DE69215491T2 - Methode zur Auswertung der räumlichen Verteilung niedriger Konzentration in einem Halbleiterkristal - Google Patents

Methode zur Auswertung der räumlichen Verteilung niedriger Konzentration in einem Halbleiterkristal

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07226564A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置およびその評価方法
DE19511869B4 (de) * 1995-03-31 2004-02-26 Geiler, Hans-Dieter, Dr. Verfahren und Anordnung zur Responseanalyse von Halbleitermaterialien mit optischer Anregung
GB9618897D0 (en) * 1996-09-10 1996-10-23 Bio Rad Micromeasurements Ltd Micro defects in silicon wafers
US6677606B1 (en) * 2000-06-28 2004-01-13 University Of Chicago Dopa and dopamine modification of metal oxide semiconductors, method for attaching biological molecules to semiconductors
US6534774B2 (en) * 2000-09-08 2003-03-18 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for evaluating the quality of a semiconductor substrate
US7239737B2 (en) * 2002-09-26 2007-07-03 Lam Research Corporation User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance
JP4247007B2 (ja) * 2003-01-31 2009-04-02 富士通株式会社 半導体ウエハの評価方法および半導体装置の製造方法
KR101365336B1 (ko) 2005-10-11 2014-02-19 비티 이미징 피티와이 리미티드 간접 밴드갭 반도체 구조 검사 방법 및 시스템
WO2008014537A1 (en) 2006-08-01 2008-02-07 Newsouth Innovations Pty Limited Determining diffusion length of minority carriers using luminescence
DE102007056944B4 (de) 2007-11-25 2011-02-24 Thomas Wolff Lumineszenz-Messgerät zur ortsaufgelösten Messung von Halbleiterproben
DE102008044881A1 (de) * 2008-08-29 2010-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Messverfahren für eine Halbleiterstruktur
TW201125150A (en) * 2009-08-14 2011-07-16 Bt Imaging Pty Ltd Photoluminescence imaging systems for silicon photovoltaic cell manufacturing
DE102010011066B4 (de) * 2010-03-11 2020-10-22 Pi4_Robotics Gmbh Photovoltaikmodul-, oder Photovoltaikzellen- oder Halbleiterbauelement-Identifikationsverfahren und Photovoltaikmodul- oder, Photovoltaikzellen- oder Halbleiterbauelement-Identifikationsvorrichtung
DE102010019132A1 (de) * 2010-04-30 2011-11-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Bestimmung von Materialparametern eines dotierten Halbleitersubstrates durch Messung von Photolumineszenzstrahlung
CN103080731B (zh) 2010-07-30 2016-08-17 第一太阳能有限公司 光致发光测量工具和相关方法
FR2998967A1 (fr) * 2012-12-03 2014-06-06 Univ Lorraine Appareil et methode de spectroscopie
JP7026371B2 (ja) * 2017-01-27 2022-02-28 学校法人明治大学 炭素濃度測定方法及び炭素濃度測定装置
CN111337458A (zh) * 2020-03-30 2020-06-26 创能动力科技有限公司 用于半导体层的缺陷检测方法及系统
JP7568210B2 (ja) * 2020-05-22 2024-10-16 国立大学法人山梨大学 分析システム及び分析方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3748579A (en) * 1971-11-12 1973-07-24 Bell Telephone Labor Inc Method for determining concentration profiles of deep levels on both sides of a p-n junction
JPS5860550A (ja) * 1981-10-07 1983-04-11 Agency Of Ind Science & Technol エピタキシヤル・シリコン結晶中の不純物濃度測定法
US4572668A (en) * 1982-08-26 1986-02-25 Midac Corporation Apparatus and method for photoluminescent analysis
US4442402A (en) * 1982-09-10 1984-04-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Photoluminescence method of testing double heterostructure wafers
USRE32821E (en) * 1983-11-28 1989-01-03 Apparatus and method for photoluminescence analysis
US4562356A (en) * 1983-11-28 1985-12-31 Midac Corporation Apparatus and method for photoluminescence analysis
US4710476A (en) * 1985-12-20 1987-12-01 Minnesota Mining And Manufacturing Company Surface-derivatized semiconductors with chemically sensitive luminescence
JPH02192751A (ja) * 1989-01-20 1990-07-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体中のキャリア密度測定方法
GB2231958A (en) * 1989-04-07 1990-11-28 Hamamatsu Photonics Kk Measuring fluorescence characteristics
JP2889307B2 (ja) * 1990-03-26 1999-05-10 株式会社東芝 ▲ｉｖ▼族半導体のキャリアライフタイム測定法

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EP0545523B1 (en) 1996-11-27
JPH0727945B2 (ja) 1995-03-29
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