DE69205160D1 - Optoelektronische vorrichtung mit einer sehr niedrigen parasitischen kapazitat und verfahren zu ihrer herstellung. - Google Patents

Optoelektronische vorrichtung mit einer sehr niedrigen parasitischen kapazitat und verfahren zu ihrer herstellung.

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2288274A (en) * 1994-03-31 1995-10-11 Sharp Kk Quantum device and method of making such a device
JP2697615B2 (ja) * 1994-07-07 1998-01-14 日本電気株式会社 多重量子井戸半導体レーザ
US5608234A (en) * 1994-11-14 1997-03-04 The Whitaker Corporation Semi-insulating edge emitting light emitting diode
US5629232A (en) * 1994-11-14 1997-05-13 The Whitaker Corporation Method of fabricating semiconductor light emitting devices
JPH08148752A (ja) * 1994-11-22 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
DE102011112706B4 (de) * 2011-09-07 2021-09-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59112674A (ja) * 1982-12-20 1984-06-29 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
JPS59124183A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd 発光半導体装置
JPS59175783A (ja) * 1983-03-25 1984-10-04 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
EP0321294B1 (de) * 1987-12-18 1995-09-06 Sharp Kabushiki Kaisha Halbleiterlaservorrichtung
JPH0744314B2 (ja) * 1989-07-22 1995-05-15 住友電気工業株式会社 埋め込み型半導体レーザ

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