DE69307157T2

DE69307157T2 - Methode und Vorrichtung zum Polieren der Rundkanten von Wafern

Info

Publication number: DE69307157T2
Application number: DE69307157T
Authority: DE
Inventors: Fumihiko Hasegawa; Hiroshi Kawano; Tatsuo Ohtani; Masayuki Yamada
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 1992-01-24
Filing date: 1993-01-25
Publication date: 1997-08-14
Anticipated expiration: 2013-01-26
Also published as: EP0552989A1; US5316620A; JPH07169721A; DE69307157D1; EP0552989B1; JP2628424B2

Description

Hintergrund der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Polieren der Abschrägungen eines Wafers.

Stand der Technik

Ein Halbleiterwafer, das zur Herstellung von Substraten für Halbleitergeräte verwendet wird, wird von einem Einkristall- Gußblock erhalten, wie bspw. einem Gußblock, der aus geschmolzenem Polykristallsilizium gewachsen ist, und zwar durch ein Abstechen des Gußblockes zu dünnen Scheiben rechtwinklig zu der Achse des Gußblockes, wobei die Scheiben dann mit einer Abschrägung versehen, geläppt, geätzt, geglüht, poliert und mit weiteren Fertigbearbeitungen versehen werden.
Jedes Halbleiterwafer, das in der vorstehend generell beschriebenen Art und Weise hergestellt wurde, ist entlang seiner Umfangskante mit einer Abschrägung versehen, um von der Kante jede Schärfe zu entfernen und dadurch ein Absplittern der Waferkante zu erschweren. Als Folge einer verstärkten Forderung nach einer strikteren Verhinderung einer Staubbildung, die durch die hochentwickelte Super- LSI-(hoher Integrationsgrad)-Technologie erhoben wird, welche auf einer Bearbeitung mit hoher Präzision gründet, ergibt sich jedoch die gegenwärtige Tendenz für ein Polieren der Abschrägungen des Waferumfangs, bis sie blank bzw. glänzend sind (abschließendes Spiegelpolieren), um so die Möglichkeit der Schaffung von Teilchen als Folge eines mikroskopischen Abspaltens auszuschließen.
Ein Wafer wird gewöhnlich mit einem weggeschnittenen Bereich ausgebildet, bei welchem der Verlauf der Waferkante geradlinig ist, und dieser Kantenbereich wird herkömmlich als eine Orientierungsabflachung (oder kurz OF) genannt, und wenn das Wafer abgeschrägt und poliert wird, dann wird tatsächlich der gesamte Umfang unter Einschluß der OF blank bzw. glänzend ausgeführt. Der kreisförmige Umfangsbereich sowie der geradlinige OF Bereich der Waferkante werden gewöhnlich mittels eines zylindrischen Poliergerätes des Berührungstyps an einer äußeren Fläche poliert. Fig. 7 zeigt die Art und Weise des Einsatzes eines solchen zylindrischen Poliergerätes des Berührungstyps an einer äußeren Fläche, welches aus einer Schwabbelscheibe 140 besteht, die aus einem elastisch-nachgiebigen Körper hergestellt und mit einer Nut 140a ausgebildet ist, die um die Seite des Zylinders herum verläuft und einen Kreis senkrecht zu der Achse des Zylinders beschreibt. Das Profil der Nut 140a ist etwa komplementär zu dem Profil der abgeschrägten Waferkante, sodaß sie bei einer Berührung zusammenpassen.
Die Schwabbelscheibe 140 wird um die Drehachse gedreht, und das Wafer wird in derselben Winkelrichtung gedreht, wenn die Schwabbelscheibe 140 ankommt, sodaß die Waferkante in die Nut 140a eintritt. Eine Aufschlämmung (Polierflüssigkeit) wird in die umlaufende Nut 140a eingebracht, und die umlaufende Kante des Wafers W wird in die Nut 140a der zylindrischen Schwabbelscheibe 140 gedrückt, wodurch die Abschrägungen W1 des Wafers W poliert werden.

Probleme, welche die Erfindung zu lösen sucht

Bei einem solchen Polierverfahren, bei welchem ein zylindrisches Poliergerät (die Schwabbelscheibe 140) des Berührungstyps an einer äußeren Fläche verwendet wird, ist jedoch die Berührung zwischen der Waferkante und der Seite der zylindrischen Schwabbelscheibe von der Art einer konvexen-auf- konvexen Berührung, sodaß die Fläche der Waferabschrägungen W1, die zu jedem Zeitpunkt von der Schwabbelscheibe 140 berührt werden, mager ist. Der zeitliche Wirkungsgrad der Polierarbeit, die an den Waferabschrägungen W1 durch die Schwabbelscheibe 140 bewirkt wird, ist daher niedrig, sodaß die zum Bewirken des abschließenden Spiegelpolierens benötigte Zeit relativ lang ist und der Wirkungsgrad der Herstellung eines Wafers beschränkt ist.
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf dieses Problem konzipiert, sodaß es daher eine Aufgabe der Erfindung ist, ein verbessertes Verfahren und eine Vorrichtung zum Polieren der Abschrägung eines Wafers in einer solchen Art und Weise bereitzustellen, daß die benötigte Polierzeit reduziert und der Wirkungsgrad der Waferherstellung verbessert wird.
Unter Berücksichtigung dieser Aufgabe haben die Erfinder eine theoretische Untersuchung eines Vergleichs der Polierzeit durchgeführt, die für ein abschließendes Spiegelpolieren in dem Fall einer neuartigen Schwabbelscheibe des Berührungstyps an einer Innenfläche benötigt wird (konvex- auf-konkav-Berührung) mit derjenigen in dem Fall einer herkömmlichen zylindrischen Schwabbelscheibe des Berührungstyps an einer äußeren Fläche (konvex-auf-konvex-Berührung) Die Untersuchung wird unter Bezugnahme auf die Fig. 8(a) und Fig. 9(a) beschrieben; in Fig. 8(a) ist ein Wafer W mit einer übertriebenen Dicke gezeigt, welches innerhalb der Innenfläche einer Schwabbelscheibe 240 des Berührungstyps an einer Innenfläche angeordnet ist, und in Fig. 9(a) ist ein Wafer W mit einer übertriebenen Dicke gezeigt, das in Berührung mit der Außenfläche einer zylindrischen Schwabbelscheibe 240 des Berührungstyps an einer äußeren Fläche ist.
Die Rate der Verringerung (Entfernung) der Rauhheit R der Abschrägungen eines Wafers W wird als proportional zu der eigentlichen Rauhheit R angesehen sowie zu der Länge L der Berührungsfläche zwischen dem Wafer W und der Schwabbelscheibe 240, gemessen in der Richtung des Bürstens (Polierens), sodaß die folgende Gleichung gilt:
dR/dt = -KLR ...(1)
wobei K ein Koeffizient ist, bestimmt durch den Berührungsdruck, die relative Geschwindigkeit an dem Berührungspunkt, den Zustand der Aufschlämmung, usw.; t ist die Zeit, während welcher das Polieren durchgeführt wird, und L ist die Länge der Berührungsfläche
Die vorstehende Gleichung wird zu der folgenden Differentialgleichung umgeschrieben:
dR/R = -KLdt ...(2)
Durch ein Lösen dieser Differentialgleichung wird die folgende Gleichung erhalten:
logR/RO =-KLt ...(3)
wobei RO die anfängliche Rauhheit der Abschrägungen ist (sodaß also die Rauhheit bei t = O oder Rt=O).
Die Rauhheit R der Waferabschrägungen wird somit zu jedem Zeitpunkt als eine Funktion der Polierzeit t angegeben:
R = ROe-KLt ...(4).
Gemäß der Theorie der elastischen Berührungen ist die Länge L1 der Berührungsfläche in dem Fall, wo die Waferkante von der inneren Polierfläche einer Schwabbelscheibe 240 des Berührungstyps an einer Innenfläche (konvex-auf-konkav- Berührung) einbeschrieben ist, wie gezeigt in Fig. 8(a), wesentlich größer als die Länge L2 der Berührungsfläche in dem Fall, wo die Waferkante die Seitenfläche der zylindrischen Schwabbelscheibe 240 berührt (konvex-auf-konvex- Berührung), wie gezeigt in Fig. 9(a); und dieses Ergebnis kann intuitiv bestätigt werden, wie es in Fig. 8(b) und Fig. 9(b) angegeben ist (L1> L2). Es kann ebenfalls intuitiv bestätigt werden, daß in dem Fall der konvex-auf-konkav- Berührung die Länge L der Berührung um so größer wird, je näher der Krümmungsradius des Wafers an denjenigen der inneren Polierfläche herankommt, ohne diesen zu überschreiten.
Die Werte der Rauhigkeit R der Waferabschrägungen zu verschiedenen Zeitpunkten t wird mittels der Gleichung (4) berechnet, sowohl in dem Fall der konvex-auf-konkav-Berührung wie auch in dem Fall der konvex-auf-konvex-Berührung, und die Ergebnisse sind in Fig. 10 abgetragen und zeigen die Veränderung der Rauhheit R der Waferabschrägungen mit der Zeit. In Fig. 10 entspricht die Kurve a dem Fall der konvex-auf-konkav-Berührung (L1), und die Kurve b entspricht dem Fall der konvex-auf-konvex-Berührung (L2). Wird jetzt angenommen, daß es erwünscht wird, daß die Rauhheit R auf einen Wert RA von niedriger Höhe verringert wird, dann ergibt sich die zum Erreichen der Rauhheit RA benötigte Polierzeit t mit t1 in dem Fall einer konvex-auf-konkav- Berührung und mit t2 in dem Fall einer konvex-auf-konvex- Berührung, wobei t2 definitiv großer ist als t1. Der zeitliche Wirkungsgrad des Polierens ist daher in dem Fall des Polierens mit einer konvex-auf-konkav-Berührung, wo eine lange Berührungslänge L1 erhalten wird, höher als in dem Fall des Polierens mit einer konvex-auf-konvex-Berührung, wo die Berührungslänge L2 relativ klein ist. Ein Wechsel auf das Polieren eines konvex-auf-konkav-Typs von dem Polieren des konvex-auf-konvex-Typs wird daher die benötigte Polierzeit t verkürzen und zu einer scharfen Erhöhung der Waferproduktivität beitragen.
Die Erfinder haben daher ihr neues Verfahren und die Vorrichtung zum Polieren der Abschrägungen eines Wafers auf dieses Konzept gegründet und ausgedacht.

Zusammenfassung der Erfindung (Mittel zur Lösung der Probleme)

Es ist daher nachfolgend ein neues Verfahren zum Polieren der Umfangsabschrägungen eines Halbleiterwafers bereitgestellt, bestehend aus den Stufen:
(a) einer Drehung um ihre Drehachse mit einer relativ hohen Rate einer zylindrischen, napfähnlichen Rotation- Schwabbelscheibe, an deren Innenwandfläche eine innere Poliernut ausgebildet ist, wobei die Nut einen Kreis senkrecht zu der Drehachse der zylindrischen Schwabbelscheibe beschreibt und ein Profil komplementär zu dem Profil der abgeschrägten Waferkante aufweist;
(b) einer Anordnung des Wafers innerhalb der sich drehenden zylindrischen Schwabbelscheibe in einer solchen Art und Weise, daß das Wafer in der durch den Kreis der inneren Poliernut definierten Ebene liegt;
(c) einer Drehung des Wafers in Umfangsrichtung bei einer relativ niedrigen Rate; und
(d) einer radialen Bewegung des Wafers für ein Eindrücken der Waferkante in die sich bewegende innere Poliernut mit einem geeigneten Druck.
In dem Fall, wo das Wafer ein solches ist, das eine Kante mit einer geradlinigen Orientierungsabflachung hat, wird es dann bevorzugt, daß auch die zylindrische Rotation-Schwabbelscheibe eine äußere Poliernut hat, die in ihrer Außenwandfläche ausgebildet ist und einen Kreis senkrecht zu der Drehachse der zylindrischen Schwabbelscheibe beschreibt sowie ein Profil aufweist, das zu der abgeschrägten Waferkante komplementär ist, wobei das Verfahren weiterhin besteht aus den Stufen:
(i) einer Anordnung des Wafers außerhalb der zylindrischen Rotation-Schwabbelscheibe in einer solchen Art und Weise, daß das Wafer in der durch den Kreis der äußeren Poliernut definierten Ebene liegt;
(ii) einer Bewegung des Wafers gegen die Schwabbelscheibe in einer solchen Art und Weise, daß die Kante der Orientierungsabflachung des Wafers von der sich drehenden Schwabbelscheibe in einer solchen Art und Weise berührt wird, daß die Kante der Orientierungsabflachung durch die Linie orthogonal winkelhalbiert wird, welche die Mitten des Wafers und des durch die äußere Poliernut beschriebenen Kreises verbindet, um die Kante der Orientierungsabflachung in die äußere Poliernut mit einem passenden Druck einzudrücken; und
(iii) einem Verschieben der Kante der Orientierungsabflachung des Wafers vor und zurück in der sich bewegenden äußeren Poliernut.
In der Stufe (iii) wird bei einer bevorzugten Ausführungsform das Wafer mit einer relativ niedrigen Rate über den Winkel in Umfangsrichtung verschwenkt, der zwischen den Radien eingeschlossen ist, welche die Mitte des Wafers mit den Endpunkten der Kante der Orientierungsabflachung verbindet. Bei einer weiteren Ausführungsform wird das Wafer wiederholt in einer solchen Art und Weise hin- und herbewegt, daß die gesamte Kante der Orientierungsabflachung an der sich bewegenden äußeren Poliernut in einer Richtung generell tangential zu dem Kreis der äußeren Poliernut an dem Berührungspunkt verschoben wird.
Der von der äußeren Poliernut beschriebene Kreis liegt vorzugsweise im wesentlichen in derselben Ebene wie der von der inneren Poliernut beschriebene Kreis.
Ein weiterer Aspekt der Erfindung liegt in der neuen Vorrichtung für ein Polieren der Umfangsflächen eines Halbleiterwafers, bei welchem die zylindrische, napfähnliche Rotation-Schwabbelscheibe wie vorstehend beschrieben verwendet wird.

Wirkungen der Erfindung

Da eine zylindrische, napfähnliche Rotation-Schwabbelscheibe mit einer an ihrer Innenwandfläche ausgebildeten inneren Poliernut verwendet wird und die Waferkante in dieser Poliernut poliert wird, ist daher gemäß der Erfindung die Berührung des Wafers mit der Schwabbelscheibe eine solche des konvex-auf-konkav-Typs, sodaß die polierende Berührungsfläche der Waferkante zu jedem Zeitpunkt größer ist als die Berührungsfläche bei dem herkömmlichen Verfahren; als ein Ergebnis wird die Polierrate der Schwabbelscheibe verbessert und wird daher auch die Waferproduktivität verbessert.
Diese und weitere Ziele und Wirkungen der Erfindung werden aus der detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen mehr ersichtlich.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig. 1 ist eine Draufsicht auf eine Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zum Polieren von Waferabschrägungen;
Fig. 2 ist eine Seitenansicht einer Wafertransporteinrichtung der Poliervorrichtung für eine Waferabschrägung gemäß der Erfindung;
Fig. 3 ist eine Vorderansicht der Poliervorrichtung für eine Waferabschrägung gemäß der Erfindung;
Fig. 4 ist ein vertikaler Querschnitt einer Schwabbelscheibe-Antriebseinrichtung der Poliervorrichtung gemäß der Erfindung;
Fig. 5 ist eine Draufsicht zur Darstellung der Polierung der Orientierungsabflachung eines Wafers;
Fig. 6 zeigt bei (a) eine Perspektivteilansicht eines Wafers zur Darstellung der Formgebung einer Kontaktfläche der umfangsseitigen Waferabschrägungen, bei (b) die Entwicklung einer Berührungsfläche der umfangsseitigen Waferabschrägungen in dem Fall des erfindungsgemäßen Polierens des Berührungstyps an einer Innenfläche (konvex-auf-konkav-Berührung) und bei (c) die Entwicklung einer Berührungsfläche der umfangsseitigen Waferabschrägungen in dem Fall des herkömmlichen zylindrischen Polierens des Berührungstyps an einer Außenfläche (konvex-auf-konvex- Berührung);
Fig. 7 ist eine Perspektivansicht zur Darstellung der Durchführung des herkömmlichen zylindrischen Polierens des Berührungstyps an einer Außenfläche;
Fig. 8 zeigt bei (a) eine Perspektivansicht zur Darstellung der Durchführung des erfindungsgemäßen Polierens des Berührungstyps an einer Innenfläche und bei (b) eine Zeichnung, welche die Länge der Berührungsfläche zwischen dem Wafer und der Innenfläche des Poliergerätes zeigt, gemessen in der Richtung des Bürstens;
Fig. 9 zeigt bei (a) eine Perspektivansicht zur Darstellung der Durchführung des herkömmlichen zylindrischen Polierens des Berührungstyps an einer Außenfläche und bei (b) eine Zeichnung zur Darstellung der Länge der Berührungsfläche zwischen dem Wafer und der Außenfläche des Poliergerätes, gemessen in der Richtung des Bürstens; und
Fig. 10 ist ein Schaubild, bei welchem die Verringung der Rauhheit der Waferabschrägungen über der Zeit abgetragen ist in den Fällen eines konvex-auf- konkav-Berührungspolierens (L1) und eines konvex- auf-konvex-Berührungspolierens (L2).

Ausführungsformen

Als nächstes wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Berücksichtigung ihres besten Ausführungsmodus unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf eine Vorrichtung zum Polieren eines Wafers gemäß der Erfindung; Fig. 2 ist eine Seitenansicht einer Wafertransporteinrichtung derselben Vorrichtung; und Fig. 3 ist eine Vorderansicht derselben Vorrichtung.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, besteht eine Poliervorrichtung 1 für Waferabschrägungen gemäß der vorliegenden Erfindung hauptsächlich aus einer Beladeanordnung A, einer Orientierungsanordnung B der OF Position, einer OF Polierstufe C, einer Polierstufe D für den kreisförmigen Umfang und einer Entladeanordnung E. Ein Förderer 2, der die Wafers von der Beladeanordnung A zu der Ausrichtanordnung der OF Position befördert, ist zwischen der Beladeanordnung A und der Ausrichtanordnung der OF Position angeordnet. Ein Schwenkarm R1 ist schwenkbar an einem passenden Ort installiert, um die Wafers von der Orientierungsanordnung B der OF Position zu der OF Polierstufe C zu tragen. Gleiche Schwenkarme R2 und R3 sind getrennt installiert, um die Wafers von der OF Polierstufe C zu der Polierstufe D für den kreisförmigen Umfang und von der Polierstufe D für den kreisförmigen Umfang zu der Entladeanordnung E zu tragen. Diese Schwenkarme R1, R2, R3 sind Transportroboter, die für ein Schwenken um betreffende Drehzapfen 3 angepaßt sind, und jeder ist mit einem Saugnapf 4 für ein Ansaugen und Fixieren eines Wafers an seinem vorderen (freien) Ende versehen.
Eine Waferkassette 5 ist in der Beladeanordnung A installiert und enthält eine Vielzahl Wafers W, die in horizontalen Schichten mit regelmäßigen Abständen gestapelt sind (wobei die Stapelrichtung gegen die Sichtrichtung in Fig. 1 besteht).
In der Orientierungsanordnung B der OF Position sind zwei Paar Berührungsrollen 6 vorgesehen für ein Berühren und einen Antrieb des kreisförmigen Umfangs eines Wafers W, um dadurch das Wafer W in Umfangsrichtung zu drehen. In der Anordnung B sind auch ein Paar Positionierungsstifte 7 vorgesehen für eine Orientierung des Wafers durch ein Berühren und halten der geradlinigen OF Kante W2.
In der OF Polierstufe C ist ein Saugkopf 12 angeordnet, der an dem vorderen Ende eines Armes 11 einer Waferandrückeinrichtung 10 vorgesehen ist. Der Saugkopf 12 ist für die Aufnahme eines Wafers W von dem Schwenkarm R1 durch ein Ansaugen an dem Wafer W angepaßt und zum Andrücken der OF Kante W2 gegen die Außenfläche einer hohlen zylindrischen Schwabbelscheibe 40. Der Saugkopf 12 ist mit einer Vakuumpumpe, nicht gezeigt, verbunden.
Die Waferandrückeinrichtung 10 hat einen Servomotor 13 und einen Kugelumlaufmechanismus 16, der durch den Servomotor 13 angetrieben wird; an dem vorderen Ende eines Stabes 15, der von dem Kugelumlaufmechanismus 14 verläuft, ist eine L-förmige Stütze 16 verbunden. An einem Endteil der Stütze 16 ist der Mittelteil des Armes 11 mittels eines Drehzapfens 17 schwenkbar verbunden, und ein Stab 18a, der von einem an dem anderen Ende der Stütze 16 befestigten Luftzylinder 18 verläuft, ist orthogonal mit dem Arm 11 an dem Endteil des Armes 11 verbunden, der nicht mit dem Saugkopf 12 versehen ist.
An einem Ort etwas entfernt von dem Drehzapfen 17 in Richtung des Stabes 18a ist ein Motor 19 installiert, und an dem unteren Ende der Ausgangswelle, die von dem Motor 19 vertikal nach unten verläuft, ist eine Riemenscheibe 20 verbunden, wie es in Fig. 2 gezeigt ist. Ein Antriebsriemen 22 ist um diese Riemenscheibe 20 einerseits und um eine Riemenscheibe 21 andererseits herumgeführt, wobei letztere an dem unteren Ende einer Drehwelle verbunden ist, die von dem Saugkopf 12 vertikal nach unten verläuft.
In der Polierstufe D für den kreisförmigen Umfang sind ein Saugkopf 32, vorgesehen an dem vorderen Ende eines Armes 31 einer Waferandrückeinrichtung 30, und die zylindrische Schwabbelscheibe 40 angeordnet. Der Saugkopf 32 ist für die Aufnahme des Wafers W von dem Schwenkarm R2 durch ein Ansaugen an dem Wafer W angepaßt und zum Andrücken des kreisförmigen Umfangs des Wafers W an die Innenfläche einer hohlen zylindrischen Schwabbelscheibe 40. Die Konstruktion der Waferandrückeinrichtung 30 ist ähnlich zu derjenigen der Waferandrückeinrichtung 10; die Bezugsziffer 33 bezeichnet einen Servomotor, 34 einen Kugelumlaufmechanismus, 35 einen Stab, 36 eine Stütze, 37 einen Drehzapfen, 38 einen Luftzylinder, 38a einen Stab, der von dem Luftzylinder 38 verläuft, und 39 einen Motor.
Die hohle zylindrische Schwabbelscheibe 40 ist ein Hohlzylinder mit geschlossener Oberseite und offenem Boden. Die Innenfläche des Schwabbelscheibe-Zylinders ist mit einer Poliernut 40a versehen, die um die gesamte Innenwand herum verläuft und einen Kreis senkrecht zu der Achse des Zylinders beschreibt. Das Profil der Nut 40a ist etwa komplementär zu dem Profil der abgeschrägten Waferkante W1 über den kreisförmigen Umfang, sodaß sie zusammenpassen, wenn sie in Berührung miteinander sind. Die Außenfläche des Schwabbelscheibezylinders ist mit einer Poliernut 40b versehen, die über die gesamte Außenwand verläuft, welche einen Kreis senkrecht zu der Achse des Zylinders beschreibt. (Bei dieser Ausführungsform sind die innere Poliernut 40a und die äußere Poliernut 40b in derselben Ebene ausgebildet). Das Profil der Nut 40b ist etwa komplementär zu dem Profil der abgeschrägten Waferkante W2 bei OF. Die Schwabbelscheibe 40 muß aus einem Material mit einem passenden Grad der Elastizität (Nachgiebigkeit) bestehen, einer Oberflächenrauhheit, die ausreicht, feine Teilchen der Polieraufschlämmung zurückzuhalten, und einer körperlichen sowie chemischen Festigkeit, die ausreicht, dem Korrosionsverhalten der Aufschlämmung zu widerstehen sowie dem Druck, mit welchem die Waferkante in die Nuten gedrückt wird; die Schwabbelscheibe ist daher vorzugsweise aus Polyurethan hergestellt, das herkömmlich als ein Kunstleder bezeichnet wird.
Mit der Mitte der oberen Scheibenplatte, mit welcher die zylindrische Schwabbelscheibe 40 abgedeckt ist, ist das untere Ende einer Drehwelle 51 verbunden, die von der Antriebseinrichtung 50 der Schwabbelscheibe vertikal nach unten verläuft, die oberhalb der Schwabbelscheibe 40 installiert ist. Die Konstruktion der Schwabbelscheibe-Antriebseinrichtung 50 wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 4 beschrieben.
Fig. 4 ist ein vertikaler Querschnitt der Schwabbelscheibe- Antriebseinrichtung 50. Die vertikale Drehwelle 51 ist verschieblich durch das Getriebegehäuse 52 hindurchgeführt, und an ihrem mittleren Abschnitt wird die Welle 51 von einem Gleitstück 54 über ein Lager 53 gehalten, sodaß die Welle 51 unabhängig von dem Gleitstück 54 dreht, jedoch zusammen mit dem Gleitstück 54 vertikal verschiebbar ist.
An der Oberseite des Getriebegehäuses 52 sind Motoren 55 und 56 montiert. Das Gleitstück 54 ist mit einem Gewindeeingriff von der Gewindeausgangswelle 55a durchdrungen, die von dem Motor 55 vertikal nach unten verläuft, sodaß bei einer Drehung der Ausgangswelle 55a das Gleitstück 54 vertikal verschoben wird. Ein horizontales Zahnrad 57 ist um das untere Ende der Ausgangswelle 56a verriegelt, die von dem Motor 56 vertikal nach unten verläuft, und es ist mit einem horizontalen Zahnrad 58 einer großen Breite im Zahneingriff, das um die Drehwelle 51 an einem Ort oberhalb des Lagers 53 verriegelt ist.
Als nächstes wird der Betrieb der Poliervorrichtung 1 für Waferabschrägungen beschrieben.
Zuerst wird der Förderer 2 für eine solche Bewegung angetrieben, daß eines der Wafers W, welches in der Kassette 5 der Beladeanordnung A aufgestapelt ist, entnommen und zu der Orientierungsanordnung B der OF Position geschickt wird.
Wie bereits beschrieben, werden in der Orientierungsanordnung B der OF Position die Berührungsrollen 6 gedreht, um eine Drehung des Wafers W in Umfangsrichtung zu bewirken, und das Wafer W wird solange gedreht, bis die Positionierungsstifte 7 die OF Kante W2 berühren und eine Drehung des Wafers W verhindern, wodurch das Wafer W orientiert ist. Das so orientierte Wafer W wird dann angesaugt und durch den Saugnapf 4 des Schwenkarmes R1 gehalten, und sobald der Schwenkarm R1 um den Drehzapfen 3 verschwenkt, wird dann das Wafer W an dem Saugnapf 4 von der Orientierungsanordnung B der OF Position zu der OF Polierstufe C transportiert, wo das Wafer W oberhalb des Saugkopfes 12 der Waferandrückeinrichtung 10 angeordnet wird, welcher auf das Wafer W in der OF Polierstufe C wartet. Sobald der Saugnapf 4 koaxial mit dem Saugkopf 12 ist, beendet der erstere sein Ansaugen und beginnt der letztere mit seinem Ansaugen, sodaß das Wafer W durch den letzteren geschnappt wird. Unterdessen treibt der Motor 50 die Welle 51 an, damit die zylindrische Schwabbelscheibe 40 zu einem Absenken an einen Ort gebracht wird, welcher für die Schwabbelscheibe 40 mit einer ausgezogenen Linie in Fig. 3 angenommen wird. Der Motor 56 treibt dann die Ausgangwelle 56a für eine Drehung an und das Drehmoment wird an die Welle 51 mittels der Zahnräder 57 und 58 übertragen, worauf die zylindrische Schwabbelscheibe 40 mit einer vorbestimmten Rate in der Richtung gedreht wird, die in Fig. 1 mit dem gekrümmten Pfeil gezeigt ist (welches die Uhrzeigerrichtung ist).
Als nächstes treibt der Luftzylinder 18 der Waferandrückeinrichtung 10 den Stab 18a für ein Zurückziehen an, worauf der Arm 11 etwas um den Drehzapfen 17 im Uhrzeigergegensinn dreht, wie gezeigt in Fig. 1. Er ist so angeordnet, daß das Wafer W in einer Ebene mit der äußeren Poliernut 40b liegt, sodaß wenn das Wafer W so zu der Seite der zylindrischen Schwabbelscheibe 40 gebracht ist, die Waferkante in die laufende Poliernut 40b eintritt. Es muß jetzt noch erwähnt werden, daß wenn das Wafer W in der Orientierungsanordnung B der OF Position orientiert wurde, es in solcher Art und Weise orientiert worden ist, daß die geradlinige OF Kante W2 sich orthogonal durch die Linie winkelhalbiert befindet, welche die Mitte des Wafers W und die Mitte des Kreises verbindet, der durch die Poliernut 40b beschrieben wird, wenn das Wafer W die Schwabbelscheibe 40 berührt. Wenn sich so der Arm 11 im Uhrzeigergegensinn dreht, wird dann der mittlere Abschnitt der OF Kante W2 des Wafers W von dem Saugkopf 12 des Armes 11 pneumatisch gehalten und wird in die sich bewegende Poliernut 40b der zylindrischen Schwabbelscheibe 40 mit einem vorbestimmten Druck gedrückt.
Der Motor 19 wird dann gestartet und er ist so angeordnet, daß die Drehrichtung des Motors 19 periodisch wechselt, sodaß das durch den Motor 19 erzeugte Drehmoment an den Saugkopf 12 über die Riemenscheibe 20, den Riemen 22 und die Riemenscheibe 21 übertragen wird und den Saugkopf 12 zusammen mit dem Wafer W zum Drehen abwechselnd in der einen und in der anderen Richtung über einen Winkel Θ bringt, wie es in Fig. 5 gezeigt ist. Dieser Winkel Θ ist ein Winkel, der zwischen den Radien eingeschlossen ist, welche die Mitte des Wafers W mit den Endpunkten der geradlinigen OF Kante W2 verbinden. Als ein Ergebnis gleitet die gesamte Länge der OF Kante W2 in der sich bewegenden Poliernut 40b vor und zurück, die in der Außenfläche der zylindrischen Schwabbelscheibe 40 ausgebildet ist. Die an der OF Kante W2 vorhandenen Abschrägungen werden so alle gleichmäßig poliert, bis sie glänzen.
Obwohl es in keiner der Zeichnungen gezeichnet ist, wird während dieses Polierbetriebs die Polieraufschlämmung an die Abschrägungen der OF Kante W2 angeliefert, um die Schwabbel- bzw. Schleifwirkung zu begünstigen. Der Servomotor 13, der Kugelumlaufmechanismus 14 und der Stab 15 sind augenscheinlich dafür vorgesehen, die Einstellung der Position des Saugkopfes 12 in der OF Polierstufe C zu ermöglichen, um so verschiedene Größen der Wafers W handhaben zu können: wenn ein Wafer W einen größeren Durchmesser als ein früheres Wafer hat, wird bspw. der Stab 15 etwas nach innen gezogen, um den Saugkopf 12 zurückzubringen.
Obwohl bei der vorliegenden Ausführungsform der Saugkopf 12 in beiden Richtungen über den Winkel Θ durch den Motor 19 gedreht wird, um ein gleichmäßiges Polieren der OF Kante W2 zu bewirken, ist es auch moglich, eine solche Anordnung zu wählen, daß der Schwenkarm 11 in seiner Längsrichtung vor und zurück versetzt wird, sodaß die OF Kante W2 tangential an der Berührungsfläche der Schwabbelscheibe 40 hin- und hergeht, und dieses Versetzen kann mittels eines Luftzylinders od.dgl. bewirkt werden.
Wenn das Polieren der Abschrägungen der OF Kante W2 beendet ist, wird der Motor 19 angehalten und wird dann wieder der Luftzylinder 18 angetrieben, um den Stab 18a nach außen zu stoßen, worauf der Arm 11 um den Drehzapfen 17 in Uhrzeigerrichtung gedreht wird, wie es durch den in Fig. 1 gestrichelt gezeichneten Pfeil angedeutet ist; das Wafer W beendet so seine Drehung und wird von der Schwabbelscheibe 40 losgelöst.
Als nächstes wird der Motor 55 der Schwabbelscheibe-Antriebseinrichtung 50, wie gezeigt in Fig. 4, gestartet, sodaß seine Ausgangswelle 55a für eine Drehung in einer solchen Richtung angetrieben wird, daß das Gleitstück 54, das entlang des Gewindeabschnitts der Ausgangswelle 55a verschieblich ist, für ein vertikales Hochgehen entlang der Ausgangswelle 50a veranlaßt wird; als ein Ergebnis gehen die Drehwelle 51 und die zylindrische Schwabbelscheibe 40, die mit dem Gleitstück 54 integriert sind, nach oben, und dieses Hochgehen wird fortgesetzt, bis die Schwabbelscheibe 40 ihre obere Position einnimmt, die in Fig. 3 mit der mit zwei Punkten gestrichelten Linie gezeichnet ist.
Wenn sich die zylindrische Schwabbelscheibe 40 nach oben zurückgezogen hat, dann wird der Schwenkarm R2 für ein Verschwenken im Uhrzeigersinn um den Drehzapfen 3 angetrieben, bis die Mitte eines Saugnapfes 4 mit der Mitte des Wafers W übereinstimmt, welches von dem Saugkopf 12 des Armes 11 pneumatisch gehalten wird, und der Saugkopf 12 beendet dann sein Ansaugen an dem Wafer W, während der Saugnapf 4 mit dem Einziehen von Luft startet, wodurch das Wafer W von dem Saugkopf 12 weggeschnappt wird. Der Schwenkarm R2 wird dann für ein weiteres Verschwenken im Uhrzeigersinn angetrieben, bis die Mitte seines Saugnapfes 4 übereinstimmt mit der Mitte des Saugkopfes 32 der Waferandrückeinrichtung 30, und wenn dieses Zusammentreffen vorliegt, dann beendet der Saugnapf 4 sein Ansaugen und beginnt der Saugkopf 32 mit einem Ansaugen, wodurch das Wafer W durch den letzteren geschnappt wird. Sobald das Wafer W auf diese Weise an den Saugkopf 32 verloren gegangen ist, kehrt der Schwenkarm R2 in die Position zurück, die er in Fig. 1 einnimmt.
Danach wird der Motor 55 der Schwabbelscheibe-Antriebseinrichtung 50 wieder gestartet, und zu diesem Zeitpunkt wird seine Ausgangswelle 55a in einer Richtung gedreht, die entgegengesetzt zu der Drehrichtung bei der vorhergehenden Gelegenheit ist, sodaß jetzt das Gleitstück 54 zum Niedergehen entlang der Ausgangswelle 55a veranlaßt wird; als ein Ergebnis wird auch die Schwabbelscheibe 40 zum Niedergehen gebracht und dieser Niedergang wird fortgesetzt, bis die Schwabbelscheibe 40 die untere Position einnimmt, welche in Fig. 3 gezeigt ist. Unterdessen wird die Drehung der Schwabbelscheibe 40 im Uhrzeigersinn gemäß der Ansicht in Fig. 1 beibehalten. Wiederum ist eine solche Anordnung getroffen, daß das Wafer W durch den Saugkopf 32 pneumatisch in einer Ebene mit der inneren Poliernut 40a gehalten wird, sodaß wenn das Wafer W an die Innenwand der zylindrischen Schwabbelscheibe 40 herangebracht wird, die Waferkante dann in die sich bewegende Poliernut 40a eintritt.
Das Wafer W befindet sich jetzt innerhalb des Hohlraumes der zylindrischen Schwabbelscheibe 40, und wenn der Motor 39, wie gezeigt in Fig. 1, gestartet wird, dann wird sein Drehmoment an den Saugkopf 32 in gleicher Art und Weise wie in dem Fall des Motors 19 und des Saugkopfes 12 übertragen; das Wafer W, das an dem Saugkopf 32 gehalten ist, wird so im Uhrzeigersinn mit einer vorbestimmten Rate gedreht, die viel niedriger ist als die Rate, mit welcher die Schwabbelscheibe 40 gedreht wird. Der Luftzylinder 38 der Waferantriebseinrichtung 30 treibt dann den Stab 38a für ein Zurückziehen an, worauf der Arm 31 etwas um den Drehzapfen 37 im Uhrzeigersinn dreht, wie gezeigt in Fig. 1. Weil das Wafer W in einer Ebene mit der Poliernut 40a der zylindrischen Schwabbelscheibe 40 gehalten wird, wenn sich der Arm 31 im Uhrzeigersinn dreht und der Saugkopf 32 so gegen die Innenwand der zylindrischen Schwabbelscheibe 40 gebracht wird, wird dann der kreisförmige Umfang W1 des sich drehenden Wafers W in die sich bewegende Poliernut 40a mit einem vorbestimmten Druck eingedrückt. Obwohl die Poliernut 40a im Uhrzeigersinn dreht und auch die Waferkante im Uhrzeigersinn dreht, läuft die Poliernut 40a schneller als die Waferkante, sodaß ein Drehzahlunterschied zwischen den beiden Körpern auftritt und damit ein Polieren der Abschrägungen an dem kreisförmigen Umfang W1 des Wafers W stattfindet. Dieses Polieren wird fortgesetzt, bis die Abschrägungen an dem kreisförmigen Umfang W1 blank bzw. glänzend werden. Obwohl es nicht gezeigt ist, wird während dieses Polierbetriebs die Polieraufschlämmung an die Abschrägungen des Wafers W angeliefert.
Die Fläche des kreisförmigen Umfangs W1 des Wafers W, die von der inneren Poliernut 40a der zylindrischen Schwabbelscheibe 40 zu jedem Zeitpunkt berührt wird, ist perspektivisch und schraffiert in Fig. 6(a) gezeigt sowie mit der Bezugsziffer ΔS1 bezeichnet; wenn die Kontaktfläche ΔS1 entwickelt wird, dann wird eine in Fig. 6(b) gezeigte Figur erhalten, wobei deren Fläche viel größer ist als diejenige der Figur ΔS2 in Fig. 6(c), welche eine Entwicklung einer Kontaktfläche in dem Fall eines herkömmlichen konvex-auf- konvex-Berührungspolierens ist (ΔS1 > ΔS2). Der zeitliche Wirkungsgrad des Polierens ist daher in dem Fall der vorliegenden Ausführungsform der Erfindung größer, wo die Poliernut 40a in der Innenfläche der hohlen zylindrischen Schwabbelscheibe 40 ausgebildet ist und zum Bewirken einer konvex-auf-konkav-Berührung angewandt wird, um eine breitere Polierberührung als in dem Fall eines herkömmlichen konvex- auf-konvex-Berührungspolierens zu erreichen, wo die Berührungsfläche relativ klein ist (siehe Fig. 10). Bei dieser Ausführungsform der Erfindung wird daher das Polieren einer Abschrägung gefördert und wird die benötigte Polierzeit t jetzt gekürzt, sodaß eine scharfe Erhöhung der Waferproduktivität erhalten wird.
Wenn das Polieren des kreisförmigen Umfangs W1 des Wafers W beendet ist, dann wird die zylindrische Schwabbelscheibe 40 wieder angehoben in die Position, die in Fig. 3 mit der mit zwei Punkten gestrichelten Linie dargestellt ist, und zwar in einer Art und Weise ähnlich wie bei der früheren Gelegenheit. Der Schwenkarm R3 wird dann für ein Verschwenken im Uhrzeigergegensinn um den Drehzapfen 3 angetrieben, bis die Mitte seines Saugnapfes 4 mit der Mitte des Wafers W übereinstimmt, das von dem Saugkopf 32 des Armes 31 pneumatisch gehalten wird, und der Saugkopf 32 beendet dann sein Ansaugen an dem Wafer W, während der Saugnapf 4 mit dem Einziehen von Luft beginnt, sodaß dadurch das Wafer W von dem Saugkopf 32 weggeschnappt wird. Der Schwenkarm R3 wird dann für ein Zurückverschwenken angetrieben, bis das Wafer W über die Entladeanordnung E gebracht ist, und das Wafer W wird dort belassen. Es wird so eine Reihenfolge des Polierbetriebes in Bezug auf ein betrachtetes Wafer W beendet.
Wie oben beschrieben wurde, werden gemäß dieser Ausführungsform der Erfindung die Abschrägungen der OF Kante W und des kreisförmigen Umfangs W1 des Wafers W in verschiedenen Stufen automatisch aufeinanderfolgend poliert. Um die Waferproduktivität zu verbessern ist tatsächlich eine solche Anordnung getroffen, daß die OF Kante W2 des nächsten Wafers durch die Poliernut 40b in der Stufe C gleichzeitig poliert wird wie der kreisförmige Umfang W1 des gegenwärtigen Wafers W durch die Poliernut 40a innerhalb der Schwabbelscheibe 40 in der Stufe D poliert wird, sodaß also die Schwabbelscheibe 40 gleichzeitig zwei Wafers bedient, genauso wie es in Fig. 1 vorgeschlagen ist. Wenn das Polieren der betreffenden Abschnitte dieser Wafers beendet ist und die Schwabbelscheibe 40 angehoben ist, wird dann das nächste Wafer in die Stufe D transportiert zu gleicher Zeit wie das gegenwärtige Wafer W zu der Entladeanordnung E transportiert wird, und es wird dann ein drittes Wafer zu der Stufe C von der Anordnung B gebracht; der zeitliche Wirkungsgrad des Polierbetriebs wird so maximiert.

Ergebnisse der Erfindung

Wie aus der vorstehenden Beschreibung der Erfindung klar wird, wird die polierte Berührungsfläche der Waferkante an jedem beliebigen Punkt größer als die Berührungsfläche bei dem herkömmlichen Verfahren, weil das Polieren des kreisförmigen Umfangs jedes Wafers mit einer konvex-auf-konkav- Berührungsart mittels einer Poliernut bewirkt wird, die innerhalb der hohlen zylindrischen Schwabbelscheibe ausgebildet ist, sodaß dadurch die Polierrate der Schwabbelscheibe verbessert wird. Weil weiterhin gemäß der Ausführungsform der Erfindung die hohle zylindrische Schwabbelscheibe eine äußere Poliernut hat, die in der Außenwand der Schwabbelscheibe zusätzlich zu der inneren Poliernut ausgebildet ist, welche in der Innenwand gebildet ist, ist es daher auch möglich, zwei Wafers gleichzeitig zu polieren, und zwar eine bezüglich der OF Kante und die andere bezüglich des kreisförmigen Umfangs; als ein Ergebnis wird der zeitliche Wirkungsgrad des Polierens einer Waferabschrägung erhöht und wird die Waferproduktivität verbessert.

Claims

1. Verfahren zum Polieren der Umfangsabschrägungen eines Halbleiterwafers (W), bestehend aus den Stufen:

(a) einer Drehung um ihre Drehachse mit einer relativ hohen Rate einer zylindrischen, napfähnlichen Rotationsschwabbelscheibe (40), an deren Innenwandfläche eine innere Poliernut (40a) ausgebildet ist, wobei die Nut einen Kreis senkrecht zu der Drehachse der zylindrischen Schwabbelscheibe (40) beschreibt und ein Profil komplementär zu dem Profil der abgeschrägten Waferkante (W1) aufweist;

(b) einer Anordnung des Wafers (W) innerhalb der sich drehenden zylindrischen Schwabbelscheibe (40) in einer solchen Art und Weise, daß das Wafer (W) in der durch den Kreis der inneren Poliernut definierten Ebene liegt;

(c) einem Drehen des Wafers (W) in Umfangsrichtung bei einer relativ niedrigen Rate; und

(d) einer radialen Bewegung des Wafers (W) für ein Eindrücken der Waferkante (W1) in die sich bewegende innere Poliernut (40a) mit einem geeigneten Druck.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem das Wafer (W) von der Art ist, die eine geradlinige flache Orientierungskante (W2) aufweist, und die zylindrische Rotationsschwabbelscheibe (40) eine äußere Poliernut (40b) aufweist, die in ihrer Außenwandfläche ausgebildet ist und einen Kreis senkrecht zu der Drehachse der zylindrischen Schwabbelscheibe (40) beschreibt sowie ein Profil hat, das zu der abgeschrägten Waferkante (W2) komplementär ist;

wobei das Verfahren weiterhin besteht aus den Stufen:

(i) einer Anordnung des Wafers (W) außerhalb der zylindrischen Rotationsschwabbelscheibe (40) in einer solchen Art und Weise, daß das Wafer (W) in der durch den Kreis der äußeren Poliernut (40b) definierten Ebene liegt;

(ii) einem Bewegen des Wafers (W) gegen die Schwabbelscheibe (40) in einer solchen Art und Weise, daß die flache Orientierungskante (W2) des Wafers (W) durch die Schwabbelscheibe (40) derart berührt wird, daß die Orientierungsabflachung durch die Linie orthogonal winkelhalbiert wird, welche die Mitten des Wafers (W) und des durch die äußere Poliernut (40b) beschriebenen Kreises verbindet, um die flache Orientierungskante (W2) in die äußere Poliernut (40b) mit einem passenden Druck einzudrücken; und

(iii) einem Verschieben der flachen Orientierungskante (W2) vor und zurück in der sich bewegenden äußeren Poliernut (40b).

3. Verfahren nach Anspruch 2, bei welchem in der Stufe (iii), das Wafer (W) mit einer relativ niedrigen Rate über den Winkel in Umfangsrichtung verschwenkt wird, der zwischen den die Mitte des Wafers (W) mit den Endpunkten der flachen Orientierungskante (W2) verbindenden Radien eingeschlossen ist.

4. Verfahren nach Anspruch 2, bei welchem in der Stufe (iii) das Wafer (W) wiederholt in einer solchen Art und Weise hin und her bewegt wird, daß die gesamte flache Orientierungskante (W2) in der sich bewegenden äußeren Poliernut (40b) in einer Richtung generell tangential zu dem Kreis der äußeren Poliernut (40b) an dem Berührungspunkt verschoben wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, weiterhin bestehend aus den Stufen:

(1) dem Aufnehmen eines Wafers (W) von einer Vielzahl von Wafers, die in einer Beladeanordnung (A) eingesetzt sind, und einer Orientierung des Wafers in Bezug auf seine flache Orientierungskante (W2);

(2) einer Anordnung des Wafers (W) außerhalb der zylindrischen Schwabbelscheibe (40) und einem Polieren der Abschrägungen der flachen Orientierungskante (W2) an der äußeren Poliernut (40b) der zylindrischen Schwabbelscheibe (40);

(3) einer Anordnung des Wafers im Innenraum der zylindrischen Schwabbelscheibe (40) und einem Polieren der Abschrägungen der kreisförmigen Umfangskante (W1) des Wafers (W) an der inneren Poliernut (40a) der zylindrischen Schwabbelscheibe (40); und

(4) einem Transport des Wafers (W) nach dem Polieren zu einer Entladeanordnung (E).

6. Schwabbelscheibe (40) zum Polieren der Umfangsabschrägungen eines Halbleiterwafers (W), bestehend aus einem zylindrischen napfförmigen Rotationskörper aus einem elastisch-nachgiebigen Material mit einer inneren Poliernut (40a), die in dessen innerer Wandfläche ausgebildet ist, wobei die innere Poliernut (40a) einen Kreis senkrecht zu der Drehachse des zylindrischen Körpers beschreibt und ein Profil aufweist, das komplementär zu dem Profil der abgeschrägten Waferkante (W1) ist.

7. Schwabbelscheibe (40) nach Anspruch 6, die weiter eine äußere Poliernut (40b) aufweist, welche in der äußeren Wandfläche des zylindrischen napfähnlichen Rotationskörpers ausgebildet ist, wobei die äußere Poliernut einen Kreis senkrecht zu der Drehachse des zylindrischen Körpers beschreibt und ein Profil aufweist, das komplementär zu dem Profil der abgeschrägten Waferkante (W2) ist.

8. Schwabbelscheibe nach Anspruch 7, bei welcher der durch die äußere Poliernut (40b) beschriebene Kreis im wesentlichen in derselben Ebene liegt, wie der durch die innere Poliernut (40a) beschriebene Kreis.

9. Vorrichtung zum Polieren der Umfangsabschrägungen eines Halbleiterwafers, bestehend aus:

einer Schwabbelscheibe (40), wie beansprucht in einem der Ansprüche 6 bis 8;

einer Antriebseinrichtung (50) zum Drehen der Schwabbelscheibe (40) um ihre Drehachse; und

einer Waferhalteeinrichtung (32) zum Halten des Wafers (W) und zu seiner Drehung in Umfangsrichtung sowie zum Eindrücken der Waferkante (W1) in die innere Poliernut (40a).

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, bei welcher die Schwabbelscheibe (40) eine Schwabbelscheibe wie beansprucht in Anspruch 7 oder Anspruch 8 ist und weiterhin besteht aus:

einer zweiten Waferhalteeinrichtung (12) zum Halten des Wafers (W) und zum Eindrücken der flachen Orientierungskante (W2) in die äußere Poliernut (40b) sowie zum Verschieben der flachen Orientierungskante (W2) vor und zurück in der äußeren Poliernut (40b).

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei welcher die zweite Waferhalteeinrichtung (12) für ein Verschwenken des Wafers (W) in Umfangsrichtung mit einer relativ niedrigen Rate über den Winkel angepasst ist, der zwischen den die Mitte des Wafers (W) mit den Endpunkten der flachen Orientierungskante (W2) verbindenden Radien eingeschlossen ist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 10, bei welcher die zweite Waferhalteeinrichtung (12) für eine wiederholte Hin- und Herbewegung des Wafers (W) von solcher Art und Weise angepaßt ist, daß die gesamte flache Orientierungskante (W2) an der sich bewegenden äußeren Poliernut (40b) in einer Richtung generell tangential zu dem Kreis der äußeren Poliernut (40b) an dem Berührungspunkt verschoben wird.

13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, welche weiterhin bestehen aus:

einer Beladeanordnung (A) für die Aufnahme einer Vielzahl von Wafers;

einer Orientierungseinrichtung (B) für eine Orientierung des Wafers (W) in Bezug auf seine flache Orientierungskante (W2);

einer Waferfördereinrichtung (2) für die Aufnahme jeweils eines Wafers (W) von den Wafers, die in der Beladeanordnung (A) aufgenommen sind, und für eine Beförderung des Wafers (W) zu der Orientierungseinrichtung (B);

einer Entladeanordnung (E) für eine Aufnahme der Wafers nach dem Polieren der Abschrägung;

einer Vielzahl von Transporteinrichtungen (R1, R2, R3) für den Transport jeweils eines Wafers (W) von der Orientierungseinrichtung (B) zu der zweiten Waferhalteeinrichtung (12), von der zweiten Waferhalteeinrichtung (12) zu der ersten Waferhalteeinrichtung (32) und von der ersten Waferhalteeinrichtung (32) zu der Entladeanordnung.