DE69419403T2 - Verfahren und Schaltung für Ladetaktsteuerung für nichflüchtige Speicherausgabedaten - Google Patents
Verfahren und Schaltung für Ladetaktsteuerung für nichflüchtige SpeicherausgabedatenInfo
- Publication number
- DE69419403T2 DE69419403T2 DE69419403T DE69419403T DE69419403T2 DE 69419403 T2 DE69419403 T2 DE 69419403T2 DE 69419403 T DE69419403 T DE 69419403T DE 69419403 T DE69419403 T DE 69419403T DE 69419403 T2 DE69419403 T2 DE 69419403T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- circuit
- volatile memory
- output data
- clock control
- memory output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/02—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding parasitic signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP94830069A EP0678869B1 (de) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Verfahren und Schaltung für Ladetaktsteuerung für nichflüchtige Speicherausgabedaten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69419403D1 DE69419403D1 (de) | 1999-08-12 |
| DE69419403T2 true DE69419403T2 (de) | 1999-12-30 |
Family
ID=8218381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69419403T Expired - Fee Related DE69419403T2 (de) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | Verfahren und Schaltung für Ladetaktsteuerung für nichflüchtige Speicherausgabedaten |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5515332A (de) |
| EP (1) | EP0678869B1 (de) |
| JP (1) | JP2682502B2 (de) |
| DE (1) | DE69419403T2 (de) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5717642A (en) * | 1994-02-18 | 1998-02-10 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Load signal generating method and circuit for nonvolatile memories |
| JPH08161883A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| WO2013080289A1 (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-06 | 富士通株式会社 | 信号処理装置及び信号処理方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4337525A (en) * | 1979-04-17 | 1982-06-29 | Nippon Electric Co., Ltd. | Asynchronous circuit responsive to changes in logic level |
| US4335525A (en) * | 1980-08-13 | 1982-06-22 | Superior Rubber Industries Ltd. | Balloon dryer |
| US5200926A (en) * | 1987-12-28 | 1993-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
| US4959816A (en) * | 1987-12-28 | 1990-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit |
| JPH01273295A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-01 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JPH03108185A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-08 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体メモリ制御装置 |
| KR920002426B1 (ko) * | 1989-05-31 | 1992-03-23 | 현대전자산업 주식회사 | 집적회로의 출력버퍼회로 |
| US5386150A (en) * | 1991-11-20 | 1995-01-31 | Fujitsu Limited | Tracking pulse generator and RAM with tracking precharge pulse generator |
| JP3315998B2 (ja) * | 1992-04-22 | 2002-08-19 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
-
1994
- 1994-02-18 EP EP94830069A patent/EP0678869B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-18 DE DE69419403T patent/DE69419403T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-20 JP JP5377695A patent/JP2682502B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-02-21 US US08/391,160 patent/US5515332A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0678869A1 (de) | 1995-10-25 |
| JPH0845289A (ja) | 1996-02-16 |
| DE69419403D1 (de) | 1999-08-12 |
| JP2682502B2 (ja) | 1997-11-26 |
| US5515332A (en) | 1996-05-07 |
| EP0678869B1 (de) | 1999-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69128209T2 (de) | Löschschaltung und -verfahren für EEPROM-Speichermatrizen | |
| DE69815372D1 (de) | Selbstgetakte hochgeschwindigkeitsspeicherschaltung und verfahren zu ihrerimplementierung | |
| DE69424523D1 (de) | Inneres Taktsteuerungsverfahren und Schaltung für programmierbare Speichern | |
| DE69811181D1 (de) | Leseverfahren für ferroelektrischen 1T/1C-Speicher | |
| DE68919393T2 (de) | Nichtflüchtige Speicherzelle und Verfahren zum Lesen. | |
| DE69522738D1 (de) | Verfahren und Schaltkreis zum Programmieren einer Schwebegatterspeicherzelle | |
| DE69621165T2 (de) | Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung | |
| DE69841999D1 (de) | Speicherwechselsystem für Kamera und Steuerverfahren dazu | |
| DE69624155D1 (de) | Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung | |
| DE69629669D1 (de) | Leseverfahren und -schaltung für nichtflüchtige Speicherzellen mit Entzerrerschaltung | |
| DE69423077D1 (de) | Steuerungsvorrichtungen für nichtflüchtige Speicheranordnungen | |
| DE69604300D1 (de) | Temperaturkompensierte referenz für eine überlöschungskorrekturschaltung in einem flash-speicher | |
| DE69726832D1 (de) | Datenlesevorrichtung und -verfahren für Mehrbitspeicherzelle | |
| DE69631123D1 (de) | Verfahren und Schaltung zum Lesen von nichtflüchtigen Speicherzellen mit niedriger Versorgungsspannung | |
| DE69712005D1 (de) | Datenleseschaltungsanordnung und Verfahren für eine Mehrbitszelle | |
| DE69828890D1 (de) | Konfigurierbare speichersteuerungsvorrichtung und verfahren hierfür | |
| DE69419403T2 (de) | Verfahren und Schaltung für Ladetaktsteuerung für nichflüchtige Speicherausgabedaten | |
| DE69421266D1 (de) | Lesetaktsteuerungsverfahren und Schaltung für nichtflüchtige Speicher | |
| DE69730306D1 (de) | Dateneinschreibschaltung für nichtflüchtigen Halbleiterspeicher | |
| DE69514802T2 (de) | Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung | |
| DE69428423D1 (de) | Regelschaltung und Verfahren zum Löschen von nichtflüchtigen Speicherzellen | |
| DE69620654T2 (de) | Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung | |
| DE69625810D1 (de) | Generator für verzögerungsangepasste takt- und datensignale | |
| DE69413459T2 (de) | Speicherschaltung für parallelen Datenausgang | |
| DE69322749D1 (de) | Datenleseverfahren und festwertspeicherschaltung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |