DE69116139T2 - Hermetisches Hochstromgehäuse - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen ein Gehäuse für eine elektronische Einrichtung und speziell ein Gehäuse zum hermetischen Abdichten elektronischer Bauteile und Schaltungen.
• Es ist im Stand der Technik gut bekannt, Gehäuse oder Packungen zum Einschließen elektronischer Vorrichtungen, wie Halbleiterchips, Leistungs-Halbleiterchips und dgl., zu verwenden.
• Hermetisch abgedichtete Vorrichtungen, bei denen Verbindungen zu der eingeschlossenen Vorrichtung vorgesehen sind, sind im Stand der Technik üblich. Eine hermetische Gehäuseanordnung dieser Art für hochintegrierte Schaltkreise, LSI-Schaltkreise, oder hybride Schaltkreise ist z. B. in dem US-Patent Nr. 4,076,955 offenbart, welches am 28. Februar 1978 für Gates, Jr. erteilt wurde. Eine Vorrichtung, wie ein Wafer für integrierte Schaltungen, wiro an einem Sockel befestigt, und eine Dichtringeinfassung, welche die Vorrichtung umgibt, ist hermetisch mit dem Sockel verkapselt. Der Dichtring hat eine größere Höhe als der Wafer. Über der Vorrichtung ist ein Deckel hermetisch mit einem Dichtbereich verkapselt, der auf dem Dichtring vorgesehen ist. Verschiedene Deckel-Ausführungsformen werden durch Löten an Bereichen befestigt, welche abgedeckt und hermetisch in den Gehäusen verkapselt werden sollen. Radiale Anschlußelemente mit üblichen Draht-Bondverbindungen sind offenbart, um Verbindungen zu der Vorrichtung vorzusehen.
• Ein hermetisches Gehäuse für integrierte Schaltungen, die bei Hochleistungsanwendungen eingesetzt werden, ist in dem US-Patent Nr. 4,3398,621 offenbart, welches am 6. Juli 1992 für Braun erteilt wurde. Es zeigt eine integrierte Schaltung, die auf einer Oberfläche eines mehrschichtigen Keramikbauteils montiert und über Drähte mit elektrisch leitenden Abgriffen in der Nähe des Umfangs der Vorrichtung verbunden ist. Eingangs- Ausgangs-Pins sind an der Außenfläche eines keramischen Dekkels vorgesehen. Das Gehäuse umfaßt ein keramisches Sockelelement mit einer inneren Aussparung, auf der eine integrierte Schaltung montiert ist. Die mehreren elektrisch leitenden Abgriffe sind um den Umfang der integrierten Schaltung angeordnet und können über Drähte, welche mit einem Ende an diese gebondet sind, mit Kontaktflecken auf der planaren Oberfläche des keramischen Sockelelementes verbunden werden. Die metallisierten Leitungen werden dazu verwendet, die Kontaktflecken mit elektrisch leitenden Zapfen an der Außenseite des keramischen Deckels zu verbinden, um Eingangs- und Ausgangspins vorzusehen. Die Eingangs- und Ausgangspins werden durch Löten hermetisch mit den Zapfen abgedichtet, und die Sockel- und Deckelbauteile werden durch Lötmetallaufschmelzung dicht miteinander verbunden. Das Lötmetallaufschmelzen wird ferner dazu eingesetzt, elektrische Verbindungen zwischen dem Chip und den Pins über die entsprechenden Anschlußflecken vorzusehen.
• Ein wichtiger Gesichtspunkt bei dem Entwurf eines Gehäuses, welches ein Leistungsbauteil einschließt, ist die Differenz der thermischen Ausdehnungskoeffizienten unterschiedlicher Materialien, welche bei einem solchen Gehäuse in angrenzenden Teilen verwendet werden können. Die Probleme, welche durch diese Differenzen verursacht werden, können dadurch gemindert werden, daß Materialien nit so gut angepaßten Temperaturkoeffizienten wie möglich verwendet werden. Das US-Patent Nr. 4,646,129, das am 24. Februar 1987 für Yerman et al. erteilt wurde, offenbart z. B. ein hermetisches Gehäuse mit einer Dichtung mit einem Temperaturkoeffizienten der in der Nähe einer dielektrischen Platte des hermetischen Gehäuses liegt. Die dielektrische Platte hat Transistorelektroden auf ihrer Unterseite. Ein elektrischer Zugang zu diesen Elektroden wird an der Oberseite der dielektrischen Platte durch entsprechende Anschlußelemente vorgesehen, die über leitende Durchgangslöcher in der dielektrischen Platte angeschlossen sind.
• Das US-Patent Nr. 4,651,192, das am 17. März 1987 für Matsushita et al. erteilt wurde, offenbart ein keramisches Gehäuse für ein integriertes Halbleiter-Schaltungsbauteil. Das Gehäuse weist ein isolierendes Substrat auf, das aus einem Keramikwerkstoff hergestellt ist, auf dem eine oder mehrere integrierte Schaltungen montiert sind. Ein keramischer Deckel aus Aluminiumoxid ist auf das keramische Substrat über eine Löt- Glasschicht gebondet, um ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse herzustellen. Anschlüsse zum Vorsehen elektrischer Verbindungen für das Gehäuse sind zwischen dem Deckel und dem Substrat eingeklemmt, wobei innere Enden der Anschlüsse elektrisch mit der integrierten Schaltung verbunden sind und die anderen Enden der Anschlüsse außerhalb des Gehäuses liegen, um Anschlüsse für Signale und Strom vorzusehen. Die speziell verwendeten Keramikwerkstoffe sind so ausgelegt, daß sie sehr gut angepaßte thermische Ausdehnungskoeffizienten haben.
• Verschiedene andere Gehäuseanordnungen sind offenbart, z. B. in dem US-Patent Nr. 2,990,501, das am 27. Juni 1961 für Cornelison et al. erteilt wurde; in dem US-Patent Nr. 4,514,587, das am 30. April 1985 für Van Dyk Soerewyn erteilt wurde; und in dem US-Patent Nr. 4,560,826, das am 24. Dezember 1985 für Burns et al. erteilt wurde. Cornelison et al. offenbaren die Verwendung eines Gehäues mit einer scheibenförmigen metallenen Sockelanordnung in einem unteren Abschnitt und elektrischen Anschlußelementen, von denen Teile außerhalb des Gehäuses liegen und Teile innerhalb des Gehäuses liegen, um eine elektrische Verbindung zu einem Halbleiterelement herzustellen. Ein isolierender Werkstoff füllt den unteren Abschnitt der Sockelanordnung, um die Anschlüsse elektrisch von dem Metallsockel zu trennen. Die Teile der Anschlußelemente, welche aus dem Gehäuse ragen, sind mit Ösen verlötet, um elektrische Verbindungen zu Anschlußflecken der gedruckten Schaltung auf einem Substrat herzustellen. Cornelison et al. offenbaren auch, daß das untere Metallgehäuse aus einer Keramik- oder eine Glasscheibe mit einem Metallring darum hergestellt werden kann, um das Gehäuse mit der Scheibe zu verbinden. Van Dyk Soerewyn offenbart ein Halbleitergehäuse mit einer offenen Rahmenkonfiguration, bei dem ein Element innerhalb des zylindrischen Abschnitts des Gehäuses eingeschlossen ist, das um die darin montierten integrierten Schaltungsanordnungen herum läuft. Burns et al. offenbaren ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse für eine integrierte Schaltung (IC). Das Geh=use umfaßt die Montage einer integrierten Schaltung auf einem Substrat, wobei alle elektrische Verbindungen zu dem IC auf der Oberseite des Substrats in Wegen hergestellt sind. Die andere Seite des Substrats weist Anschlußelemente auf, welche elektrisch mit der anderen Seite verbunden sind, um Signal- und Stromverbindungen zu dem Gehäuse vorzusehen. Hierfür ist ein Sockel vorgesehen, um die inneren und äußeren Anschlußelemente miteinander zu verbinden. Ein Dichtring ist um den Umfang des Bereiches vorgesehen, in dem die integrierte Schaltung montiert ist, um diesen über einen Dichtrand um den Umfang der Unterkante eines keramischen Deckels mit diesem Deckel dicht zu verbinden.
• Es wurde erkannt, daß die Verwendung z. B. von Drahtverbindungen aus Aluminium, um Verbindungen zwischen einer Vorrichtung, wie einem IC-Chip in dem Gehäuse, und einem äußeren Schaltkreis vorzusehen, es erfordert, daß die Metallisierung auf dem Chip vorzugsweise aus Aluminium besteht, und daß eine solche Beschränkung unerwünscht sein kann. Ferner kann die Verwendung von Drahtverbindungen relativ hohe parasitäre Induktivitäten in die Anschlüsse einführen. Es wurde ebenfalls erkannt, daß in dieser Hinsicht Verbindungen zu bevorzugen sind, die Bänder oder Steifen verwenden, und daß die Anschlüsse an einer Vorrichtung vorzugsweise von oben erfolgen sollen. Es ist jedoch auch wünschenswert, bei der Einhaltung dieser Anforderungen die Bauhöhe des Gehäuses niedrig zu halten und, soweit wie möglich, herkömmliche Herstellungsverfahren zu verwenden.
• Ein Gehäuse für eine Halbleitereinrichtung ist in dem Dokument FR-A-2,527,837 offenbart, welches folgende Merkmale aufweist: einen Sockel mit einer im wesentlichen flachen Unterseite und einer im wesentlichen flachen Oberseite, eine Isolierscheibe aus Berylliumoxid, welche an der Oberseite des Sockels befestigt ist, wobei die Isolierscheibe leitende Muster darauf aufweist, Verbindungsanschlüsse, welche leitend jeweils an den leitenden Mustern befestigt sind, und eine Trommel oder ein Faß mit einem oberen und einem unteren im wesentlichen zylindrischen Abschnitt von jeweils größerem bzw. kleinerem Durchmesser und mit einer in Umfangsrichtung verlaufenden Stufe zwischen diesen, welche eine Schulter bildet. Das Gehäuse dieses Dokuments wird für Hochspannungs-Halbleiter-Vorrichtungen verwendet und besteht vollständig aus Keramik. Es verwendet keinerlei metallische Teile für die Verkapselung. Das diesem Dokument zugrunde liegende Problem ist die elektrische Festigkeit eines solchen Gehäuses, wenn eine Hochspannung von z. B. 10000 Volt zwischen dem Halbleiter-Chip und dem Metallsockel auftritt.
• Ferner ist aus der US-A-4,514,587 ein Hochleistungs-Halbleitergehäuse bekannt, welches einen Metallsockel mit einem zylindrischen Abschnitt und einem peripheren Montageflansch aufweist, der an einer Montagefläche befestigt werden kann. Aus der Encyclopedia of Chemical Technology, 3. Auflage, Wiley, New York, USA, 1981, Band 13, ist es grundsätzlich bekannt, Forsterit als ein Schaltungssubstrat bei Mikrowellenfrequenzen zu verwenden.
• Beispielhafte Ausführungsformen der hier offenbarten Erfindung sollen folgende Merkmale vorsehen:
• - ein Gehäuse für ein Bauelement, bei dem gut angepaßte thermische Ausdehnungskoeffizienten eingesetzt werden, wobei gute Wärmeabstrahlungseigenschaften gewährleistet werden;
• - eine hohe Stromführungskapazität in den Verbindungen zu einem Element, das hermetisch in dem Gehäuse eingeschlossen ist;
• - eine innere elektrische Trennung innerhalb des Gehäuses; und/oder
• - die obigen Merkmale in einem Gehäuse, welches ein geringes Gewicht und eine niedrige Bauhöhe hat.
• Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Gehäuse zum hermetischen Abdichten einer elektronischen Vorrichtung mit den Merkmalen von Anspruch 1 vorgesehen.
• Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.
• Die Erfindung ist im folgenden mit weiteren Einzelheiten anhand bevorzugter Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung beschrieben, in der gleiche Bauteile mit denselben Bezugszeichen bezeichnet sind. In den Figuren zeigen:
• Fig. 1 eine isometrische Explosionsdarstellung einer Ausführungsform der Erfindung;
• Fig. 2 eine Explosionsdarstellung in Seitenansicht der Ausführungsform der Erfindung von Fig. 1; und
• Fig. 3 eine isometrische Außenansicht der Ausführungsform der Erfindung.
• Wie in Fig. 1 gezeigt, weist ein metallischer Sockel oder Basisabschnitt 2 eine im wesentlichen flache Oberseite 4 und eine Boden- oder Unterseite auf, die an einer Montagefläche befestigt werden kann. Löcher 6 sind vorgesehen, um mittels Schrauben, Nieten oder anderer Befestigungsmittel den Sockel zu befestigen. Eine keramische Isolierscheibe 8 weist darauf ausgebildete leitende Muster 10, 10', 10" auf, an denen eine elektronische Vorrichtung oder Schaltung, wie ein Leistungschip, befestigt werden kann, und hat verschiedene Anschlußelemente, um elektrische Verbindungen zu der Vorrichtung über die leitenden Muster herzustellen. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Vorrichtung ein Leistungstransistor, der in einem Halbleiterchip 12 aus Silizium ausgebildet ist. Eine Verbindung zwischen den Elektroden des Halbleiterchips 12 wird über flache Anschlußelemente vorgesehen, um eine niedrige Induktivität, eine hohe Stromführungskapazität und die gewünschte physische Robustheit zu erreichen. Es ist also ein Drainanschluß 14 direkt an dem leitenden Muster 10 befestigt, um die Drainelektrode des Chips 12 dadurch elektrisch zu kontaktieren. Ein Sourceanschluß 16 ist an dem leitenden Muster 10' befestigt, um hierdurch die Sourceelektrode über ein Sourceband oder einen Sourcestreifen 18 zu kontaktieren, der eine Brücke von dem Sourceanschluß 16 zu dem Sourcekontaktfeld auf dem Chip bildet. Um den Streifen 18 an das Sourcekontaktfeld zu löten, werden bevorzugt Goldkugeln auf das Kontaktfeld auf den Chip aufgebracht, um eine Verlötung zwischen dem vernikkelten Kupfer und dem Gold zu erleichtern.
• Im Betrieb führen der Anschluß 14 und der Sourcestreifen 16 den Strom des Hauptleitpfades und weisen daher einen beträchtlichen Querschnitt für einen geringen Spannungsabfall bei hohen Strömen auf, und sie haben eine niedrige Induktivität. Gleichwohl wird unvermeidlich ein Spannungsabfall auftreten, der einen Spannungsabfall in dem Metallisierungsmuster 10' umfaßt. Manchmal kann es wichtig sein, unerwünschte elektrische Feedbackeffekte zu vermeiden, die durch solche Spannungsabfälle verursacht werden, und zu diesem Zweck ist ein weiterer Sourceanschluß als ein Sensor- oder Kelvin-Anschluß 20 vorgesehen, der eine Verbindung zu einem Punkt in dem Sourceschaltkreis vorsieht, bei dem kein Teil des Spannungsabfalls auftritt, der in dem Sourceanschluß auftritt. Die Gateelektrode des Halbleiterchips 12 muß Ströme führen, die im Vergleich zu dem Haupt-Source-Drainstrom sehr klein sind, und demzufolge kann die Verbindung zwischen einem Gateanschluß 22 und dem Anschlußfeld der Gatelektrode auf dem Chip über einen Bonddraht 24 aus Aluminium hergestellt werden.
• Ein metallener Faß- oder Trommelabschnitt 26, der im wesentlichen eine Rohrform hat, ist an seinem unteren Rand an der Oberseite 4 des Sockels 2 befestigt. Der Durchmesser der Öffnung am Boden des Trommelabschnitts 26 ist so groß, daß er um die keramische Isolierscheibe 8 herum paßt. Der Trommelabschnitt 26 hat einen unteren Abschnitt 28, der im wesentlichen zylindrisch ist, und einen oberen Abschnitt, der in Umfangsrichtung bei einer Schulter 29 eine Stufe aufweist, so daß der Durchmesser der Öffnung an der Oberseite der Trommel 26 größer ist als die Öffnung unten. Der Durchmesser der Öffnung an der Oberseite des Trommelabschnittes 26 ist so groß, daß er um einen keramischen Deckel 30 herum paßt, der gegen die Schulter 29 in dem Trommelabschnitt 26 anliegt. Der Keramikdeckel 30 weist Öffnungen oder Anschlußschlitze 32, 34, 36 und 38 darin auf, durch welche der Drainanschluß 14, der Sourceanschluß 16, der Kelvinanschluß 20 und der Gateanschluß 22 hindurchgehen können und über die Oberseite des Keramikdeckels 30 hinausragen können, um über diese eine Verbindung zu externen Schaltkreisen herstellen zu können.
• Fig. 2 ist hilfreich für die Klarstellung der Anordnung der Teile und zeigt ferner dte Schulter 29 in dem Trommelabschnitt 26.
• Während die Auswahl unterschiedlicher Materialien möglich ist, besteht bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Sockel 2 vorzugsweise aus einem Plattierungssystem, wie einer Kupfer- Molybdän-Kupfer-Plattierung oder eine Kupfer-Invar-Kupfer-Plattierung, mit einer Gesamtdicke in der Größenordnung von 1,27 mm (0,05 inch). Auf diese Weise wird eine hohe thermische Leitfähigkeit zusammen mit einer mechanischen Festigkeit für die Montage erreicht. Eine gute Anpassung der thermischen Ausdehnungskoeffizienten schafft eine Widerstandsfähigkeit gegen Schäden aufgrund von Ermüden, welche sich aus einer Temperaturwechselbeanspruchung ergeben können.
• Die keramische Isolierscheibe 8 wird vorzugsweise aus Berylliumoxid mit einer Dicke von etwa 0,762 mm (0,030 inch) hergestellt und ist auf jeder Seite direkt mit Kupfer, mit einer Dicke von etwa 0,254 mm (0,010 inch), verbondet. Die obere Kupferschicht wird dann geätzt, um die leitenden Muster 10, 10', 10" auszubilden. Ein hohe thermische Leitfähigkeit und eine hohe Durchbruchsspannung ergeben sich aus dieser Werkstoffkombination. Der thermische Ausdehnungskoeffizient liegt in der Größenordnung von 8 ppm pro ºC.
• Der Trommelabschnitt 26 wird vorzugsweise aus 0,762 mm (0,030 inch) dickem Stahl 1020 unter Einsatz eines Stanz-Präge- und Perforationsverfahren hergestellt. Dieses Verfahren ergibt eine kostengünstige Struktur geringen Gewichts mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 12.,ppm pro ºC.
• Der Drainanschluß 14, der Sourceanschluß 16, der Kelvinanschluß 20, der Gateanschluß 22 und der Streifenanschluß 18 werden aus Kupfer CDA 102 mit einer Dicke von 0,635 mm (0,025 inch) geschnitten und geformt. Dieser Werkstoff kann leicht geformt werden, und er hat eine hohe Stromführungskapazität bei geringen Kosten. Der thermische Ausdehnungskoeffizient liegt bei etwa 10 ppm pro ºC.
• Der Keramikdeckel 30 wird vorzugsweise aus gepreßtem oder gesintertem Forsterit hergestellt. Nur der äußere Umfang des Deckels 30 und die Anschlußschlitze 32, 34, 36 und 38 sind mit Lithiummolybdat metallisiert und danach mit Nickel plattiert, so daß sie lötbar sind. Die nicht metallisierten Teile des Keramikdeckels 30 schaffen somit eine elektrische Trennung zwischen den Anschlußelementen. Forsterit hat einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von etwa 10 ppm pro ºC.
• Beim Zusammenbau des Gehäuses werden der Sockel 2, die keramische Isolierscheibe 8, der Trommelabschnitt 26, der Drainanschluß 14, der Sourceanschluß 16, der Kelvinanschluß 20, und der Gateanschluß 22 zusammengepaßt, befestigt und unter Verwendung einer Silber-Kupfer-Lötlegierung verlötet. Die Anordnung wird dann stromlos vernickelt, um eine Korrosionsbeständigkeit und Lötbarkeit vorzusehen.
• Der Siliziumtyp 12 und der Sourcestreifen 18 werden dann in dem Gehäuse unter Verwendung von Lötlegierungs-Vorformen montiert, und dann wird das Lötmetall in einer Wasserstoff-Stickstoff-bildenden Gasatmosphäre aufgeschmolzen.
• Der Bonddraht 24 für das Gate ist vorzugsweise ein Aluminiumdraht mit einer Dicke von 0,127 mm (0,005 inch), der mittels Ultraschall von einem Gateanschluß 22 zu dem Kontaktfeld der Gateelektrode an dem Chip 12 gebondet wird.
• Der Keramikdeckel 30 wird über den Drainanschluß 14, den Sourceanschluß 16, den Kelvinanschluß 20 und den Gateanschluß 22 und in den Trommelabschnitt 26 geschoben. Draht-Vorformen aus einer Lötlegierung werden in Position gebracht und in einer Formiergasatmosphäre aufgeschmolzen, woraus sich Lötverbindungen ergeben, die eine hermetische Abdichtung um den Deckel 30 und um den Drainanschluß 14, den Sourceanschluß 16, den Kelvinanschluß 20 und den Gateanschluß 22 bilden.
• Fig. 3 zeigt das Beispiel eines zusammengebauten Gehäuses. Die Bauhöhe in zusammengebautem Zustand liegt üblicherweise unter 6,35 mm (0,25 inch), und das Gewicht liegt unter 25 g. Die Stromführungskapazität liegt in der Größenordnung von 10 Ampere, und die Durchbruchsspannung liegt in der Größenordnung von 1000 V.
• Während die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ergeben sich dem Fachmann auf diesem Gebiet zahlreiche Abänderungen, welche nicht von dem Gedanken und Bereich der Erfindung abweichen.

Claims (7)

1. Gehäuse zum hermetischen Abdichten einer elektronischen Vorrichtung, mit einem Metallsockel (2), der eine im wesentlichen flachen Unterseite und eine im wesentlichen flachen Oberseite aufweist, einer Isolierscheibe (8) aus Berylliumoxid, welche an der Oberseite des Sockels (2) durch Löten befestigt ist, wobei die Isolierscheibe (8) leitende Muster (10, 10', 10") aufweist, welche auf ihrer Oberseite ausgebildet sind, um die elektronische Vorrichtung (12) und Anschlusse (18) für diese elektronische Vorrichtung zu montieren, flachen Anschlußstücken (14, 16, 20, 22), welche jeweils an das leitende Muster angelötet sind, einem Metallfaß mit einem oberen und einem unteren im wesentlichen zylindrischen Abschnitt (26, 28) mit einem größeren bzw. einem kleineren Innendurchmesser und mit einer Stufe in Umfangsrichtung zwischen diesen, welche eine Schulter (29) bildet, wobei eine Unterkante des unteren Abschnitts (26) des Fasses an der Oberseite des Sockels (2) befestigt ist und eine hermetische Abdichtung bildet, welche die Isolierscheibe (8) innerhalb des unteren Abschnitts (28) des Fasses umgibt und enthält, einem Keramikdeckel (30), dessen Durchmesser geringfügig kleiner als der des oberen Abschnitts (26) ist und der mit der Schulter eine hermetische Abdichtung bildet, indem der Umfang des Keramikdeckels (30) mit Nickel plattiertem Lithiummolybdate plattiert ist und durch Löten am Umfang des Fasses (26, 28) befestigt ist, wobei der Keramikdeckel Schlitze (32-38) aufweist, welche durch diesen hindurchgehen und durch die die Anschlußstücke (14, 16, 20, 22) hindurchgehen, wobei die Schlitze an ihrer Wandung mit Nickel-plattiertem Lithiummolybdat plattiert sind und jeweils mit den Anschlußstücken verlötet sind, um eine hermetische Abdichtung mit diesen zu bilden, und wobei die elektronische Vorrichtung (12) auf dem leitenden Muster (10) der Isolierscheibe (8) montiert ist.

2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sockel (2) eine Plattierung aus Kupfer, Molybdän und Kupfer oder eine Plattierung aus Kupfer, Invar und Kupfer aufweist.

3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallsockel (2) eine Basis mit einer flache Oberseite und einer flachen Unterseite aufweist, und das Faß (26, 28) an der Oberseite befestigt ist, die Isolierscheibe (8) eine Keramikscheibe ist, welche an der Oberseite und innerhalb des Fasses befestigt ist, wobei erste (10) und zweite (10') getrennte leitende Muster auf der Keramikscheibe aufgebildet sind, die elektronische Vorrichtung (12) ein Chip mit gegenüberliegenden ebenen, leitenden Elektrodenflächen ist, wobei eine Fläche in Kontakt mit dem ersten leitenden Muster ist, ein erstes flaches Anschlußstück (14) leitend mit dem ersten leitenden Muster (10) in einem Bereich außerhalb des Chips (12) verbunden ist und sich ausgehend von diesem nach oben erstreckt, ein zweites flaches Verbindungsstück (16) elektrisch und mechanisch mit dem zweiten leitenden Muster (10') verbunden ist und sich von diesem ausgehend nach oben erstreckt, ein Ende einer Oberfläche eines flachen Metallstreifens (18) elektrisch mit dem zweiten leitenden Muster (10') verbunden ist und das äußere Ende dieser einen Oberfläche elektrisch leitend mit der anderen Fläche des Chips (12) verbunden ist, der Keramikdeckel (30) den Chip (12) einschließt und der Dekkel eine Scheibenform hat.

4. Gehäuse nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis aus Kupfer besteht, die Isolierscheibe aus mit Kupfer gebondetem Berilliumoxid besteht, das Faß aus Stahl besteht, und die Mittel zum hermetischen Abdichten des Deckels an dem Faß und der Anschlußstücke an den Schlitzen eine Metallisierung mit Nickel-plattiertem Lithiummolybdat aufweisen.

5. Gehäuse nach Anspruch 3 oder 4, gekennzeichnet durch ein drittes leitendes Muster (10"), welches auf der Scheibe ausgebildet ist, ein drittes Anschlußstück (22), welches leitend an dem dritten leitenden Muster (10") befestigt ist, wobei die planaren, leitenden Elektrodenflächen eine Sourceelektrode bzw. eine Drainelektrode des Chips (12) darstellen, der Chip eine Gateelektrode aufweist und eine elektrische Verbindung zwischen dem dritten leitenden Muster und der Gateelektrode besteht.

6. Gehäuse nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch ein viertes Anschlußstück (20), welches elektrisch und mechanisch an dem leitenden Muster (10) befestigt ist.

7. Gehäuse nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen leitenden Streifen (18), dessen eines Ende leitend mit der anderen Fläche der elektronischen Vorrichtung (12) verbunden ist und dessen anderes Ende leitend mit einem leitenden Muster (10') verbunden ist, welches nicht das eine Muster (10) ist, an dem die elektronische Vorrichtung befestigt ist.