DE69506215T2 - Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht aus konjugiertem, substituiertem oder nicht-substituiertem poly(p-phenylen-vinylen) mittels gasphasenabscheidung und herstellungsverfahren einer elektrolumineszierenden vorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht aus konjugiertem, substituiertem oder nicht-substituiertem poly(p-phenylen-vinylen) mittels gasphasenabscheidung und herstellungsverfahren einer elektrolumineszierenden vorrichtung

Info

Publication number
DE69506215T2
DE69506215T2 DE69506215T DE69506215T DE69506215T2 DE 69506215 T2 DE69506215 T2 DE 69506215T2 DE 69506215 T DE69506215 T DE 69506215T DE 69506215 T DE69506215 T DE 69506215T DE 69506215 T2 DE69506215 T2 DE 69506215T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substituted
electroluminescenting
conjuged
producing
gas phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69506215T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69506215D1 (de
Inventor
Aemilianus Staring
Dirk Broer
Robert Demandt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Application granted granted Critical
Publication of DE69506215D1 publication Critical patent/DE69506215D1/de
Publication of DE69506215T2 publication Critical patent/DE69506215T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/02Macromolecular compounds containing only carbon atoms in the main chain of the macromolecule, e.g. polyxylylenes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/868Arrangements for polarized light emission

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
DE69506215T 1994-05-18 1995-05-10 Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht aus konjugiertem, substituiertem oder nicht-substituiertem poly(p-phenylen-vinylen) mittels gasphasenabscheidung und herstellungsverfahren einer elektrolumineszierenden vorrichtung Expired - Fee Related DE69506215T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP94201406 1994-05-18
PCT/IB1995/000349 WO1995031831A1 (en) 1994-05-18 1995-05-10 Method of providing a film of conjugated, substituted or unsubstituted poly(p-phenylene vinylene) on a substrate by chemical vapour deposition (cvd), as well as a method of manufacturing an electroluminescent (el) device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69506215D1 DE69506215D1 (de) 1999-01-07
DE69506215T2 true DE69506215T2 (de) 1999-06-10

Family

ID=8216884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69506215T Expired - Fee Related DE69506215T2 (de) 1994-05-18 1995-05-10 Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht aus konjugiertem, substituiertem oder nicht-substituiertem poly(p-phenylen-vinylen) mittels gasphasenabscheidung und herstellungsverfahren einer elektrolumineszierenden vorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5670212A (de)
EP (1) EP0714557B1 (de)
JP (1) JP3738031B2 (de)
DE (1) DE69506215T2 (de)
WO (1) WO1995031831A1 (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6143433A (en) * 1994-09-14 2000-11-07 Mitsui Chemicals, Inc. Organic electroluminescent device and process for producing the same
CA2263150C (en) 1996-08-12 2005-06-21 The Trustees Of Princeton University Non-polymeric flexible organic light emitting device
US20010005527A1 (en) * 1997-03-31 2001-06-28 Kathleen Michelle Vaeth Thin film fabrication
US5869135A (en) * 1997-10-03 1999-02-09 Massachusetts Institute Of Technology Selective chemical vapor deposition of polymers
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
JP3190886B2 (ja) * 1998-06-17 2001-07-23 日本電気株式会社 高分子膜の成長方法
WO2002096970A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Polymer, method of its preparation, and electronic device
DE10226370B4 (de) * 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
US20040043140A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
US20040043138A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
KR101137901B1 (ko) * 2003-05-16 2012-05-02 에스브이티 어소시에이츠, 인코포레이티드 박막 증착 증발기
US7575781B2 (en) * 2004-08-03 2009-08-18 Sur Modics, Inc. Method for depositing a polymeric coating on a substrate
EP1812493A4 (de) * 2004-11-01 2008-12-31 Agency Science Tech & Res Lichtemittierende poly(arylenvinylen)- und poly(heteroarylenvinylen)-polmyere und lichtemittierende polymervorrichtungen
CN113583218B (zh) * 2020-04-30 2022-11-22 中国科学院化学研究所 一种二维共轭聚合物异质结及其制备方法和应用

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8700986A (nl) * 1987-04-27 1988-11-16 Philips Nv Poly-1,2-azepine, werkwijze voor de bereiding van een film van een dergelijk polymeer op een substraat en substraat voorzien van een dergelijk polymeer.
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers

Also Published As

Publication number Publication date
WO1995031831A1 (en) 1995-11-23
JP3738031B2 (ja) 2006-01-25
EP0714557A1 (de) 1996-06-05
DE69506215D1 (de) 1999-01-07
JPH09500929A (ja) 1997-01-28
US5670212A (en) 1997-09-23
EP0714557B1 (de) 1998-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69506215T2 (de) Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht aus konjugiertem, substituiertem oder nicht-substituiertem poly(p-phenylen-vinylen) mittels gasphasenabscheidung und herstellungsverfahren einer elektrolumineszierenden vorrichtung
DE69012727D1 (de) Verfahren zur herstellung eines polykristallinen filmes mittels chemischen dampfniederschlags.
DE69524665D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer porösen dielektrischen Schicht für eine Halbleiteranordnung
DE69210146D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer porenfreien, harten Schicht
DE3876120D1 (de) Chemisches gasphasenabscheidungsverfahren zur herstellung einer kohlenstoffschicht.
DE69708268T2 (de) Verfahren zur herstellung einer optischen schicht
DE69332511D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
DE69333282D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
DE69921182D1 (de) Verfahren zur herstellung eines geformten gegenstands mit einer photochromen schicht
DE69616043T2 (de) Verfahren mit einem maskierungsschritt zur herstellung eines halbleiterbauelements mit einer sic halbleiterschicht
DE68923417D1 (de) Verfahren zur herstellung von keramischen elektronischen schichtbauelementen.
DE59409157D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schicht mit reduzierten mechanischen Spannungen
DE3672880D1 (de) Mit sio2-x ueberzogene gegenstaende durch plasmachemische abscheidung aus der dampfphase und verfahren zur herstellung solcher ueberzuege durch plasmachemische abscheidung aus der dampfphase.
DE3763902D1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterelementes, einschliesslich der abscheidung von schichten auf ein substrat aus der gasphase.
DE69934680D1 (de) Verfahren zur herstellung einer schicht
DE69306600D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Leitersubstrats
DE69603041D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung Oxydschichten durch Abscheidung aus der Dampfphase
DE3482546D1 (de) Plasmaverfahren zur herstellung leitfaehiger durchgehender loecher durch eine dielektrische schicht.
DE69211308D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Oberflächenschicht durch elektrische Entladungen
DE69022637D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes auf welchem eine isolierende Shicht eine gleichmässige Dicke hat.
DE69817019D1 (de) Verfahren zur herstellung einer metallschicht mittels eines nicht-isothermen plasmas
DE3872430D1 (de) Verfahren zur herstellung einer schicht aus supraleitendem material.
DE69213877D1 (de) Verfahren zur herstellung einer heimschicht für selektive metallbeschichtung
DE69128295D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Halbleiterbauteils auf einem transparenten, isolierenden Substrat
DE69012409D1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern durch Abscheidung aus der Gasphase.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee