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Hintergrund der Erfindung
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Technischer Bereich der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf den Bereich der Datenspeicherung,
und speziell auf eine Magnettunnelsperrschicht-Speicherzellenarchitektur.
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Beschreibung
des Standes der Technik
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Ein
magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher (MRAM) ist ein Hochgeschwindigkeits-,
Niederspannungs-, nichtflüchtiger
Speicher mit hoher Dichte, in welchem ein Bit an Information in
einer Magnettunnelsperrschicht-(MTJ-)Struktur durch das Anwenden von
magnetischen Feldern gespeichert wird und von der MTJ durch Messen
deren Widerstand wiedergewonnen wird. Die Vorteile von MRAMs gegenüber anderen
Technologien beinhalten die Kombination von schnellem Lesen und
Schreiben, Nichtflüchtigkeit,
nahezu unbegrenzter Zyklenfähigkeit,
voller Bitänderungsfreundlichkeit
und einer einfachen Zellstruktur.
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MTJs
sind Mehrschichten von zwei ferromagnetischen (FM-)Schichten, welche
durch eine dünne
Isolierschicht getrennt sind. Speziell nützliche MTJ-Strukturen sind
diejenigen, in welchen eine der ferromagnetischen Schichten über Stifte
durch Austauschen einer Vorspannung an eine antiferromagnetische
Schicht angeheftet wird. Für
MRAM-Applikationen wird eine MTJ-Struktur so gestaltet, dass sie zwei
stabile magnetische Zustände
besitzt, welche einer parallelen und anti-parallelen Ausrichtung
der FM-Schichten in der MTJ-Einrichtung
entsprechen. Speziell ist der MTJ-Materialstapel im Allgemeinen aus
zwei magnetischen Schichten zusammengesetzt, welche durch eine dünne dielektrische
Barriere bzw. Sperrschicht getrennt sind. Eine Schicht aus antiferromagne tischem
Material mit einer starken Wechselkopplung, wie z.B. FeMn oder IrMn,
ist in Kontakt mit der unteren magnetischen Schicht platziert, welche
sie über
Stifte in einer Richtung anheftet. Diese Schicht ist von der nächsten magnetischen Schicht
durch eine dünne
Schicht von Ru getrennt, wodurch ein synthetischer Antiferromagnet
geschaffen wird. Der starke Austausch zwischen den magnetischen
Schichten in der synthetischen antiferromagnetische Struktur legt
die magnetische Polarisation der festen Schicht in einer Richtung
fest und verhindert, dass die feste Schicht während der Schreiboperationen
schaltet. Eine Leseschaltung wird benutzt, um den Zustand der MTJ-Einrichtung über das
Zugreifen des MTJ-Widerstandes
zu erhalten, wodurch die Tatsache gegeben ist, dass die MTJ-Einrichtung sich
wie ein variabler Widerstand mit zwei diskreten Widerstandswerten
verhält,
abhängig
von der zuvor erwähnten
relativen Ausrichtung des freien Magneten gegenüber dem über Stifte angehefteten Magneten.
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Eine
integrierte Speicherzelle besitzt einen extensiven Herstellungsprozess
für die
Herstellung der MTJ und ihren zugehörigen Schaltungen zum Schreiben
in die MTJ und Schaltungen zum Lesen der MTJ. Wie bei den meisten
integrierten Prozessen können
niedrigere Kosten durch Reduzieren der Anzahl der Komponenten erreicht
werden, wodurch der Herstellungsprozess vereinfacht und/oder der
Speicherzellen-Oberflächenbereich
reduziert wird.
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In
der US 2002/0044482 wird ein Speicher veröffentlicht, wie er in der Präambel des
Anspruchs 1 dargestellt ist.
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Die
Erfindung wird durch den Anspruch 1 definiert.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Zum
vollständigeren
Verständnis
der vorliegenden Erfindung wird Bezug auf die folgende detaillierte
Beschreibung genom men, welche in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen
gegeben wird, in welchen:
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1 eine
herkömmliche
MTJ-MRAM-Zelle darstellt;
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1A eine
schematische Darstellung eines Teils der MTJ-MRAM-Zelle zeigt, welche in 1 dargestellt
wird;
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2 eine
magnetische Speicherarchitektur in Übereinstimmung mit einer beispielhaften
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt;
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2A eine
magnetische Speicherarchitektur in Übereinstimmung mit einer anderen
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt; und
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3 eine
schematische Darstellung der magnetischen Speicherarchitekturen
darstellt, welche in den 2 und 2A dargestellt
werden.
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Detaillierte
Beschreibung
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Die
zahlreichen innovativen Erläuterungen der
vorliegenden Erfindung werden mit speziellem Bezug auf die gegenwärtig bevorzugten
beispielhaften Ausführungsformen
beschrieben. Es ist jedoch davon auszugehen, dass diese Klasse bzw.
Gruppe von Ausführungsformen
hier nur wenige Beispiele der vielen nützlichen Anwendungen und innovativen Erläuterungen
liefert. Im Allgemeinen grenzen die in der Spezifikation der vorliegenden
Anmeldung getroffenen Aussagen nicht notwendigerweise irgendeine
der verschiedenen beanspruchten Erfindungen ein. Vielmehr können einige
getroffene Aussagen sich auf einige erfinderische Merkmale beziehen,
jedoch nicht auf andere. Für
alle Zeichnungen gilt, dass die gleichen Referenznummern oder -buchstaben benutzt
werden, um ähnliche
oder äquivalente
Elemente, welche die gleiche Funktion besitzen, zu kennzeichnen.
Detaillierte Beschreibungen von bekannten Funktionen und Kon struktionen,
welche den Hauptgegenstand der vorliegenden Erfindung unnötigerweise
unverständlich
machen, wurden der Klarheit wegen weggelassen.
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1 stellt
einen Querschnitt eines herkömmlichen
Beispiels einer MTJ-MRAM-Zelle 100 dar. Die Darstellung
ist parallel zu den verschiedenen Elementen und/oder ist ein Schnitt
durch diese hindurch, wie dies unten beschrieben wird. Die Elemente
der Zelle 100 beinhalten eine MTJ 114, eine leitende
Schicht 102, welche sowohl als eine Bit-"Schreib"-Leitung als auch
als eine "Lese"-Leitung für das Bit
dient, welches in der MTJ 114 gespeichert ist; eine leitende
Schicht 104, welche als eine Wort-"Schreib"-Leitung arbeitet; und ein FET 106, welcher
einen Sourceanschluss 108, einen Drainanschluss 110 und
ein Gate 112 besitzt, welches als ein Schalter für das Lesen
der gespeicherten Bits arbeitet. Die Schreibleitungen 102 und 104 sind
typischerweise senkrecht zueinander, wie dies durch Aufsicht auf
die Zelle 100 geschieht, und sie ruhen in getrennten parallelen
Ebenen.
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Die
MTJ 114 ist an der Trennung der Schreibleitungen 102 und 104 gebildet,
wie dies an anderer Stelle beschrieben wird. Eine Seite der MTJ 114 ist
elektrisch kontinuierlich mit der Leitung 102, und die
andere Seite ist elektrisch kontinuierlich wiedergegeben mit dem
Sourceanschluss 108 der FET 106 über einen
elektrischen Pfad 116, welcher weiter unten beschrieben
wird. Die Leitung 104 und die MTJ 114 sind elektrisch
diskontinuierlich.
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Der
Drain 110 des FET 106 ist mit der Erde 118 verbunden.
Herkömmlicherweise
ist der FET 106 normalerweise nichtleitend, so dass kein
Strom von der Leitung 102 durch die MTJ 114, den
Pfad 116 und den Sourceanschluss 108 zur Erde
fließen
kann. Wenn geeignete Ströme
selektiv momentan an die Leitungen 102 und 104 angelegt
sind, schaffen sie orthogonale magnetische Felder in der MTJ 114.
Diese Felder schreiben selektiv oder setzen die MTJ 114 entweder
auf ihren niedrigen Widerstandszustand (RPARALLEL)
oder auf ihren hohen Widerstandszustand (RANTIPARALLEL).
Folglich kann der Zustand der MTJ 114 durch Anlegen von
Strom von einer Stromquelle an die Leitung 102 und eines
Signals an das Gate 112 der FET gelesen werden, wobei das
Signal eine Leitung zwischen dem Sourceanschluss 108 und
dem Drainanschluss 110 bewirkt. Die Größe des Stromflusses – niedrig
oder hoch – durch
die MTJ 114, den Pfad 116 und das Leitendmachen
des FET 106 gegenüber
der Erde 118 wird abgetastet, um zu bestimmen, ob die MTJ 114 in
dem hohen oder dem niedrigen Widerstandszustand ist. Der hohe Widerstandszustand
resultiert in einem niedrigeren Strom durch die Elemente 114, 116 und 106 als
der niedrige Widerstandszustand.
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Die
MRAM kann eine große
Anzahl von parallelen Bitleitungen (BL) 102 und orthogonalen,
abwechselnd parallelen Wortleitungen (WL) 104 mit einer
MTJ 114 beinhalten, welche an jeder Wortleitungs-Bitleitungstrennung
platziert ist.
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Die
Zelle 100 wird über
typische integrierte Schalttechnik hergestellt, in welcher Bereiche
und Schichten von verschiedenen Leitern, Halbleitern und Isolatoren
gebildet sind, wobei lithographische Dotier- und andere Prozesse
benutzt werden. Beispielsweise beinhaltet die Erde 118 in 1 einen pfostenähnlichen
Leitungsmetallkontakt 120, welcher elektrisch kontinuierlich
an einem Ende mit dem Diffusionsbereich 110 (d.h. dem Drain)
des FET und am anderen Ende mit einer herkömmlichen leitenden Erdleitung 122 ist,
welche sich in und aus der Ebene der Figur erstreckt und welche
elektrisch kontinuierlich mit ähnlichen
Kontakten 120 der anderen Zellen 100 (nicht gezeigt)
ist. In ähnlicher
Weise beinhaltet ein Teil des Pfades 116 einen pfostenähnlichen
elektrischen Kontakt 124, welcher an einem Ende mit dem
Sourceanschluss 108 des FET 106 und an seinem
anderen Ende mit einem Metallelement 126 angeschlossen
ist, welches als ein Teil des Pfades 116 dient.
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Die
gezeigt wird, sind die Kontakte 120 und 124 koplanar;
ebenso sind das Metallelement 126 und die Metallerdleitung 122 koplanar.
In der Tat werden die Elemente 120, 124 zur gleichen
Zeit gebildet, und die Metallelemente 122, 126 werden
später
zu der gleichen Zeit aus einer abgelagerten Metallschicht (M1) gebildet.
Speziell nach dem Bilden der FET 106 in und auf einem Siliciumsubstrat 128 durch herkömmliche
Dotier- und Ablagerungstechniken werden der FET 106 und
umgebende Bereiche des Substrats mit einer elektrischen Isolierschicht 130 bedeckt.
Die Schicht 130 dient dazu, den FET 106 während der
Herstellung der Zelle und für
den späteren
Gebrauch zu schützen.
Die Schicht 130 besitzt zum Schluss eine Tiefe, welche
der Höhe
der Kontakte 124, 120 entspricht. Dies wird typischerweise durch
Ablagern der Schicht 130 erreicht, mit einer Tiefe, welche
ein wenig größer ist
als die gewünschte,
und durch anschließendes
Entfernen des Überstandes
durch Glättungstechniken,
wie z.B. chemisch-mechanisches Polieren.
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Nachdem
die Schicht 130 hergestellt ist, wird diese selektiv mit
bekannten Lithographietechniken oder anderen ähnlichen Techniken geätzt, um
Durchgänge
oder Löcher 132, 134 herzustellen,
welche sich durch die Schicht erstrecken und welche an dem Boden
derselben das Source bzw. die Quelle und den Drain 108 und 110 freilegen.
Es wird dann Metall in die Durchgänge 132, 134 abgelegt
oder gefüllt,
so dass die so gebildeten Kontakte 120, 124 jeweils
mit dem Drain 110 und dem Sourceanschluss 108 elektrisch
verbunden sind.
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Als
Nächstes
wird die Metallschicht M1 so gebildet, dass sie die Schicht 130 und
die Enden der Kontakte 120, 124 überlagert,
mit deren Ende die leitende Schicht M1 in elektrischer Verbindung
ist. Die Tiefe der Schicht M1 nimmt schließlich die gewünschte Dicke
des Elementes 126 und der Erdleitung 122 an, aufgrund
der Anwendung von Planar- bzw. Glättungsschritten. Als Nächstes werden
die lithographischen Techniken be nutzt, um überflüssiges Metall der Schicht M1
zu entfernen, wonach das Element 126 und die Erdleitung 122 übrig bleiben.
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Der
Pfad 116 beinhaltet einen Kontakt 142, welcher
elektrisch mit dem Element 16 verbunden ist. Der Kontakt 142 wird
durch erstes Ablegen einer Isolierschicht 144 über der
geebneten oberen Oberflächen
der Schicht M1, der Erdleitung 122 und des Elementes 126 gebildet
und bildet dann durch selektives Ätzen oder andere Entfernungsprozesse
einen Durchgang 146 durch sie hindurch. Der Durchgang 146 wird
dann mit dem Material des Kontaktes 142 gefüllt, und
die Koplanarität
der oberen Oberfläche der
Schicht 144 und des Kontaktes 142 wird durch irgendeine
herkömmliche
Weise erreicht.
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Als
Nächstes
wird eine zweite metallische Schicht (M2) über der Schicht 144 und
der oberen Oberfläche
des Kontaktes 142 aufgebracht, welche durch lithographisches
selektives Ätzen
oder andere Entfernungstechniken zum Entfernen von ausgewählten Bereichen
der Schicht M2 gefolgt wird, um die Wort-Schreib-Leitung 104 und ein
koplanares leitendes Glied 150 in elektrischer Verbindung
mit dem Kontakt 142 herzustellen. Als Nächstes wird eine Isolierschicht 152 auf
den geglätteten
oberen Oberflächen
von und im Zwischenraum zwischen der Leitung 104 und dem
Glied 150 gebildet. Als Nächstes wird ein Kontakt 154 in
elektrischer Verbindung mit der oberen Oberfläche des Gliedes 150 in
einem Durchgang 156 gebildet, welche sich durch die Schicht 152 erstreckt.
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Auf
der Oberseite der geglätteten
oberen Oberfläche
der Isolierschicht 152 wird eine Metallschicht 160 abgelegt,
auf die das selektive Entfernen der Schicht 160 folgt,
welches ein Metallglied 162 hinterlässt, welches elektrisch an
einem Ende mit der Oberseite des Kontaktes 154 verbunden
ist und welches ein "freies" Ende besitzt, welches
getrennt und von der obersten Oberfläche des Gliedes 104 elektrisch
isoliert ist. Ähnliche
Techniken werden benutzt, um die MTJ 114 auf der obersten
Oberfläche
des "freien" Endes des Gliedes 162 und
in elektrischer Verbindung mit diesem herzustellen. Wieder werden bekannte
Techniken implementiert, um eine zusätzliche metallische Schicht
(M3) zu liefern, von welcher aus die MTJ-Bitleitung (BL) 102 gebildet
wird, auf der Oberseite und in elektrischer Verbindung mit der MTJ 114.
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Schließlich werden
bekannte Techniken implementiert, um eine weitere metallische Schicht
(M4) zu liefern, von welcher aus die Metallleitung 300 gebildet
wird, im Allgemeinen senkrecht zu und elektrisch isoliert von dem
Metall BL 102. Die Metallleitung 300 mit ihrem
verhältnismäßig geringeren
Widerstand wird benutzt, um den Widerstand der Polywortleitung 112 zu
erniedrigen. Die Poly allein würde eine
nachteilig lange RC-Verzögerung für die Wortleitung 112 liefern.
Herkömmlicherweise
hat die Metallleitung 300 einen Schichtwiderstand von ungefähr 0,1 Ohm/sq,
welcher zu der Polywortleitung 112 parallel geschaltet
ist, welche einen Schichtwiderstand von ungefähr 5 Ohm/sq besitzt. Wie in 1A gezeigt
wird, wird die Metallleitung 300 zu der Polywortleitung 112 bei
jeder der 128 Bitleitungen parallel geschaltet, ein typisches
Schema für
eine herkömmliche
MRAM-Anordnung. Das Parallelschalten kann geliefert werden, indem
z.B. eine Technik benutzt wird, welche von der DRAM-Technologie
bekannt ist, das so genannte Stitching bzw. Anheften. Das Anheften
gestattet die Ohmsche Kombination der Metallleitung 300 und
der Polywortleitung 112, welche die gesamte RC-Verzögerung erniedrigt
und deshalb die Zugriffszeit erhöht.
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Man
beachte, dass die Metallschicht M1 die Elemente 122 und 126 beinhaltet,
M2 die Elemente 104 und 150 beinhaltet, M3 das
Element 102 beinhaltet, und M4 das Element 300 beinhaltet.
Wie gesehen werden kann, kann die Konstruktion eines herkömmlichen
MTJ-MRAM mehrere detaillierte Schichten und Prozesse beinhalten.
Eine Reduktion in der Anzahl der Schichten und damit verbundene
Ablagerungsoperationen, das Ätzen
oder andere Abtragoperationen und/oder andere photolithographische Operationen
würden
die Herstellungskosten reduzieren und/oder mehr Speicher pro Volumeneinheit
liefern. Ein Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung reduziert
die Anzahl der Schichten und speziell der Metallschichten, wodurch
vorteilhafterweise verminderte Herstellungskosten und/oder vermindertes Zellvolumen
geliefert werden.
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2 stellt
einen Querschnitt einer MTJ-Speichereinrichtung 200 entsprechend
den beispielhaften Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung dar. Die Speichereinrichtung 200 beinhaltet eine
Bitleitung 102 und eine Wortleitung 104 für das Betreiben
der MTJs 114, wie oben beschrieben. Außerdem kann die Speichereinrichtung 200 durch
die oben beschriebenen herkömmlichen
integrierten Schaltungstechniken hergestellt werden. Durch das Nutzen
des Verbindungs- und Aktivierungsschemas der vorliegenden Erfindung
werden jedoch die Schichten M1 und M4 (aus 1) aus der
vorliegenden Speichereinrichtung 200 eliminiert. Um eine
vorteilhafte niederohmige Lesewortleitung und eine niederohmige
Erde beizubehalten, welche in der herkömmlichen MRAM-Zelle 100 durch
metallische Schichten (d.h. M4 bzw. M1) geliefert werden, wird die
Leitung 104 des vorliegenden Verbindungs- und Aktivierungsschemas
multifunktional hergestellt. Das bedeutet, dass zusätzlich zur
Leitung 104, welche benutzt wird, das magnetische Feld
in der MTJ 114 zu bewirken, die Leitung 104 auch
benutzt wird, die hochohmige Charakteristik des Poly WL 112 zu
reduzieren und eine niederohmige Erde zu liefern.
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Um
eine niederohmige Lesewortleitung entsprechend des vorliegenden
Verbindungs- und Aktivierungsschemas zu liefern, wird die Metallwortleitung 104 jeder
Zelle zu ihrer Poly WL 112 parallel geschaltet. Die Parallelschaltung
wird als Gegenstand 33 in 2 und 3 gezeigt.
Die 3 zeigt eine schematische Darstellung der MTJ-Speichereinrichtung 200,
welche in 2 dargestellt wird. Die Parallelschaltung
kann durch einen Heft-Prozess geliefert werden, z.B. ähnlich dem
Anheften der Metallleitung 300 gegenüber der Poly WL 112,
welche mit Bezug auf 1A beschrieben wurde. Die fortschrittliche Signalverbindung
der Leitung 104 (nachfolgend mit Bezug auf und in 3 als
Adr(n) 104 gekennzeichnet), kombiniert mit dem entsprechenden
Aktivierungsschema (welches nachfolgend beschrieben wird), liefert
das Eliminieren von M4 (1).
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Um
die niederohmige Erde zu liefern, wird Adr(n) 104 jeder
Zelle in einem Heft-Prozess auch zu der Diffusionserde 110 der
benachbarten Zelle parallel geschaltet (wie in 3 als
Gegenstand 35 gezeigt und durch die gebrochene Linie in 2 dargestellt).
Damit führt
die Adr(n) 104 in Kombination mit dem unten beschriebenen
Aktivierungsschema auch die Funktionalität der Metallerdeleitung 122 der
M1 (1) durch, welche deshalb eliminiert werden kann.
So kann der Kontakt 150 direkt an die obere Oberfläche des
Kontaktes 124 angelegt werden, welcher ferner den Kontakt 142 eliminiert,
wodurch ferner die gesamte Höhe
der Einrichtung 200 reduziert wird.
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Im
Folgenden wird ein beispielhaftes Lese-/Schreib-Aktivierungsschema
entsprechend der magnetischen Speicherarchitektur, welche in 2 und 3 gezeigt
wird, beschrieben. Als Erstes werden, um in eine spezielle MTJ-Zelle 114 zu
schreiben, geeignete Ströme
selektiv momentan an die Schreibleitungen BL(n) 102 und
an die Adr(n) 104, welche mit der MTJ-Zelle 114 verbunden
sind, gelegt. Beispielsweise wird, um die Zelle "A" der 3 zu beschreiben,
ein Schreibstrom (von ungefähr
5 mA beispielsweise) an Adr(1) und BL(0) gelegt. Hier beträgt die Spannung
an Adr(1) ungefähr
0,25 V, dem Äquivalent
von 5 mA × 50
Ohm. Ferner, da die Poly WL(1) als 33 an Adr(1) angeheftet ist,
müssen
die Ausgänge
der Schalter "D" und "E" bei einer niedrigen Spannung (z.B.
0,25 V) gehalten werden, um sie davor zu bewahren, dass sie während des
Schreibens EIN-geschaltet
werden. Aufgrund der Tatsache, dass der Diffusionsbereich jedes
Schalters 106 an benachbarte Schreibleitungen Adr(n) 104 geheftet wird,
werden die Ausgänge
der Schalter "D" und "E" niedrig gehalten, indem das Abruf-0,25-Volt-Signal an alle anderen
Adr(n) angelegt wird.
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Um
die Zeile "A" zu lesen, wird ein
Strom an BL(0) angelegt, und der Schalter "D" wird
EIN-geschaltet, indem ein Aktivierungssignal an das Gate über Adr(1)
und eine Erdreferenz an den Schaltungsausgang über die anderen Adr(n) angelegt
wird, um eine Leitung über
den Schalter "D" zu bewirken, welcher
abgetastet wird, um den Zustand der MTJ der Zelle "A" zu bestimmen. Spezieller ausgedrückt, Adr(1)
wird auf hoch getrieben (z.B. ungefähr 1,8 V), und alle anderen
Adr(n) werden auf niedrig gebracht (z.B. auf Erde = 0 V), um die
Erdverbindung zu liefern. Es kann eine herkömmliche Verschaltung beinhaltet
sein, um die Größe des Stromflusses
abzutasten bzw. zu messen, um zu bestimmen, falls die MTJ 114 in
dem hohen oder in dem niedrigen Widerstandszustand ist. Der hohe
Widerstandszustand resultiert in einem niedrigeren Strom als der
niedrige Widerstandszustand.
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Die
Kombination des vorliegenden Verbindungs- und Aktivierungsschemas
liefert die Funktionalität
der Metallschichten M1 und M4 und die Schreibleitung der herkömmlichen
MTJ-Zellanordnung der 1 in einer einzelnen multifunktionalen Metallleitung.
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Mit
Bezug nun auf 2A wird eine andere Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung gezeigt. In dieser Ausführungsform
werden die Kontakte 154, 150 und 124 (in 2 gezeigt)
in einem einzelnen tiefen Durchgang-Kontakt 250 kombiniert. Herkömmliche
integrierte Schaltungsentwürfe
erfordern typischerweise einen Metall-zu-Metall-Abstand zwischen
den Metallgliedern, wie z.B. 104 und 150, in der
Größenordnung
von ungefähr
0,24 μm
(in 2 als "X" gezeigt). Indem
der tiefe Durchgang-Kontakt 250 genutzt wird, kann der
Abstand X signifikant reduziert werden (bis zu einem Drittel), was
umgekehrt die Gesamtbreite einer Multi-Zell-MTJ-Struktur in großem Maße reduziert.
Die Durchgang-Kontakte können
herkömmlicherweise
enger als Metallkontakte gemacht werden. Wie in 2 und 2A gezeigt wird,
sind die herkömmlichen
Durchgang-Kontakte 124, 154 und 250 enger
(ungefähr
0,16 μm
enger) als ein herkömmli ches
Metallglied, wie z.B. das Glied 150. Wie in 2A gezeigt
wird, gestattet das Benutzen des tiefen Durchgang-Kontakts eine Reduktion der
X-Dimension von ungefähr
0,24 μm
in 2 gegenüber
der entsprechenden Y-Dimension von ungefähr 0,16 μm in 2A.
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Der
tiefe Durchgang-Kontakt 250 wird in elektrischen Kontakt
zwischen der Quelle 108 und dem Glied 162 angelegt
und kann gebildet werden, indem gut bekannte herkömmliche
Techniken benutzt werden.
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Obwohl
bevorzugte Ausführungsformen
des Gerätes
und des Verfahrens der vorliegenden Erfindung in den beigefügten Zeichnungen
dargestellt wurden und in der vorausgehenden detaillierten Beschreibung
beschrieben wurden, ist davon auszugehen, dass die Erfindung nicht
auf die veröffentlichten Ausführungsformen
begrenzt ist, sondern dass sie für
zahlreiche Anordnungen, Modifikationen und Substitutionen angewandt
werden kann, ohne vom Umfang der Erfindung, wie sie in den folgenden
Ansprüchen
dargestellt und definiert werden, abzuweichen.