KR20110132562A - 누설 경로를 갖는 ｍｅｍｓ 장치 - Google Patents

Abstract

마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서는 절연성 물질 층을 포함하고, 절연성 물질 층 내에는 전극이 형성되어 있다. 절연성 물질 층의 한 영역은 사용시에 절연선 물질 층으로부터 원하지 않는 전하를 제거하는 누설 경로를 제공하도록 적응된다.

Description

ＭＥＭＳ 장치 및 프로세스{MEMS DEVICE AND PROCESS}

본 발명은 MEMS 장치 및 프로세스에 관한 것으로서, 구체적으로는 트랜스듀서에 관련된 MEMS 장치 및 프로세스, 그리고 MEMS 용량성 마이크로폰과 같은 용량성 트랜스듀서에 관한 것이다.

소비자 전자 장치들은 계속 더 작아지고 있고, 기술의 진보에 따라 성능 및 기능이 계속 향상되고 있다. 이것은 예를 들어 이동 전화, 랩탑 컴퓨터, MP3 플레이어 및 개인용 휴대 단말기(PDA)와 같은 소비자 전자 제품들에서 이용되는 기술에서 명백하다. 이동 전화 산업의 요구들은 예를 들어 구동 컴포넌트들이 기능 향상 및 비용 절감과 더불어 더 작아지는 것이다. 예를 들어, 일부 이동 전화들은 현재 잡음 제거를 위한 다수의 마이크로폰, 또는 관성 네비게이션을 허용하기 위한 가속도계들을 필요로 하면서, 작은 폼 팩터(form factor)를 유지하거나 또는 줄이고, 이전 세대 전화들과 유사한 총 비용을 목표로 하고 있다.

이것은 소형 트랜스듀서들의 출현을 장려하였다. 예를 들어, 음성 응용들과 관련하여, 처음에는 음성을 캡처하기 위하여 일렉트릿 마이크로폰들이 사용되었지만, 최근에는 마이크로-전기-기계(MEMS) 트랜스듀서들이 도입되었다. MEMS 트랜스듀서들은 압력 감지, 초음파 스캐닝, 가속도 모니터링 및 신호 생성을 포함하지만 이에 한정되지 않는 다양한 응용들에서 사용될 수 있다. 전통적으로, 그러한 MEMS 트랜스듀서들은 용량성 트랜스듀서들이며, 이들 중 일부는 하나 이상의 막(membrane)을 포함하고, 막 및/또는 기판 상에는 판독/구동을 위한 전극들이 배치된다. 이러한 전극들의 상대적인 운동은 그들 간의 용량을 변화시키며, 이것은 감지 전자 증폭기들과 같은 관련 전자 회로에 의해 검출되어야 한다.

도 1은 용량성 마이크로폰 장치의 개략도를 나타낸다. 용량성 마이크로폰 장치는 사운드 파들에 의해 생성되는 압력 차이들에 응답하여 자유롭게 움직이는 유연성 막(flexible membrane)(11)을 포함한다. 제1 전극(13)이 유연성 막(11)에 기계적으로 결합되고, 이들은 함께 용량성 마이크로폰 장치의 제1 용량성 판을 형성한다. 제2 전극(15)이 대체로 단단한 구조 층 또는 배면 판(17)에 기계적으로 결합되고, 함께 용량성 마이크로폰 장치의 제2 용량성 판을 형성한다. 막(11) 및 배면 판(17)은 절연성 물질, 예를 들어 실리콘 질화물로 형성된다.

유연성 막(11)은 자극, 예를 들어 사운드 또는 압력 파들에 응답하여 자유롭게 움직인다. 이러한 유연성 막의 운동은 제1 및 제2 전극들(13, 15) 사이의 용량이 변하게 한다. 사용시에, 용량성 마이크로폰 장치는 통상적으로 고임피던스 회로 내에서 구동하도록 배열되며, 따라서 커패시터 상의 전하는 크게 변하지 않는다. 따라서, 자극으로 인한 트랜스듀서의 용량 변화는 트랜스듀서 용량 양단에서 11V의 전압 변화를 유발한다. 이러한 전압 변화를 검출하고 처리하여, 전기 출력 신호를 제공할 수 있다.

도 2는 도 1의 막(11) 및 배면 판(17)을 그들 각각의 전극들(13, 15)과 함께 더 상세히 도시하고 있다. 제1 및 제2 전극들(13, 15)은 전압 소스(19), 예를 들어 12V의 바이어스 전압을 제공하는 전하 펌프에 의해 바이어스된다.

도 2로부터 알 수 있듯이, 제2 전극(15)은 배면 판(17) 내에 형성되고, 따라서 절연성 물질로 둘러싸인다. 전극은 다양한 이유로 절연성 물질의 층, 즉 배면 판(17) 내에 봉입된다.

첫째, 배면 판(17) 내에 전극(15)을 형성함으로써, 절연성 물질(dielectric material)은 유해한 환경적 영향들로부터 전극(15)을 보호하도록 작용한다. 예를 들어, 절연성 물질은 금속 전극(15)이 부식 또는 산화되는 것을 방지한다.

둘째, 배면 판(17) 내에 전극(15)을 형성함으로써, 제조 프로세스가 개선된다. 이것은 금속 전극을 폴리이미드 상에 배치하는 것보다 금속 전극을 실리콘 질화물 상에 배치하는 것이 더 쉽기 때문이다(통상적으로, 폴리이미드는 배면 판(17)과 막(11) 사이에 존재하는 에어 갭을 형성하기 위한 제조 프로세스 동안에 희생 층으로서 사용된다).

셋째, 배면 판(17) 내에 전극(15)을 봉입하는 것은 막(11)이 배면 판(17)을 향해 휠 때 발생하는 점착력(stiction force)을 낮추는 효과를 갖는다.

도 2에 도시된 배열의 단점은 배면 판(17)의 전극(15) 아래의 절연성 층이 특히 실리콘 질화물을 포함하는 절연성 층의 경우에 대전되기 쉽다는 것이다. 이것은 특히 제1 및 제2 전극들(13, 15) 사이의 에어 갭의 저항이 예를 들어 습도가 높은 분위기에서 감소할 때 그러하다. 이것은 이온들이 에어 갭을 통해 표류하여 배면 판(17)의 하면 상에 축적되게 하여, 절연성 층의 하면에 전하를 축적시킨다. 도 3으로부터 알 수 있듯이, 제2 전극(15)의 상면에는 양 전하가 축적되는 반면, 제1 전극(13)의 하면에는 음 전하가 축적된다.

실리콘 질화물 층 상의 전하는 인가 전압의 최대치(예를 들어, 12V)까지 축적될 수 있다. 이것은 MEMS 장치의 감도를 줄이는 단점을 갖는다.

도 3에 도시된 예에서, (제2 전극(15)의 하측과 배면 판(17)의 상면 사이의) 실리콘 질화물 층 내의 2V 전하는 다음과 같은 감도 손실을 가져온다.

20 log (10/12) = 1.6dB

유사하게, 실리콘 질화물 층 내의 6V 전하는 6dB의 감쇠를 제공하며, 9V 전하는 12dB의 감쇠를 제공한다.

실리콘 질화물 층 내에 축적된 임의의 전하는 매우 긴 감쇠 시간, 아마도 수일 또는 수주의 감쇠 시간을 가지며, 이는 명백히 MEMS 장치의 응답 시간보다 훨씬 길다.

도 4는 (85C/85°A에서의) 온도 습도 바이어스 테스트 후의 2개의 마이크로폰 상의 감도 감소를 나타내는 그래프이다.

본 발명의 목적은 전술한 바람직하지 않은 효과를 줄이거나 제거하는 MEMS 장치 및 MEMS 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 추가 양태에 따르면, 절연성 물질 층; 상기 절연성 물질 층 내에 형성된 전극을 포함하고, 상기 절연성 물질 층의 한 영역이 사용시에 상기 절연성 물질 층으로부터 원하지 않는 전하를 제거하는 누설 경로를 제공하도록 적응되는 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서가 제공된다.

본 발명의 제1 양태에 따르면, 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 제조하는 방법으로서, 제1 절연성 물질 층을 퇴적하는 단계; 전극을 퇴적하는 단계; 제2 절연성 물질 층을 퇴적하는 단계를 포함하고, 상기 제1 절연성 물질 층을 퇴적하는 상기 단계는 사용시에 상기 제1 절연성 물질 층으로부터 원하지 않는 전하를 제거하는 누설 경로를 형성하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.

이하, 본 발명의 더 나은 이해를 위해 그리고 본 발명이 어떻게 실시될 수 있는지를 더 명확히 보여주기 위하여, 첨부 도면들을 단지 예시적으로 참고한다.
도 1은 종래 기술에 따른 MEMS 마이크로폰의 개략 단면도.
도 2는 도 1의 배면 판, 막 및 관련 전극들을 더 상세히 나타내는 도면.
도 3은 도 1 및 2의 장치에서의 전하 축적을 나타내는 도면.
도 4는 온도 습도 바이어스 테스트 후의 2개의 마이크로폰 상의 감도 저하를 나타내는 그래프.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 MEMS 장치의 도면.
도 6은 실리콘 질화물의 전기적 특성들 및 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 그래프를 나타내는 도면.
도 7은 상이한 물질들을 이용하는 50nm의 실리콘 질화물을 통해 측정된 전도도들을 나타내는 그래프.
도 8은 헬륨 공핍(helium depletion) 상태의 실리콘 질화물의 전하 감쇠를 나타내는 그래프.
도 9는 실리콘 풍부(silicon enrichment) 상태의 실리콘 질화물의 전하 감쇠를 나타내는 그래프.
도 10은 본 발명의 추가 실시예의 도면.

본 발명은 MEMS 용량성 마이크로폰 형태의 MEMS 트랜스듀서와 관련하여 설명된다. 그러나, 본 발명은 압력 센서, 초음파 트랜스듀서, 가속도 모니터링 및 신호 생성 트랜스듀서를 포함하지만 이에 한정되지 않는 임의 형태의 용량성 트랜스듀서에 동일하게 적용될 수 있다는 것을 알 것이다.

더욱이, 본 발명은 MEMS 장치의 배면 판과 관련하여 설명되지만, 본 발명은 관련 전극을 갖는 MEMS 장치의 임의의 다른 절연성 층, 예를 들어 전극(13)이 막(11)의 하면 상에 제공되었거나 그 안에 봉입된 경우에 그의 전극과 용량성 트랜스듀서의 다른 전극 사이에 절연성 물질 층을 갖는 막에 동일하게 적용될 수 있다는 것을 알 것이다.

본 발명의 실시예들은 실리콘 질화물로 형성된 배면 판과 관련하여 설명되지만, 본 발명은 다른 절연성 물질들에 대해서도 적용될 수 있다는 것을 알 것이라는 점에도 유의한다.

본 발명에 따르면, 임의의 원하지 않는 전하가 배면 판에 축적되는 것을 방지하거나 제거하기 위해 배면 판의 한 영역에 누설 경로가 제공된다.

도 5를 참조하면, 일 실시예에 따르면, 전극(15)의 하측에서, 즉 배면 판의 영역(17a)에서 배면 판의 두께가 감소된다. "하측"이라는 용어는 용량성 트랜스듀서의 다른 전극과 대면하는 전극의 측부, 즉 전극(13)에 대면하는 측부를 지칭한다는 것을 알 것이다. 이 영역(17a)에서의 배면 판(17)의 두께의 감소는 전극들(13, 15) 사이의 절연성 층의 임피던스를 낮추는 효과를 갖는다. 즉, 전극(15) 아래의 절연성 층의 임피던스는 축 X-X를 따라 위치하는 평면에서 낮아지며, 이 축 X-X는 하나의 전극(15)으로부터 다른 전극(13)으로의 대체적인 방향으로 연장하는 축이다.

제1 실리콘 질화물 층을 퇴적하고, 제1 실리콘 질화물 층의 일부 상에 전극(15)을 퇴적하고, 전극(15) 및 제1 실리콘 질화물 층 위에 제2 실리콘 질화물 층을 퇴적하여 전극을 실리콘 질화물로 봉입하여 배면 판(17)을 형성함으로써 도 5에 도시된 것과 같은 MEMS 장치 내의 배면 판이 형성될 수 있다는 점에 유의한다. 제1 실리콘 질화물 층은 희생 층(도시되지 않음) 위에 퇴적될 수 있으며, 희생 층은 제조 프로세스 동안에 배면 판(17)의 형성을 지원하기 위하여 퇴적되지만, 이어서 배면 판(17)과 막(11) 사이에 에어 갭을 제공하기 위해 제거된다. 따라서, 배면 판(17)의 하측 상의 층은 제2 층에 비해 감소된 두께로 제1 층을 퇴적함으로써 두께가 감소될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 영역(17a) 내의 절연성 층의 두께는 절연성 층이 터널링 동작 모드로 거동하도록 감소되며, 따라서 용량성 트랜스듀서가 사용 중에 바이어스될 때, 배면 판의 영역(17a)에 축적된 임의의 원하지 않는 전하가 제거된다.

도 6은 오믹 영역(ohmic region) 및 터널링 영역을 포함하는 실리콘 질화물의 전기적 특성들을 나타내는 파울러-노드하임 그래프를 도시한다. 전극(15)의 하측 상의 실리콘 질화물 층은 실리콘 질화물 층이 터널링 모드로 동작하는 데 적응되도록 퇴적된다.

이것은 임의의 축적된 전하를 방전하는 전류가 실리콘 질화물 층을 통해 흐르는 것을 가능하게 하여, 에어 갭이 용량성 회로 내의 중요한 절연체가 되게 한다.

전극의 하측 상의 배면 판의 두께를 가까스로 최소 두께를 줄이는 것은 용량성 마이크로폰 장치의 절연체의 절연 효과를 줄이는 바람직하지 않은 효과를 가질 수 있으며, 이는 장치를 붕괴 및 단락으로 이어질 수 있다.

따라서, 다른 실시예에 따르면, 실리콘 질화물 층의 하나 이상의 파라미터들 및/또는 실리콘 질화물 층의 퇴적과 관련된 하나 이상의 파라미터들을 변경하여, 주어진 실리콘 질화물 두께에 대해 개선된 전하 제거 특성들을 갖는 영역을 제공한다. 바람직하게는, 이것은 전술한 바와 같은 두께의 축소에 더하여 행해진다. 그러나, 실리콘 질화물의 두께의 감소는 실리콘 질화물의 조성 또는 그의 퇴적에 있어서 어떠한 다른 파라미터들이 변경되는지와 관련하여 달라질 수 있으며, 따라서 두께는 그렇지 않았을 경우에 필요한 것보다 적게 감소될 수 있다.

파라미터들은 전극 아래의 절연성 층이 제1 방향(X-X)에서(즉, 전극의 표면과 배면 판의 대응하는 외면 사이에서) 제1 저항을 갖고 제2 방향(Y-Y)에서(즉, 실리콘 질화물 층의 본체를 따라) 제2 저항을 갖도록 선택된다. 12V 전하 펌프 입력으로부터 바람직하지 않은 누설 전류를 방지하기 위하여(그렇지 않을 경우에 이는 마이크로폰 출력에서 잡음을 유발할 것이다), 질화물 층 내에서 방향(Y-Y)에서 매우 높은 시트 저항이 유지된다.

중요한 파라미터는, 질화물 층이 그의 두께를 통해 저항성을 나타내지만, 시트 저항을 통해 거의 완전한 절연체가 되도록 층 두께 및 도전성 피처들(features)의 간격을 제어하는 것이다.

도 7은 상이한 조성들의 50nm 두께의 질화물 층을 통한 전류 전도를 나타낸다. 모든 물질들에 대해 오믹 전도 영역을 볼 수 있으며, 여기서 전류는 1e-5A보다 크다. 물질은 시트를 통해 전도도의 크기가 항상 존재하도록 제어되어야 하지만(예컨대, 도 7의 물질 4C1), 시트 양단의 전도도는 종횡비 제어 및 물질 선택을 통해 최소화된다.

상이한 퇴적 특성들을 갖는 실리콘 질화물들이 배면 판 전극 아래에 300nm의 질화물을 갖는 마이크로폰 다이를 이용하여 전하 감쇠에 대해 측정되었다. 표준 실리콘 질화물은 수주 또는 수개월까지 연장되는 매우 긴 전하 감쇠 시간을 갖는 것으로 밝혀졌다. 헬륨 공핍을 이용하여 퇴적된 실리콘 질화물들은 도 8에 도시된 바와 같이 약 100 시간 내에 2.5V로 감쇠하는 것으로 나타났다. 1.3% 실리콘 풍부하게 퇴적된 실리콘 질화물들은 도 9에 도시된 바와 같이 약 20분 내에 2.5V로의 전하 감쇠를 보였다.

전극들(15, 13)은 바람직하게도 막 또는 배면 판의 전체 표면 위가 아니라 배면 판 및 막의 중앙 영역에 배치되며, 따라서 장치의 측벽들을 통해 전류 경로를 최대화하는 이점을 갖는다.

전술한 실시예들에서는, 절연성 물질 및 전극을 통과하는 사운드 포트들이 도시되어 있다. 그러나, 본 발명은 사운드 포트들이 전극 자체를 통과하지 않는 장치에 동일하게 적용될 수 있다는 것을 알 것이다.

전극을 통과하는 사운드 포트들을 갖는 도 5의 실시예에서, 전극은 절연성 물질 내에 봉입된다는 것을 알 수 있다. 즉, 전극(15)의 에지들은 사운드 포트들의 내면들 상에 노출되지 않는다. 이것은 전극(15) 위에 절연성 층이 형성되기 전에 전극(15) 내에 제1 직경을 갖는 구멍들을 에칭하여, 더 작은 직경의 사운드 포트들이 배면 판을 통해 후속 에칭될 때, 전극(15)이 사운드 포트들의 어떠한 내면 상에서도 노출되지 않게 함으로써 달성된다.

그러나, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전극은 전극 위에 절연체 층을 형성하기 전에 에칭되지 않는다. 따라서, 사운드 포트들이 절연성 물질 및 전극을 통해 에칭될 때, 전극은 사운드 포트들의 내면 상에 노출될 것이다. 이것은 환경 장벽을 제공하지 못하는 단점을 갖지만, 노출된 전극의 에지와 배면 판의 하면 사이에 표면 누설 경로(101)를 제공하는 이점을 갖는다.

다른 실시예에 따르면, 장치는 소정의 사운드 포트들이 전극을 노출시키는 반면에, 다른 사운드 포트들은 사운드 포트가 봉입되게 하도록 구성될 수 있다. 이것은 누설 경로의 효과가 더 정밀하게 제어될 수 있게 하는 이점을 갖는다. 전극을 노출시키는 사운드 포트들의 수의 변화는 전극 내에 구멍들을 에칭하는 단계 동안에, 즉 배면 판의 상부 층이 형성되기 전에 결정될 수 있다. 예를 들어, 전극 내의 일부 구멍들은 사운드 포트들보다 큰 직경들을 갖도록 구성될 수 있는 반면(따라서, 전극은 사운드 포트들이 후속 에칭될 때 노출되지 않는다), 전극 내의 다른 구멍들은 사운드 포트들의 직경들과 매칭되는 직경을 갖도록 에칭될 수 있다(또는 전혀 에칭되지 않을 수 있다).

본 발명은 다양한 응용들에 이용될 수 있다는 점에 유의한다. 이들은 소비자 응용들, 의료 응용들, 산업 응용들 및 자동차 응용들을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 통상적인 소비자 응용들은 랩탑들, 이동 전화들, PDA들 및 개인용 컴퓨터들을 포함한다. 통상적인 의료 응용들은 청각 보조 기구들을 포함한다. 통상적인 산업 응용들은 능동 잡음 제거를 포함한다. 통상적인 자동차 응용들은 핸즈프리 세트들, 음향 충돌 센서들 및 능동 잡음 제거를 포함한다.

전술한 실시예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니라 예시하며, 이 분야의 기술자들은 첨부된 청구항들의 범위로부터 벗어나지 않고 많은 대안 실시예들을 설계할 수 있을 것이라는 점에 유의해야 한다. "포함하는"이라는 단어는 청구항 내에 나열된 것들과 다른 요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않고, "하나"는 복수를 배제하지 않으며, 단일 특징 또는 다른 유닛은 청구항들에 기재된 여러 유닛의 기능들을 수행할 수 있다. 청구항들 내의 임의의 참조 부호들은 청구항들의 범위를 한정하는 것으로 해석되지 않아야 한다.

Claims (32)

1. 절연성 물질 층;
   상기 절연성 물질 층 내에 형성된 전극
   을 포함하고,
   상기 절연성 물질 층의 한 영역은 사용시에 상기 절연성 물질 층으로부터 원하지 않는 전하를 제거하는 누설 경로를 제공하도록 적응되는 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서.
2. 제1항에 있어서, 상기 영역은 상기 전극의 제1 측과 상기 절연성 물질 층의 대응하는 외면 사이에 제공되는 절연성 물질의 일부를 포함하는 MEMS 트랜스듀서.
3. 제2항에 있어서, 상기 영역의 두께는 제2 영역에 비해 감소되며, 상기 제2 영역은 상기 전극의 대향 측과 상기 절연성 물질 층의 대응하는 외면 사이에 제공되는 절연성 물질의 일부를 포함하는 MEMS 트랜스듀서.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 영역은, 사용중에 바이어스될 때, 절연성 물질의 상기 영역이 터널링 동작 모드로 동작하도록 적응되는 MEMS 트랜스듀서.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 영역은
   상기 전극의 표면과, 용량성 트랜스듀서의 일부를 형성하는 제2 전극의 표면 사이에 실질적으로 축 방향으로 위치하는 평면을 포함하는 제1 평면 내의 제1 임피던스; 및
   상기 제1 평면과 실질적으로 직교하여 위치하는 평면을 포함하는 제2 평면 내의 제2 임피던스
   를 포함하도록 적응되는 MEMS 트랜스듀서.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 영역의 조성은 상기 절연성 물질 층 내의 다른 영역과 다른 MEMS 트랜스듀서.
7. 제1항에 있어서, 절연성 물질의 상기 영역은 동일 층 내의 절연성 물질의 다른 영역과 다른 두께를 갖는 MEMS 트랜스듀서.
8. 제1항에 있어서, 절연성 물질의 상기 영역은 동일 층 내의 절연성 물질의 다른 영역과 다른 조성을 갖는 MEMS 트랜스듀서.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 물질 층은 상기 전극의 대향 측들 상에 제공되는 제1 절연성 층 및 제2 절연성 층을 포함하는 MEMS 트랜스듀서.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연성 물질 내에 제공되는 하나 이상의 사운드 포트들을 더 포함하고, 상기 사운드 포트들은 상기 절연성 층의 제1 외면과 상기 절연성 물질의 제2 외면 사이에 개구를 제공하는 MEMS 트랜스듀서.
11. 제10항에 있어서, 적어도 하나의 사운드 포트는 상기 전극을 통과하는 MEMS 트랜스듀서.
12. 제11항에 있어서, 상기 전극의 일부는 사운드 포트의 내면에서 노출되고, 상기 전극의 노출된 부분은 사용시에 원하지 않는 전하를 제거하도록 작용하는 MEMS 트랜스듀서.
13. 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 제조하는 방법으로서,
    제1 절연성 물질 층을 퇴적하는 단계;
    전극을 퇴적하는 단계;
    제2 절연성 물질 층을 퇴적하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 절연성 물질 층을 퇴적하는 상기 단계는 사용시에 상기 제1 절연성 물질 층으로부터 원하지 않는 전하를 제거하는 누설 경로를 형성하는 단계를 포함하는 방법.
14. 제12항에 있어서, 상기 제1 절연성 물질 층을 퇴적하는 상기 단계는 상기 제2 절연성 물질 층에 비해 감소된 두께를 갖는 절연성 물질 층을 퇴적하는 단계를 포함하는 방법.
15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 제1 층을 퇴적하는 상기 단계는, 사용 중에 바이어스될 때, 상기 제1 절연성 물질 층이 터널링 동작 모드로 동작하도록 상기 제1 층을 퇴적하는 단계를 포함하는 방법.
16. 제15항에 있어서, 상기 제1 층을 퇴적하는 상기 단계는 상기 제1 층이 터널링 동작 모드로 동작하도록 상기 제1 층을 소정의 두께로 퇴적하는 단계를 포함하는 방법.
17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 제1 층을 퇴적하는 상기 단계는 사용중에 터널링 동작 모드를 갖는 제1 층을 형성하는 하나 이상의 퇴적 파라미터들을 선택하는 단계를 포함하는 방법.
18. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 층은
    상기 제1 층의 평면과 실질적으로 직교하여 위치하는 제1 평면 내의 제1 임피던스; 및
    상기 제1 층의 상기 평면과 실질적으로 평행하게 위치하는 제2 평면 내의 제2 임피던스
    를 포함하고,
    상기 제1 임피던스는 상기 제2 임피던스보다 작은 방법.
19. 제13항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층의 조성은 상기 제2 층의 조성과 다른 방법.
20. 제13항에 있어서, 상기 제1 층의 한 영역은 상기 제1 층의 다른 영역과 다른 두께를 갖는 방법.
21. 제13항에 있어서, 상기 제1 층의 한 영역은 상기 제1 층의 다른 영역과 다른 조성을 갖는 방법.
22. 제13항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연성 물질 층들을 통해 연장하는 하나 이상의 사운드 포트들을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
23. 제22항에 있어서, 하나 이상의 사운드 포트들을 형성하는 상기 단계는 상기 전극을 통해 적어도 하나의 사운드 포트를 형성하는 단계를 포함하는 방법.
24. 제23항에 있어서, 상기 전극을 통해 사운드 포트를 형성하는 상기 단계는 상기 전극의 일부를 노출시키는 단계를 포함하고, 상기 전극의 노출된 부분은 사용시에 원하지 않는 전하를 제거하도록 작용하는 방법.
25. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 전자 장치.
26. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 통신 장치.
27. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 휴대용 전화 장치.
28. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 오디오 장치.
29. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 컴퓨터 장치.
30. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 차량(vehicle).
31. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 의료 장치.
32. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에서 청구된 바와 같은 마이크로-전기-기계 시스템(MEMS) 트랜스듀서를 포함하는 산업용 장치.

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