10は、バックプレート16のメンブレン13とは反対側から、音波(及び音波に起因する音圧)を受ける。バックプレート16は、多数の貫通孔18を有し、貫通孔18を介して音波を空洞15に通す。また、バックプレート16は、多数の貫通孔18を有しているため、音圧による振動が抑制され、固定電極としての機能を担う。
メンブレン13は、音圧に応じて振動し、振動電極としての機能を担う。メンブレン13が音圧によって振動すると、バックプレート16とメンブレン13とで構成される平行平板キャパシタ(平行平板コンデンサ)の容量(静電容量)が変化する。MEMSマイクロフォン10は、容量変化に応じた電圧変化を検出することにより、音を検出する。具体的には、MEMSマイクロフォン10は、バックプレート16とメンブレン13とで構成されるキャパシタにバイアス電圧を印加する電源(図示せず)と、キャパシタの電圧変化を検知する検知回路(図示せず)とを備える。
ここで、本実施形態では、メンブレン13の導電層13Bとして金属(例えば、モリブデン(Mo))を用い、バックプレート16の導電層16Aとして金属(例えば、モリブデン(Mo))を用いている。
図6は、複数の物質(導電材料)の抵抗率(Ωm)を説明する図である。図6には、ポリシリコン(p−Si)、ITO(インジウム錫酸化物)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、及びアルミニウム(Al)の抵抗率を載せている。
モリブデン(Mo)は、ポリシリコン(p−Si)、ITO(インジウム錫酸化物)、及びクロム(Cr)などに比べて、抵抗率が低い。よって、メンブレン13及びバックプレート16としてモリブデン(Mo)を用いることで、メンブレン13及びバックプレート16の抵抗をより小さくすることができる。これにより、メンブレン13及びバックプレート16間の容量変化を精度よく検知することができ、MEMSマイクロフォン10の感度を向上させることができる。抵抗率の観点からは、メンブレン13及びバックプレート16としてアルミニウム(Al)を用いることも有効である。
また、モリブデン(Mo)は、フッ酸(フッ化水素酸)などの酸性溶液に対して高い耐腐食性を有する。よって、ガラス基板11に開口部11Aを形成する工程でフッ酸を用いた場合でも、メンブレン13及びバックプレート16が腐食するのを抑制できるとともに、メンブレン13及びバックプレート16の電気的特性が劣化するのを抑制できる。耐腐食性の観点からは、アルミニウム(Al)よりもモリブデン(Mo)の方が適している。
また、モリブデン(Mo)、及びアルミニウム(Al)は、ドライエッチングにより加工することができる。よって、積層膜からなるメンブレン13を加工、及びメンブレン13に貫通孔を形成する場合に、製造工程が容易になるとともに、加工精度を向上させることができる。同様に、積層膜からなるバックプレート16を加工、及びバックプレート16に貫通孔を形成する場合に、製造工程が容易になるとともに、加工精度を向上させることができる。このように、メンブレン13及びバックプレート16にモリブデン(Mo)など用いることで、MEMSマイクロフォン10の製造工程において有利になる。
[1−3] 第1実施形態の効果
以上詳述したように第1実施形態では、MEMSマイクロフォン10は、開口部11Aを有するガラス基板11と、開口部11Aを覆うようにしてガラス基板11上に設けられ、導電層13Bを含むメンブレン13と、メンブレン13の上方に空洞15を介して設けられ、音波を通す複数の貫通孔を有し、導電層16Aを含むバックプレート16とを具備する。導電層13Bは、金属、又は導電性酸化物で構成され、導電層16Aは、金属、又は導電性酸化物で構成される。
従って第1実施形態によれば、メンブレン電極(メンブレン13の導電層13B)と、バックプレート電極(バックプレート16の導電層16A)との抵抗を小さくできる。これにより、MEMSマイクロフォン10の感度を向上させることができる。例えば、第1実施形態によれば、メンブレン電極とバックプレート電極とにポリシリコンを用いる場合に比べて、MEMSマイクロフォン10の感度を向上させることができる。
また、MEMSマイクロフォン10の基板として、絶縁性を有するガラス基板11を用いている。これにより、ガラス基板11上に形成された複数の層がガラス基板11を介してショートするのを防ぐことができる。また、ガラス基板11は、半導体基板(例えばシリコン基板)に比べて安価である。これにより、MEMSマイクロフォン10のコストを低減できる。
また、MEMSマイクロフォン10は、バックプレート16の導電層16Aに電気的に接続された配線層26を備える。配線層26とメンブレン13の端部との間には、例えばシリコン酸化物(SiOx)で構成される絶縁層24が設けられる。これにより、配線層26とメンブレン13の導電層13Bとがショートするのを防ぐことができる。また、絶縁層24が配置される領域において、配線層26と導電層13Bとの厚さ方向の距離を長くすることができる。これにより、寄生容量を低減できる。
[2] 第2実施形態
第2実施形態は、メンブレン13を、導電層13B及び絶縁層13Cの2層構造で構成するようにしている。
第2実施形態に係るMEMSマイクロフォン10の平面図及び下面図は、第1実施形態で説明した図1及び図2と同じである。図7乃至図9は、第2実施形態に係るMEMSマイクロフォン10の断面図である。図7は、図1に示したA−A´線に沿った断面図、図8は、図1に示したB−B´線に沿った断面図、図9は、図1に示したC−C´線に沿った断面図である。
ガラス基板11上には、開口部11Aを覆うように、メンブレン13が設けられる。メンブレン13は、円形を有する。メンブレン13のサイズは、ガラス基板11の開口部11Aのサイズより大きい。
メンブレン13は、導電層13B、及び絶縁層13Cが順に積層された2層構造である。導電層13Bは、メンブレン13の電極(振動電極)として機能する。導電層13Bは、ガラス基板11に接するように設けられる。ガラス基板11は絶縁性を有するため、導電層13Bがガラス基板11に直接接していても問題ない。導電層13B、及び絶縁層13Cは、第1実施形態で説明した材料で構成される。
図8に示したメンブレン端子22においても、絶縁層13Aに対応する絶縁層が削除されている。その他の構成は、第1実施形態と同じである。
第2実施形態によれば、メンブレン13に含まれる導電層13Bを、ガラス基板11上に直接形成することができるとともに、メンブレン13を2層構造にすることができる。これにより、MEMSマイクロフォン10のコストを低減できる。
また、メンブレン13の厚さを薄くできるため、音圧に応じてメンブレン13が振動しやすくなる。これにより、MEMSマイクロフォン10の感度を向上できる。
[3] 第3実施形態
メンブレン(ダイヤフラム)が振動する部分の容量をCi、メンブレンが振動しない部分の容量(寄生容量)をCpとすると、MEMSマイクロフォン全体の容量は、“Ci+Cp”となる。このため、振動するメンブレンとバックプレートと間の容量変化を検知する場合、寄生容量Cpは、MEMSマイクロフォンの感度を劣化させる要因となる。よって、MEMSマイクロフォンの感度を向上させるためには、寄生容量Cpを低減することが望ましい。第3実施形態は、メンブレンが振動しない部分の容量(寄生容量)を低減するための構成例である。
以下では、バックプレート16の導電層16Aをバックプレート電極16Aと呼び、メンブレン13の導電層13Bをメンブレン電極13Bと呼ぶ。図10は、第3実施形態に係るバックプレート電極16A、メンブレン電極13B、及びガラス基板11の開口部11Aの平面図である。すなわち、図10(a)がバックプレート電極16Aの平面図、図10(b)がメンブレン電極13Bの平面図、図10(c)がガラス基板11の開口部11Aの平面図である。なお、MEMSマイクロフォン10の断面構造は、第1実施形態又は第2実施形態と同じである。
バックプレート電極16Aの径をDb、メンブレン電極13Bの径をDm、ガラス基板11の開口部11Aの径をDgとする。前述したように、開口部11Aの径Dgは、ガラス基板11の上面側の径(すなわち、最小の径)である。バックプレート電極16Aの径Db、及びメンブレン電極13Bの径Dmは、“Db<Dm”の関係を満たす。例えば、Db=1.1mm、Dm=1.2mmである。
また、例えば、バックプレート電極16Aの径Db、及び開口部11Aの径Dgは、“Db>Dg”の関係を満たす。例えば、Dg=1.0mmである。
このように構成されたMEMSマイクロフォン10では、メンブレン電極13Bのうち振動しない領域の電極部分が容量を構成しない。これにより、寄生容量を低減できるため、MEMSマイクロフォン10の感度を向上させることができる。
[4] 第4実施形態
第4実施形態は、MEMSマイクロフォンの寄生容量を低減する他の構成例である。
図11は、第4実施形態に係るMEMSマイクロフォン10の断面図である。図11は、図1のA−A´線の位置に対応する断面図である。図12は、第4実施形態に係るバックプレート電極16A、メンブレン電極13B、及びガラス基板11の開口部11Aの平面図である。すなわち、図12(a)がバックプレート電極16Aの平面図、図12(b)がメンブレン電極13Bの平面図、図12(c)がガラス基板11の開口部11Aの平面図である。
メンブレン13は、絶縁層13A、導電層13B、及び絶縁層13Cが順に積層された3層構造である。導電層13Bの径は、絶縁層13A、13Cの径より小さい。
バックプレート電極16Aの径をDb、メンブレン電極13Bの径をDm、ガラス基板11の開口部11Aの径をDgとする。メンブレン電極13Bの径Dm、及び開口部11Aの径Dgは、“Dm<Dg”の関係を満たす。例えば、Dm=1.0mm、Dg=1.1mmである。
また、例えば、バックプレート電極16Aの径Db、及び開口部11Aの径Dgは、“Db>Dg”の関係を満たす。例えば、Db=1.2mmである。
このように構成されたMEMSマイクロフォン10では、メンブレン電極13B全体が音圧に応じて振動する。換言すると、メンブレン電極13Bは、寄生容量となる、振動しない領域を含まない。これにより、寄生容量を低減できるため、MEMSマイクロフォン10の感度を向上させることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で、構成要素を変形して具体化することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、1つの実施形態に開示される複数の構成要素の適宜な組み合わせ、若しくは異なる実施形態に開示される構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を構成することができる。例えば、実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素が削除されても、発明が解決しようとする課題が解決でき、発明の効果が得られる場合には、これらの構成要素が削除された実施形態が発明として抽出されうる。
10…MEMSマイクロフォン、11…ガラス基板、11A…開口部、12…保護層、13…メンブレン、13A,13C…絶縁層、13B…導電層、14…貫通孔、15…空洞、16…バックプレート、16A…導電層、16B…絶縁層、17,24,25…絶縁層、18…貫通孔、19…突起、20…保護層、21,26…配線層、22…メンブレン端子、23,28…開口部、27…バックプレート端子

Claims (14)

  1. 開口部を有するガラス基板と、
    前記開口部を覆うようにして前記ガラス基板上に設けられ、第1導電層を含むメンブレンと、
    前記メンブレンの上方に空洞を介して設けられ、音波を通す複数の貫通孔を有し、第2導電層を含むバックプレートと
    を具備し、
    前記第1導電層は、金属、又は導電性酸化物で構成され、
    前記第2導電層は、金属、又は導電性酸化物で構成される
    MEMSマイクロフォン。
  2. 前記第1導電層は、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、又はITO(インジウム錫酸化物)で構成され、
    前記第2導電層は、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、又はITO(インジウム錫酸化物)で構成される
    請求項1に記載のMEMSマイクロフォン。
  3. 前記メンブレンは、前記第1導電層の下に設けられた第1絶縁層と、前記第1導電層上に設けられた第2絶縁層とを含む
    請求項1又は2に記載のMEMSマイクロフォン。
  4. 前記第1及び第2絶縁層の各々は、シリコン窒化物で構成される
    請求項3に記載のMEMSマイクロフォン。
  5. 前記メンブレンは、前記第1導電層上に設けられた第1絶縁層を含み、
    前記第1導電層は、前記ガラス基板に接する
    請求項1又は2に記載のMEMSマイクロフォン。
  6. 前記第1絶縁層は、シリコン窒化物で構成される
    請求項5に記載のMEMSマイクロフォン。
  7. 前記バックプレートは、前記第2導電層上に設けられた第3絶縁層を含み、
    前記第2導電層は、前記空洞を介して前記メンブレンと向き合う
    請求項1乃至6のいずれかに記載のMEMSマイクロフォン。
  8. 前記第3絶縁層は、シリコン窒化物で構成される
    請求項7に記載のMEMSマイクロフォン。
  9. 前記バックプレート上に設けられた保護層をさらに具備する
    請求項1乃至8のいずれかに記載のMEMSマイクロフォン。
  10. 前記保護層は、アモルファスシリコンで構成される
    請求項9に記載のMEMSマイクロフォン。
  11. 前記第2導電層に電気的に接続された配線層と、
    前記メンブレンと前記配線層との間に設けられた第4絶縁層と
    をさらに具備する
    請求項1乃至10のいずれかに記載のMEMSマイクロフォン。
  12. 前記第4絶縁層は、シリコン酸化物で構成される
    請求項11に記載のMEMSマイクロフォン。
  13. 前記第2導電層の径は、前記第1導電層の径より小さい
    請求項1乃至12のいずれかに記載のMEMSマイクロフォン。
  14. 前記第1導電層の径は、前記開口部の径より小さい
    請求項1乃至12のいずれかに記載のMEMSマイクロフォン。
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