DE60335284D1 - Einkristall, einkristallwafer,epitaktischer wafer und verfahren zum einkristallziehen - Google Patents

Einkristall, einkristallwafer,epitaktischer wafer und verfahren zum einkristallziehen

Info

Publication number
DE60335284D1
DE60335284D1 DE60335284T DE60335284T DE60335284D1 DE 60335284 D1 DE60335284 D1 DE 60335284D1 DE 60335284 T DE60335284 T DE 60335284T DE 60335284 T DE60335284 T DE 60335284T DE 60335284 D1 DE60335284 D1 DE 60335284D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
wafer
epitactic
treating method
treating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60335284T
Other languages
English (en)
Inventor
R Hoshi
S Sonokawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE60335284D1 publication Critical patent/DE60335284D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
DE60335284T 2002-09-13 2003-09-08 Einkristall, einkristallwafer,epitaktischer wafer und verfahren zum einkristallziehen Expired - Lifetime DE60335284D1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002267563A JP4092993B2 (ja) 2002-09-13 2002-09-13 単結晶育成方法
PCT/JP2003/011443 WO2004025001A1 (ja) 2002-09-13 2003-09-08 単結晶、単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ、並びに単結晶育成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE60335284D1 true DE60335284D1 (de) 2011-01-20

Family

ID=31986708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60335284T Expired - Lifetime DE60335284D1 (de) 2002-09-13 2003-09-08 Einkristall, einkristallwafer,epitaktischer wafer und verfahren zum einkristallziehen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7396405B2 (de)
EP (1) EP1559813B1 (de)
JP (1) JP4092993B2 (de)
KR (1) KR101029140B1 (de)
DE (1) DE60335284D1 (de)
TW (1) TW200404923A (de)
WO (1) WO2004025001A1 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4926585B2 (ja) * 2005-07-26 2012-05-09 コバレントマテリアル株式会社 半導体単結晶の製造方法、半導体単結晶の製造装置、半導体単結晶の製造制御プログラムおよび半導体単結晶製造制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI420002B (zh) * 2009-12-11 2013-12-21 Japan Super Quartz Corp 氧化矽玻璃坩堝
JP6500792B2 (ja) * 2016-01-25 2019-04-17 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの品質評価方法および製造方法
JP6583142B2 (ja) 2016-05-25 2019-10-02 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法及び装置
CN108103583A (zh) * 2017-12-29 2018-06-01 四川大学 基于单液滴微环境精密调控的低缺陷蛋白单晶体培养系统
JP7006788B2 (ja) 2019-02-27 2022-01-24 株式会社Sumco シリコン融液の対流パターン制御方法、および、シリコン単結晶の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6131382A (ja) 1984-07-20 1986-02-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体単結晶の引上方法
JPS6259594A (ja) 1985-09-11 1987-03-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 結晶の引上げ方法
JP2767074B2 (ja) 1990-07-13 1998-06-18 信越半導体 株式会社 シリコン単結晶の引上方法
JPH04352483A (ja) 1991-05-30 1992-12-07 Tosoh Corp 全固体化波長可変パルスレーザー
JPH11314997A (ja) 1998-05-01 1999-11-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP2000044387A (ja) 1998-07-27 2000-02-15 Nippon Steel Corp シリコン単結晶製造方法
US6478883B1 (en) * 1998-08-31 2002-11-12 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Silicon single crystal wafer, epitaxial silicon wafer, and methods for producing them
DE19938340C1 (de) 1999-08-13 2001-02-15 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Halbleiterscheibe
US20010041258A1 (en) * 2000-05-11 2001-11-15 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Standard for a nanotopography unit, and a method for producing the standard
JP2001326228A (ja) 2000-05-16 2001-11-22 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶ウエハの製造方法
WO2002010485A1 (fr) 2000-07-28 2002-02-07 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Procede et dispositif pour fabriquer un monocristal de semiconducteur
JP3722029B2 (ja) * 2000-09-12 2005-11-30 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法
JP2002141311A (ja) 2000-10-31 2002-05-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハの研磨方法及びウェーハの洗浄方法
DE10142400B4 (de) * 2001-08-30 2009-09-03 Siltronic Ag Halbleiterscheibe mit verbesserter lokaler Ebenheit und Verfahren zu deren Herstellung
TWI244691B (en) * 2003-05-15 2005-12-01 Siltronic Ag Process for polishing a semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050043943A (ko) 2005-05-11
EP1559813A4 (de) 2008-04-23
US7396405B2 (en) 2008-07-08
JP2004099415A (ja) 2004-04-02
KR101029140B1 (ko) 2011-04-13
EP1559813B1 (de) 2010-12-08
WO2004025001A1 (ja) 2004-03-25
EP1559813A1 (de) 2005-08-03
JP4092993B2 (ja) 2008-05-28
US20050263062A1 (en) 2005-12-01
TWI313307B (de) 2009-08-11
TW200404923A (en) 2004-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60228160D1 (de) System und Verfahren zum Durchführen von drahtlosen Transaktionen
DE60320227D1 (de) Verfahren und einrichtung zum polieren
DE602004015615D1 (de) Einrichtung und verfahren zum verarbeiten von banknoten
DE112004001587D2 (de) Kraftwerksanlage, und Verfahren zum Betrieb
DE60333924D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum erwärmen von vliesstoffbahnen
ATE347213T1 (de) System und verfahren zum integrieren von wlan und 3g
DE60216640D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum selbständigen glätten
DE50302347D1 (de) Verfahren und einrichtung zum verarbeiten von flachen sendungen
DE10391476D2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen von Fluiden
DE60222730D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausführen von Aufgaben
DE60219323D1 (de) Drehbarer suszeptor und verfahren zum behandeln von substraten
DE60308789D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum hydraulischen Umformen
DE102004008900A8 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Verarbeiten von Wafern
DE60115819D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Steuern von Wiederübertragung
DE60329292D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Metall-Schichten
DE602004006339D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbauen von Rohreifen
DE60225612D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erfrischen von Referenzzellen
DE60318432D1 (de) Verfahren und vorrichtungen zum umsetzen von farbwerten
DE60229325D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufkohlen
DE60315540D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Dispergieren
AT4855U3 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von maische
DE602006007908D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum polieren von Halbleiterscheiben
DE60306402D1 (de) Verfahren und apparat zum falzen von blättern
DE602005003378D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Biegen von Profilen
DE50306401D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum dauerhaften verbinden von einander überlappenden, plattenförmigen bauteilen