DE69211771D1 - Verfahren zur Behandlung der gravierten Oberfläche eines Halbleiters oder Halbisolierers, durch ein solches Verfahren hergestellte integrierte Schaltkreise, sowie Apparat zur anodischen Oxidation zur Durchführung eines solchen Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur Behandlung der gravierten Oberfläche eines Halbleiters oder Halbisolierers, durch ein solches Verfahren hergestellte integrierte Schaltkreise, sowie Apparat zur anodischen Oxidation zur Durchführung eines solchen VerfahrensInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9105171A FR2675824B1 (fr) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Procede de traitement de la surface gravee d'un corps semi conducteur ou semi-isolant, circuits integres obtenus selon un tel procede et appareil d'oxydation anodique pour mettre en óoeuvre un tel procede. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69211771D1 true DE69211771D1 (de) | 1996-08-01 |
DE69211771T2 DE69211771T2 (de) | 1996-11-21 |
Family
ID=9412293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69211771T Expired - Fee Related DE69211771T2 (de) | 1991-04-26 | 1992-04-22 | Verfahren zur Behandlung der gravierten Oberfläche eines Halbleiters oder Halbisolierers, durch ein solches Verfahren hergestellte integrierte Schaltkreise, sowie Apparat zur anodischen Oxidation zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5296126A (de) |
EP (1) | EP0512880B1 (de) |
JP (1) | JPH05152271A (de) |
DE (1) | DE69211771T2 (de) |
FR (1) | FR2675824B1 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06131802A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-13 | Pioneer Electron Corp | 録音装置 |
US5441618A (en) * | 1992-11-10 | 1995-08-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Anodizing apparatus and an anodizing method |
US20040265171A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Pugia Michael J. | Method for uniform application of fluid into a reactive reagent area |
IT202100022757A1 (it) * | 2021-09-02 | 2023-03-02 | Metaly S R L | Metodo di decorazione superfici trattate con rivestimento pvd e superfici decorate ottenute |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL153947B (nl) * | 1967-02-25 | 1977-07-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze. |
DE1644012B2 (de) * | 1967-05-07 | 1976-08-12 | Verfahren zum eindiffundieren von dotierungsstoff aus der gasphase in eine lokal mit einer siliciumnitridschicht maskierte halbleiteroberflaeche | |
US3898141A (en) * | 1974-02-08 | 1975-08-05 | Bell Telephone Labor Inc | Electrolytic oxidation and etching of III-V compound semiconductors |
US4026741A (en) * | 1976-06-16 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Technique for preparation of stoichiometric III-V compound semiconductor surfaces |
GB1556778A (en) * | 1977-03-11 | 1979-11-28 | Post Office | Preparation of semiconductor surfaces |
US5178967A (en) * | 1989-02-03 | 1993-01-12 | Alcan International Limited | Bilayer oxide film and process for producing same |
US5174870A (en) * | 1991-08-09 | 1992-12-29 | Pct Technology, Inc. | Electrocleaning method |
-
1991
- 1991-04-26 FR FR9105171A patent/FR2675824B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-22 DE DE69211771T patent/DE69211771T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-22 EP EP92401146A patent/EP0512880B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-24 US US07/873,121 patent/US5296126A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-24 JP JP4131743A patent/JPH05152271A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0512880B1 (de) | 1996-06-26 |
EP0512880A1 (de) | 1992-11-11 |
US5296126A (en) | 1994-03-22 |
DE69211771T2 (de) | 1996-11-21 |
JPH05152271A (ja) | 1993-06-18 |
FR2675824A1 (fr) | 1992-10-30 |
FR2675824B1 (fr) | 1994-02-04 |
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