DE657918T1 - Verfahren und Vorrichtung zum Einbrennen und Kühlen von Halbleiterscheiben und dergleichen. - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Einbrennen und Kühlen von Halbleiterscheiben und dergleichen.

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DE657918T1
DE657918T1 DE0657918T DE94308399T DE657918T1 DE 657918 T1 DE657918 T1 DE 657918T1 DE 0657918 T DE0657918 T DE 0657918T DE 94308399 T DE94308399 T DE 94308399T DE 657918 T1 DE657918 T1 DE 657918T1
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DE0657918T
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German (de)
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Inventor
William T Batchelder
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Semiconductor Systems Inc
Original Assignee
Semiconductor Systems Inc
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    • H10P95/00—
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • H10P72/0434—
    • H10P72/7612—

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU6962196A (en) 1995-09-01 1997-03-27 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US6113702A (en) 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US6183565B1 (en) 1997-07-08 2001-02-06 Asm International N.V Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US6345150B1 (en) * 1999-11-30 2002-02-05 Wafermasters, Inc. Single wafer annealing oven
US6576572B2 (en) * 2000-12-28 2003-06-10 Schott Lithotec Ag Method of heating a substrate using a variable surface hot plate for improved bake uniformity
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
JP2008028177A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Nippon Dennetsu Co Ltd 基板加熱装置
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3933423C2 (de) * 1989-10-06 1994-12-22 Nokia Deutschland Gmbh Vorrichtung zur Wärmebehandlung, insbesondere für LCD-Substratplatten
US5255153A (en) * 1990-07-20 1993-10-19 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck and plasma apparatus equipped therewith
TW221318B (enExample) * 1990-07-31 1994-02-21 Tokyo Electron Co Ltd
JPH05152201A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Oki Electric Ind Co Ltd 基板加熱装置

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