DE69005104T2 - Verfahren zum löten ohne flussmittel. - Google Patents

Verfahren zum löten ohne flussmittel.

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Löten und insbesondere ein Lötverfahren ohne Flußmittel, das die Notwendigkeit des Reinigens nach dem Löten beseitigt.
  • Auf dem Gebiet der Herstellung elektronischer Schaltkreise ist es nötig, getrennte Einrichtungen in elektrischen Kontakt zu bringen. Integrierte Schaltkreise (oder "Chips") werden zum Beispiel oft auf gedruckten Schaltkarten oder anderen solchen Einrichtungen angebracht, die allgemein als Substrate bezeichnet werden können. Der Kontakt zwischen Chip und Substrat muß physikalische, chemische und elektrische Integrität und Stabilität aufweisen.
  • Ein Verfahren zum physikalischen und elektrischen Verbinden mikroelektronischer Einrichtungen wendet die Herstellung von Metallanschlußflächen auf der oberen oder freien Oberfläche verschiedener Substrate an. Diese Metallanschlußflächen werden oft mit einer Deckschicht aus Lot ausgebildet, d.h. eine Legierung mit niedrigem Schmelzpunkt, normalerweise vom Blei-Zinn-Typ, die verwendet wird, um Metalle bei Temperaturen um 232ºC zu verbinden. Die Lotanschlußflächen werden mit einem Bauelement aus Metall, das oft als "Metallurgie" ("metallurgy") bezeichnet wird - typischerweise eine Metallanschlußfläche - in Verbindung gebracht, das mit flüssigem Lot benetzt wird, wenn Wärme eingesetzt wird, um das Lot und die Metallanschlußfläche zu verbinden und dadurch die elektrische Verbindung zu bilden.
  • Gegenwärtig umfassen die meisten Lötverfahren drei Grundschritte: (1) Vorreinigen und Desoxidation von Oberflächenoxiden, (2) Aufschmelzung bzw. wieder Flüssigmachen (nachfolgend als wieder Flüssigmachen bezeichnet) von Lot und/oder Verbinden durch wieder Flüssigmachen und (3) Reinigen nach dem Löten. Der Vorreinigungsschritt wird mit verschiedenen Flußmittelmaterialien durchgeführt, um die Oberflächen für den Lötschritt durch Entfernung von Verunreinigungen und Metalloxiden von der Lötoberfläche vorzubereiten. Der Lötverbindungsschritt kann nur stattfinden, nachdem die Oxidschicht entfernt wurde, da die Oxide mit hohem Schmelzpunkt das Benetzen der beiden zu verbindenden Flächen durch wieder Flüssigmachen des Lots verhindern. Wenn es erhitzt wird, bildet sich das Lot in seine charakteristische kugelförmige Form zurück und verbindet die Oberflächen, die mit dem Lot in Berührung sind. Der dritte Schritt, das Reinigen nach dem Löten, entfernt jeglichen vom ersten Schritt zurückbleibenden Flußmittelrest.
  • Mit der Verringerung der Größe elektronischer Bauteile wurde es schwieriger, den Schritt nach dem Löten effektiv auszuführen, da es für die Mittel zum Reinigen nach dem Löten sehr viel schwieriger wird, in die kleineren Zwischenräume zwischen den Bauteilen und dem Substrat einzudringen. Der Schritt nach dem Löten wird sogar noch schwieriger, wenn die Auflöttechnologie (surface mount technology, SMT) angewendet wird.
  • Schlechtes Überziehen mit Flußmittel führt zu einer fehlerhaften Verbindung und schlechtes Reinigen nach dem Löten verringert die langfristige Zuverlässigkeit der gesamten Anordnung. Hohe Investitionen bei Reinigungsausrüstung, Materialien und Verfahren können einige der Probleme lösen, aber es werden unerwünschte, von den Reinigungslösungsmitteln verursachte Auswirkungen auf die Umgebung erzeugt.
  • Ein trockenes oder ein Lötverfahren ohne Flußmittel kann den Vorreinigungsschritt ersetzen und den Reinigungsschritt nach dem Löten vollständig beseitigen. Da der Hauptgrund für die Verwendung von Flußmittel während des wieder Flüssigmachens von Lötverbindungen das Aufbrechen der harten Oxide mit hohem Schmelzpunkt ist, die das Lot bedecken, kann eine Gasphasenreaktion, die diese Schicht entfernt, die gewöhnlich verwendeten flüssigen Flußmittel ersetzen, die den Reinigungsschritt nach dem Löten erforderlich machen. Es wurden verschiedene Versuche zum Löten ohne Flußmittel durchgeführt; diese Versuche litten jedoch unter Einschränkungen, die sie nur auf eine geringe Anzahl von und sehr speziellen Anwendungen anwendbar machten.
  • Zum Beispiel beschreiben Moskowitz und Yeh in "Thermal Dry Process Soldering", J.VAC.SCI.TECHNOL.A, Bd. 4, Nr. 3, Mai/Juni 1986, ein trockenes Lötverfahren zum wieder Flüssigmachen von Lot und Verbinden von Pb/Sn-Lot. Dieses Verfahren verwendet für die Reduktion der Oberflächenoxide Gase, die ein Halogen enthalten, CF2, CL2, CF4 und SF6, um ein wieder Flüssigmachen von Lot bei einer Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes des Lotes zu ermöglichen. Die für die Oxidreduktion durch diese Gase benötigte Aktivierungsenergie wird durch die Verwendung eines Katalysators (Pt-Netz) in einer Vakuumkammer herabgesetzt. Dennoch ist die für ein erfolgreiches Verbinden durch wieder Flüssigmachen benötigte Temperatur 350ºC. Diese Temperatur liegt deutlich über der typischen Löttemperatur für die meisten elektronischen Anwendungen, d.h. 220ºC, und kann die Bauteile und das Substrat beschädigen und Fehler aufgrund eines thermischen Versatzes zwischen verschiedenen Materialien erzeugen.
  • Ein weiterer Versuch zum Löten ohne Flußmittel ist in IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd. 27, Nr 11, April 1985, unter dem Titel "Dry Soldering Process Using Halogenated Gas" offenbart. Der IBM-Bericht offenbart die Verwendung halogenierter Gase in einem inerten Trägergas bei erhöhter Temperatur, um eine Reduktion von Lotoxid durch das reaktive Gas zu erzeugen und ein wieder Flüssigmachen des Lots zu gestatten. Bei den häufigeren Niedertemperaturanwendungen kann wiederum ein thermischer Schaden entstehen. Moskowitz und Davidson beschreiben in "Summary Abstract: Laser- Assisted Dry Process Soldering", J. VAC.SCI.TECHNOL.A, Bd. 3, Nr. 3, Mai/Juni 1985, eine laserunterstützte Löttechnik ohne Flußmittel zum wieder Flüssig machen von Lot. Diese Technik verwendet Laserstrahlung, um ein anderenfalls nicht reaktives Gas in Gegenwart einer vorgeheizten Lotoberfläche anzuregen. Diese Technik erfordert für die Laserstrahlung einen direkten Zugang zur Lotoberfläche, was somit sowohl die Anwendungen einschränkt als auch zu einem Verfahren mit geringem Durchsatz führt.
  • Weitere Versuche, Oberflächenoxide zu entfernen, wendeten das Bedampfen (sputtering) an. Die Bedampfungsverfahren sind jedoch extrem ungenau und können die Substrate und Bauteile während des Entfernens von Oxiden beschädigen und ihre Eindringstrecken sind sehr begrenzt, was das Bedampfen für Anwendungen wie das wieder Flüssigmachen von Lot ungeeignet macht. Wie in der deutschen Offenlegungsschrift 3 442 538 gezeigt ist, wurden auf dem Gebiet des Lötens flourhaltige Plasmen verwendet. In der deutschen Schrift 34 42 538 wird eine Aluminiumschicht eines Halbleiterelements für wenigstens eine Stunde bei hohen Temperaturen im Bereich von 420 bis 670 Grad Kelvin einem fluorhaltigen Plasma in einer Atmosphäre ausgesetzt, die bis zu 50% Sauerstoff enthält. Dann wird das Lot aufgebracht. Löten ohne Flußmittel wird nicht beschrieben oder vorgeschlagen.
  • Zusammengefaßt kann die Anwendung hoher Temperaturen bei den verfügbaren Lötverfahren ohne Flußmittel oft schädliche Auswirkungen auf die gedruckten Leiterplatten und die Bauteile haben, die verbunden werden. Laserunterstützte Lötverfahren erwiesen sich ebenfalls als für den kommerziellen Gebrauch unzureichend, da die Laserstrahlen nicht zu nicht freiliegenden Bereichen vordringen und können somit nicht beim Lötverbinden angewendet werden. Außerdem ist es ein zeitaufwendiges Verfahren, da es auf einem örtlichen Strahl basiert.
  • Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Lötverfahren vorzusehen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Lötverfahren ohne Flußmittel vorzusehen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Lötverfahren ohne die Notwendigkeit eines Reinigungsschritts nach dem Löten vorzusehen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Vorlötverfahren für ein verbessertes wieder Flüssigmachen von Lot vorzusehen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes flußmittelfreies Lötverfahren mit wieder Flüssig machen von Lot ohne die Notwendigkeit einer Laser- oder thermischen Anregung vorzusehen.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes Lötverfahren ohne Flußmittel vorzusehen, das bei einer niedrigen Temperatur stattfindet.
  • Noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine verbesserte Entfernung von Oberflächenverbindungen, wie z.B. Oxiden, von der Lotoberfläche vorzusehen.
  • Diese und andere Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden gelöst, indem die Aktivierungsenergie für die Entfernung der Lotoberflächenoxide durch ein Plasmaverfahren zugeführt wird. Zum Beispiel kann bei einer Plasmabehandlung, die fluorierte Gase (z.B. SF6, CF4 oder andere fluorierte Gase) verwendet, das Zinnoxid zu Zinnfluorid umgewandelt werden. Man fand heraus, daß Zinnfluorid nicht wie Zinnoxid das Benetzen der beiden zu verbindenden Oberflächen während des Schrittes des wieder Flüssigmachens von Lot verhindert.
  • Eine oder mehrere durch das Lot zu verbindende Oberflächen können mit Lot überzogen werden, um das Benetzen durch das Lot zu unterstützen. Das Lot wird dann mit einer plasmaunterstützten Reaktion behandelt, um das Zinnfluorid zu bilden, welches aufbewahrt und später in einer inerten Atmosphäre oder Vakuum wieder flüssiggemacht werden kann. Dieses Verfahren besitzt die Vorteile eines verbesserten Benetzens der Oberflächen mit dem Lot ohne Notwendigkeit eines Flußmittels während des wieder Flüssigmachens von Lot und/oder des Schritts des Verbindens durch wieder Flüssigmachen. Gemäß der vorliegenden Erfindung findet die Umwandlung des Zinnoxids zu Zinnfluorid durch ein Plasmaverfahren bei einer niedrigen Temperatur statt. Typischerweise beträgt die Temperatur etwa 34ºC bis 50ºC. Die Dauer der Plasmabehandlung ist kurz (d.h. ungefähr 1/2 - 3 Minuten) und kann bei niedrigen oder hohen Drücken stattfinden, d.h. 6,6661 × 10&supmin;¹ Pa bis 1,33322 × 10&sub2; Pa (5 mm Torr bis 1 Torr). Das wieder Flüssigmachen von Lot findet in einer nichtoxidierenden Atmosphäre statt. Vorzugsweise findet die Plasmabehandlung und das wieder Flüssigmachen und/oder das Verbinden durch wieder Flässigmachen in einem ununterbrochenen Vakuum statt, um die Ausbildung einer Lotbenetzung von höherer Qualität zu fördern. Somit wird ein zuverlässiges Lötverfahren mit hohem Durchsatz bereitgestellt, das nicht den zu lötenden Chip oder das Substrat beschädigt.
  • Weitere Aufgaben und Vorteile der Erfindung und die Art und Weise, in welcher dieselben erreicht werden, werden mit Bezug auf die ausführliche Beschreibung und die Zeichnungen besser verstanden, in welchen:
  • Fig. IA-E ein Plasmavorbehandlungs- und Verbindungsverfahren durch wieder Flüssigmachen von Lot ohne Flußmittel der Erfindung zeigen,
  • Fig. 2A-E ein weiters Plasma-Verbindungsverfahren durch wieder Flüssigmachen ohne Flußmittel der vorliegenden Erfindung zeigen,
  • Fig. 3A-E ein Plasmavorbhandlungs- und Verfahren durch wieder Flüssig machen von Lot ohne Flußmittel der Erfindung zeigen,
  • Fig. 4A-E ein weiteres Plasmaverfahren durch wieder Flüssigmachen ohne Flußmittel der Erfindung zeigen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nun nachfolgend mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen ausführlicher beschrieben, in welchen eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung gezeigt ist. Diese Erfindung kann jedoch in vielen verschiedenen Formen verkörpert sein und soll nicht als auf die hier dargelegte Ausführungsform begrenzt aufgefaßt werden; vielmehr stellt die Anmelderin diese Ausführungsform als Beispiel für eine umfassende und vollständige Offenbarung bereit, um Fachleuten den Umfang der Erfindung völlig klarzumachen.
  • Gleiche Bezugszeichen beziehen sich überall auf gleiche Teile. Zur größeren Klarheit wurde die Dicke von Schichten übertrieben.
  • Fig. 1A-E und 2A-E zeigen eine Plasmavorbehandlung ohne Flußmittel und ein Verbinden durch wieder Flüssigmachen nach der vorliegenden Erfindung. Fig. 3A-E und 4A-E zeigen eine Plasmavorbehandlung ohne Flußmittel und wieder Flüssigmachen von Lot nach der vorliegenden Erfindung. Gleiche Zahlen stehen für gleiche Teile.
  • Mit Bezug auf beide Fig. 1 und 3 ist in Fig. 1A die zu lötende erste Oberfläche 10 gezeigt. Die Oberfläche 10 kann zum Beispiel ein Substrat, eine gedruckte Schaltung, eine SMT-Karte oder die Oberfläche 10 kann eine weitere Lötperle sein.
  • Nun mit Bezug auf Fig. 1B wird Lot 20 auf die erste Oberfläche 10 aufgebracht. Das Lot 20 kann aus irgendeinem geeigneten Lötmaterial, wie z.B. Zinn, Blei-Zinn oder auf Blei-Zinn basierende Legierungen, bestehen. Die Anmelderin verwendet das eutektische Material mit 63% Blei und 37% Zinn (Schmelzpunkt 183ºC). Dadurch, daß er dem Sauerstoff in der Umgebung ausgesetzt wird, bilden sich auf dem freien Abschnitt 40 des Lots 20 Oberflächenoxide 25. Das Vorhandensein von Oberflächenoxiden verhindert das wieder Flüssigmachen von Lot oder Benetzen der mit Lot zu verbindenden Oberflächen und muß daher entfernt werden.
  • Nun mit Bezug auf Fig. 1C werden die erste Oberfläche 10 und das Lot 20 mit Oberflächenoxiden 25 in einer Reaktionskammer 30 angeordnet. Im Vakuum der Reaktionskammer wird das Plasma-Lot- behandlungsverfahren ausgeführt. Die Plasmaanregung erfolgt aus einem fluorierten Gas (d.h. SF6, CF4). Die Plasmabehandlung kann bei Raumtemperatur (34º - 50ºC) stattfinden. Die Dauer des Plasmaverfahrens ist vorzugsweise sehr kurz (d.h. 1/2 - 3 Minuten). Die Behandlung kann bei relativ hohem Druck, z.B. 1,33322 × 10² Pa (1 Torr) oder niedrigem Druck, z.B. 6,6661 × 10&supmin;¹ Pa (5 mm Torr) stattfinden. Das Leistungsniveau (power level), der Gasstrom, das Gasgemisch und andere typische Plasmaverfahrensbedingungen können gemäß der Reaktorkonfiguration und der Beschaffenheit der zu behandelnden Zusammensetzung variieren.
  • Oberflächenoxide verhindern das Benetzen der zu lötenden Oberflächen und müssen daher entfernt werden. Die Anmelderin nimmt an, daß fluorierte Gase die Oberflächenoxide während des Plasmaverfahrens wegen der höheren Elektronegativität des Fluor oder aufgrund der Instabilität der Fluorstruktur entfernen.
  • Während die Anmelderin nicht auf eine spezielle Theorie festgelegt werden will, wird angenommen, daß die für das Umwandeln der Oxide benötigte Aktivierungsenergie von angeregten Fluorradikalen im Plasma geliefert wird, die diffundieren und das Oberflächenoxid 25 treffen, was zur Bildung einer Fluorverbindung 45 auf der Lotoberfläche führt. Das Fluorplasmaverfahren wird ausgeführt, bis das Oberflächenoxid 25 im wesentlichen von der Lotoberfläche entfernt ist und sich eine Verbindung aus Lotmaterial 20 und Fluor auf der Lotoberfläche bildet.
  • Mit Bezug auf Fig. 1D ist die während des Plasmaverfahens gebildete Verbindung 45 auf der freien Oberfläche 40 der Lötperle 20 gezeigt. Das Plasma ist ein fluoriertes Gas (z.B. SF6 oder CF4), was zu einer Zinnfluoridverbindung 45 führt. Fig. 1D stellt die Entfernung der Oberflächenoxidschicht 25 von der Oberfläche und die Bildung einer Zinnfluoridverbindung auf der Lotoberfläche dar.
  • Nun mit Bezug auf Fig. 1E werden bei der ersten Ausführungsform des Verfahrens der vorliegenden Erfindung das Substrat und Lot aus der Reaktionskammer 30 für die Plasmavorbehandlung entnommen. Das Lot wird dann in einer nichtoxidierenden Umgebung wieder flüssiggemacht, um entweder eine Lötperle 60 zu bilden oder um wieder flüssiggemacht zu werden und sich mit der zweiten Oberfläche 50 zu verbinden. Die zweite Oberfläche 50 kann ein Bauteil oder eine weitere Lötperle sein. Die Bedingungen des wieder Flüssigmachens oder des Verbindens durch wieder Flüssigmachen sind dieselben typischen Bedingungen, die bei herkömmlichen nassen Verfahren mit Flußmitteln angewendet werden. Während die Anmelderin nicht auf eine bestimmte Theorie festgelegt werden will, wird angenommen, daß während des wieder Flüssigmachens das Oberflächenfluorid in der Verbindung 45 sich entweder in dem Lot 20 löst oder zu kolloidartigen Teilchen aufbricht. Fig. 3A-E stellen das gleiche Verfahren dar, außer daß kein Verbinden des Lots mit einem anderen Gegenstand stattfindet; es findet nur ein wieder Flüssigmachen von Lot statt.
  • Nun mit Bezug auf Fig. 2A-E und 4A-E wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt. Bei dieser Ausführungsform findet das wieder Flüssigmachen oder das Verbinden durch wieder Flüssig machen des Lots im Vakuum der Reaktionskammer 30 auf kontinuierliche Weise mit der Plasmabehandlung statt, wodurch eine höherqualitative Verbindung geschaffen wird, da ein der Umgebung Ausgesetztsein verhindert wird. In Fig. 2A ist ein erstes Substrat 10 gezeigt. Wie in Fig. 1B zeigt Fig. 2B eine erste Oberfläche 10 mit einem darauf aufgebrachten Lot 20. Auf der freien Oberfläche 40 des Lots 20 bilden sich Oberflächenoxide 25. Die Oxide 25 verhindern das wieder Flüssigmachen von Lot oder das Benetzen der beiden zu verbindenden Oberflächen durch das Lot.
  • Nun mit Bezug auf Fig. 2C wird die Anordnung von Fig. 2B in eine Reaktionskammer 30 angeordnet, worauf das gleiche Plasmaverfahren, wie es in Verbindung mit Fig. 1C beschrieben wurde, ausgeführt wird.
  • Mit Bezug auf Fig. 2D ist die Anordnung nach der Plasmabehandlung ohne Oberflächenoxide gezeigt. Die Lötperle 20 besitzt nun eine Oberflächenverbindung 45, die aus Lot und Fluor in solchen Mengen besteht, die ausreicht, um zu gestatten, daß ein wieder Flüssigmachen von Lot oder ein Benetzen einer zweiten Oberfläche durch die Lötperle 20 stattfindet.
  • Mit Bezug auf Fig. 2E wird bei der kontinuierlichen Weise des Vorgangs die Lötperle 20 auf der ersten Oberfläche 10 wieder flüssiggemacht oder mit Oberfläche 50 durch wieder Flüssigmachen verbunden. Die Durchführung der Plasmabehandlung und das wieder Flüssigmachen in kontinuierlicher Weise in der Reaktionskammer schafft eine Lotoberfläche von viel höherer Qualität, weil die Gefahr einer Rückoxidation dadurch beseitigt wird, daß die Lotoberfläche nicht der Umgebung ausgesetzt wird. Fig. 4A-E stellen das gleiche Verfahren dar, außer daß kein Verbinden des Lots mit einem anderen Gegenstand stattfindet; es findet nur ein wieder Flüssigmachen von Lot statt.
  • Bei einer weiteren alternativen Ausführungsform dieser Erfindung können das Plasmabehandlungsverfahren und das Verfahren des wieder Flüssigmachens gleichzeitig stattfinden und/oder die zweite Oberfläche 50 kann mit dem Lot 20 während des wieder Flüssigmachens in Kontakt gebracht werden. Bei einer noch weiteren alternativen Ausführungsform der Erfindung kann eine oder können beide der durch das Lot zu verbindenden Oberflächen 10 oder 50 mit einer Schicht aus dem Lotmaterial oder anderen bekannten Materialien (z.B. Gold) überzogen werden, was das Benetzen der zu verbindenden Oberflächen durch das Lot verbessert. Beide Lotoberflächen werden dann in einer druckunterstützten Reaktion behandelt, um das Zinnfluorid zu bilden, und werden dann sogar mit höherer Bindungsintegrität wieder flüssig gemacht.
  • Bei einer weiteren alternativen Ausführungsform dieser Erfindung kann vor der Fluorplasmabehandlung eine Sauerstoffplasmabehandlung, wie sie in der Industrie allgemein bekannt ist, ausgeführt werden. Die Sauerstoffplasmabehandlung entfernt - durch Oxidation - jeglichen organischen Rückstand von der Oberfläche und beseitigt jegliche Notwendigkeit einer Reinigung vor dem Löten. Organische Rückstände können die vollständige Entfernung der Oberflächenoxide und die Ersetzung durch Fluoride durch die Fluorplasmabehandlung verhindern. Die Sauerstoffplasmabehandlung findet bei ähnlichen Bedingungen wie die Fluorplasmabehandlung, wie oben beschrieben, statt. Die Sauerstoffplasmabehandlung kann jedoch bei höheren Drükken stattfinden. Dieser Schritt kann das Reinigen vor dem Löten ersetzen und verbessert das wieder Flüssigmachen von Lot oder das Benetzen weiter.

Claims (13)

1. Lötverfahren ohne Notwendigkeit eines Flußmittels, umfassend die Schritte:
a) Aufbringen von Lot (20) auf eine erste Fläche (10), wobei das Lot eine Oberflächenoxydschicht (25) aufweist,
b) Durchführen einer Fluor enthaltenden Plasmaanregung an dem Lot, auf welchem sich eine Oberflächenoxydschicht gebildet hat, um wenigstens einige der Oberflächenoxyde (25) in der Oberflächenoxydschicht in eine Verbindung aus Lot und Fluor umzuwandeln, und
c) wieder Flüssigmachen des die Lot-Fluor-Verbindung aufweisenden Lotes (20) auf der ersten Fläche (10).
2. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des wieder Flüssigmachens das Inkontaktbringen des Lotes (20) mit einer zweiten Fläche (50) umfaßt, um dadurch die erste Fläche (10) und die zweite Fläche (50) ohne die Notwendigkeit zum Reinigen nach dem Lötvorgang durch Lötung miteinander zu verbinden.
3. Lötverfahren nach Anspruch 2, bei dem dem Schritt des Inkontaktbringens der Schritt des Überziehens sowohl der ersten Fläche (10) als auch der zweiten Fläche (50) mit Lot vorangeht.
4. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des wieder Flüssigmachens in einem Vakuum stattfindet.
5. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schritte des Durchführens und wieder Flüssigmachens in einem kontinuierlichen Vakuum stattfinden.
6. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem das Durchführen eines Fluorplasmaanregungsschrittes bei einer Temperatur von angenähert 34ºC bis 50ºC stattfindet.
7. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem das Durchführen eines Fluorplasmaanregungsschrittes das Durchführen der Fluorplasmaanregung für angenähert eine halbe Minute bis drei Minuten umfaßt.
8. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem das Durchführen eines Fluorplasmaanregungsschrittes die Verwendung eines Fluorrestes als eine reaktionsfähige Spezies umfaßt.
9. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schritte des Durchführens und des wieder Flüssigmachens gleichzeitig stattfinden.
10. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des wieder Flüssigmachens bei einer Temperatur von etwa 200ºC stattfindet.
11. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Durchführungsschritt wenigstens einige der Oberflächenoxyde in eine Lot-Fluor- Verbindung umwandelt.
12. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem dem Durchführungsschritt eine Sauerstoffplasmabehandlung vorangeht.
13. Lötverfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des wieder Flüssigmachens den Schritt umfaßt: wieder Flüssigmachen des Lotes (20) auf der ersten Fläche (10) in einem nichtoxidierenden Umgebungseinfluß.
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