DE68918144T2

DE68918144T2 - System zur Belichtung mittels geladener Teilchenstrahlen.

Info

Publication number: DE68918144T2
Application number: DE68918144T
Authority: DE
Inventors: Junichi Kai; Toyotaka Kataoka; Shinji Miyaki; Kiichi Sakamoto; Yasushi Takahashi; Hiroshi Yasuda
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1988-03-30
Filing date: 1989-03-30
Publication date: 1995-01-12
Anticipated expiration: 2009-03-31
Also published as: KR920004177B1; EP0335711A2; KR890015435A; US4980567A; EP0335711B1; EP0335711A3; DE68918144D1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl.
Seit kurzem ist die direkte Belichtungslithographie (direct exposure lithography) für hochintegrierte Schaltkreise (large scale integrated circuits LSI's), d. h. die Elektronenstrahl-Belichtungslithographie ohne Masken merklich weiterentwickelt worden. Diese Elektronen-Belichtungslithographie verwendet häufig einen variabel geformten Strahl, wie einen variablen rechteckigen Strahl, um den Durchsatz eines Elektronenstrahl-Belichtungssystemes zu verbessern.
Indessen wiesen mit der Entwicklung der Feinkonfiguration von LSI's Belichtungssysteme mit variabel geformten Strahlen die folgenden Nachteile auf, insbesondere bei LSI's mit 0,2 bis 0,3 um-Linierungen:
1) Es gibt eine obere Grenze bei der Stromdichte eines verfügbaren geformten Strahles.
2) Um ein LSI-Muster abzubilden, das eine große Anzahl von Aufnahmen bzw. Schüssen (shots) aufweist, muß die Anzahl der Justagen der Treiber (DAC/AMP) für eine Hauptablenkung, eine Subablenkung und eine Strahlgrößenablenkung erhöht werden, wodurch sich die verschwendete Zeit erhöht. Daher ist der variabel geformte Strahl für die Massenherstellung eines Feinmusters von 0,2 mit 0,3 um nicht ausgelegt.
3) Ein geformter Strahl von 0,2 bis 0,3 um ist zu schmal, und deshalb entspricht ein derartig geformter Strahl einem Punktstrahl, was nicht von Vorteil ist.
4) Da ein variabel geformter Strahl gebildet wird, indem man zwei Masken miteinander überlagert, wird die Dosis eines schmalen Strahles, wie beispielsweise eines 0,2 bis 0,3 um-Strahles, vergleichsweise unstabil.
Demnach wäre es wünschenswert, für ein Belichtungssystem mit einem geladenen Partikelstrahl zu sorgen, das für eine ultrafeine Konfiguration von LSI's ausgelegt ist, die eine Linierung von weniger als 0,2 bis 0,3 um aufweisen, das bei einer hohen Geschwindigkeit stabil ist und das ein hohes Ausmaß an Präzision erreicht.
Die FR-A-2 385 222 beschreibt ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl nach dem Oberbegriff der Ansprüche 1 und 9. In diesem System wird eine variable Belichtung eines Werkstückes erreicht, indem man den gleichen Bereich mehrfach belichtet, wobei man eine variable Anzahl von (bis zu acht) Aperturen für die Abtastung aufeinanderfolgend verwendet.
Die EP-A-0 191 440 beschreibt ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl, das ein Aperturarray verwendet, welches mittels planarer Technologie mit an sich bekannten lithographischen Verfahren gebildet werden kann.
Die US-A-4 130 761 beschreibt ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl, das für eine Abtastung des Strahles relativ zu dem Substrat sorgt. In der JP-A-61-42128 wird eine Vier-Pol-Linse vor einem Austastungs- bzw. Dunkeltastungsaperturarray eines Strahlbelichtungssystemes vorgesehen.
Gemäß eines ersten Aspektes der vorliegenden Erfindung wird ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl zur Projektion eines geladenen Partikelstrahles auf ein Ziel oder Target vorgesehen, das umfaßt:
ein Mittel zum Emittieren des geladenen Partikelstrahles;
ein austastendes Aperturarray zum Hindurchtretenlassen des geladenen Partikelstrahles, welches Array eine Reihe aus Austastaperturen aufweist, die jeweils Elektrodenmittel aufweisen; und
ein Elektrodentreibermittel, um die Elektrodenmittel der Austastaperturen individuell zu treiben, dadurch gekennzeichnet, daß
das Elektrodentreibermittel derartig angeordnet ist, daß es die Elektrodenmittel derart treibt, daß die Elektrodenmittel einer jeden der Austastaperturen eine individuelle EIN- Schaltverhältniszeitperiode τi (on-duty time period) aufweist, die geändert wird, so daß sie umgekehrt proportional zu der Intensität Ii eines geladenen Partikelstrahles ist, der durch diese eine der Austastaperturen hindurchtritt, wodurch τi x Ii konstant ist.
Gemäß eines zweiten Aspektes der vorliegenden Erfindung wird ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl zum Projizieren eines geladenen Partikelstrahles auf ein Target bereitgestellt, das umfaßt:
ein Mittel zum Emittieren des geladenen Partikelstrahles;
ein austastendes Aperturarray zum Hindurchtretenlassen des geladenen Partikelstrahles, wobei das Array eine Reihe aus Austastaperturen aufweist, die jeweils ein Elektrodenmittel aufweisen;
ein Elektrodentreibermittel zum individuellen Treiben der Elektrodenmittel der Austastaperturen; gekennzeichnet durch
ein Mittel zum Vermindern einer Spannung, die an die Elektrodenmittel der Austastaperturen angelegt wird, im Vergleich zu den anderen.
Gemäß eines dritten Aspektes der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Verfahren zur Herstellung eines Belichtungssystemes mit geladenem Partikelstrahl, das ein Austastaperturarray der obigen Art aufweist, die Schritte:
Vorbereiten eines Substrates;
Ausbildung einer Nut innerhalb des Substrates;
Ausbilden einer Metallschicht in der Nut;
Ausbildung einer Spalte innerhalb des Substrates und der Metallschicht, um das Austastaperturarray zu vervollständigen.
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird in einem Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl eine Reihe aus individuellen Austastaperturen vorgesehen, um
eine Reihe aus Strahlen zu bilden, die individuell ausgetastet und nicht-ausgetastet werden, indem man Spannungen an die Elektroden innerhalb der Austastaperturen anlegt.
Im folgenden wird beispielhaft auf die begleitende Zeichnung Bezug genommen, in der zeigt:
Fig. 1 ein Diagramm, in dem ein bislang vorgeschlagenes Belichtungssystem mit variabel geformtem Strahl dargestellt ist;
Fig. 2 ein Diagramm, in dem eine variabel geformte Belichtung erläutert wird;
Fig. 3 ein Diagramm, in dem eine Ausführungsform des Belichtungssystemes mit geladenem Partikelstrahl gemäß der vorliegenden Erfindung illustriert ist;
Fign. 4A und 4B Diagramme, in denen Beispiele einer Vier- Pol-Strahl-Zusammenstoßlinse dargestellt sind;
Fig. 5 ein Blockdiagramm eines Beispieles des Steuerbereiches des Systemes gemäß Fig. 3;
Fig. 6 ein Blockdiagramm des Ablenksteuerschaltkreises aus Fig. 5;
Fig. 7 ein Diagramm, in dem die Funktion des Steuerteiles aus Fig. 5 erläutert wird;
Fign. 8A, 8B und 8C graphische Darstellungen, in denen die Strahlstärke, die Strahl-EIN-Pulszeitperiode sowie die Strahldosis der Aperturen des Austastaperturarrays aus Fig. 5 dargestellt sind;
Fig. 9 ein Blockschaltkreisdiagramm des Austast-Erzeugungsschaltkreises aus Fig. 5;
Fig. 10 ein Blockdiagramm eines anderen Beispieles des Steuerteiles aus Fig. 3;
Fig. 11 ein Diagramm, das die Funktion des Steuerteiles aus Fig. 10 erläutert;
Fign. 12A und 12B Diagramme, in denen die Justage der Strahldosis in dem Steuerteil aus Fig. 10 erläutert wird;
Fig. 13 ein Diagramm, das die Justage der Strahldosis gemäß den Aufnahmen bzw. Schüssen in dem Steuerteil aus Fig. 10 erläutert;
Fig. 14A ein Blockschaltkreisdiagramm des Austast-Erzeugungsschaltkreises aus Fig. 10;
Fig. 14B ein detailliertes Blockdiagramm des Schaltverhältnis-Signalerzeugungsschaltkreises aus Fig. 14A;
Fig. 15 ein Flußdiagramm, in dem die Funktionsweise der CPU aus Fig. 10 erläutert wird;
Fig. 16 ein Blockdiagramm einer Modifizierung der Fig. 10;
Fign. 17A und 17B Diagramme, die die Probleme der Reihenstrahlbelichtung gemäß der vorliegenden Erfindung erläutern;
Fign. 18A und 18B Diagramme, die die Verbesserung der Fign. 17A und 17B erläutern;
Fig. 19 ein Diagramm, das ein Beispiel für die Spannungen erläutert, die an die Aperturen aus Fig. 3 angelegt werden;
Fig. 20 ein Blockdiagramm einer Modifizierung der Fig. 14;
Fig. 21 eine perspektivische Ansicht des vollständigen Austastaperturarrays aus Fig. 3;
Fign. 22A bis 22G Querschnittansichten, die die Herstellung des Austastaperturarrays aus Fig. 21 erläutern;
Fign. 23A bis 23G Draufsichten, die die Herstellung des Austastaperturarrays aus Fig. 21 erläutern; und
Fign. 24A bis 24G Draufsichten auf Modifizierungen des Austastaperturarrays aus Fig. 21.
Vor der Beschreibung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein zuvor vorgeschlagenes Belichtungssystem mit variabel geformtem Strahl unter Bezugnahme auf die Fign. 1 und 2 erläutert. In Fig. 1 ist ein zuvor vorgeschlagenes Belichtungssystem mit variabel geformtem Strahl illustriert, wobei dieses System aus einer Elektronenkanone 1 besteht sowie aus zwei Spalten 2 und 3, die eine rechteckige Apertur aufweisen, aus Strahlgrößen-Ablenkungselektroden 4, zur Ablenkung eines Elektronenstrahles derart, daß der Querschnitt eines rechteckigen Strahles geändert wird, aus einer Hauptablenkungslinse (Spulen) 5 sowie aus einer Subablenkungslinse (Elektroden) 6, wodurch ein willkürlicher rechteckiger Strahl auf ein Target, wie einen Wafer aufgebracht wird, der auf einer Stückbasis 7 befestigt ist. Ein Steuerteil CONT1 zum Steuern der oben erwähnten Elemente besteht aus einer Zentraleinheit (CPU) 10, einer Magnetplatte 11 zum Speichern von Daten, einem magnetischen Band 12 zum Speichern von Daten, einer Schnittstelle 13, einem Datenspeicher 14, einem Muster-Erzeugungsschaltkreis (Belichtungs- bzw. Schußzerlegung) 15 sowie einem Muster- Korrekturschaltkreis 16 für die notwendigen Korrekturen. Der Steuerteil besteht weiterhin aus Treibern (DAC/AMP) 17, 18 und 19 zum Treiben der Strahlgrößen-Ablenkungselektroden 4, der Hauptablenkungsspulen 5 sowie der Subablenkungselektroden 6, und einem Stufensteuerschaltkreis 21 zum Steuern eines Motors 20, der die Stückbasis 7 bewegt.
D. h., daß bei einer Belichtung mit variabel geformtem Strahl wie in Fig. 2 illustriert, ein Datum von der Magnetplatte 11 oder dem Magnetband 12 zu dem Datenspeicher 14 übertragen wird, das dem gesamten Bereich eines Hauptfeldes entspricht. Dieses Hauptfeld wird in eine Mehrzahl von Subfeldern unterteilt, und jedes Subfeld wird weiter in eine Mehrzahl von Schüssen bzw. Aufnahmen (rechteckigen Mustern) aufgeteilt. In diesem Fall wird die Bewegung eines Elektrodenstrahles zwischen den Subfeldern innerhalb eines Hauptfeldes mittels den Hauptablenkungsspulen 5 durchgeführt, die Bewegung eines Elektronenstrahles zwischen den rechteckigen Mustern innerhalb eines Subfeldes durch die Subablenkungselektroden 6 und die Justage der Größe bzw. Stärke eines rechteckigen Musters wird durch die Strahlgrößen-Ablenkungselektrode 4 durchgeführt.
Das Belichtungssystem mit variabel geformtem Strahl aus Fig. 1 weist indessen die oben erwähnten Probleme auf.
In Fig. 3, die eine Ausführungsform der Belichtungsvorrichtung mit geladenem Partikelstrahl gemäß der vorliegenden Erfindung illustriert, bezeichnet ein Bezugszeichen 30 eine Elektronenkanone, die durch eine Kathode 31, ein Gitter 32 und eine Anode 33 gebildet wird. Ein von der Kathode 31 erzeugter Strahl bildet einen Bündelknoten zwischen dem Gitter 32 und der Anode 33. Dieser Bündelknoten wird mittels einer Bündelknoten-Vergrößerungslinse 34 vergrößert, die eine Vier-Pol-Strahl-Zusammenstoßlinse 35, eine begrenzende Apertur 36 und eine Ausrichtspule 37 umfaßt. Die Vier-Pol- Strahl-Zusammenstoßlinse 35 umfaßt eine magnetische Linse, die in Fig. 4A dargestellt ist, oder eine elektrostatische Linse, die in Fig. 4B dargestellt ist. Als ein Ergebnis hiervon wird ein zusammenstoßendes Bündelknotenbild 38 bei dem Austastaperturarray 39 gebildet. Es wird darauf hingewiesen, daß die Vier-Pol-Strahl-Zusammenstoßlinse (4- pole beam smashing lens) 35 dann nicht notwendig ist, wenn die Elektronenkanone 30 für sich genommen einen zusammenstoßenden Bündelknotenstrahl erzeugt.
In dem Austastaperturarray 39 ist eine Reihe (line) bzw. Linie aus 256 Austastaperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub2;&sub5; vorgesehen, die ein Quadrat von 5 um aufweisen. D. h., daß die Austastaperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub2;&sub5; eine sog. Harmonikaform bilden. Beispielsweise wird das Austastaperturarray 39 aus monokristallinem Silizium hergestellt. D. h., daß eine Grabenätzung auf dem monokristallinen Silizium durchgeführt wird, um Aperturen zu erhalten, und dann werden Elektroden an den inneren Wänden ausgebildet, was im folgenden detaillierter erläutert werden wird. Weiterhin ist das Austastaperturarray 39 mit einer konvergierenden Linse 40 ausgestattet. Es wird darauf hingewiesen, daß zwei Reihen aus Austastaperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub2;&sub5; gleichfalls vorgesehen werden können.
Wenn keine Spannung an die Elektroden einer Austastapertur angelegt wird, wie beispielsweise an die 39&sub0;, dann tritt ein Strahl, der durch einen Teil des zusammenstoßenden Bündelknotenbildstrahles gebildet wird, gerade durch die Austastapertur 39&sub0; hindurch. In diesem Fall wird ein derartiger Strahl als ein EIN-Strahl 40a bezeichnet. Im Gegensatz hierzu tritt, wenn eine Spannung an die Elektroden der Austastapertur 39&sub0; angelegt wird, der zuvor erwähnte Strahl schräg durch die Austastapertur 39&sub0; hindurch. In diesem Fall wird dieser Strahl als ein AUS-Strahl 40b bezeichnet.
Das Bezugszeichen 41 bezeichnet einen großen Austaster, der all die einzelnen Strahlen EIN- und AUSschaltet, die durch die Austastaperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub2;&sub5; hindurchgetreten sind. Dies bedeutet, daß wenn der große Austaster 41 AUSgeschaltet ist, der EIN-Strahl 40a durch die verkleinernde Linse 42 hindurchtritt, und gleichfalls durch eine Austastapertur 43, während der AUS-Strahl 40b durch die verkleinernde Linse 42 hindurchtritt, jedoch nicht durch die Austastapertur 43. Im Gegensatz hierzu werden, wenn der große Austaster 41 EINgeschaltet wird, alle einzelnen Strahlen, und zwar einschließlich der EIN-Strahlen und der AUS-Strahlen durch die Austastapertur 43 gestoppt.
Die Strahlen, die durch die Austastapertur 43 hindurchgetreten sind, treten durch eine verkleinernde Linse 44 und eine Linse 50 vom Versenkungstyp hindurch und bilden ein um 1/100 verkleinertes Bild des Austastaperturarrays 39 auf einem Wafer 53. Der Wafer 53 wird mittels Ansaugung von einem elektrostatischen Futter 52 auf einer sich kontinuierlich bewegenden Stufe 51 gehalten.
In der verkleinernden Linse 40 wird eine refokussierende Spule 45 vorgesehen. An die refokussierende Spule 45 wird ein Refokussierstrom angelegt, der von der Anzahl der EIN- Strahlen durch das Austastaperturarray 39 abhängt, um die Verschmierung der EIN-Strahlen infolge der Coulomb-Wechselwirkung zu korrigieren, wodurch sich die Schärfe der EIN- Strahlen verbessern läßt.
Das Bezugszeichen 46 bezeichnet einen Querabtastungs-Deflektor, der einen Strahl in einer Richtung abtastend führt, die senkrecht zu der Richtung der Bewegung der sich kontinuierlich bewegenden Stufe 51 ist. Gleichfalls korrigiert eine dynamische Fokusspule 47 und eine dynamische stigmatische Spule 48 die Verzerrung der Ablenkung eines Strahles bezüglich der Querabtastrichtung. D. h., daß die dynamische Fokusspule 47 und die dynamische stigmatische Spule 48 notwendig sind, wenn die Ablenkung des Strahles erhöht wird und der Strahl weit von der optischen Achse entfernt ist.
Das Bezugszeichen 49 bezeichnet einen 8-Polablenker, der die Ablenkungsverzerrung korrigiert und der eine Rückkopplung der kontinuierlichen Bewegung der Stufe 51 durchführt sowie ihre Geschwindigkeit korrigiert.
Die sich kontinuierlich bewegende Stufe 51 ist mit der Linse 50 vom Versenkungstyp ausgestattet, um die Auflösung des Strahles zu verbessern.
In Fig. 5, die einen Steuerbereich CONT2 illustriert, um die Hauptelemente der Fig. 3 zu steuern, sind die Elemente, die denen aus der Fig. 3 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet. D. h., daß anstelle des Muster-Erzeugungsschaltkreises 15, des Muster-Korrekturschaltkreises 16 und der Treiber (DAC/AMP) 17, 18 und 19 aus Fig. 3 ein Bitkartenerzeugungsschaltkreis 61, ein Austast-Erzeugungsschaltkreis 62, eine Sequenzregeleinrichtung 63, ein Austast-Steuerschaltkreis 64, ein Ablenkungssteuerungsschaltkreis 65, Treiber (DAC/AMP) 66 und 67 sowie ein Laserinterferometer 68 vorgesehen wird.
Der Bitkarten-Erzeugungsschaltkreis 61 liest Informationen (256 Bits) für eine Reihe der Strahlen aus dem Datenspeicher 14 und überträgt sie zu dem Austast-Erzeugungsschaltkreis 62. Als ein Ergebnis hiervon werden die Elektroden der Aperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub5;&sub5; des Austastaperturarrays 39 unabhängig EIN- und AUSgeschaltet. Es wird darauf hingewiesen, daß die Stärken Ii der Strahlen, die durch eine jede der Aperturen hindurchtreten, sich voneinander unterscheiden, und daß sie von ihrem Ort abhängen und daß daher die EIN-Dauern τ&sub0;, τ&sub1;, ... und τ&sub2;&sub5;&sub5;, die von den Aperturen 39&sub0;, 39&sub1;, ..., 39&sub2;&sub5;&sub5; abhängig sind, jeweils in den Schaltkreisen 62&sub0;, 62&sub1;, ..., 62&sub2;&sub5;&sub5; gesetzt werden, die später erläutert werden.
Der Austast-Steuerschaltkreis 64 initiiert die Schaltkreise 62&sub0;, 62&sub1;, ..., 62&sub2;&sub5;&sub5; des Austast-Erzeugungsschaltkreises 62 zu Zeitpunkten, die in Übereinstimmung mit den Anzeigesignalen des Sequenzkontrollers 63 sind.
Der Ablenkungssteuerschaltkreis 65 treibt den Querabtastdeflektor 46, indem der Treiber 66 in Übereinstimmung mit einer Querkoordinate einer Linienstrahlinformation verwendet wird, die von dem Bitkarten-Erzeugungsschaltkreis 61 erzeugt worden ist. Gleichfalls wird in diesem Fall die Stufe 51 kontinuierlich durch den Stufensteuerschaltkreis 21 bewegt. Daher ist es notwendig, die Rückkopplungsregelung des Ortes einer Reihe von Strahlen infolge der kontinuierlichen Bewegung der Stufe 51 durchzuführen. Für diesen Zweck treibt der Ablenkungssteuerschaltkreis 65 den 8-Polablenker 49 derart, daß ein Unterschied zwischen dem Ort der Stufe 51, der von dem Laserinterferometer 68 detektiert worden ist, und einem Zielort zu Null wird. D. h., daß, wie in Fig. 6 illustriert, der Ablenkungssteuerschaltkreis 65 ein Register 651 umfaßt, zum Speichern des ausgewählten Ortes (X, Y) von der Sequenzregeleinrichtung 63, sowie einen Differenzrechner 652 zum Errechnen einer Differenz zwischen der Ortsinformation (X', Y') von dem Laserinterferometer 68 und dem Register 651, wodurch der 8-Polablenker 49 gesteuert wird. Daher wird die Rückkopplung eines Fehlers der Stufe 51 mit einer hohen Geschwindigkeit durchgeführt. Es wird darauf hingewiesen, daß der 8-Polablenker 49 tatsächlich einen zweidimensionalen Ort einer Reihe aus Strahlen justiert, daß aber in den Fign. 5 und 6 nur ein eindimensionaler Ort aus Gründen der Vereinfachung der Darstellung illustriert ist.
Die Funktion des Steuerungsteiles CONT2 aus Fig. 5 wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 7 erläutert, in der eine Reihe aus Strahlen LB entlang einer Richtung X bewegt wird, die senkrecht zur Bewegungsrichtung Y der Stufe 51 ist. Die Elektroden der Austastaperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub5;&sub5; werden individuell EIN- und AUSgeschaltet. Für Schüsse A und B, die in Fig. 7 zu belichten sind, werden Austastspannungen a-a', b-b', c-c' und d-d' an die Elektroden des Austastaperturarrays 39 angelegt. Es wird darauf hingewiesen, daß wenn, wie zuvor erläutert, eine Austastspannung an die Elektroden einer Austastapertur angelegt wird, ein Strahl, der durch sie hindurchgetreten ist, ein AUS-Strahl ist und wenn eine Austastspannung an die Elektroden einer Austastapertur nicht angelegt wird, ein durch sie hindurchtretender Strahl ein EIN-Strahl ist.
Der Austast-Erzeugungsschaltkreis 62 wird nun unter Bezugnahme auf die Fig. 8A, 8B, 8C und 9 beschrieben.
Demnach stößt ein Bündelknotenstrahl in einer kritischen Belichtung zusammen, wobei indessen die Strahlstärken I&sub0;, I&sub1;, ..., I&sub2;&sub5;&sub5; bei den Aperturen (Zellen) 39&sub0; bis 39&sub2;&sub5;&sub5; des Austastaperturarrays 39 eine Einheitlichkeit von lediglich 80 bis 90% aufweisen, wie Fig. 8A illustriert. Für diesen Zweck sind, wie Fig. 8B illustriert, die Dauern der Strahl-EIN-Pulse τ&sub0;, τ&sub1;, ..., τ&sub2;&sub5;&sub5; jeweils invers proportional zu den Intensitäten I&sub0;, I&sub1;, ..., I&sub2;&sub5;&sub5; aus Fig. 8A. D. h., daß
τi x Ii = konstant.
Als ein Ergebnis hiervon wird die Dosis eines jeden einer Reihe von Strahlen so bestimmt, wie in Fig. 8C illustriert. Für diesen Zweck wird ein jeder der Schaltkreise 62i des Austast-Erzeugungsschaltkreises 62 so konstruiert, wie in Fig. 9 illustriert.
In Fig. 9 bezeichnet das Bezugszeichen 621 ein Register zum Speichern der Dauer τi eines Strahl-EIN-Pulses; 622 einen Runterzähler, 623 einen UND-Schaltkreis, 624 ein Flip-Flop und 625 einen Treiber. D. h., daß wenn Daten von dem Bitkarten-Erzeugungsschaltkreis 61 gleich "1" sind und ein Triggerpuls von dem Austast-Steuerschaltkreis 64 angelegt wird, das Flip-Flop 624 so gesetzt wird, daß der Ausgangspuls am Anschluß fällt, um die Elektroden der entsprechenden Austastapertur 39i außer Funktion zu setzen. Simultan setzt der Triggerpuls von dem Austast-Steuerschaltkreis 64 den Wert τi des Registers 621 in dem Runterzähler 622. Der Runterzähler 622 zählt ein Hochgeschwindigkeitstaktsignal CLK und vermindert seinen Wert.
Wenn der Wert des Runterzählers 622 Null erreicht oder, anders ausgedrückt, wenn eine τi entsprechende Zeit verstrichen ist, dann erzeugt der Runterzähler 622 ein Ausleihsignal, das als ein Resetsignal für das Flip-Flop 624 dient. Als ein Ergebnis hiervon wird das Flip-Flop 624 zurückgesetzt und die Elektroden der Austastapertur 39i werden EINgeschaltet. Selbstverständlich wird, wenn die Daten von dem Bitkarten-Erzeugungsschaltkreis 61 "0" sind, das Flip- Flop 624 nicht gesetzt, und demgemäß wird ein Treiberpuls τi (negativer Puls) nicht erzeugt.
Daher erzeugt ein jeder der Schaltkreise 62i einen Treiberpuls einer bestimmten Spannung, so wie beispielsweise 5 V, der eine Zeitperiode aufweist, die τi entspricht, wobei diese zuvor in Übereinstimmung mit den Daten von dem Bitkarten-Erzeugungsschaltkreis 61 bestimmt worden ist. Es wird darauf hingewiesen, daß der Wert τi des Registers 621 im voraus gesetzt werden kann, oder er kann mittels der CPU als verursachende Forderung geändert werden.
In dem zuvor erwähnten System gemäß der Fig. 3, das den Steuerteil CONT2 aus Fig. 5 verwendet, kann indessen ein Problem infolge des Nachbarschaftseffektes auftreten, wenn ein ultrafeines Muster abgebildet wird. Hier tritt der Nachbarschaftseffekt auf, wenn ein anderes Muster in sehr geringer Nähe zu einem Belichtungsmuster belichtet wird und die zwei Belichtungsmuster sich untereinander beeinflussen, um die effektive Empfindlichkeit der Abdeckung zu erhöhen, wodurch die Größe der Muster vergrößert wird. Im allgemeinen wird dieser Nachbarschaftseffekt vermieden, indem man eine geeignete Belichtungsdosis für die Belichtungsschüsse auswählt, oder indem man die Größe der Muster wie folgt korrigiert:
1) Für jeden geformten Belichtungsschuß (Muster) wird eine Belichtungsdosis in Übereinstimmung mit einer ausgewählten verbleibenden Filmrate einer Nega-Abdeckung (negaresist) bestimmt, oder eine Belichtungsdosis wird bestimmt, um eine senkrechte Querschnittsform einer Posi-Abdeckung (posiresist) zu erhalten. Dies wird als ein Belichtungsdosis-Korrekturverfahren bezeichnet.
2) Wenn Elektronen in der Abdeckung bewegt werden, werden sie infolge der Wechselwirkung mit seinen Atomen gestreut, um das Orbit der Elektronen zu verbreitern. Gleichfalls verbreitert sich das Orbit der Elektronen infolge der großen Masse des Substrates. Weiterhin wird die Größe des Musters durch die Elektronen verbreitert, die von dem Substrat reflektiert werden. Um dies zu verhindern, wird die tatsächliche Belichtungsgröße im Vergleich zur Designgröße vermindert. Dies wird als Selbstverschiebung einer Mustergröße bezeichnet.
3) Wenn zwei oder mehr Belichtungsschüsse sehr nahe zu einander sind, wird eine Belichtung für einen Belichtungsschuß mit einer Belichtung für einen anderen Belichtungsschuß infolge der Reflexion der Elektronen überlagert. Als ein Ergebnis hiervon kann die tatsächliche Belichtungsgröße sich vergrößern und ein Auflösungsfehler kann zwischen zwei oder mehr Schüssen auftreten. Um dies zu vermeiden, wird die tatsächliche Belichtungsgröße gleichfalls vermindert, und zwar verglichen mit der Designgröße. Dies wird als eine gemeinsame Verschiebung einer Mustergröße bezeichnet.
4) Zwischen einer Mehrzahl von rechteckigen Schüssen, die miteinander verbunden sind, wird die Belichtung infolge der Verminderung der Temperatur verkürzt. Um dies zu vermeiden, wird eine doppelte Belichtung durchgeführt. Dies wird als eine Größenausdehnungskorrektur bezeichnet.
Es wird darauf hingewiesen, daß in einem vergleichsweise großen Belichtungsschuß eine Korrektur lediglich durch die oben erwähnte Größenverschiebung durchgeführt wird, daß aber in dem Fall, in dem die Mustergröße ultrafein wird, eine derartige Korrektur durch die Größenverschiebung nicht ausreicht.
Nebenbei erwähnt wird in einem variablen rechteckigen Strahlsystem nach dem Stand der Technik, da der Strahl bei einem Wafer stationär ist, die Zeitperiode eines stationären Strahls verändert, um seine Belichtungsdosis leicht zu kontrollieren. Als ein Ergebnis hiervon wird die Strahlgröße mittels dem Ablenker justiert, wodurch der Belichtungsbereich auf dem Wafer justiert wird. In dem zuvor erwähnten System gemäß den Fign. 5 und 7 kann indessen, da der Strahl, der die Rasterabtastung verwendet, nicht stationär ist, die Belichtungsdosis nicht mit dem zuvor erwähnten allgemeinen Verfahren justiert werden.
Um die Belichtungsdosis leicht zu justieren, wird der Steuerbereich CONT2 aus Fig. 5 derart modifiziert, wie in Fig. 10 dargestellt. Im Steuerteil CONT3 der Fig. 10 sind der Austast-Erzeugungsschaltkreis 62 und der Austaststeuer- Schaltkreis 64 modifiziert, wie durch die Bezugszeichen 62' und 64' angedeutet. Der Betrieb des Steuerteiles CONT3 wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Fig. 11 erläutert, die der Fig. 7 ähnlich ist. D. h., daß das Schaltverhältnis (duty ratio) eines EIN-Strahlsignales eines Austastsignales in Übereinstimmung mit der Größe bzw. Stärke eines Belichtungsschusses gesteuert wird. Beispielsweise wird in einem großen Belichtungsbereich, der einen Schuß A aufweist, das Schaltverhältnis eines EIN-Strahlsignales klein, während in einem kleinen Belichtungsbereich, der einen Schuß B aufweist, das Schaltverhältnis eines EIN-Strahlsignales groß wird (in Fig. 11 100%). Genauer gesagt wird, wenn ein Austastsignal, das ein EIN-Schaltverhältnis von 100% bei einer eindeutigen Ablenkungsgeschwindigkeit aufweist, für einen Schuß angelegt wird, wie in Fig. 12A illustriert, eine maximale Belichtungsdosis erhalten. Demgegenüber wird, wenn das EIN-Schaltverhältnis des Austastsignales bei der gleichen Ablenkungsgeschwindigkeit vermindett wird, wie in Fig. 12B illustriert, eine verminderte Belichtungsdosis erhalten. In diesem Fall wird das EIN-Schaltverhältnis eines Austastsignales für jedes Element einer Reihe aus Strahlen in Übereinstimmung mit der Fläche eines Schusses geändert. Beispielsweise wird, wie in Fig. 13 dargestellt, das EIN- Schaltverhältnis für einen großen Schuß A 60% und das EIN- Schaltverhältnis für einen kleinen Schuß 100%, wodurch der Nachbarschaftseffekt entfernt wird. Es wird darauf hingewiesen, daß die kleinere Wiederholungsperiode eines Schaltverhältnisses die feinere Belichtungsdosis erzeugt. Demnach wird die Justage einer Belichtungsmenge durchgeführt, ohne dabei die Ablenkungsgeschwindigkeit zu ändern.
Weiterhin werden die EIN-Schaltverhältnisse DR eines jeden Elementes einer Reihe von Strahlen im voraus berechnet und in dem Datenspeicher 14 gespeichert. Darauf basierend überträgt der Bitkarten-Erzeugungsschaltkreis 61 EIN-Schaltverhältnisdaten DR zu der Sequenzregeleinrichtung 63. Als ein Ergebnis hiervon überträgt der Austast-Steuerschaltkreis 64' Schaltverhältnisdaten DR an die Schaltkreise 62&sub0;', 62&sub1;', ..., 62&sub2;&sub5;&sub5;'. Ein jeder der Schaltkreise 62&sub0;', 62&sub1;', ... und 62&sub2;&sub5;&sub5;' ist in Fig. 14 illustriert.
In Fig. 14A ist ein Schaltverhältnis-Signalerzeugungsschaltkreis 626 und ein NICHT-UND-Schaltkreis 627 den Elementen aus Fig. 9 hinzugefügt worden. Gleichfalls besteht, wie in Fig. 14B illustriert, der Schaltverhältnis-Signalerzeugungsschaltkreis 626 aus einem Register 6261, einem Runterzähler 6262 und einem Flip-Flop 6263. Dies bedeutet, daß Schaltverhältnisdaten DR in dem Register 6261 durch den Austast-Steuerschaltkreis 64' gesetzt werden. Wenn ein Triggerpulstaktsignal CLK1, das eine vergleichsweise niedrige eindeutige Frequenz aufweist, an das Flip-Flop 6263 angelegt wird, dann wird das Flip-Flop 6263 gesetzt, so daß sein Ausgang " ", zu "0" wird. Hierzu simultan setzt das Triggerpulstaktsignal CLK1 die Schaltverhältnisdaten DR aus dem Register 6261 in den Runterzähler 6262. Der Runterzähler 6262 zählt ein Hochgeschwindigkeitstaktsignal CLK2 und vermindert seinen Wert. Wenn der Wert des Runterzählers 6262 0 erreicht, d. h. wenn eine Zeit verstrichen ist, die DR entspricht, dann erzeugt der Zähler 6262 ein Ausleihsignal, das als ein Resetsignal dient. Als ein Ergebnis hiervon wird das Flip-Flop 6263 zurückgesetzt. Demnach erzeugt das Flip-Flop 6263 ein Schaltverhältnissignal, das ein Schaltverhältnis DR aufweist.
Unter erneuter Zuwendung auf die Fig. 14A werden der Ausgang Q des Flip-Flops 624 und das Schaltverhältnissignal des Schaltverhältnis-Signalerzeugungsschaltkreises 626 an den NICHT-UND-Schaltkreis 627 angelegt und weiterhin wird der Ausgang des NICHT-UND-Schaltkreises 627 an den Treiber 625 angelegt. Als ein Ergebnis hiervon erzeugt der Treiber 625 ein Signal, das einen AUS-Pegel (5 V) und einen EIN-Pegel (0 V) aufweist, das gleichfalls ein Schaltverhältnis von DR aufweist, wie in Fig. 14A illustriert.
Die Berechnung des Schaltverhältnisses DR wird nun durch die in Fig. 15 illustrierte Routine erläutert. D. h., daß in einem Schritt 1501 die CPU 10 verschiedene Korrekturen eines jeden Musters (Schusses) durchführt, wie beispielsweise eine Selbstverschiebung einer Mustergröße, eine gemeinsame Verschiebung einer Mustergröße, eine Größenausdehnungskorrektur oder ähnliches, wie zuvor erläutert worden ist, um Bitkartendaten zu erstellen. Dann korrigiert in einem Schritt 1502 die CPU 10 die Belichtungsdosis Ni für jedes Element (i = 0, 1, 2, ...). In diesem Fall berechnet, wie zuvor erläutert, die CPU 10 eine Fläche eines Schusses, zu dem jedes Element gehört, und sie errechnet einen Korrekturwert ΔNi in Übereinstimmung mit der Fläche. Selbstverständlich können andere Korrekturen eingeführt werden, je nachdem, ob es die Umstände erfordern.
Dann errechnet die CPU 10 in einem Schritt 1503 ein Schaltverhältnis DR für jedes Element, und zwar gemäß:
Dann korrigiert die CPU 10 in dem Schritt 1504 die Basisbelichtungsdosis Ni durch
Ni E Ni - ΔN&sub1;
In einem Schritt 1505 speichert die CPU 10 Abbildungsinformationen in dem Datenspeicher 14, wie im folgenden angedeutet. Bitkartendaten Dosis Schaltverhältnis
Damit ist die Routine gemäß Fig. 15 vervollständigt.
Es wird darauf hingewiesen, daß das Schaltverhältnis DR durch die in Fig. 16 illustrierte Hardware errechnet werden kann. Für diesen Zweck wird ein Größenvergleichsschaltkreis 1601 und ein Dosiskorrektur-Berechnungsschaltkreis 1602 zu den Elementen aus Fig. 10 hinzugefügt. D. h., daß der Größenvergleichsschaltkreis 1601 eine Mustergröße eines jeden Elementes mit einem vorher bestimmten Wert vergleicht. Bei Empfang des Ausganges des Größenvergleichsschaltkreises 1601, der die Mustergröße eines jeden Elementes zeigt, errechnet der Dosiskorrektur-Berechnungsschaltkreis 1602 einen Korrekturwert ΔNi in Übereinstimmung mit der Mustergröße eines jeden Elementes und überträgt ihn über die Sequenzregeleinrichtung 63 zu dem Austast-Steuerschaltkreis 64'. Als ein Ergebnis hiervon errechnet der Austast-Steuerschaltkreis 64' ein Schaltverhältnis DR in Übereinstimmung mit dem Korrekturwert ΔNi.
In Fig. 17A wird eine Spannung von 5 V an die Elektroden von drei aufeinanderfolgenden Austastaperturen E&sub1;, E&sub2; und E&sub3; angelegt, und als ein Ergebnis hiervon erscheinen Äquipotentiallinien, und demgemäß erscheinen Reihen einer elektrischen Kraft senkrecht zu ihnen, wie durch die Pfeile F&sub1; angedeutet. Als ein Ergebnis hiervon wird, wie in Fig. 17B illustriert, eine AUS-Strahlfläche erhöht, während EIN- Strahlflächen verringert werden, und zwar infolge der starken elektrischen Kraft an den äußeren Seiten der AUS- Strahlfläche. Auch dies vermindert die Größe eines Belichtungsmusters.
Im Gegensatz hierzu wird in Fig. 18A eine Spannung von 5 V an die Elektroden der Steueraustastapertur E&sub2; angelegt, und eine Spannung von 2,5 V wird an die Elektroden der äußeren Seiten-Austastaperturen E&sub1; und E&sub3; angelegt, und als ein Ergebnis hiervon erscheinen Äquipotentiallinien, und demgemäß werden die Reihen der elektrischen Kraft senkrecht zu ihnen an den äußeren Seiten der Austastapertur E&sub2; geschwächt, wie durch die Pfeile F&sub2; angedeutet. Als ein Ergebnis hiervon wird, wie in Fig. 18B illustriert, eine AUS-Strahlfläche vermindert, während die EIN-Strahlflächen vergrößert werden. Dies ist für die Verbesserung der Genauigkeit eines Belichtungsmusters hilfreich.
Allgemeiner ausgedrückt wird, wie in Fig. 19 illustriert, in einer AUS-Strahlfläche eine Spannung von "V/2" (= 2,5 V) an die Elektroden der Austastaperturen an ihren äußeren Seiten angelegt, und eine Spannung von V" (= 5 V) wird an die Elektroden der anderen Austastaperturen angelegt. Demgegenüber wird in einer EIN-Strahlfläche keine Spannung an die Elektroden der Austastaperturen angelegt. Um dies zu erreichen, werden V/2 Kartendaten, wie sie in Fig. 19 illustriert sind, aus den Bitkartendaten errechnet. Z. B.:
Ai E (Bi-1 Bi) + (Bi Bi+1),
wobei Ai das i-te V/2 Kartendatum;
Bi das i-te Bitkartendatum;
ein logisches "exklusives ODER"; und
+ ein logisches "ODER" ist.
Diese Berechnung kann unter Verwendung von geeigneten logischen Schaltkreisen leicht durchgeführt werden.
Es wird darauf hingewiesen, daß das oben erwähnte V/2 Kartendatum gleichfalls in dem Bitkartenspeicher 61 gespeichert werden kann. In diesem Fall wird der Schaltkreis 62i' aus Fig. 14A derart modifiziert, wie in Fig. 20 dargestellt. D. h., daß in Fig. 20 ein Schalterschaltkreis 628 zu den Elementen aus Fig. 14A hinzugefügt worden ist. Der Schalterschaltkreis 628 wird in Übereinstimmung mit dem V/2 Kartendatum gesteuert. Wenn das V/2 Kartendatum "0" ist, legt der Schalterschaltkreis 628 +5 V an den Treiber 625 an, während in dem Fall, in dem das V/2 Kartendatum "1" ist, der Schalterschaltkreis 628 +2,5 V an den Treiber 625 anlegt.
Es wird darauf hingewiesen, daß die zwei Arten von Spannungen +5 V und +2,5 V, die an den Schalterschaltkreis 628 angelegt werden, auch andere Spannungen sein können.
Das Austastaperturarray 39 wird nun im folgenden unter Bezugnahme auf Fig. 21 beschrieben. In Fig. 21 bezeichnet das Bezugszeichen 71 ein isolierendes Substrat, in dem das Austastaperturarray 39 bereitgestellt wird. Externe Anschlüsse 72a und 72b werden an der Peripherie des isolierenden Substrates vorgesehen, und sie sind mittels Verbindungsdrähten 73 mit dem Austastaperturarray 39 verbunden. Eine Spalte für die Austastaperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub5;&sub5; des Austasteraperturarrays 39 weist eine Länge von ungefähr 480 um auf, sowie eine Breite von ungefähr 10 um.
Die Herstellungsschritte des Austastaperturarrays 39 werden unter Bezugnahme auf die Fign. 22A bis 22G und die Fign. 23A bis 23G erklärt, die jeweils Draufsichten auf die Fign. 22A bis 22G darstellen.
Zunächst werden, wie in den Fign. 22A und 23A illustriert, Nuten 102 mittels des reaktiven Ionenätzungsverfahrens (Reactive Ion Etching = RIE) in einem Substrat 101 ausgebildet, das beispielsweise aus monokristallinem Silizium hergestellt ist.
Wie in den Fign. 22B und 23B illustriert, wird eine Siliziumdioxid(SiO&sub2;)-Schicht 103 auf dem Substrat 101 durch das thermische Oxidationsverfahren oder das chemische Verdampfungsabscheidungsverfahren (Chemical Vapor Deposition = CVD) ausgebildet. Wie in den Fign. 22C und 23C illustriert, wird Wolfram (W) auf die SiO&sub2;-Schicht 103 mittels eines Zerstäubungsverfahrens abgeschieden, wobei dann anschließend lediglich sein unnötiger Teil selektiv durch das RIE-Verfahren entfernt wird. Als ein Ergebnis hiervon wird die Wolframschicht 104 lediglich innerhalb der Nuten 102 ausgebildet. Es wird darauf hingewiesen, daß die Wolfram(W)-Schicht 104 als Elektrode für die Austastaperturen 39&sub0; bis 39&sub2;&sub5;&sub5; dient.
Daran anschließend wird, wie in den Fign. 22D und 23D illustriert, Aluminium (Al) über die gesamte Oberfläche der Einrichtung hinweg mittels des Zerstäubungsverfahrens abgeschieden. Dann wird eine Musterung der Al-Schicht durchgeführt, um Verbindungsschichten 105 zu erhalten.
Daran anschließend wird, wie in Fign. 22E und 23E illustriert, eine SiO&sub2;-Schicht 106 durch das CVD-Verfahren auf der gesamten Einrichtung abgeschieden, und dann wird eine Al-Schicht 107 darauf mittels dem Zerstäubungsverfahren abgeschieden. In diesem Fall werden die Kontaktteile (nicht dargestellt) durch eine geeignete Ätzung auf der SiO&sub2;- Schicht 106 und der Al-Schicht 107 gebildet, und zwar für die Verbindungen der Verbindungsdrähte 73 (Fig. 21). Es wird darauf hingewiesen, daß die Al-Schicht 107 die Einrichtung davor bewahrt, durch Elektronen aufgeladen zu werden.
Daran anschließend wird, wie in den Fign. 22F und 23F dargestellt, eine Nut 108 mit Hilfe des RIE-Verfahrens innerhalb des Substrates 101, der SiO&sub2;-Schicht 102, der W- Schicht 104, der SiO&sub2;-Schicht 106 und der Al-Schicht 107 ausgebildet. In diesem Fall wird die W-Schicht 104 in zwei Teile 104A und 104B geteilt, die als Austastelektroden dienen.
Daran anschließend wird die hintere Fläche des Substrates 101 durch das RIE-Verfahren geätzt, wodurch eine Elektrodendurchtrittsöffnung 109 entsteht.
Auf diese Weise wird das Austastaperturarray 39 vervollständigt.
Gemäß den Fign. 22A bis 22G und 23A bis 23G kann das Substrat 101 auch aus einem isolierenden Material hergestellt werden; in diesem Fall wird die isolierende Schicht 103 weggelassen. Gleichfalls können die Schichten 104 und 105 aus einer einzelnen Schicht aufgebaut werden.
Die Fig. 24A entspricht der Fig. 23G und die Fign. 24B bis 24G sind Modifikationen der Fig. 24A. D. h., daß in den Fign. 24B bis 24D die Elektroden 104A individuell für jede Apertur gebildet werden, während die Elektrode 104B für alle Aperturen gemeinsam gebildet wird. Weiterhin werden in den Fign. 24E und 24F beide Elektroden 104A und 104B individuell für jede Apertur gebildet. Darüberhinaus sind in Fig. 24G die tatsächlichen Aperturen 108&sub1;, 108&sub2;, ... getrennt voneinander.
Durch die oben erwähnte Konfiguration werden 256 Strahlen mit 0,1 um² auf einer Abdeckung bei einer Stromdichte von 200 A/m² und einer Empfindlichkeit von 5 uC/cm² für eine Schußperiode von 25 ns belichtet, und eine Abtastf läche mit einer Breite von 2 mm (40 MHZ) wird kontinuierlich mit einer Geschwindigkeit von 50 mm/s bewegt, wodurch sich eine Belichtungsgeschwindigkeit von 1 cm²/s ergibt.
Wie zuvor erläutert, kann gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auch bei einer Abbildung für einen feinstrukturierten LSI, so wie beispielsweise einen LSI mit 0,2 bis 0,3 um Linierung, eine stabile Belichtung mit einer hohen Geschwindigkeit durchgeführt werden, sowie einem hohen Maß an Genauigkeit.

Claims

1. Ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl zum Projizieren eines geladenen Partikelstrahles auf ein Target (53) mit: einem Mittel (30) zum Emittieren des genannten geladenen Partikelstrahles; einem austastenden Aperturarray (39) zum Hindurchtretenlassen des genannten geladenen Partikelstrahles, welches Array eine Reihe aus Austastaperturen (39&sub0; bis 39&sub2;&sub5;&sub5;) aufweist, die jeweils Elektrodenmittel aufweisen; und einem Elektrodentreibermittel (62) zum individuellen Treiben der Elektrodenmittel der genannten austastenden Aperturen, dadurch gekennzeichnet. daß das genannte Elektrodentreibermittel (62) derartig angeordnet ist, daß es die Elektrodenmittel derart treibt, daß die Elektrodenmittel einer jeden der genannten Austastaperturen (39i) eine individuelle EIN-Schaltverhältniszeitperiode τi aufweist, die geändert wird, so daß sie umgekehrt proportional zu der Intensität Ii eines geladenen Partikelstrahles ist, der durch jene eine der genannten Austastaperturen hindurchtritt, wodurch τi x Ii = konstant ist.

2. Ein System nach Anspruch 1, worin das genannte Elektrodentreibermittel (62) für jedes einzelne der Elektrodenmittel ein Register (621) umfaßt, zum Speichern der EIN-Schaltverhältniszeitperiode τi des Elektrodenmittels, einen Zähler (622) zum Zählen des Wertes τi, der in dem Register gespeichert ist, und ein Mittel (624) zum Einschalten des Elektrodenmittels in Antwort auf ein Signal von dem Zähler (622), wenn die genannte Zeitperiode τi verstrichen ist.

3. Ein System nach Anspruch 1 oder 2, daß desweiteren ein Mittel (20, 21) zum Bewegen einer Bühne umfaßt, auf der das genannte Target (53) parallel zu der Reihe der genannten Austastaperturen getragen wird, bei dem das genannte Treibermittel (62) angeordnet ist, um das Elektrodenmittel derart zu treiben, daß der genannte geladene Partikelstrahl veranlaßt wird, senkrecht zu der Reihe der genannten Austastaperturen zu schwingen.

4. Ein System nach Anspruch 3, daß desweiteren umfaßt: ein Mittel (68) zum Detektieren der Position der genannten Bühne;

ein Mittel (652) zum Errechnen eines Bühnenfehlers zwischen der detektierten Position der genannten Bühne und einer Zielposition von ihr; und

ein Ablenkungsmittel (67, 49) zum Ablenken des genannten geladenen Partikelstrahles, der durch die genannten Austastaperturen hindurchgetreten ist, und zwar entlang der Bewegungsrichtung der genannten Bühne, um den genannten Bühnenfehler zu vermindern.

5. Ein System nach einem der vorigen Ansprüche, daß desweiteren ein Zusammenstoßmittel umfaßt, so daß wenn der genannte geladene Partikelstrahl, der von dem genannten Emissionsmittel (30) erzeugt worden ist, einen Bündelknoten durch eine kritische Belichtung bildet, das genannte Zusammenstoßmittel den genannten Bündelknoten in eine Linienform zusammenführt.

6. Ein System nach Anspruch 5, worin das genannte Zusammenstoßmittel eine Vier-Pol-Strahlzusammenstoßlinse umfaßt.

7. Ein System nach einem der vorigen Ansprüche, welches desweiteren ein Mittel (64') zum Steuern des EIN- Schaltverhältnisses des Elektronenmittels einer jeden der genannten Austastaperturen umfaßt, und zwar in Übereinstimmung mit der Belichtungsdosis in unmittelbarer Nähe dazu.

8. Ein System nach Anspruch 7, worin die Belichtungsdosis in unmittelbarer Nähe zu einer Austastapertur durch die Fläche eines Schusses bestimmt wird, zu der die eine genannte Austastapertur gehört.

9. Ein Belichtungssystem mit geladenem Partikelstrahl zum Projizieren eines geladenen Partikelstrahles auf ein Target (53) mit: einem Mittel (30) zum Emittieren des genannten geladenen Partikelstrahles; einem austastenden Aperturarray (39) zum Hindurchtretenlassen des genannten geladenen Partikelstrahles, welches Array eine Reihe aus Austastaperturen (39&sub0; bis 39&sub2;&sub5;&sub5;) aufweist, die jeweils Elektrodenmittel aufweisen; und einem Elektrodentreibermittel (62) zum individuellen Treiben der Elektrodenmittel der genannten Austastaperturen, gekennzeichnet durch ein Mittel (628) zum Vermindern einer Spannung, die an Elektrodenmittel der Austastaperturen angelegt worden ist, im Vergleich zu den anderen.

10. Ein Verfahren zum Herstellen eines Belichtungssystemes mit geladenem Partikelstrahl, das ein austastendes Aperturarray (39) umfaßt, wie es in einem der vorigen Ansprüche aufgeführt worden ist, welches die Schritte umfaßt: Vorbereiten eines Substrates (101); Ausbilden einer Nut (102) innerhalb des genannten Substrates; Ausbilden einer Metallschicht (104) in der genannten Nut; und Ausbilden einer Spalte (108) innerhalb des genannten Substrates und der genannten Metallschicht, um das austastende Aperturarray (39) zu vervollständigen.