DE68913790D1 - Verfahren und Tiegel für das Erstarren von Materialien und Verwendung zur Halbleiter-Kristallzüchtung. - Google Patents

Verfahren und Tiegel für das Erstarren von Materialien und Verwendung zur Halbleiter-Kristallzüchtung.

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    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
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