JPH05152271A - 半導体または半絶縁性ボデイのエツチング表面の処理方法、このような方法によつて得られる集積回路、及びこのような方法を実施するためのアノード酸化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体または半絶縁性ボディのエッチング表
面の処理方法、このような方法によって得られる集積回
路、及びこのような方法を実施するためのアノード酸化
装置 【構成】 本発明は、半導体または半絶縁性ボディのエ
ッチング表面の処理方法に関する。本発明はまた、かか
る方法によって得られた集積回路、及びかかる方法を実
施するためのアノード酸化装置に関する。本発明は、
（１μを下回る寸法の）超微細な細部構造を有する集積
回路の製造の分野で、特に電気光学デバイスを製造する
ために使用される。本発明の特徴は、表面の制御された
厚みをクリーニングして特にエピタキシャル成長を改良
するために、制御された電流及び電圧を用いてアノード
酸化を行なわせることである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エッチング表面の処理
方法に関する。本発明はまた、このような方法によって
得られた集積回路、及びこのような方法を実施するため
のアノード酸化装置に関する。本発明は、（１μを下回
る寸法の）超微細な細部構造を有する集積回路の製造の
分野で、特に電気光学デバイスを製造するために使用さ
れる。

【０００２】

【従来の技術】仕切枠または仕切壁によって分離された
溝から成る回路設計図を、絶縁性または導電性またはそ
の他の基板にエッチングするための手段は既に従来技術
によって提案されている。これらの回路設計図を描画す
るために、種々のタイプのエッチング、特に、化学エッ
チングまたはドライエッチングを使用し得る。エッチン
グされる厚みを精密に制御することが必要な極めて小さ
い水平寸法（ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ ｌａｔｅｒａｌｅ
ｓ）を有する素子の場合には、ドライエッチングを使用
するのが最近の傾向である。

【０００３】このようなエッチング処理を行なった後で
は表面状態が劣化する。従って、得られたデバイスに何
の準備も行なわずに堆積層を設けること、特にエピタキ
シによる堆積層を設けることは好ましくない。

【０００４】パターンエッチングの後でエピタキシャル
層を堆積させるため、またはエピタキシャル成長を行な
わせるために表面を準備する表面処理方法は何年も前か
ら使用されている。

【０００５】このためには特に、水素下アニーリングま
たは化学エッチングによって表面の修復または修正が行
なわれていた。化学エッチングの欠点は、例えばパター
ンの水平寸法が小さいときにはこの技術を表面の修復に
使用するのが難しいことである。実際、化学エッチング
では適正な寸法制御を維持することができない。従っ
て、小さい水平寸法または極めて小さい（サブミクロン
の）水平寸法を有するデバイスの場合には、処理中にパ
ターンの変化または消滅が生じ易いので、化学エッチン
グの使用をあきらめるしかない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の第１
の目的は、準備された表面に描画された基本プロフィル
を変化させない新規な表面処理方法を提供することであ
る。

【０００７】本発明は、表面酸化物層を形成するためで
なく、逆に表面の制御された薄い部分をクリーニングす
るためにアノード酸化を使用することを初めて提案する
ことによって従来技術の欠点を是正する。本発明のクリ
ーニング方法によれば、極めて小さい寸法のエッチング
構造の場合にも、例えばエピタキシャル成長前に表面を
準備し得る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】より詳細には本発明は、
半導体または半絶縁性ボディのエッチング表面を処理す
るために、前記ボディを電解浴に浸漬させ、処理すべき
ボディに第１電極を配置し、処理すべき表面から所定間
隔だけ離間した第２電極を浴内に配置し、制御された電
流及び電圧を、所定の持続時間及び／または所定の電流
及び電圧の値に到達するまで供給し、処理された表面の
局部的配向にかかわりなく、処理された表面の制御され
た厚みをクリーニングするために、形成された酸化物を
除去する段階を含むことを特徴とする半導体または半絶
縁性ボディの食刻表面の処理方法を提供する。

【０００９】従来技術において電気分解は、多数の用
途、特に例えば集積回路の背面のメタライジング層堆積
のため、または集積回路の最終層の導電性回路設計図の
堆積のために既に使用されていた。

【００１０】また、アノード酸化も、シリコンまたはII
I−Ｖ族（ＡｓＧａまたはＩｎＰ）もしくはII−VI族化
合物を用いたＭＯＳデバイスの製造方法で既に使用され
ていた。しかしながらこれまでのこの方法の使用目的
は、基板の表面に酸化物を形成させるため、またはエピ
タキシ前の基板の表面状態を特性付けるためであった。

【００１１】Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、
Ｖｏｌ．１３６、Ｎｏ.５、１９８９年５月に掲載され
たＸ.Ｇ.Ｚｈａｎｇ他の論文、「多孔質シリコンの形成
及びＨＦ溶液中のアノード分極によるシリコンの電気研
摩（Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｆｏｒｍａｔｉｏ
ｎ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｏｆ
Ｓｉｌｉｃｏｎ ｂｙ ａｎｏｄｉｃ ｐｏｌａｒｉ
ｚａｔｉｏｎ ｉｎＨＦ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）」は、フ
ッ化水素酸浴中の多孔質シリコンの厚みを減らすために
アノード酸化を使用することを記載している。特に、印
加される電圧の関数である電流の特性曲線（Ｉ／Ｖ）
が、フッ化水素酸の濃度の関数として試験されている。

【００１２】この引用文献は、白金格子の形態の対極と
飽和カロメル電極から成る参照電極とを含む電気化学槽
を記載している。電極は、槽の内部に垂直に配置されて
いる。従って、制御された厚みの多孔質シリコンが堆積
される。しかしながらこの方法は、本発明で提示された
問題、即ち、その上に所与のパターンを複製するために
表面を準備するという問題を解決することができない。
実際、多孔質シリコン層の所望の薄膜化はフッ化水素酸
の化学的作用によって行なわれ、電気研摩はこの作用を
強化するだけである。このため該方法は、フッ化水素酸
の化学作用によって顕著に消滅するような凸状細部を有
していない大表面にしか使用できない。

【００１３】Ｅｌｅｋｔｒｏｋｈｉｍｉａ、Ｖｏｌ．２
５、Ｎｏ．４、ｐｐ５２５〜５２８、１９８８年４月に
掲載のロシア語翻訳論文、「集積回路テクノロジイにお
けるエピタキシャルガリウムヒ素化合物の構造の電気化
学処理（Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｒｅａｔ
ｍｅｎｔ ｏｆ ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇａｌｌｉｕｍ
Ａｒｓｅｎｉｄｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｉｎ ｉ
ｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｉｒｃｕｉｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ」には、マスク越しのローカルエッチング法が記載
されている。しかしながらこの場合にも、微細な幾何学
的パターンの設計図を複製できる表面を準備するため
に、この文献に記載された情報をそのままで使用するこ
とはできない。

【００１４】本発明の別の目的は、最も微細な細部を消
滅させることなく、既にエッチングされた層を表面から
除去し得るアノード酸化装置を提供することである。

【００１５】本発明はまた、処理すべきボディを対極に
装着し、表面の局部的配向及びサンプル上の位置にかか
わりなく、表面の等しい厚みをクリーニングし得る等方
性等電位を生じさせ得るアノード酸化装置に関する。

【００１６】本発明はまた、超微細な（サブミクロン
の）水平寸法を有する設計図に従ってエッチングされ且
つ本発明方法で処理された第１層を含むタイプの集積回
路に関する。

【００１７】変形例においては、本発明の回路が更に、
それ自体公知の手段で前記第１層の上に堆積された少な
くとも１つの第２層を含む。好ましい実施態様によれ
ば、本発明方法で得られる製品は、例えばシリコンから
成る基材ウェーハを含み、該ウェーハに公知の方法で一
連の集積回路が形成されており、該集積回路の少なくと
も１つの層が本発明方法によって処理されている。

【００１８】

【実施例】本発明の別の特徴及び利点は、添付図面に示
す実施例に基づく以下の記載から更に十分に理解されよ
う。

【００１９】図１は、従来のエッチング段階後の層の断
面を実線（ａ）で示し、化学エッチング段階後の同じ層
を点線（ｂ）で示す。エッチングによって（ａ）では、
仕切壁１及び５のような極めて正確な形状を得ることが
可能である。しかしながらこの表面の準備処理のため
に、化学エッチング浴に配置することが必要な場合に
は、層の上に複製されたパターンの最も微細な細部構造
が消滅する。化学作用によって仕切壁１が波形２、６に
変形し、鋭角部３の対称的な消滅４が見られる。

【００２０】処理後に残留する高さの値は、幅の狭い仕
切壁よりも幅の広い仕切壁のほうが大きい。従って、エ
ッチングされた層に複製されるパターンの基本ユニット
が過度に小さくないときは、この処理でも十分な結果が
得られる。

【００２１】逆に、集積レベルが増すとき、または、光
学デバイスを集積する必要があるときには、例えば仕切
壁５から成るパターンの寸法の減少がどの場所でも極め
て著しいので、従来技術でエッチング処理した後には層
に複製された構造が消滅する。特に水平な平坦部１が消
滅する。

【００２２】図２に概略的に示す本発明のアノード酸化
装置においては、電極の構造によってすべての場所の電
界線が処理すべき表面に垂直になる。このため、処理す
べき表面即ちクリーニングすべき表面に等電位が等方性
に分布し、寸法の減少がクリーニング方向にかかわりな
くほぼ等しい。

【００２３】従って、従来技術で使用された手段の場合
のように、パターンの鋭角部が面取りされない。

【００２４】図２に示す本発明方法の実施装置は、Ｈ₃
Ｏ＋イオンをやや富化した電解質溶液、即ち、一般には
酸溶液から構成された電解質溶液が充填された槽１７を
含む。

【００２５】本発明の好ましい実施態様によれば、この
電解質溶液は、０.５％に希釈したオルトリン酸１容量
あたりエチレングリコール２容量を含む。浴の組成、特
に成分比、酸度もしくはｐＨ、または酸もしくは溶媒の
種類を変えることによって、形成される等高酸化物層の
厚みと印加される最大電圧との比を変更し得る。

【００２６】電解質のイオンが存在するので表面に酸化
物層が形成される。その後にこの酸化物層を前記のごと
くクリーニングし得る。いくつかの用途では、複合回路
を形成するために該酸化物層を局部的に使用する。

【００２７】量子線レーザ（ｌａｓｅｒ ａ ｆｉｌｓ
ｑｕａｎｔｉｑｕｅｓ）のような電気光学的集積回路
の場合には、電気分解後に酸化表面を十分に酸洗いする
必要がある。下地の非酸化材料を攻撃しない適当な試薬
によって酸化物を溶解することによって、処理された表
面、即ちクリーニング後に得られる表面の物理的品質を
改良し得る。このようにして、特に、エッチング処理後
のエピタキシャル成長、即ち第２のエピタキシ処理を行
なうことが可能である。実際、例えばエピタキシャル層
を付加するとき、エピタキシャル成長の際に物質間の自
由空間即ち間隙の形成ができるだけ抑制されるように、
向き合う表面の物理的適合性が改良されていなければな
らない。これらの空隙は、集積回路の性能低下の原因と
なり、極端な場合には集積回路の非動作の原因となる。
従って、本発明は電気光学的素子の製造に極めて有利に
使用される。

【００２８】図２の装置では、２つの電極１０、１６が
浴１７に浸漬されている。これらの電極は、制限電圧及
び調整電流を与える電気エネルギソース１１に接続され
ている。

【００２９】本発明の主要手段は、処理すべきボディ
（ウェーハまたは集積回路）１４がアノード１０に固定
手段１３を介して装着されているときに処理すべき表面
が等電位表面に沿って存在するように設計された形状の
アノードを含む。

【００３０】図２及び図３から明らかなように、電極１
０及び１６は調整自在な電流の発生器の端子に接続され
ている。発生器から送出される電流は、処理の第１段階
中（時刻ｔ１まで）は一定である。許容される最大電圧
は、後述するごとく時刻ｔ１に到達した値ＶＭに予め決
定されている。

【００３１】処理が開始されると、処理される表面全体
でアノード酸化が始まる。その理由は、処理される表面
が等電位に維持されるからである。電圧が実質的に直線
状に増加することが観察される。従ってアノード酸化層
の厚みは、表面の局部的配向にかかわりなく、均一に増
加する。本発明のこの有利な特徴によって、処理すべき
表面にエッチングされたかまたは結合されたパターン
は、それらの幾何学的寸法がどんなに小さい場合にも消
滅しない。

【００３２】本発明の実施態様においては、時刻ｔ２
に、処理停止条件を試験することによって処理を停止す
る。好ましい処理停止条件は、複合条件、例えば以下の
２つの条件、即ち、−電解浴に供給される電流が、アノ
ード酸化の第１段階中の電流の所定最大値ＩＭの１／１
０に相当する所定値Ｉｍに到達したこと、及び／また
は、−時刻ｔ１後の電流の均一な減少が、一定の値の供
給電流の維持時間ｔ１の２倍に少なくとも等しい時間持
続したこと、を確認することである。

【００３３】処理の第２段階中の電流の値の均一な減少
は処理停止の必須条件ではない。しかしながら、特に、
電流の値が減少後に再増加するとき、これは、処理欠陥
の指標となる漏れ電流の存在を示す。

【００３４】本発明によれば、電流の所定の最大値は、
処理すべきボディの寸法と許容される電流密度との関数
として決定され、許容される電流密度は、処理時間ｔ２
と電解質の種類とに従って決定される。

【００３５】他方、酸化される厚みは、電流発生器の調
整基準となる最大電圧の値及び電解質の種類に従って決
定される。

【００３６】本発明の好ましい実施態様においては、電
流発生器１１が制御回路１２に接続されている。この制
御回路１２は、電解浴に供給される電流ｉの測定回路１
２ａと、電極１０、１６の端子の瞬時電圧Ｖの測定回路
１２ｂとを含む。供給される電流ｉ及び電圧Ｖの測定値
は、−電圧を所定の値ＶＭに制限するため、及び、−電
流を所定の値に調整するために使用される。

【００３７】制御回路１２はまた、処理時間ｔ１、ｔ２
の測定回路１２ｃと上記の複合条件のような所定の停止
条件の測定手段１２ｄとを含む。処理時間の測定回路１
２ｃの好ましい実施態様は、電解開始のときに起動する
クロックを含む。回路１２ｂによって測定された電圧Ｖ
が、予め記録されている値ＶＭに到達したときに時刻ｔ
１が記録される。図示しない電圧比較器によって等しい
値を測定する。時刻ｔ２は、電流比較器によって決定さ
れる。電流比較器の第１入力が、回路１２ａの電流ｉの
測定出力に接続されており、第２入力が、前記にＩｍ＝
ＩＭ／１０と定義した所定の電流の値Ｉｍを示す基準値
に接続されている。

【００３８】停止条件の試験回路は、各時刻毎に、酸化
開始後に経過した時間の値を、方法の第１段階終了以後
の所定値ｔ２に比較する。この値ｔ２は、例えば２×ｔ
１に等しい値であり、第１段階終了以後に記録される。
１つの実施態様では、停止条件の試験を、前記方法の定
義に従って書き込まれたプログラムを含むマイクロプロ
セッサによって行なう。

【００３９】その後の段階では、ボディを電解浴から取
り出し、特殊試薬によって酸化物を除去する。下地の非
酸化材料を攻撃しない試薬が適当である。好ましい実施
例を挙げると、ＧａＡｓ基板に対しては５０％希塩酸の
ような酸を選択し、ＩｎＰ基板に対してはフッ化水素酸
のような酸を選択する。次いで、処理されたボディを、
脱イオン水のような洗浄溶液で洗浄する。

【００４０】次に、集積回路の完全製造工程の最終段
階、即ち本発明の処理方法を組み込んだ製造方法の最終
段階で、２つの材料間に間隙が形成されたり界面欠陥が
発生したりしないようにして、付加的な層を例えばエピ
タキシによって堆積させることが可能である。

【００４１】本発明の好ましい実施例においては、クリ
ーニング及び酸化処理すべきボディ１４を担持する電極
１０に対向する電極１６は、電解浴における白金のよう
に、電気分解の見地から不活性の材料から成る。

【００４２】好ましい実施例においては、使用される電
流密度は、最大電圧ＶＭが３０Ｖで時間ｔ１が２〜１０
分間のときには０.１〜０.５ｍＡ／ｃｍ²である。

【００４３】本発明のアノード酸化装置はまた、処理す
べきボディを導電性にするために該ボディ表面から活性
化エネルギを供給する手段１５を含む。処理中のボディ
の固有の抵抗率が形成中の酸化物層の抵抗率に比べて無
視できる値となるように、十分なキャリアを生じさせる
必要がある。好ましい実施態様では、この活性化エネル
ギが、処理中のボディに光ファイバビーム１８によって
伝送される６５０〜８００ｎｍの可視スペクトル放射光
源から生じる。

【００４４】１つの実施態様においては、この光源が制
御回路１２の回路１２ｅによって制御される。

【００４５】図４に示す好ましい実施態様では、処理中
の集積回路を担持するアノードが絶縁性プレート２５か
ら製造されている。１つの実施例では絶縁性プレート２
５がアルミナＡｌ₂Ｏ₃から成る。

【００４６】機械的サポートの機能も果たすこの絶縁層
の上に、電解槽に給電する電流発生器に図示しない接続
手段によって接続された導電性プレート２０が固定され
ている。１つの実施態様では導電性プレート２０がＡｕ
から成る。

【００４７】導電性接着剤のような導電性固定手段２
２、２４によって、処理すべきボディ２３を導電性プレ
ート２０の上に配置する。

【００４８】アノード酸化の作用を受けるゾーンを制限
するために、処理すべき表面を残してアノード集成アセ
ンブリを樹脂に埋め込む。

【００４９】他方の電極は、白金プレートから成り、ア
ノードに関して実質的に平行な活性表面を有している。

【００５０】１つの実施態様によれば、一度処理されウ
ェーハを電解浴から取り出し、溶液または脱イオン水で
濯ぐ。

【００５１】次に、処理結果を検査する。この検査で
は、酸化層の均質性及び厚みを示す呈色試験（ｔｅｓｔ
ｄ’ｉｒｉｓａｔｉｏｎ ｄｅ ｃｏｕｌｅｕｒｓ）
を行なう。肯定の検査結果が得られたときは、集積回路
の製造工程を続行する。

【００５２】本発明方法では、電流及び電圧を制御する
ことによって、酸化層の厚みを極めて高い精度で維持で
きるので、高度な自動化が可能である。所与の照明下の
ウェーハが呈する色を検査することによって、当業界で
公知の検光子に結合されたカメラによって全自動モード
で分析できる。かかる厚み検査装置は特に偏光分析を含
み得る。

【００５３】本発明方法は、集積回路のウェーハに使用
され得る。各ウェーハに多数の集積回路を形成し、製造
工程の終わりに集積回路をカッタで切断して分離する。

【００５４】本発明はまた、前記の方法または装置によ
って製造された集積回路に関する。かかる集積回路は、
少なくとも１つの水平なマイクロ構造を含み、該構造の
表面はクリーニング処理または単に酸化処理されてお
り、該表面は任意に、例えばエピタキシャル成長によっ
て形成された材料最終層によって被覆されている。

【００５５】第１の実施例においては、ＧａＡｓ基板
に、厚み約２０ｎｍの仕切壁によって分離された幅０.
６０μｍ及び深さ０.２５μｍの凹部から成る周期的構
造をエッチングによって形成した。図５ａ及び図５ｂは
夫々、アノード酸化を使用しないで形成されたＧａＡｓ
の超格子を有するサンプル（図５ａ）とアノード酸化及
び酸化層除去によって順次処理したＧａＡｓ上の超格子
を有するサンプル（図５ｂ）の顕微鏡観察図を示す。サ
ンプルは、錯体化合物３×（ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ）をＭ
ＯＣＶＤ法によるエピタキシによって製造される。基板
Ｃの上にこれらの化合物の層Ｐ１〜Ｐ４が形成されてい
る。

【００５６】アノード酸化を行なうために、最大電流密
度０.２ｍＡ／ｃｍ²及び最大電圧２０Ｖを用いた。Ｇａ
Ａｓ基板の場合、クリーニングされる厚みは、印加電圧
１Ｖあたり約０.７ｎｍである。図５ｂにおいて、矩形
信号の形態の二重線から成る太線の上方の各細線は、エ
ピタキシャル成長層によって完全に充填されたクリーニ
ング層の厚み部分を示す。

【００５７】エピタキシャル成長の前に、電解処理表面
に得られた酸化物（細線相当部分）を前記のごとく（太
線部分まで）除去する。

【００５８】アノード酸化を用いない場合には、エピタ
キシャル成長によって図５ａのような間隙Ｌが生じる。
本発明を用いた図５ｂの構造ではこのような間隙Ｌの発
生がほぼ完全に防止される。

【００５９】第２の実施例においては、ＩｎＰ半導体基
板に図５ａまたは図５ｂと同様の微細構造を作製した。
最大電圧１０Ｖで結果が得られた。

【００６０】実際には、集積回路は、半導体材料または
半絶縁性材料のウェーハから製造される。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術による処理以前及び以後のエッチング
表面の断面図である。

【図２】本発明の処理方法を実施する装置の基本ブロッ
ク図である。

【図３】図３の装置における電流及び電圧の変化を処理
時間の関数として示すグラフである。

【図４】図２の装置の細部の概略図である。

【図５ａ】アノード酸化を用いないでＧａＡｓ基板上に
形成された超格子を有するサンプルの顕微鏡観察図であ
る。

【図５ｂ】アノード酸化を用いてＧａＡｓ基板上に形成
された超格子を有するサンプルの顕微鏡観察図である。

【符号の説明】

１、５ 仕切壁 １０、１６ 電極 １１ 電流発生器 １２ 制御回路 １７ 槽 ２０ 導電性プレート ２３ 処理すべきボディ ２５ 絶縁性プレート

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体または半絶縁性ボディのエッチン
   グ表面を処理するために、 前記ボディを電解浴に浸漬させ、 処理すべきボディに第１電極を配置し、 処理すべき表面から所定間隔だけ離間した第２電極を浴
   内に配置し、 制御された電流及び電圧を、所定の持続時間及び／また
   は所定の電流及び電圧の値に到達するまで供給し、 処理された表面の局部的配向にかかわりなく、処理され
   た表面の制御された厚みをクリーニングするために、形
   成された酸化物を除去する段階を含むことを特徴とする
   半導体または半絶縁性ボディのエッチング表面の処理方
   法。
2. 【請求項２】 電解浴が、Ｈ₃Ｏ⁺イオンをやや富化した
   溶液であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 処理すべき表面が等電位表面に沿って存
   在するように、第１電極即ちアノードを配置することを
   特徴とする請求項２に記載の方法。
4. 【請求項４】 電解浴に供給される電流を所定の最大値
   に維持する第１段階と、電圧が制限値（ＶＭ）に到達し
   たとき（時刻ｔ１）以後に第１及び第２の電極の端子電
   圧を一定値に維持する第２段階とを含むことを特徴とす
   る請求項３に記載の方法。
5. 【請求項５】 ２つの条件の少なくとも１つ、即ち、 電解浴に供給される電流（ｉ）がアノード酸化の第１段
   階中の電流の所定の最大値（ＩＭ）の１／１０に相当す
   る所定値（Ｉｍ）に到達したこと、及び／または、 （時刻ｔ１以後の）電流（ｉ）の減少が、供給電流
   （ｉ）が一定値（ＩＭ）に維持された持続時間ｔ１に少
   なくとも等しい時間持続したこと、 が確認されたとき（時刻ｔ２）に、処理を停止すること
   を特徴とする請求項４に記載の方法。
6. 【請求項６】 電流の所定の最大値（ＩＭ）が、処理す
   べきボディの表面及び許容される電流密度の関数として
   決定され、該電流密度は、所望の処理持続時間（ｔ２）
   及び電解質の種類の関数として決定されることを特徴と
   する請求項４に記載の方法。
7. 【請求項７】 酸化層の厚みが、最大電圧（ＶＭ）及び
   電解質の種類の関数として決定されることを特徴とする
   請求項５に記載の方法。
8. 【請求項８】 更に、電気分解の少なくとも１つの段階
   中は、処理すべきボディを導電性にするために該ボディ
   の表面から活性化エネルギを供給することを特徴とする
   請求項１に記載の方法。
9. 【請求項９】 酸化物除去段階中に、非酸化の下地材料
   を攻撃しない適当な試薬、例えばＧａＡｓ基板に対して
   は５０％希塩酸、ＩｎＰ基板に対しては純粋フッ化水素
   酸によってボディを処理し、次いで、処理されたボディ
   を脱イオン水のような洗浄溶液で洗浄することを特徴と
   する請求項１に記載の方法。
10. 【請求項１０】 ０.５％に希釈したオルトリン酸１容
    量あたりエチレングリコール２容量を含む溶液から成る
    電解浴中に垂直に配置されたカソードとアノードとを有
    する電解槽を含み、前記アノードが、処理すべきボディ
    の背面と接続し且つ処理すべきボディの反対側の表面全
    体に電気接触するような導電性プレートを含み、前記ア
    ノードがまた、処理すべき表面を実質的に等電位に維持
    するようなボディ固定手段を備えることを特徴とする請
    求項１から９のいずれか一項に記載の方法を実施するた
    めのアノード酸化装置。
11. 【請求項１１】 アノードが、プレート状部分を有する
    ことを特徴とする平坦底部を有する処理すべきボディに
    特に適した請求項１０に記載の装置。
12. 【請求項１２】 電極の端子に接続された電流発生器を
    含み、該電流発生器は、所定の最大値（ＩＭ）に等しい
    電流と最大値（ＶＭ）よりも小さい値に制限された電圧
    とを発生し得ることを特徴とする請求項１０に記載の装
    置。
13. 【請求項１３】 電流発生器が制御回路に接続されてお
    り、前記制御回路は、供給された電流（ｉ）の測定回路
    と、電極端子の瞬時電圧（Ｖ）の測定回路と、処理時間
    （ｔ１、ｔ２）の測定回路と、所定の停止条件の測定手
    段とを含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
14. 【請求項１４】 処理すべきボディを担持するアノード
    が、アルミナのような絶縁材料プレートから製造されて
    おり、機械的サポートの機能も果たす該プレートに、金
    のような導電性材料から成るプレートが固定されてお
    り、後者のプレートが、制御された電流及び電圧の発生
    器に電極接続手段を介して接続されていること、固定手
    段が銀ラッカのような導電性接着剤層から成ること、ア
    ノード酸化の作用をうけるゾーンを限定するために、ア
    ノード集成アセンブリが、処理すべき表面を除いて絶縁
    性樹脂に埋め込まれていること、カソードが白金プレー
    トから成り、アノードに関して実質的に平行な活性表面
    を有していることを特徴とする請求項１３に記載の装
    置。
15. 【請求項１５】 制御回路が更に、処理すべき表面の活
    性化エネルギを与えるために、処理すべきボディに向け
    られた光ファイバビームのごとき照射手段を含んでお
    り、該ビームは例えば、７００〜８５０ｎｍの範囲の帯
    域に含まれる光線の形態であることを特徴とする請求項
    １３に記載の装置。
16. 【請求項１６】 当業界で公知の検光子に結合されたカ
    メラによって全自動モードの分析を行なうために、所与
    の照明下の処理ボディが呈示する色を検査する手段を含
    むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
17. 【請求項１７】 埋設回路または非埋設回路の少なくと
    も１つの表面が、パターンを消滅させることなくクリー
    ニングされ且つ追加の修復または修正を必要としない水
    平微細構造を有することを特徴とする請求項１から１６
    に記載の方法または装置によって作製された集積回路。
18. 【請求項１８】 半導体または半絶縁性材料のウェーハ
    から製造されることを特徴とする請求項１７に記載の集
    積回路。
19. 【請求項１９】 量子線素子のような電気光学デバイス
    用の複数の水平微細構造を含むことを特徴とする請求項
    １７または１８に記載の集積回路。