DE69408261T2 - Oxydsupraleiter und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Oxydsupraleiter und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number
DE69408261T2
DE69408261T2 DE69408261T DE69408261T DE69408261T2 DE 69408261 T2 DE69408261 T2 DE 69408261T2 DE 69408261 T DE69408261 T DE 69408261T DE 69408261 T DE69408261 T DE 69408261T DE 69408261 T2 DE69408261 T2 DE 69408261T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oxide superconductor
magnetic field
superconductor
hole density
critical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69408261T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69408261D1 (de
Inventor
Kazuyuki Isawa
Hiroshi Kubota
Roman Puzniak
Shoji Tanaka
Ryo Usami
Hisao Yamauchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Superconductivity Technology Center
New Energy and Industrial Technology Development Organization
Original Assignee
Toshiba Corp
Tohoku Electric Power Co Inc
International Superconductivity Technology Center
Mitsubishi Electric Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tohoku Electric Power Co Inc, International Superconductivity Technology Center, Mitsubishi Electric Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69408261D1 publication Critical patent/DE69408261D1/de
Publication of DE69408261T2 publication Critical patent/DE69408261T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic superconductors
    • H10N60/857Ceramic superconductors comprising copper oxide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/742Annealing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/775High tc, above 30 k, superconducting material
    • Y10S505/776Containing transition metal oxide with rare earth or alkaline earth
    • Y10S505/782Bismuth-, e.g. BiCaSrCuO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Oxid-Supraleiter sowie auf ein Verfahren zur Herstellung des Supraleiters, und genauer auf einen Oxid-Supraleiter, welcher als Stromleiter wie beispielsweise ein Draht, eine Spule, eine Ausgleichsleitung und dergleichen verwendet wird, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung des Supraleiters.
  • Stand der Technik
  • Die kritische Temperatur (Tc) der Superaleitfähigkeit eines Oxid-Supraleiters mit Löchern als Trägern wird durch dessen Lochdichte bestimmt. Wie in beispielsweise Physical Review B, Band 41, Nr. 10 (1990), S. 6418, Fig. 20, offenbart, fällt Tc, wenn die Lochdichte des Oxid-Supraleiters höher oder geringer als die den größten Tc-Wert erzeugende Lochdichte ist.
  • Die kritische Stromdichte des Oxid-Supraleiters steigt an, wenn die Temperatur, bei welcher der Oxid-Supraleiter als Stromleiter verwendet wird, tiefer als Tc wird. Daher ist es in der Praxis erwünscht, daß Tc so hoch wie möglich liegt. In einem herkömmlichen Oxid-Supraleiter, der als Stromleiter oder magnetische Abschirmung einer Variation eines Stromleiters verwendet wird, wird zum Erhalt einer höheren kritischen Stromdichte die Lochdichte so gesteuert, daß Tc seinen höchsten mit dem Oxid-Supraleiter erhältlichen Wert annimmt, wie in beispielsweise Proc. of the 51st scientific lecture, the Japan society of applied physics, S. 92, 26p-ZB-8, offenbart.
  • Weiterhin ist es zur Aufrechterhaltung einer hohen kritischen Stromdichte im Stromleiter notwendig, die Richtung des im Oxid-Supraleiter fließenden Stroms und die c-Kristallachse senkrecht zueinander anzuordnen. Beispielsweise ist im Fall eines supraleitenden Bands die Bandoberfläche senkrecht zur c-Kristallachse angeordnet.
  • Im vorstehend genannten Oxid-Supraleiter wird die kritische Stromdichte durch das Anlegen eines Magnetfelds verringert. Ein als Stromleiter verwendeter herkömmlicher Oxid-Supraleiter hat ein dahingehendes Problem, daß die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte sich gemäß der Anlegungsrichtung eines Magnetfelds relativ zur Kristallorientierung beträchtlich unterscheidet. Mit anderen Worten ist, wie beispielsweise in Physica C205, S. 329, Fig. 5, 1993 offenbart, die Verringerungsrate der kritischen Dichte aufgrund des angelegten Magnetfelds bei parallel zur c-Kristallachse (d.h. senkrecht zur Bandoberfläche) angelegtem Magnetfeld beträchtlich größer als bei senkrecht zur c-Kristallachse des Oxid- Supraleiters (d.h. parallel zur Bandoberfläche) angelegtem Magnetfeld.
  • Daher fällt, wenn ein unter Verwendung eines herkömmlichen Oxid-Supraleiters hergestellter Stromleiter beispielsweise als Spule verwendet wird, aufgrund der nicht in der Spule fixierten Anlegungsrichtung des Magnetfelds die kritische Stromdichte in einem Teil, in welchem eine Magnetfeldkomponente parallel zur c-Kristallachse auftritt, beträchtlich ab. Als Ergebnis ist die Spule als Stromleiter schwierig zu verwenden, wie beispielsweise in Digest of the 47th spring lecture, the cryogenic engineering and superconductivity institute, S. 88, DI-17 (1992), offenbart.
  • Zusätzlich sind in Physics today, Juli 1993, S. 20 bis 23, Supraleiter der HBCCO-Familie offenbart, welche durch die allgemeine Formel HgBa&sub2;Can-1CuO2n+2+δ dargestellt sind.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Oxid- Supraleiter, in welchem die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte aufgrund eines angelegten Magnetfelds stark verkleinert ist, wenn das Magnetfeld parallel zur c-Kristallachse angelegt ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung des Oxid-Supraleiters bereitzustellen.
  • Erfindungsgemäß werden die vorstehenden Aufgaben durch ein Verfahren zur Herstellung eines Oxid-Supraleiters gelöst, welches die Schritte des Vermischens, des Formpressens und des Sinterns der Materialien eines Oxid-Supraleiters mit Löchern als Trägern sowie weiterhin einen Schritt einer Hitzebehandlung des Oxid-Supraleitermaterials in einem oxidierenden Gasstrom umfaßt, so daß die Lochdichte des Oxid-Supraleiters auf einen Wert erhöht wird, der größer als die den höchsten Wert der kritischen Supraleitfähigkeitstemperatur des Oxid-Supraleiters erzeugende Lochdichte ist.
  • Darüber hinaus werden erfindungsgemäß die vorstehenden Aufgaben durch einen Oxid-Supraleiter mit Löchern als Trägern gelöst, wobei der Oxid-Supraleiter eine Kristallstruktur Hg1-xMxBa&sub2;Ca(n-1)Cu(n)Oy aufweist, wobei M = Pb, Cd oder Tl, n = 1, 2, 3 oder 4, 0 &le; x &le; 0,4 und 4 < y < 11 ist, wobei seine Lochdichte größer als die die höchste kritische Supraleitfähigkeitstemperatur erzeugende Lochdichte ist und er eine kritische Stromdichte in einem angelegten Magnetfeld besitzt, welche höher als die kritische Stromdichte des Oxid-Supraleiters mit der höchsten kritischen Supraleitfähigkeitstemperatur im gleichen Magnetfeld ist.
  • Es zeigen:
  • Fig. 1 ein Diagramm mit Veränderungen der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des angelegten Magnetfelds, welche während des derartigen Anlegens des Magnetfelds an einen Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiter, daß die Anlegungsrichtung gemäß einem ersten erfindungsgemäßen Beispiel senkrecht zur c-Kristallachse ist, gemessen wurden;
  • Fig. 2 ein Diagramm mit Veränderungen der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des angelegten Magnetfelds, welche während des derartigen Anlegens des Magnetfelds an einen Quecksilber-1223-Phasen-Supraleiter, daß die Anlegungsrichtung gemäß einem zweiten erfindungsgemäßen Beispiel parallel oder senkrecht zur c-Kristallachse ist, gemessen wurden;
  • Fig. 3 ein Diagrainm mit Veränderungen der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des angelegten Magnetfelds, welche während des derartigen Anlegens des Magnetfelds an einen Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiter, daß die Anlegungsrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel parallel zur c-Kristallachse ist, gemessen wurden.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Als Ergebnis einer ausführlichen Untersuchung der Beziehung zwischen kritischen Stromdichten verschiedener Oxid-Supraleiter, welche sich nur in der Lochdichte unterscheiden, und einem angelegten Magnetfeld wurde ermittelt, daß es eine Beziehung zwischen der Verringerungsrate der kritischen Stromdichte aufgrund des Magnetfelds und der Lochdichte gab. Die vorliegende Erfindung beruht auf diesem Ergebnis. Mit anderen Worten wird die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte aufgrund eines parallel zur c-Kristallachse angelegten Magnetfelds deutlich vermindert, indem man die Lochdichte des Oxid-Supraleiters höher als die den höchsten Tc-Wert ergebende Lochdichte macht.
  • Die vorliegende Erfindung wird unter Bezugnahme auf bevorzugte Beispiele ausführlicher erläutert.
  • Beispiel 1
  • Quecksilberoxid, Bariumoxid und Kupferoxid wurden in einem molaren Verhältnis von 1:2:1 vermischt, und das Gemisch wurde formgepreßt. Das geformte Gemisch wurde in einem Siliciumoxidrohr unter Vakuum versiegelt und eine Stunde bei 750ºC gesintert, wodurch eine Probe eines Quecksilber-1201-Phasen- Supraleiters synthetisiert wurde. Diese Probe entspricht einem Quecksilberoxid-Supraleiter mit der Kristallstruktur Hg1-xMxBa&sub2;Ca(n-1)Cu(n)Oy ( M = Pb, Cd oder Tl, n = 1, 2, 3 oder 4, 0 &le; x &le; 0,4, 4 < y < 11), wenn n=1 und x=0 ist. Die Tc der Probe betrug nach dem Sintern 96 K, was der höchste Tc-Wert des Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiters war.
  • Nachfolgend wurde ein Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiter genäß dem ersten erfindungsgemäßen Beispiel erhalten, indem die Probe etwa sechs Stunden bei 200ºC in einem oxidierenden Gas wie beispielsweise einem Sauerstoffstrom erhitzt wurde. Da die Tc dieses Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiters durch die Hitzebehandlung im Sauerstoffstrom auf 60 K verringert wurde, war die hohe Lochdichte bestätigt.
  • Durch Zermahlen und Versiegeln des Quecksilber-1201-Phasen- Supraleiters in einem Harz unter einem Magnetfeld von 8 Tesla wurde eine kristallausgerichtete Probe erhalten. Die Abhängigkeit der kritischen Stromdichte vom Magnetfeld wurde untersucht, indem 9 Tesla (T) erreichende Magnetfelder an die kristallausgerichtete Probe bei 4,2 K derart angelegt wurden, daß die Anlegungsrichtung parallel zur c-Kristallachse ist. Das experimentelle Ergebnis ist in Fig. 1 gezeigt. Wie in Fig. 1 gezeigt, war die kritische Stromdichte in einem Bereich von etwa 3 Tesla bis etwa 9 Tesla annähernd konstant.
  • In der in Fig.1 eingefügten Figur ist die Änderungsrate (Abnahme) der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des angelegten Magnetfelds gezeigt. Wie in der eingefügten Figur gezeigt lag der Wert für die Änderungsrate innerhalb eines Bereichs von etwa 3 bis 9 Tesla nahe bei Null. Dadurch wurde enthüllt, daß die kritische Stromdichte sich unter einer großen Magnetfeldstärke kaum verringerte.
  • Beispiel 2
  • Quecksilberoxid, Bleioxid, Bariumoxid, Calciumoxid und Kupferoxid wurden in einem molaren Verhältnis von 0,8:0,2:2:2:3 vermischt, und das Gemisch wurde formgepreßt. Das geformte Gemisch wurde in einem Siliciumoxidrohr unter Vakuum versiegelt und eine Stunde bei 675ºC gesintert, wodurch eine Probe eines Quecksilber-1223-Phasen-Supraleiters gemäß einem zweiten erfindungsgemäßen Beispiel synthetisiert wurde.
  • Da das 20% des Quecksilbers ersetzende Kupfer in diesem Quecksilber-1223-Phasen-Supraleiter als Donator für Löcher fungiert, ist die Lochdichte des im zweiten Beispiel hergestellten Quecksilber-1223-Phasen-Supraleiters hoch. Die hohe Lochdichte wird auch durch den Punkt bestätigt, daß die Tc des erhaltenen Quecksilber-1223-Phasen-Supraleiters 130 K beträgt und somit tiefer als der höchste Tc-Wert liegt. Der Oxid-Supraleiter entspricht einem Quecksilberoxid-Supraleiter mit der vorstehend genannten Kristallstruktur, wenn n gleich 2 ist.
  • Nachfolgend wurde eine kristallausgerichtete Probe auf gleiche Weise wie im ersten Beispiel ohne Hitzebehandlung hergestellt, und die Verringerungsrate ihrer kritischen Stromdichte aufgrund der Stärke des angelegten Magnetfelds bei 20 K wurde untersucht. In Fig. 2 ist das experimentelle Ergebnis gezeigt. Wie in Fig. 2 gezeigt war die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des angelegten Magnetfelds bei Anlegung des Magnetfelds parallel zur c- Kristallachse (durch die Kurve A angezeigt) gleich derjenigen bei Anlegung des Magnetfelds senkrecht zur c-Kristallachse (durch die Kurve B angezeigt).
  • In einem allgemeinen Oxid-Supraleiter ist wie vorstehend beschrieben die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des angelegten Magnetfelds bei Anlegung des Magnetfelds parallel zur c-Kristallachse größer als bei Anlegung des Magnetfelds senkrecht zur c-Kristallachse. Jedoch sind wie in Fig. 2 gezeigt bei dem Quecksilber-1223-Phasen- Supraleiter des zweiten Beispiels die Verringerungsraten für beide Fälle gleich. Dies zeigt, daß die Abnahme der kritische Stromdichte bei parallel zur c-Kristallachse angelegtem Magnetfeld vermindert ist.
  • Vergleichsbeispiel
  • Ein Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiter wurde auf gleiche Weise wie im ersten Beispiel synthetisiert. Die Tc der Probe betrug nach dem Sintern 96 K, was dem höchsten Tc-Wert entspricht, der mit dem Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiter erhältlich ist. Anschließend wurde eine kristallausgerichtete Probe erhalten, indem der Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiter ohne Hitzebehandlung zermahlen und unter einem Magnetfeld von 8 Tesla in einem Harz versiegelt wurde.
  • Die kritische Stromdichte der kristallausgerichteten Probe wurde bei 4,2 K gemessen, während ein Magnetfeld parallel zur c-Kristallachse angelegt wurde. In Fig. 3 ist das Meßergebnis gezeigt. Wie in Fig. 3 gezeigt fällt die kritische Stromdichte monoton ab, und insbesondere war ihre Abnahme unter einem starken Magnetfeld von mehr als etwa 5 Tesla schnell.
  • In einer in Fig. 3 eingefügten Figur sind die Raten für die Veränderung (Abnahme) der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des angelegten Magnetfelds gezeigt. Durch die eingefügte Figur wird enthüllt, daß das Vergleichsbeispiel geringere Werte als das erste Beispiel zeigt und daß die Verringerung der kritischen Stromdichte gemäß der Stärke des Magnetfelds größer als beim ersten Beispiel war.
  • Wie in den vorstehenden Beispielen und dem Vergleichsbeispiel beschrieben, war in dem Quecksilberoxid-Supraleiter mit einer höheren Lochdichte als der den höchsten Tc-Wert ergebenden Lochdichte die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte aufgrund des angelegten Magnetfelds bei parallel zur c- Kristallachse angelegtem Magnetfeld beträchtlich vermindert. Daher wird erwartet, daß ein unter Verwendung eines Quecksilberoxid-Supraleiters mit hoher Lochdichte hergestellter Stromleiter unter einem starken Magnetfeld eine höhere kritische Stromdichte als ein unter Verwendung eines Quecksilberoxid-Supraleiters mit einer den höchsten Tc-Wert ergebenden Lochdichte hergestellter herkömmlicher Stromleiter aufweist.
  • Damit er als Stromleiter zur tatsächlichen Verwendung gelangen kann, muß der Oxid-Supraleiter zur Verwendung in billigem flüssigen Stickstoff eine Tc oberhalb 77 K aufweisen. Obwohl durch die Erhöhung der Lochdichte die Tc des Oxid-Supraleiters verringert wird, ist beispielsweise die Tc des Quecksilber-1223-Phasen-Supraleiters selbst bei hoher Lochdichte 130 K, wodurch dessen Verwendung bei der Temperatur von flüssigem Stickstoff ausreichend möglich ist. Was den Quecksilber-1201-Phasen-Supraleiter betrifft, so ist es trotz seiner aufgrund der hohen Lochdichte im ersten Beispiel auf 60 K verminderten Tc möglich, die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte aufgrund des angelegten Magnetfelds zu vermindem, während die Tc über der Temperatur von flüssigem Stickstoff gehalten wird, indem die Lochdichte so eingestellt wird, daß die Tc mehr als 77 K beträgt.
  • Der erfindungsgemäße Oxid-Supraleiter wird nicht nur bei der Temperatur von flüssigem Stickstoff eingesetzt. Wenn er beispielsweise als Spule zur Erzeugung eines starken Magnetfelds verwendet wird, kann selbst bei 4,2 K mit einem in derzeit praktischer Verwendung befindlichen Metallsupraleiter, mit welchem eine hohe kritische Stromdichte erhältlich ist, kein starkes Magnetfeld erhalten werden. Dies ist darauf zurückzuführen, daß das kritische Magnetfeld des Metallsupraleiters, beispielsweise Nb&sub3;Sn, bei 4,2 K nur eine geringe Stärke von 22 Tesla hat, wiem T. Van Duzer und C.W. Turner, Principles of superconductive device and circuit, (Corona, 1983) offenbart.
  • Andererseits wird in einem Oxid-Supraleiter, beispielsweise einem nicht erfindungsgemäßen Wismut-2212-Phasen-Supraleiter, ein starkes kritisches Magnetfeld von etwa 90 Tesla bei 4,2 K erhalten, wie in Physical Review B, Band 45, S. 4978, 1992, offenbart. Daher ist es bei Verwendung des Oxid-Supraleiters bei 4,2 K möglich, ein stärkeres Magnetfeld zu erhalten, als mit dem Metallsupraleiter erhältlich ist. In dem der vorstehend genannten Anwendung entsprechenden Anspruch 3 der vorliegenden Erfindung ist ausgeführt, daß bei einer sehr tiefen Temperatur in der Nähe von 4,2 K Tc gleich 4,2 K oder höher ist.
  • Wie vorstehend beschrieben ist es möglich, die Verringerungsrate der kritischen Stromdichte aufgrund des angelegten Magnetfelds bei Anlegen des Magnetfelds parallel zur c-Kristallachse wesentlich zu verringern, wodurch ein Stromleiter ohne irgendeine Einschränkung hinsichtlich der Richtung der Kristallachse hergestellt und ein Stromleiter mit hoher kritischer Stromdichte bereitgestellt werden kann.
  • Es ist möglich, ein starkes, mit einem Metallsupraleiter nicht erhältliches Magnetfeld zu erhalten, wenn ein Oxid- Supraleiter bei sehr tiefer Temperatur verwendet wird.
  • Weiterhin ist es möglich, die Lochdichte des Oxid-Supraleiters auf einfache Weise höher als die den höchsten Tc-Wert erzeugende optimale Lochdichte zu machen, indem der Oxid- Supraleiter in einer oxidierenden Gasatmosphäre erhitzt wird.
  • Außerdem ist es möglich, einen Oxid-Supraleiter mit den vielen vorstehend genannten Vorteilen herzustellen.

Claims (3)

1. Verfahren zur Herstellung eines Oxid-Supraleiters, welches die Schritte des Vermischens, des Formpressens und des Sinterns der Materialien eines Oxid-Supraleiters mit Löchern als Trägern sowie weiterhin einen Schritt einer Hitzebehandlung des Oxid-Supraleitermaterials in einem oxidierenden Gasstrom umfaßt, so daß die Lochdichte des Oxid-Supraleiters auf einen Wert erhöht wird, der größer als die den höchsten Wert der kritischen Supraleitfähigkeitstemperatur des Oxid- Supraleiters erzeugende Lochdichte ist.
2. Oxid-Supraleiter mit Löchern als Trägern, wobei der Oxid-Supraleiter eine Kristallstruktur Hg1-xMxBa&sub2;Ca(n-1)Cu(n)Oy aufweist, wobei M = Pb, Ce oder Tl, n = 1, 2, 3 oder 4, 0 &le; x &le; 0,4 und 4 < y < 11 ist, wobei seine Lochdichte größer als die die höchste kritische Supraleitfähigkeitstemperatur erzeugende Lochdichte ist und er eine kritische Stromdichte in einem angelegten Magnetfeld besitzt, welche höher als die kritische Stromdichte des Oxid-Supraleiters mit der höchsten kritischen Supraleitfähigkeitstemperatur im gleichen Magnetfeld ist.
3. Qxid-Supraleiter nach Anspruch 2, wobei die Lochdichte des Oxid-Supraleiters größer als die den höchsten Wert der kritischen Supraleitfähigkeitstemperatur erzeugende Lochdichte und kleiner alsdie eine kritische Supraleitfähigkeitstemperatur von 4,2 K erzeugende Lochdichte ist.
DE69408261T 1993-10-25 1994-10-24 Oxydsupraleiter und Verfahren zur Herstellung Expired - Fee Related DE69408261T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5266534A JPH07118014A (ja) 1993-10-25 1993-10-25 酸化物超電導体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69408261D1 DE69408261D1 (de) 1998-03-05
DE69408261T2 true DE69408261T2 (de) 1998-06-10

Family

ID=17432210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69408261T Expired - Fee Related DE69408261T2 (de) 1993-10-25 1994-10-24 Oxydsupraleiter und Verfahren zur Herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5776862A (de)
EP (1) EP0650203B1 (de)
JP (1) JPH07118014A (de)
DE (1) DE69408261T2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6784138B2 (en) * 1998-06-18 2004-08-31 Industrial Research Limited Critical doping in high-Tc superconductors for maximal flux pinning and critical currents
JP3023780B1 (ja) 1998-09-14 2000-03-21 工業技術院長 Cu系高温超伝導材料
EP1006594A1 (de) 1998-12-03 2000-06-07 Jochen Dieter Prof. Dr. Mannhart Supraleiter mit verbesserter Stromdichte und Verfahren zu dessen Herstellung
US6767866B1 (en) * 1999-03-26 2004-07-27 Japan Science And Technology Agency Selective reduction type high temperature superconductor and methods of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0650203B1 (de) 1998-01-28
JPH07118014A (ja) 1995-05-09
EP0650203A1 (de) 1995-04-26
US5776862A (en) 1998-07-07
DE69408261D1 (de) 1998-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69115092T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters aus Wismutoxyd.
DE69401992T2 (de) Draht aus supraleitendem Oxid und supraleitende Apparatur mit diesem Draht
DE68920234T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines oxidischen Supraleiters.
DE69013860T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Drahtes aus supraleitendem Oxid.
DE69128000T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Kabels
DE69012596T2 (de) Oxidischer supraleitender Draht.
DE69012731T2 (de) Oxydsupraleiter und verfahren zur herstellung.
DE4128011C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines flexiblen supraleitenden Bandes
DE69206430T3 (de) Verfahren zur Herstellung eines mehrfädigen Bismutoxid enthaltenden supraleitenden Drahtes.
DE69202795T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Kabels.
DE3855627T2 (de) Supraleitende keramische Materialien und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69408261T2 (de) Oxydsupraleiter und Verfahren zur Herstellung
DE68914817T2 (de) Oxydisches supraleitendes Material, dessen Herstellungsprozess und Anwendung.
DE69227274T2 (de) Supraleitender Gegenstand und Verfahren zur Herstellung diesen supraleitenden Gegenstand
DE68923325T2 (de) Josephson-Einrichtung.
DE69208856T2 (de) Herstellungsverfahren eines bismutoxyd enthaltenden supraleitenden drahtmaterials
DE69108172T2 (de) Geschichtete Kupferoxide.
DE69220387T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Tunnelüberganges von der Art einer Josephson-Einrichtung aufgebaut aus supraleitendem oxydischem Verbundmaterial
DE69114164T2 (de) Supraleitendes Oxyd und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE69504557T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines supraleitenden Hochtemperaturdrahtes
DE69421197T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Nb3X supraleitenden Drahtes
DE69312199T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Metall-Oxid und so erhaltenes Metal-Oxid
DE68928684T2 (de) Supraleiter und Verfahren zu deren Herstellung
DE68925463T2 (de) Oxidsupraleitendes Material und Prozess zu dessen Herstellung
DE2011581A1 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: INTERNATIONAL SUPERCONDUCTIVITY TECHNOLOGY CENTER,

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: INTERNATIONAL SUPERCONDUCTIVITY TECHNOLOGY CENTER,

Owner name: NEW ENERGY AND INDUSTRIAL TECHNOLOGY DEVELOPMENT O

8339 Ceased/non-payment of the annual fee