DE60311569T2 - Tantalbarriere-Entfernungslösung - Google Patents
Tantalbarriere-Entfernungslösung Download PDFInfo
- Publication number
- DE60311569T2 DE60311569T2 DE60311569T DE60311569T DE60311569T2 DE 60311569 T2 DE60311569 T2 DE 60311569T2 DE 60311569 T DE60311569 T DE 60311569T DE 60311569 T DE60311569 T DE 60311569T DE 60311569 T2 DE60311569 T2 DE 60311569T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tantalum
- guanidine
- formamidine
- solution
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 62
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims description 62
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 61
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 19
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 19
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000002357 guanidines Chemical class 0.000 claims description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 10
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229960004198 guanidine Drugs 0.000 claims description 9
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BPMFZUMJYQTVII-UHFFFAOYSA-N guanidinoacetic acid Chemical compound NC(=N)NCC(O)=O BPMFZUMJYQTVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 6
- 229940083094 guanine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 claims description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- UBDZFAGVPPMTIT-UHFFFAOYSA-N 2-aminoguanidine;hydron;chloride Chemical compound [Cl-].NC(N)=N[NH3+] UBDZFAGVPPMTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XPOLVIIHTDKJRY-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methanimidamide Chemical compound NC=N.CC(O)=O XPOLVIIHTDKJRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZZTURJAZCMUWEP-UHFFFAOYSA-N diaminomethylideneazanium;hydrogen sulfate Chemical compound NC(N)=N.OS(O)(=O)=O ZZTURJAZCMUWEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960000789 guanidine hydrochloride Drugs 0.000 claims description 4
- PJJJBBJSCAKJQF-UHFFFAOYSA-N guanidinium chloride Chemical compound [Cl-].NC(N)=[NH2+] PJJJBBJSCAKJQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NYYSPVRERVXMLJ-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluorocyclohexan-1-one Chemical compound FC1(F)CCC(=O)CC1 NYYSPVRERVXMLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N carbamimidoylazanium;carbonate Chemical compound NC(N)=N.NC(N)=N.OC(O)=O STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NDEMNVPZDAFUKN-UHFFFAOYSA-N guanidine;nitric acid Chemical compound NC(N)=N.O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O NDEMNVPZDAFUKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- AEKNYBWUEYNWMJ-QWOOXDRHSA-N Pramiconazole Chemical compound O=C1N(C(C)C)CCN1C1=CC=C(N2CCN(CC2)C=2C=CC(OC[C@@H]3O[C@](CN4N=CN=C4)(CO3)C=3C(=CC(F)=CC=3)F)=CC=2)C=C1 AEKNYBWUEYNWMJ-QWOOXDRHSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- -1 copper Chemical class 0.000 description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N methylisothiazolinone Chemical compound CN1SC=CC1=O BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 5
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 4
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 229940100555 2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 description 2
- WHBMMWSBFZVSSR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybutyric acid Chemical compound CC(O)CC(O)=O WHBMMWSBFZVSSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 2
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOELYYRJYYLNRR-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-trihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC(O)=C1O JOELYYRJYYLNRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1O GLDQAMYCGOIJDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVYLTSKTCWWJR-UHFFFAOYSA-N 2-carbonoperoxoylbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O GLVYLTSKTCWWJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000703 Cerium Chemical class 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000001804 debridement Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N diethyldithiocarbamic acid Chemical compound CCN(CC)C(S)=S LMBWSYZSUOEYSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229950004394 ditiocarb Drugs 0.000 description 1
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 1
- 235000003599 food sweetener Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical class Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000003765 sweetening agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3272—Urea, guanidine or derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Die Erfindung bezieht sich auf die chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) von Halbleiterwafermaterialien, und spezieller auf CMP-Zusammensetzungen und Verfahren zum Entfernen von Barrierematerialien von Halbleiterwafern in Gegenwart von darunter liegenden Dielektrika.
- Typischerweise weist ein Halbleiterwafer einen Wafer aus Silicium und eine Dielektrikumschicht auf, enthaltend mehrere Gräben, die so angeordnet sind, daß sie eine Struktur für Stromkreisverbindungen innerhalb der Dielektrikumschicht bilden. Die Strukturanordnungen weisen normalerweise eine damaszierte Struktur oder doppeltdamaszierte Struktur auf. Eine Barriereschicht deckt die strukturierte Dielektrikumschicht ab und eine Metallschicht deckt die Barriereschicht ab. Die Metallschicht weist eine zumindest ausreichende Dicke auf, um die strukturierten Gräben mit Metall zur Bildung von Stromkreisverbindungen zu füllen.
- CMP-Verfahren umfassen oftmals mehrere Planarisierungsschritte. Beispielsweise entfernt ein erster Schritt eine Metallschicht von darunter liegenden dielektrischen Barriereschichten. Der erste Polierschritt entfernt die Metallschicht, während er eine glatte planate Oberfläche auf dem Wafer mit Metall-gefüllten Gräben hinterläßt, die Stromkreisverbindungen bereitstellen, die zu der polierten Oberfläche planar sind. Der erste Polierschritt entfernt gewöhnlich überschüssige Zwischenverbindungsmetalle, wie Kupfer, bei einer anfänglichen hohen Rate. Beispielsweise offenbaren Lee et al. in der europäischen Patentveröffentlichung Nr. 1 072 662 A1 die Verwendung von Guanidin als einen Abriebbeschleuniger zum Beschleunigung der Dielektrikum-Entfernungsrate einer abrasiven Zusammensetzung. Nach dem ersten Entfernungsschritt kann der zweite Polierschritt eine Barriere entfernen, die auf dem Halbleiter wafer verblieb. Dieser zweite Polierschritt entfernt die Barriere von einer darunter liegenden Dielektrikumschicht eines Halbleiterwafers, um eine planare polierte Oberfläche auf der Dielektrikumschicht bereitzustellen.
- Leider führen die CMP-Verfahren oftmals zu der übermäßigen Entfernung von unerwünschtem Metall von Stromkreisverbindungen oder Dishing. Dieses Dishing kann aus sowohl dem ersten Polierschritt als auch dem zweiten Polierschritt resultieren. Dishing über akzeptable Gehalte hinaus verursacht Dimensionsverluste in den Stromkreisverbindungen. Diese „dünnen" Bereiche in den Stromkreisverbindungen vermindern elektrische Signale und beeinträchtigen die fortlaufende Herstellung von doppelt-damaszierten Strukturen.
- Eine Barriere ist typischerweise ein Metall, eine Metallegierung oder intermetallische Verbindung, wie Tantal oder Tantalnitrid. Die Barriere bildet eine Schicht, die die Migration oder Diffusion zwischen Schichten innerhalb eines Wafers verhindert. Beispielsweise verhindern Barrieren die Diffusion von Zwischenverbindungsmetall, wie Kupfer oder Silber, in ein angrenzendes Dielektrikum. Barrierematerialien müssen gegen Korrosion durch die meisten Säuren resistent sein und widerstehen daher der Auflösung in einer flüssigen Polierungszusammensetzung für CMP. Ferner können diese Barrierematerialien eine Zähigkeit zeigen, die der Entfernung durch abrasive Abriebteilchen in einer CMP-Aufschlämmung und von fixierten Schleifpads widerstehen.
- Erosion bezieht sich auf unerwünschte Vertiefungen in der Oberfläche von Dielektrikumschichten, die aus dem Entfernen eines Teils der Dielektrikumschicht durch das CMP-Verfahren resultieren. Erosion, die angrenzend an das Metall in Gräben auftritt, verursacht Dimensionsfehler in den Stromkreisverbindungen. Diese Fehler tragen zur Verminderung der elektrischen Signale bei, die durch die Stromkreisverbindungen übertragen werden, und beeinträchtigen die anschließende Herstellung einer doppelt-damaszierten Struktur in einer ähnlichen Weise wie das Dishing. Die Entfernungsrate der Barriere gegenüber einer Entfernungsrate der Metallzwischenverbindung oder der Dielektrikumschicht ist als das Selektivitätsverhältnis bekannt.
- Die meisten Barrierematerialien sind schwierig durch CMP zu entfernen, da die Barrierematerialien der Entfernung durch Abrieb und durch Auflösung widerstehen. Typische Barriereentfernungsaufschlämmungen erfordern eine hohe Abrasivmittelkonzentration, wie mindestens 7,5 Gew.-%, in einer flüssigen Polierungszusammensetzung, um ein Barrierematerial zu entfernen. Aber Aufschlämmungen mit diesen hohen Abrasivmittelkonzentrationen verleihen der Dielektrikumschicht wahrscheinlich schädliche Erosion und führen zu Dishing, Erosion und Zerkratzen der Kupferverbindung. Zusätzlich dazu können hohe Abrasivmittelkonzentrationen zum Ablösen oder Aufspalten von Low-k-Dielektrikumschichten von Halbleiterwafern führen.
- Es gibt einen unbefriedigten Bedarf an einer verbesserten CMP-Zusammensetzung zum selektiven Entfernen von Tantalbarrierematerialien. Insbesondere besteht der Bedarf an einer CMP-Zusammensetzung zum selektiven Entfernen von Tantalbarrierematerialien mit verringerter Dielektrikumerosion und verringertem Dishing, Erosion und Zerkratzen der Metallzwischenverbindung. Ferner besteht der Wunsch, Tantalbarrierematerialien ohne Ablösen von Low-k-Dielektrikumschichten von Halbleiterwafern zu entfernen.
- Erläuterung der Erfindung
- Die Erfindung stellt eine chemisch-mechanische Planarisierungslösung bereit, die zum Entfernen eines Tantalbarrierematerials verwendbar ist, umfassend, in Gew.-%, 0 bis 25 Oxidationsmittel, 0 bis 15 Inhibitor für ein nicht-eisenhaltiges Metall, 0 bis 20 Komplexierungsmittel für das nicht-eisenhaltige Metall, 0,01 bis 12 Tantalenffernungsmittel, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Formamidin, Formamidinsalzen, Formamidinderivaten, Guanidinderivaten, Guanidinsalzen und Gemischen davon, 0 bis 5 Abrasivmittel, 0 bis 15 gesamte Teilchen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Polymerteilchen und Polymer-beschichteten beschichteten Teilchen, und als Rest Wasser, und wobei die Lösung eine Selektivität von Tantalnitrid zu TEOS von mindestens 3 zu 1 aufweist, gemessen mit einem Druck eines mikroporösen Polyurethan-Polierpads, gemessen normal bzw. senkrecht zu einem Wafer, von weniger als 20,7 kPa (3 psi).
- Außerdem stellt die Erfindung ein chemisch-mechanisches Planarisierungsverfahren zum Entfernen eines Tantalbarrierematerials von einem Halbleiterwafer bereit, umfassend die Schritte: Inkontaktbringen eines Wafersubstrats mit einer Polierlösung, wobei das Wafersubstrat ein Tantalbarrierematerial und ein Dielektrikum enthält, wobei die Polierlösung ein Tantalmittel enthält, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Formamidin, Formamidinsalzen, Formamidinderivaten, Guanidinderivaten, Guanidinsalzen und Gemischen davon; und Polieren des Wafersubstrats mit einem Polierpad, um das Tantalbarrierematerial von dem Wafersubstrat bei einer Entfernungsrate, ausgedrückt in Angstrom pro Minute, zu entfernen, die größer als eine Entfernungsrate für das Dielektrikum ist.
- Ausführliche Beschreibung
- Die Lösung und das Verfahren stellen unerwartete Selektivität zum Entfernen von Tantalbarrierematerialien bereit. Die Lösung beruht auf ein Tantalbarriereentfernungsmittel, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Formamidin, Formamidinsalzen, Formamidinderivaten, wie Guanidin, Guanidinderivaten, Guanidinsalzen und Gemischen davon, um Tantalbarrierematerialien selektiv zu entfernen. Die Lösung entfernt selektiv Barrierematerialien mit verringerter Dielektrikumerosion und verringerter Dishing, Erosion und Zerkratzen der Metallzwischenverbindungen, wie Kupfer. Ferner entfernt die Lösung Tantalbarrierematerialien ohne Ablösen oder Aufspalten der Low-k-Dielektrikumschichten von Halbleiterwafern.
- Die Lösung beruht auf einem Barriereentfernungsmittel, um Tantalbarrierematerialien zu entfernen. Für die Zwecke dieser Beschreibung bezieht sich Tantalbarriere auf Tantal, eine Tantal-enthaltende Legierung, Tantal-basierende Legierungen und Tantal-Intermetallverbindungen. Die Lösung weist eine spezielle Wirksamkeit für Tantal, Tantal-basierende Legierungen und Tantal-Intermetallverbindungen, wie Tantalcarbide, -nitride und -oxide, auf. Die Aufschlämmung ist am wirksamsten für das Entfernen von Tantalbarrieren von strukturierten Halbleiterwafern.
- Das Tantalbarriereentfernungsmittel kann Formamidin, ein Formamidinsalz, ein Formamidinderivat wie Guanidin, ein Guanidinderivat, ein Guanidinsalz oder ein Gemisch davon sein. Diese Tantalentfernungsmittel haben scheinbar eine starke Affinität für Tantalbarrierematerialien. Diese Affinität für Tantal kann die Barriereentfernungsrate mit beschränktem Abrasivmittel oder gegebenenfalls ohne Verwendung irgendwelcher Abrasivmittel beschleunigen. Diese beschränkte Verwendung von Abrasivmitteln erlaubt das Polieren zum Entfernen der Tantalbarriere bei einer Rate, die größer als die des Dielektrikums und der Metallzwischenverbindung ist. Spezielle wirksame Guanidinderivate und -salze umfassen Guanidinhydrochlorid, Guanidinsulfat, Amino-guanidinhydrochlorid, Guanidinessigsäure, Guanidincarbonat, Guanidinnitrat, Formamidin, Formamidinsulfinsäure, Formamidinacetat und Gemische davon. Vorteilhafterweise enthält die Lösung 0,01 bis 12 Gew.-% Tantalentfernungsmittel. Diese Beschreibung drückt alle Konzentrationen in Gewichtsprozent aus. Am vorteilhaftesten enthält die Lösung 0,1 bis 10 Gew.-% Tantalentfernungsmittel, und für die meisten Anwendungen stellen Tantalentfernungsmittelkonzentrationen zwischen 0,2 und 6 Gew.-% ausreichende Barriereentfernungsraten bereit.
- Das Tantalentfernungsmittel stellt die Wirksamkeit über einen breiten pH-Bereich in Lösungen, die einen Rest an Wasser enthalten, bereit. Dieser nützliche pH-Bereich für Lösungen erstreckt sich von mindestens 2 bis 12. Außerdem beruht die Lösung am vorteilhaftesten auf einem Rest an deionisiertem Wasser, um zufällige Verunreinigungen zu begrenzen.
- Gegebenenfalls enthält die Lösung 0 bis 25 Gew.-% Oxidationsmittel. Vorteilhafterweise liegt das optionale Oxidationsmittel in dem Bereich von 0 bis 15 Gew.-%. Das Oxidationsmittel ist besonders wirksam, indem es die Lösung unterstützt, Tantaloxidfilme zu entfernen, die sich bei sauren pH-Werten bilden können, und insbesondere den Filmen, die sich bei pH-Werten von 5 und darunter bilden können. Das Oxidationsmittel kann zumindest eines von einer Vielzahl von oxidierenden Verbindungen sein, wie Wasserstoffperoxid (H2O2), Monopersulfate, Iodate, Magnesiumperphthalat, Peressigsäure und andere Persäuren, Persulfate, Bromate, Periodate, Nitrate, Eisensalze, Cersalze, Mn(III)-, Mn(IV)- und Mn(VI)-Salze, Silbersalze, Cu-Salze, Chromsalze, Kobaltsalze, Halogene, Hypochlorite und Gemische davon. Ferner ist es oftmals vorteilhaft, ein Gemisch aus Oxidationsmittelverbindungen zu verwenden. Die bevorzugte Barrieremetall-Polierungsaufschlämmung umfaßt ein Wasserstoffperoxidoxidationsmittel. Wenn die Polierungsaufschlämmung ein instabiles Oxidati onsmittel, wie Wasserstoffperoxid, enthält, es ist oftmals sehr vorteilhaft, das Oxidationsmittel in die Aufschlämmung zum Verwendungszeitpunkt zu mischen.
- Typische nicht-eisenhaltige Metallzwischenverbindungen umfassen: Kupfer, Kupferbasierende Legierungen, Silber und Silber-basierende Legierungen. Gegebenenfalls enthält die Lösung 0,02 bis 15 Gew.-% Inhibitor zur Kontrolle der Zwischenverbindungsentfernungsrate durch statisches Ätzen oder andere Entfernungsmechanismen. Das Einstellen der Konzentration eines Inhibitors stellt die Zwischenverbindungsmetall-Entfernungsrate durch Schützen des Metalls vor der statischen Ätzung ein. Vorteilhafterweise enthält die Lösung 0,02 bis 10 Gew.-% eines optionalen Inhibitors. Der Inhibitor kann aus einem Gemisch aus Inhibitoren bestehen. Azolinhibitoren sind besonders wirksam für Kupfer- und Silberverbindungen. Typische Azolinhibitoren umfassen Benzotriazol (BTA), Tolytriazol, Imidazol und andere Azolverbindungen. Am vorteilhaftesten enthält die Aufschlämmung 0,02 bis 5 Gew.-% gesamtes Azol zum Inhibieren der statischen Ätzung von Kupfer- oder Silberverbindungen. BTA ist ein besonders wirksamer Inhibitor für Kupfer und Silber.
- Zusätzlich zu dem Inhibitor kann die Lösung 0 bis 20 Gew.-% Komplexierungsmittel für das nicht-eisenhaltige Metall enthalten. Das Komplexierungsmittel, wenn vorhanden, verhindert die Ausfällung der Metallionen, die durch Lösen der nichteisenhaltigen Metallzwischenverbindungen gebildet werden. Am vorteilhaftesten enthält die Lösung 0 bis 10 Gew.-% Komplexierungsmittel für das nicht-eisenhaltige Metall. Beispielkomplexierungsmittel umfassen Essigsäure, Zitronensäure, Ethylacetoacetat, Glycolsäure, Milchsäure, Äpfelsäure, Oxalsäure, Salicylsäure, Natriumdiethyldithiocarbamat, Bernsteinsäure, Weinsäure, Thioglycolsäure, Glycin, Alanin, Asparaginsäure, Ethylendiamin, Trimethyldiamin, Malonsäure, Glutarsäure, 3-Hydroxybuttersäure, Propionsäure, Phthalsäure, Isophthalsäure, 3-Hydroxysalicylsäure, 3,5-Dihydroxysalicylsäure, Gallussäure, Gluconsäure, Pyrocatechol, Pyrogallol, Gallusgerbsäure, Salze und Gemische davon. Vorteilhafterweise ist das Komplexierungsmittel aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Essigsäure, Zitronensäure, Ethylacetoacetat, Glycolsäure, Milchsäure, Äpfelsäure, Oxalsäure und Gemischen davon. Am vorteilhaftesten ist das Komplexierungsmittel Zitronensäure.
- Die Verwendung des Tantalentfernungsmittels erleichtert das Polieren mit niedrigen Abrasivmittelkonzentrationen, wie denen unter 5 Gew.-%. Für Polierlösungen, die weniger als 5 Gew.-% Abrasivmittel enthalten, kann das Polieren ohne weiteres das Tantalbarrierematerial bei einer Rate entfernen, die mindestens dreimal größer als die Entfernungsrate für das Dielektrikum ist, ausgedrückt in Angstrom pro Minute. Für Polierlösungen, die weniger als 1 Gew.-% Abrasivmittel enthalten, kann das Polieren ohne weiteres das Tantalbarrierematerial bei einer Rate entfernen, die mindestens fünfmal größer als die Entfernungsrate für das Dielektrikum ist, ausgedrückt in Angstrom pro Minute. Typische Abrasivmittel umfassen Diamantteilchen und Metalloxide, -boride, -carbide und -nitride und Gemische davon. Am vorteilhaftesten wird, wenn vorhanden, das Abrasivmittel aus der Gruppe ausgewählt, bestehend aus Aluminiumoxid, Cerdioxid und Siliciumdioxid und Gemischen davon. Für ultraverringerte Dielektrikum-Erosionsraten enthält die Lösung vorteilhafterweise weniger als 0,09 Gew.-% Abrasivmittel und am vorteilhaftesten weniger als 0,05 Gew.-% Abrasivmittel. Obwohl die Lösung ohne Konzentrationsgehalte an Abrasivmittel wirksam ist, erleichtert eine kleine Menge an Abrasivmittel die Entfernung von Polierungsbruchstücken. Um das Zerkratzen einzuschränken, enthält die Lösung vorteilhafterweise Abrasivmittel mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von weniger als 200 nm und am vorteilhaftesten einer durchschnittlichen Teilchengröße von weniger als 100 nm.
- Für die Bruchstückentfernung kann die Lösung insgesamt 0 bis 15 Gew.-% Polymer- oder Polymer-beschichtete Teilchen enthalten. Diese „Polymerteilchen" erleichtern die Bruchstückentfernung ohne den schädlichen Einfluß von Dielektrika-Erosion oder Verbindungsabrieb, Dishing oder Erosion. Am vorteilhaftesten enthält die Lösung insgesamt 0 bis 10 Gew.-% Polymer- oder Polymer-beschichtete Teilchen. Oberflächenaktive Mittel oder Polymere, wie Polyvinylpyrrolidon, können an Abrasivmittel binden, um die Polymer-beschichteten Teilchen bereitzustellen.
- Die Polierlösungen können ebenso Egalisiermittel wie Ammoniumchlorid umfassen, um das Oberflächenfinish des Zwischenverbindungsmetalls zu kontrollieren. Zusätzlich dazu kann die Lösung gegebenenfalls ein Biozid zum Einschränken der biologischen Kontamination enthalten. Beispielsweise stellt NeoloneTM M-50 Biozid 2-Methyl-4-isothiazolin-3-on in Propylenglycol (Rohm and Haas Company) ein wirksames Biozid für viele Anwendungen bereit.
- Die Lösung stellt eine Selektivität von Tantalnitrid zu TEOS von mindestens 3 zu 1 bereit, gemessen mit einem Druck eines mikroporösen Polyurethan-Polierpads, gemessen senkrecht zu einem Wafer, von weniger als 20,7 kPa. Ein spezielles Polierpad, das zum Bestimmen der Selektivität verwendbar ist, ist das Politex mikroporöse Polyurethan-Polierpad. Vorteilhafterweise stellt die Lösung eine Selektivität von Tantalnitrid zu TEOS von mindestens 5 zu 1 bereit, gemessen mit einem Druck eines mikroporösen Polyurethan-Polierpads, gemessen senkrecht zu einem Wafer, von weniger als 20,7 kPa; und am vorteilhaftesten beträgt dieser Bereich mindestens 10 zu 1. Die Lösung kann Selektivitätsverhältnisse von Tantalnitrid zu TEOS über 100 zu 1 bereitstellen. Das Einstellen des pH, der Oxidationsmittelkonzentration und der Tantalentfernungsmittelkonzentrationen stellt die Tantalbarriereentfernungsrate ein. Das Einstellen der Inhibitor-, Oxidationsmittel-, Komplexierungsmittel- und Egalisiermittelkonzentrationen stellt die Ätzrate der Zwischenverbindungsmetalle ein.
- Beispiele
- In den Beispielen stellen die Ziffern die Beispiele der Erfindung dar und die Buchstaben stellen die Vergleichsbeispiele dar. Außerdem enthielten alle Beispiellösungen 0,01 Gew.-% NeoloneTM M-50 Biozid 2-Methyl-4-isothiazolin-3-on in Propylenglycol und 0,01 Ammoniumchlorid-Aufheller.
- Beispiel 1
- Dieses Experiment maß die Entfernungsraten von: TaN-Barriere, Ta-Barriere, einer Dielektrikumschicht von TEOS, einer Low-k-Dielektrikumvariante von Siliciumdioxid, abgeleitet von der Verarbeitung eines Tetraethylorthosilikatpräkursors und Kupfer. Insbesondere bestimmte der Test die Wirkung von speziellen Tantalentfernungsmitteln, Oxidationsmitteln und Inhibitoren in einem zweiten Poliervorgang. Eine Strausbaugh-Poliermaschine unter Verwendung eines Politex-Polyurethan-Polierpads (Rodel, Inc.) unter den Bedingungen einer nach unten gerichteten Kraft von etwa 3 psi (20,7 kPa) und einer Polierlösungsfließgeschwindigkeit von 200 cm3/min, einer Plattengeschwindigkeit von 120 U/min und einer Trägergeschwindigkeit von 114 U/min planarisierte die Proben. Die Polierlösungen wiesen einen pH = 9 auf, der unter Verwendung von KOH und HNO3 eingestellt wurde, und alle Lösungen enthielten deionisiertes Wasser. Außerdem umfassen Polierlösungen 1 Gew.-% Siliciumdioxid-Abrasivmittel mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 50 nm.
-
- GAA = Guanidinessigsäure, GS = Guanidinsulfat, GHCL = Guanidinhydrochlorid, AGHCL = Aminoguanidinhydrochlorid, BTA = Benzotriazol, TaN = Tantalnitrid, TEOS = Tetraethylorthosilikat (dielektrisch), Cu = Kupfer (Metall), Ta = Tantalbarriere, FS = Formamidinsulfinsäure und FA = Formamidinacetat.
- Die obige Tabelle zeigt, daß Guanidin- und Formamidinverbindungen eine hohe Entfernungsselektivität für Tantalbarrierematerialien in bezug auf Dielektrika und Zwischenverbindungsmetalle bereitstellen. Außerdem bestätigten die Tests, daß die Ta- und TaN-Entfernung von ähnlichen Ausmaßen waren, wenn mit derselben Polierlösung poliert wurde – siehe Lösungen 2, 7, 8 und 10. Das Wasserstoffperoxidoxidationsmittel von Lösungen 4 bis 6 verringerte jedoch die TaN-Entfernungsrate bei dem pH dieses Tests. Diese Rate ist jedoch weit größer als die, die mit der Vergleichslösung A erreicht wird, der es an einer Guanidin- oder Formamidinverbindung fehlt.
- Die Daten zeigen, daß die Guanidin- und Formamidinbarriereentfernungsmittel Entfernungsraten für die TaN-Barriereschicht bei einer Rate von mindestens 1000 Angström pro Minute in allen Fällen bereitstellten. Die Lösungen 7 und 10, die in Tabelle 1 aufgezeichnet sind, zeigten, daß der Korrosionsinhibitor BTA die Barriereentfernungsrate verbesserte. Insbesondere erhöhte sich die TaN-Entfernungsrate von 1221 Angström pro Minute auf 2200 Angström pro Minute, wenn sich die BTA-Konzentration von 0,05 Gew.-% BTA auf 0,8 Gew.-% BTA erhöhte.
- Beispiel 2
- Die Tests von Beispiel 2 nutzten die Lösung und Vorrichtung von Beispiel 1, aber die Lösung enthielt keine Siliciumdioxid-Abrasivmittel-Zusätze.
- Die obigen Daten zeigen, daß das Entfernen von Abrasivmittel aus der Lösung die Dielektrikumentfernungsraten auf nicht nachweisbare Entfernungsraten verringerte. Diese Lösungen haben eine Selektivität von TaN zu TEOS von mindestens 100 zu 1.
- Beispiel 3
- Die Tests von Beispiel 3 nutzten die Lösung und Vorrichtung von Beispiel 1, aber die Lösung wies verschiedene pH-Werte auf.
- Diese Daten zeigen die Nützlichkeit der Polierlösung bei hohen pH-Werten. Bei niedrigen pH-Werten erfordert die Lösung die Zugabe eines Oxidationsmittels, wie in Beispiel 4 nachstehend gezeigt.
- Beispiel 4
- Dieses Beispiel zeigt die Wirksamkeit der Zugabe eines Oxidationsmittels zu Lösungen mit niedrigem pH. Speziell beruhte dieser Test auf einer nach unten gerichteten Kraft von 2 psi (13,8 kPa), einer Tischgeschwindigkeit von 120 U/min, einer Trägergeschwindigkeit von 114 U/min und einer Aufschlämmungsfließgeschwindigkeit von 200 cm3/min von Lösungen mit pH 3 und 5, die 0,6 Gew.-% H2O2 enthielten.
- Die obigen Daten zeigen die H2O2-signifikante Erhöhung der Entfernungsrate, die durch Zugeben eines Oxidationsmittels zu den Lösungen mit niedrigem pH erreicht wurde.
- Beispiel 5
- Die Tests von Beispiel 5 nutzten die Lösung und Vorrichtung von Beispiel 1, wobei die Polierbedingungen in Tabelle 5 festgelegt sind. Die Lösung enthielt Wasser bei einem pH von 8,0, 0,20 % BTA, 1 % GHCL, 0,5 % Zitronensäure, 0,01 % Neolone M50 und 0,01 % kolloidales Siliciumdioxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von 12 nm.
- Die Experimente, die in Tabelle 4 aufgezeichnet sind, zeigen, daß eine Guanidinverbindung Metall, TaN, ein bekanntes Barrieremetall mit ausreichender Entfernungsrate und Selektivität, mit einer niedrigen nach unten gerichteten Kraft von 1 psi bis 3 psi (6,9 bis 20,7 kPa) entfernt. Außerdem erzeugten 0,01 Gew.-% kolloidales Siliciumdioxid eine nicht-signifikante Veränderung der Entfernungsraten, aber reinigten die verbliebenen Reste von TaN, um die ungleichmäßige Entfernung der TaN-Oberflächenschicht zu verringern.
- Für die Zwecke der Beschreibung bezieht sich der Ausdruck Dielektrikum auf ein halbleitendes Material mit Dielektrizitätskonstante, k, welches Low-k- und Ultralow-k-dielektrische Materialien umfaßt. Dieses Verfahren entfernt Tantalbarrierematerialien mit geringer Wirkung auf konventionelle Dielektrika und Low-k-dielektrische Materialien. Da die Lösungen effektive Barriereentfernungsraten mit geringen oder keinen Abrasivmitteln bei niedrigen Drücken (d. h. weniger als 21,7 kPa) und hoher Tantalselektivität bereitstellen, erleichtert es das Polieren mit niedrigen Dielektrikum-Erosionsraten. Die Lösung und das Verfahren sind zum Verhindern von Erosion von mehreren Waferbestandteilen ausgezeichnet, einschließlich folgender: poröser und nicht poröser Low-k-Dielektrika, organischer und anorganischer Low-k-Dielektrika, organischer Silikatgläser (OSG) und identifiziert durch die chemische Notation, SiwCxOyHz, worin w, x, y und z die Anzahl an Atomen darstellen, Fluorsilikatglas, (FSG), Kohlenstoff-dotiertes Oxid (CDO), TEOS, ein Siliciumdioxid, abgeleitet von Tetra-ethylorthosilikat, und jedes der harten Maskierungsmaterialien, wie TEOS, SiwCxOyHz, SiCH, SixNy, SixCyNz und SiC.
- Vorteilhafterweise enthält die Polierlösung weniger als 5 Gew.-% Abrasivmittel zur Einschränkung der Erosion, und das Polieren entfernt das Tantalbarrierematerial bei einer Rate, die dreimal größer als die Entfernungsrate für das Dielektrikum ist, ausgedrückt in Angström pro Minute. Am vorteilhaftesten enthält die Polierlösung weniger als 1 Gew.-% Abrasivmittel zur weiteren Einschränkung der Erosion, und das Polieren entfernt das Tantalbarrierematerial bei einer Rate, die fünfmal größer als die Entfernungsrate für das Dielektrikum ist, ausgedrückt in Angström pro Minute.
- Die Lösung und das Verfahren stellen ausgezeichnete Selektivität zum Entfernen von Tantalbarrierematerialien wie Tantal, Tantalnitrid und Tantaloxid bereit. Die Lösung entfernt selektiv Tantalbarrierematerialien mit verringerter Dielektrikum-Erosion. Beispielsweise kann die Lösung Tantalbarrieren ohne einen nachweisbaren TEOS-Verlust und ohne Ablösen oder Aufspalten der Low-k-Dielektrikumschichten entfernen. Zusätzlich dazu verringert die Lösung Dishing, Erosion und das Zerkratzen von Kupferverbindungen.
Claims (10)
- Chemisch-mechanische Planarisierungslösung, die zum Entfernen eines Tantalbarrierematerials verwendbar ist, umfassend, in Gew.-%, 0 bis 25 Oxidationsmittel, 0,02 bis 15 Inhibitor für ein nicht-eisenhaltiges Metall, 0 bis 20 Komplexierungsmittel für das nicht-eisenhaltige Metall, 0,01 bis 12 Tantalentfernungsmittel, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Formamidin, Formamidinsalzen, Formamidinderivaten, Guanidin, Guanidinderivaten, Guanidinsalzen und Gemischen davon, 0 bis 5 Abrasivmittel, 0 bis 15 gesamte Teilchen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Polymerteilchen und Polymer-beschichteten beschichteten Teilchen, und als Rest Wasser, und wobei die Lösung eine Selektivität von Tantalnitrid zu TEOS von mindestens 3 zu 1 aufweist, gemessen mit einem Druck eines mikroporösen Polyurethan-Polierpads, gemessen normal bzw. senkrecht zu einem Wafer, von weniger als 20,7 kPa.
- Lösung nach Anspruch 1, wobei das Tantalentfernungsmittel zwischen 0,1 bis 10 Gew.-% beträgt.
- Lösung nach Anspruch 1, wobei der Inhibitor einen Azolinhibitor einschließt.
- Lösung nach Anspruch 1, wobei das Tantalentfernungsmittel aus der Gruppe, bestehend aus Guanidinhydrochlorid, Guanidinsulfat, Aminoguanidinhydrochlorid, Guanidinessigsäure, Guanidincarbonat, Guanidinnitrat, Formamidin, Formamidinsulfinsäure, Formamidinacetat und Gemischen davon, ausgewählt ist.
- Chemisch-mechanische Planarisierungslösung, die zum Entfernen eines Tantalbarrierematerials verwendbar ist, umfassend, in Gew.-%, 0 bis 15 Oxidationsmittel, 0,02 bis 10 Inhibitor für ein nicht-eisenhaltiges Metall, 0 bis 10 Komplexierungsmittel für das nicht-eisenhaltige Metall, 0,1 bis 10 Tantalentfernungsmittel, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Formamidin, Formamidinsalzen, Formamidinderivaten, Guanidin, Guanidinderivaten, Guanidinsalzen und Gemischen davon, 0 bis 0,09 Abrasivmittel, 0 bis 10 gesamte Teilchen, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Polymerteilchen und Polymer-beschichteten beschichteten Teilchen und als Rest Wasser.
- Lösung nach Anspruch 5, wobei das Tantalentfernungsmittel aus der Gruppe, bestehend aus Guanidinhydrochlorid, Guanidinsulfat, Aminoguanidinhydrochlorid, Guanidinessigsäure, Guanidincarbonat, Guanidinnitrat, Formamidin, Formamidinsulfinsäure, Formamidinacetat und Gemischen davon, ausgewählt ist, und das Tantalentfernungsmittel 0,2 bis 6 Gew.-% beträgt.
- Lösung nach Anspruch 5, wobei der Inhibitor 0,02 bis 5 Gew.-% gesamter Azolinhibitor ist.
- Chemisch-mechanisches Planarisierungsverfahren zum Entfernen eines Tantalbarrierematerials von einem Halbleiterwafer, umfassend die Schritte: Inkontaktbringen eines Wafersubstrates mit der Polierlösung nach Anspruch 1, wobei das Wafersubstrat ein Tantalbarrierematerial und ein Dielektrikum enthält, und Polieren des Wafersubstrates mit einem Polierpad, um das Tantalbarrierematerial von dem Wafersubstrat bei einer Entfernungsrate, ausgedrückt in Angstrom pro Minute, zu entferrnen, die mindestens dreimal größer als eine Entfernungsrate für das Dielektrikum ist.
- Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Polierlösung 0 bis 0,09 Abrasivmittel enthält.
- Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Polierlösung weniger als 1 Gew.-% Abrasivmittel enthält und das Polieren das Tantalbarrierematerial in einer Rate, ausgedrückt in Angstrom pro Minute, entfernt, die mindestens fünfmal größer als die Entfernungsrate des Dielektrikums ist.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US36740202P | 2002-03-25 | 2002-03-25 | |
US367402P | 2002-03-25 | ||
PCT/US2003/009118 WO2003083920A1 (en) | 2002-03-25 | 2003-03-25 | Tantalum barrier removal solution |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE60311569D1 DE60311569D1 (de) | 2007-03-22 |
DE60311569T2 true DE60311569T2 (de) | 2007-11-15 |
Family
ID=28675354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE60311569T Expired - Lifetime DE60311569T2 (de) | 2002-03-25 | 2003-03-25 | Tantalbarriere-Entfernungslösung |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7491252B2 (de) |
EP (1) | EP1490897B1 (de) |
JP (1) | JP4560294B2 (de) |
KR (2) | KR101005304B1 (de) |
CN (1) | CN1319132C (de) |
AU (1) | AU2003218389A1 (de) |
DE (1) | DE60311569T2 (de) |
TW (1) | TWI248970B (de) |
WO (1) | WO2003083920A1 (de) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7241725B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-07-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Barrier polishing fluid |
US7300480B2 (en) | 2003-09-25 | 2007-11-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate barrier polishing composition |
US8372757B2 (en) | 2003-10-20 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Wet etching methods for copper removal and planarization in semiconductor processing |
US8530359B2 (en) | 2003-10-20 | 2013-09-10 | Novellus Systems, Inc. | Modulated metal removal using localized wet etching |
US8158532B2 (en) * | 2003-10-20 | 2012-04-17 | Novellus Systems, Inc. | Topography reduction and control by selective accelerator removal |
US7972970B2 (en) * | 2003-10-20 | 2011-07-05 | Novellus Systems, Inc. | Fabrication of semiconductor interconnect structure |
US20050126588A1 (en) * | 2003-11-04 | 2005-06-16 | Carter Melvin K. | Chemical mechanical polishing slurries and cleaners containing salicylic acid as a corrosion inhibitor |
US20050097825A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-05-12 | Jinru Bian | Compositions and methods for a barrier removal |
US20050104048A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-19 | Thomas Terence M. | Compositions and methods for polishing copper |
US20050136670A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Ameen Joseph G. | Compositions and methods for controlled polishing of copper |
US7288021B2 (en) * | 2004-01-07 | 2007-10-30 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing of metals in an oxidized form |
US7497967B2 (en) * | 2004-03-24 | 2009-03-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Compositions and methods for polishing copper |
US7303993B2 (en) * | 2004-07-01 | 2007-12-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions and methods relating thereto |
US7384871B2 (en) * | 2004-07-01 | 2008-06-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions and methods relating thereto |
US7988878B2 (en) * | 2004-09-29 | 2011-08-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Selective barrier slurry for chemical mechanical polishing |
US7435356B2 (en) * | 2004-11-24 | 2008-10-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Abrasive-free chemical mechanical polishing compositions and methods relating thereto |
US7086935B2 (en) * | 2004-11-24 | 2006-08-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Cellulose-containing polishing compositions and methods relating thereto |
JP4845373B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2011-12-28 | 日立化成工業株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
US7790618B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Selective slurry for chemical mechanical polishing |
US7700533B2 (en) * | 2005-06-23 | 2010-04-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same |
TWI385226B (zh) * | 2005-09-08 | 2013-02-11 | 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 | 用於移除聚合物阻障之研磨漿液 |
US7435162B2 (en) * | 2005-10-24 | 2008-10-14 | 3M Innovative Properties Company | Polishing fluids and methods for CMP |
US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
US8263539B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-09-11 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use |
KR20090045223A (ko) * | 2006-07-05 | 2009-05-07 | 듀퐁 에어 프로덕츠 나노머티어리얼즈 엘엘씨 | 실리콘 웨이퍼용 연마 조성물 및 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 |
US7935242B2 (en) * | 2006-08-21 | 2011-05-03 | Micron Technology, Inc. | Method of selectively removing conductive material |
CN101270325A (zh) * | 2007-03-23 | 2008-09-24 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种清洗液及其应用 |
CN101280158A (zh) * | 2007-04-06 | 2008-10-08 | 安集微电子(上海)有限公司 | 多晶硅化学机械抛光液 |
US20080276543A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Thomas Terence M | Alkaline barrier polishing slurry |
WO2009044647A1 (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | シリコンエッチング液およびエッチング方法 |
WO2009054370A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Cmp研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法 |
TWI426125B (zh) * | 2007-11-20 | 2014-02-11 | Anji Microelectronics Co Ltd | 清洗液及其應用 |
CN101440258A (zh) * | 2007-11-22 | 2009-05-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种多晶硅化学机械抛光液 |
US8597461B2 (en) * | 2009-09-02 | 2013-12-03 | Novellus Systems, Inc. | Reduced isotropic etchant material consumption and waste generation |
CN102101979A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
TWI539493B (zh) | 2010-03-08 | 2016-06-21 | 黛納羅伊有限責任公司 | 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物 |
US8536106B2 (en) | 2010-04-14 | 2013-09-17 | Ecolab Usa Inc. | Ferric hydroxycarboxylate as a builder |
US9158202B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
CN103834306B (zh) * | 2012-11-22 | 2017-08-11 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于硅通孔平坦化的化学机械抛光液 |
US10870799B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-12-22 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device |
US11111435B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-09-07 | Versum Materials Us, Llc | Tungsten chemical mechanical planarization (CMP) with low dishing and low erosion topography |
US20200102476A1 (en) | 2018-09-28 | 2020-04-02 | Versum Materials Us, Llc | Barrier Slurry Removal Rate Improvement |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB679561A (en) | 1949-04-07 | 1952-09-17 | Poor & Co | Buffing and polishing compositions and method of preparation |
JPS5144138B2 (de) | 1972-08-21 | 1976-11-26 | ||
US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
WO1996038262A1 (en) | 1995-06-01 | 1996-12-05 | Rodel, Inc. | Compositions for polishing silicon wafers and methods |
US5860848A (en) | 1995-06-01 | 1999-01-19 | Rodel, Inc. | Polishing silicon wafers with improved polishing slurries |
US6001730A (en) | 1997-10-20 | 1999-12-14 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for polishing copper interconnects which use tantalum-based barrier layers |
US20020019202A1 (en) | 1998-06-10 | 2002-02-14 | Thomas Terence M. | Control of removal rates in CMP |
TWI227726B (en) * | 1999-07-08 | 2005-02-11 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical-mechanical abrasive composition and method |
CN1107097C (zh) * | 1999-07-28 | 2003-04-30 | 长兴化学工业股份有限公司 | 化学机械研磨组合物及方法 |
JP4188598B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2008-11-26 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 停止化合物を伴う研磨系及びその使用方法 |
US6355075B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-03-12 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
US20020025762A1 (en) | 2000-02-16 | 2002-02-28 | Qiuliang Luo | Biocides for polishing slurries |
KR100799965B1 (ko) * | 2000-07-08 | 2008-02-01 | 에포크 머티리얼 컴퍼니, 리미티드 | 화학-기계적 연마제 조성물 및 연마 방법 |
-
2003
- 2003-03-25 KR KR1020047015161A patent/KR101005304B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-25 JP JP2003581246A patent/JP4560294B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-25 AU AU2003218389A patent/AU2003218389A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-25 EP EP03714387A patent/EP1490897B1/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-25 TW TW092106622A patent/TWI248970B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-25 WO PCT/US2003/009118 patent/WO2003083920A1/en active IP Right Grant
- 2003-03-25 CN CNB038064243A patent/CN1319132C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-25 KR KR1020107014780A patent/KR101020613B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-25 DE DE60311569T patent/DE60311569T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-25 US US10/396,013 patent/US7491252B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005522031A (ja) | 2005-07-21 |
CN1319132C (zh) | 2007-05-30 |
KR20040104956A (ko) | 2004-12-13 |
JP4560294B2 (ja) | 2010-10-13 |
KR101005304B1 (ko) | 2011-01-05 |
EP1490897B1 (de) | 2007-01-31 |
TW200305637A (en) | 2003-11-01 |
CN1643660A (zh) | 2005-07-20 |
US7491252B2 (en) | 2009-02-17 |
US20030181345A1 (en) | 2003-09-25 |
AU2003218389A1 (en) | 2003-10-13 |
KR101020613B1 (ko) | 2011-03-09 |
DE60311569D1 (de) | 2007-03-22 |
TWI248970B (en) | 2006-02-11 |
EP1490897A1 (de) | 2004-12-29 |
KR20100084198A (ko) | 2010-07-23 |
WO2003083920A1 (en) | 2003-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60311569T2 (de) | Tantalbarriere-Entfernungslösung | |
DE102006041805B4 (de) | Polymere Polieraufschlämmung zur Barriereentfernung | |
DE69928537T2 (de) | Suspension zum chemisch-mechanischen polieren von kupfer/tantalsubstraten | |
DE602004000914T2 (de) | Polieraufschlämmung zum abtragen einer modularen barriere | |
KR100594561B1 (ko) | 구리 기판에 유용한 화학 기계적 연마용 슬러리 | |
DE69734138T2 (de) | Suspension zum chemisch-mechanischen Polieren von Kupfersubstraten | |
DE60307111T2 (de) | Verfahren zum chemisch mechanisch polieren von materialien mit einer niedrigen dielektrizitätskonstanten | |
DE60318301T2 (de) | Mit positiv geladenen polyelektrolyten behandelte anionische schleifmittelteilchen für das chemomechanische polieren | |
EP1090083B1 (de) | Suspension zum chemisch-mechanischen polieren von kupfer/tantalum-substraten | |
DE102005058271A1 (de) | Selektive Aufschlämmung zum chemisch-mechanischen Polieren | |
DE102005016554A1 (de) | Polierlösung für Barrieren | |
DE60304181T2 (de) | Cmp systeme und verfahren zur verwendung von aminoenthaltenden polymerisaten | |
DE102015007226A1 (de) | Chemisch-mechanische Polierzusammensetzung und Verfahren zum Polieren von Wolfram | |
US20050097825A1 (en) | Compositions and methods for a barrier removal | |
DE102018006078A1 (de) | Chemisch-mechanisches polierverfahren für wolfram | |
US20020053656A1 (en) | Ceric-ion slurry for use in chemical-mechanical polishing |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |