-
TECHNISCHES
GEBIET
-
Diese
Erfindung bezieht sich auf Systeme und Verfahren zum Abtasten eines
Photodetektors und auf Photozellenschaltungen, die denselben beinhalten.
-
HINTERGRUND
-
Photodetektoren
können
bei einer großen Bandbreite
von Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich Bilderzeugungsanwendungen
und Optische-Navigation-Anwendungen. Kürzlich wurden Photodetektorschaltungen
in Optische-Navigation-Sensoren
integriert, die nicht-mechanische Nachverfolgungsmaschinen für Computermäuse liefern. Die
Optische-Navigation-Sensoren verwenden eine Optische-Navigation-Technologie,
die Positionsänderungen
misst, indem sie sequentielle Oberflächenbilder (Rahmen) optisch
erfasst und die Richtung und den Umfang der Bewegung mathematisch
ermittelt. Um ein verzerrungsfreies Bild der gescannten Oberfläche zu erzeugen,
sollte der Pfad der Scanvorrichtung über die Oberfläche mit
hoher Genauigkeit bestimmt werden, so dass das Originalbild getreu
auf die gescannten Pixeldaten abgebildet werden kann. Derartige
Optische-Navigation-Systeme verfolgen üblicherweise den gescannten
Pfad auf der Basis von erfassten Unterschieden bezüglich des
Pixel-zu-Pixel-Oberflächenreflexionsvermögens nach. Diese Änderungen
bezüglich
des Reflexionsvermögens
können
je nach dem Oberflächenmedium
ziemlich gering sein (z. B. in der Größenordnung von 6% für weißes Papier).
Dagegen können
Rauschsignale (z. B. durch die Photodiode erzeugte Schrotrauschsignale),
die durch die Wirkung eines Phototransistors verstärkt werden,
relativ groß sein.
Somit sind die Photoelementsignale bei Optische-Navigation-Sensoranwendungen üblicherweise
durch relativ niedrige Signal/Rausch-Verhältnisse gekennzeichnet. Folglich
umfassen Optische-Navigation-Sensoren üblicherweise Schaltungen, die
die Signal/Rausch-Verhältnisse
von Photoelementen ausreichend hoch halten, damit eine Sensorbewegung nachverfolgt
werden kann. Jedoch sollten diese Schaltungen eine relativ geringe
Größe aufweisen, so
dass ein beträchtlicher
Abschnitt der Photozellenfläche
zur Lichterfassung verwendet werden kann.
-
Manche
Navigationssensoren, die bisher vorgeschlagen wurden, umfassen zweidimensionale Photoelementarrays,
die auf einem Integrierte-Schaltung-Substrat gebildet sind, das
eine Auslese- und Signalverarbeitungsschaltungsanordnung umfasst. Die
Photoelementarrays können
jeweils mehrere Spalten und mehrere Reihen von Photoelementen aufweisen.
Jedes Photoelement kann einen Phototransistor zum Erzeugen von Strom
ansprechend auf erfasste Lichtsignale, eine Servoverstärkerschaltungsanordnung
zum Vorspannen der Basis des Phototransistors und einen Integrationskondensator zum
Speichern einer Ladung, die auf die Menge von mittels Licht erzeugtem
Strom anspricht, umfassen. Die integrierte Ladung an dem Kondensator
wird periodisch gelesen und verarbeitet, so dass die Lichtmenge,
die während
eines gegebenen Lesezeitraums auf das Photoelement fällt, bestimmt
werden kann.
-
Die
US-A-6,078,037 offenbart einen Aktiv-Pixel-CMOS-Sensor, der ein
lichtempfindliches Element, das zwischen Masse und einen Sammlungsknoten
gekoppelt ist, einen Rücksetztransistor,
der zwischen den Sammlungsknoten und eine Spannungsversorgung gekoppelt
ist, eine Mehrzahl von Speicherelementen, die Aufnahmeknoten definieren, eine
Mehrzahl von Abtasttransistoren, die zwischen den Sammlungsknoten
und einen jeweiligen der Aufnahmeknoten gekoppelt sind, sowie eine
Mehrzahl von Auslesetransistoren umfasst. Eine Steuerlogik erzeugt
jeweilige Abtastsignale zum Aktivieren eines jeweiligen der Abtasttransistoren.
Die Steuerlogik erzeugt ferner eine Mehrzahl von Freigabesignalen zum
Freigeben eines jeweiligen der Auslesetransistoren.
-
Die
vorliegende Erfindung beruht auf der Aufgabe, eine Schaltung zum
Abtasten eines Photodetektorausgangsknotens zu liefern, die einen
vereinfachten Schaltungsentwurf aufweist.
-
Diese
Aufgabe wird durch eine Schaltung gemäß Anspruch 1 erzielt.
-
ZUSAMMENFASSUNG
-
Die
vorliegende Erfindung hat eine Schaltung zum Abtasten eines Photodetektorausgangsknotens
zum Gegenstand. Die Schaltung umfasst eine Mehrintegratorschaltung,
die zwischen den Photodetektorausgangsknoten und einen Ausleseknoten gekoppelt
ist und mehrere Speicherelemente und eine Steuerschaltung aufweist,
die dahingehend wirksam ist, an dem Ausgangsknoten eine erste gespeicherte
Abtastung des Photodetektorausgangsknotens zu präsentieren, während sie
gleichzeitig eine zweite Abtastung des Photodetektorausgangsknotens
speichert. Die Mehrintegratorschaltung umfasst mehrere Integratorschaltungen,
die jeweils einen zugeordneten Speicherknoten, einen jeweiligen Integrationsschalter,
der zwischen den zugeordneten Speicherknoten und den Photodetektorausgangsknoten
gekoppelt ist, und einen jeweiligen Ausleseschalter, der zwischen
den zugeordneten Speicherknoten und den Ausleseknoten gekoppelt
ist, aufweisen. Die Steuerknoten jedes der Integrationsschalter sind
mit einer jeweiligen Eingangssteuerleitung gekoppelt. Die Integrationsschalter
und die Ausleseschalter eines Paars von Integratorschaltungen sind über Kreuz
gekoppelt, so dass ein jeweiliges Paar von Eingangssteuerleitungen
eine Speicherung einer Photodetektorausgangsknotenabtastung an einem Speicherknoten
und eine gleichzeitige Präsentation einer
gespeicherten Photodetektorausgangsknotenabtastung von einem anderen
Speicherknoten steuert.
-
Bei
manchen Ausführungsbeispielen
kann eine Verschlussschaltung zwischen die Integrationsschalter
und den Photodetektorausgangsknoten gekoppelt sein. Die Verschlussschaltung
kann einen Schalter aufweisen, der zwischen die Integrationsschalter
gekoppelt ist und einen mit einer Integrationssteuerleitung gekoppelten
Steuerknoten aufweist.
-
Bei
manchen Ausführungsbeispielen
können die
Speicherknoten dahingehend wirksam sein, durch den Photodetektorausgangsknoten
entladen zu werden. Bei diesen Ausführungsbeispielen können die
Speicherknoten dahingehend wirksam sein, durch den Ausleseknoten
geladen zu werden.
-
Bei
einem anderen Aspekt liefert die Erfindung eine Photozellenschaltung,
die eine Photodetektorschaltung und eine Mehrintegratorschaltung aufweist.
Die Photodetektorschaltung weist einen Ausgangsknoten auf. Die Mehrintegratorschaltung
ist zwischen den Photodetektorausgangsknoten und einen Ausleseknoten
gekoppelt. Die Mehrintegratorschaltung weist mehrere Speicherelemente
und eine Steuerschaltung auf. Die Steuerschaltung ist dahingehend
wirksam, an dem Ausleseknoten eine erste gespeicherte Abtastung
des Photodetektorausgangsknotens zu präsentieren, während sie
gleichzeitig eine zweite Abtastung des Photodetektorausgangsknotens
speichert.
-
Bei
manchen Ausführungsbeispielen
gemäß diesem
Aspekt der Erfindung umfasst die Photozellenschaltung ferner eine
Mehrzahl von Photoelementen, die zu einem Array angeordnet sind.
Jedes der Photoelemente umfasst eine jeweilige Photodetektorschaltung
und eine zugeordnete Mehrintegratorschaltung.
-
Andere
Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden
Beschreibung, einschließlich
der Zeichnungen und der Patentansprüche.
-
BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist
ein Schaltungsdiagramm einer ersten Photozellenschaltung.
-
2 ist
ein Schaltungsdiagramm einer zweiten Photozellenschaltung.
-
3 ist
ein Schaltungsdiagramm einer dritten Photozellenschaltung.
-
AUSFÜHRLICHE
BESCHREIBUNG
-
Bei
der folgenden Beschreibung werden gleiche Bezugszeichen verwendet,
um gleiche Elemente zu identifizieren. Ferner sollen die Zeichnungen
wichtige Merkmale exemplarischer Ausführungsbeispiele auf schematische
Weise veranschaulichen. Die Zeichnungen sollen nicht jedes Merkmal
tatsächlicher
Ausführungsbeispiele
oder relative Abmessungen der gezeigten Elemente zeigen und sind
nicht maßstabsgetreu
gezeichnet.
-
Unter
Bezugnahme auf 1 umfasst eine Photozellenschaltung 10 bei
einem Ausführungsbeispiel
eine Photodetektorschaltung 12 und eine Mehrintegratorschaltung 14.
Allgemein ist die Photodetektorschaltung 12 dahingehend
wirksam, selektiv durch einen Ausgangsknoten Strom zu ziehen, der der
durch einen Phototransistor empfangenen Lichtmenge entspricht. Wie
nachstehend ausführlicher
erläutert
wird, ist die Mehrintegratorschaltung 14 dahingehend wirksam,
an einem Ausleseknoten eine erste gespeicherte Abtastung des Photodetektorausgangsknotens
zu präsentieren,
während
sie gleichzeitig eine zweite Abtastung des Photodetektorausgangsknotens
speichert.
-
Die
Photodetektorschaltung 12 umfasst einen Phototransistor 16,
eine Servoschaltung 18, einen Eingangstransistor 20 und
einen Ausgangstransistor 22. Der Phototransistor 16 ist
ein PNP-Transistor, der ansprechend auf empfangene Photonen 24 Strom
erzeugt. Die Servoschaltung 18 umfasst ein Paar von MOS-Transistoren 26, 28,
die einen Vorspannungspunktverstärker
mit einer Gemeinsam-Gatter-Stufe für den Ausgang des Phototransistors 16 bilden.
Der Eingangstransistor ist ein MOS-Transistor, der die Versorgung
mit Vorspannungsstrom von der Netzleitung VDD ansprechend
auf ein Eingangssteuersignal (PBB) tormäßig steuert. Allgemein legen
die Servoschaltung 18 und der Eingangstransistor 20 den
Vorspannungsstrom auf einen im Wesentlichen. konstanten Pegel fest,
der wiederum die Basis-Kollektor-Spannung des Phototransistors 16 einstellt.
Die Basis-Kollektor-Spannung des Phototransistors 16 ist
vorzugsweise auf einen Pegel eingestellt, der etwa gleich dem NMOS-Schwellenpegel über GND
(ground, Masse) an dem Kollektorknoten 30 ist. Die Servoschaltung 18 und
der Eingangstransistor 20 liefern eine Gegenkopplungsschleife,
bei der der MOS-Transistor 28 als Source-Folger des Emitterknotens 32 des
Phototransistors 16 arbeitet. Auf diese Weise wird die
Basis-Kollektor-Spannung des Phototransistors 16 durch
die Emitterspannung des Phototransistors 16 gesteuert.
Von der Ausgangsperspektive aus betrachtet erscheint der Transistor 28 der
Servoschaltung 18 als Gemeinsam-Gatter-Stufe, die auch
den Emitterknoten 32 und den Basisknoten 34 des
Phototransistors 16 von dem Spannungshub an dem Ausgangsknoten 36 der
Photodetektorschaltung 12 isoliert. Der Ausgangstransistor 22 ist
ein MOS-Transistor, der steuert, ob Strom von der Netzleitung VDD zur Verfügung stehen wird, um den mittels
Licht erzeugten Strom, der durch den Phototransistor 16 gezogen
wird, zu liefern. Insbesondere wird der Ausgangstransistor 22 dann,
wenn das Ausgangssteuersignal INT niedrig ist, abgeschaltet, was
verhindert, dass durch die Netzleitung VDD Strom
geliefert wird. Wenn das Ausgangssteuersignal INT hoch ist, wird der
Ausgangstransistor 22 eingeschaltet, was ermöglicht,
dass durch die Netzleitung VDD Strom geliefert
wird.
-
Die
Mehrintegratorschaltung 14 umfasst ein Paar von Speicherknoten 40, 42,
die den Eingangsgattern eines Paars von MOS-Transistoren 44 bzw. 46 entsprechen.
Die Mehrintegratorschaltung 14 umfasst ferner ein Paar
Integrations-MOS-Transistoren (oder
-Schalter) 48, 50 und ein Paar Auslese-MOS-Transistoren
(oder -Schalter) 52, 54, die jeweils Speicherknoten 40, 42 zugeordnet
sind. Die Gatter der Integrationstransistoren 48, 50 sind
mit Steuerleitungen IA bzw. IB gekoppelt,
und die Gatter der Auslesetransistoren 52, 54 sind
mit Steuerleitungen RA bzw. RB gekoppelt.
Die Drains der Auslesetransistoren 52, 54 sind
an einem gemeinsamen Ausgangsknoten 56 (OUT) gekoppelt.
-
Die
Eingangssteuersignale IA, IB,
RA, RB und INT können dazu
verwendet werden, die Speicherknoten 40, 42 der
Photozellenschaltung 10 in einen von drei Betriebsmodi
zu versetzen: Halten, Integrieren und Umwandlung (oder Auslesen).
Ein Speicherknoten wird in den Halten-Modus versetzt, wenn die Integrations-
und Ausleseschalter 48–54 offen
sind und der Photodetektorausgangsschalter 22 geschlossen
ist (d. h. IA, IB,
RA, RB und INT hoch
sind). In dem Halten-Betriebsmodus
werden die Ladungen an den Speicherknoten 40, 42 isoliert
und gehalten. Ein Speicherknoten wird in den Integrieren-Modus versetzt,
wenn einer der Integrationsschalter geschlossen ist und der Photodetektorausgangsschalter 22 offen
ist (d. h. IA oder IB niedrig
ist und INT niedrig ist). Bei dem Integrieren-Betriebsmodus wird
der mittels Licht erzeugte Strom, der durch den Phototransistor 16 gezogen
wird, durch die Ladung geliefert, die an dem Speicherknoten gespeichert
ist, der mit dem geschlossenen Integrationsschalter gekoppelt ist.
Am Ende des Integrieren-Modus wird die Photozellenschaltung 10 in
den Halten-Modus
versetzt. Ein Speicherknoten wird in den Umwandlung-Betriebsmodus versetzt,
wenn einer der Ausleseschalter 52, 54 geschlossen
ist (d. h. RA oder RB niedrig
ist). Bei dem Umwandlung-Betriebsmodus wird Ladung durch eine Rücksetznetzleitung
dem mit dem geschlossenen Ausleseschalter gekoppelten Speicherknoten
geliefert. Die Ladung, die benötigt wird,
um die Speicherknotenspannung auf die Rücksetznetzleitungsspannung
(VRESET) einzustellen, entspricht der Strommenge,
die während
des Integrationszeitraums durch den Phototransistor 16 gezogen wird,
und wird durch eine (nicht gezeigte) Ausleseschaltung in ein digitales
Wort umgewandelt.
-
Im
Betrieb werden die Speicherknoten 40, 42 initialisiert,
indem jeder derselben in den Umwandlung-Modus und anschließend den
Halten-Modus versetzt wird. Als Nächstes wird ein erster der
Speicherknoten in den Integrieren-Modus und anschließend in
den Halten-Modus versetzt. Während
die Ausleseschaltung den ersten Speicherknoten verarbeitet, wird
der zweite der Speicherknoten in den Integrieren-Modus und anschließend in
den Halten-Modus versetzt. Auf diese Weise können die Speicherknoten 40, 42 gleichzeitig
arbeiten, so dass Bilddaten von der Photodetektorschaltung 12 während des
Auslesens gesammelt werden können.
Dieses Merkmal vermeidet die beträchtlichen Nicht-Integration-Zeiträume, die
oft Abtastschemata charakterisieren, bei denen die Integrations-
und Auslese-(oder Umwandlungs-)Funktionen sequentiell durchgeführt werden,
insbesondere wenn in einem mit einem Verschluss versehenen, nicht-rollenden Abbildungsmodus
gearbeitet wird.
-
Unter
Bezugnahme auf 2 umfasst eine Photozellenschaltung 60 bei
einem anderen Ausführungsbeispiel
eine Photodetektorschaltung 12, eine Mehrintegratorschaltung 14,
eine Verschlussschaltung 62 und einen Ausgangsschalter 64.
Die Operationen der Photodetektorschaltung 12 und der Mehrintegratorschaltung 14 sind
dieselben wie die der entsprechenden Schaltungen, die in Verbindung mit
der Photozellenschaltung 10 der 1 beschrieben
wurden. Bei diesem Ausführungsbeispiel
sind die Integrationsschalter 48, 50 und die Ausleseschalter 52, 54 jedoch über Kreuz
gekoppelt, so dass ein jeweiliges Paar von Eingangssteuerleitungen
A, B eine Speicherung einer Photodetektorausgangsknotenabtastung
an einem Speicherknoten und eine gleichzeitige Präsentation
einer gespeicherten Photodetektorausgangsknotenabtastung von dem anderen
Speicherknoten steuern. Insbesondere sind die Gatter des Integrationstransistors 48 und
des Auslesetransistors 54 mit einer gemeinsamen Steuerleitung
(A) gekoppelt, und die Gatter des Integrationstransistors 50 und
des Auslesetransistors 52 sind mit einer gemeinsamen Steuerleitung
(B) gekoppelt. Der Ausgangstransistor 22 der Photodetektorschaltung 12 kooperiert
mit einem Isolationstransistor 66 der Verschlussschaltung 62,
um eine „Verschluss"-Funktion zu liefern.
Insbesondere wenn das Ausgangssteuersignal INT niedrig ist, wird
der Ausgangstransistor 22 abgeschaltet und der Isolationstransistor 66 wird
eingeschaltet, was verhindert, dass durch die Netzleitung VDD Strom geliefert wird, und was ermöglicht,
dass die Mehrintegratorschaltung 14 den Ausgangsknoten 36 abtastet.
Wenn das Ausgangssteuersignal INT hoch ist, wird der Ausgangstransistor 22 eingeschaltet
und der Isolationstransistor 66 wird ausgeschaltet, was
ermöglicht,
dass Strom durch die Netzleitung VDD geliefert
wird, und was verhindert, dass die Mehrintegratorschaltung 14 den
Ausgangsknoten 36 abtastet. Der Mehrintegrator-Ausgangsschalter 64 koppelt
den Ausgang der Mehrintegratorschaltung 14 selektiv mit
einer (nicht gezeigten) Ausleseschaltung. Bei diesem Ausführungsbeispiel
wird die Anzahl von Eingangssteuerleitungen relativ zu dem Ausführungsbeispiel
der 1 von fünf
(IA, IB, RA, RB und INT) auf
vier (A, B, RD und INT) reduziert, wobei zusätzliche Photozellenfläche für eine Lichterfassung
durch den Phototransistor 16 frei wird.
-
Die
Eingangssteuersignale A, B, RD und INT können dazu verwendet werden,
die Speicherknoten 40, 42 der Photozellenschaltung 60 in
einen von drei Betriebsmodi zu versetzen: Halten, Integrieren und Umwandlung
(oder Auslesen). Ein Speicherknoten wird in den Halten-Modus versetzt,
wenn die Integrations-, Ausleseschalter 48–54 und
der Isolati onsschalter 66 offen sind (d. h. A, B und INT
hoch sind). In dem Halten-Betriebsmodus werden die Ladungen an den
Speicherknoten 40, 42 isoliert und gehalten. Ein
Speicherknoten wird in den Integrieren-Modus versetzt, wenn einer
der Integrationsschalter geschlossen ist, der Isolationsschalter 66 geschlossen ist
und der Ausleseschalter 64 offen ist (d. h. entweder A
oder B niedrig ist und INT und RD niedrig sind). Bei dem Integrieren-Betriebsmodus
wird der mittels Licht erzeugte Strom, der durch den Phototransistor 16 gezogen
wird, durch die Ladung geliefert, die an dem Speicherknoten gespeichert
ist, der mit dem geschlossenen Integrationsschalter gekoppelt ist.
Am Ende des Integrieren-Modus wird die Photozellenschaltung 60 in
den Halten-Modus versetzt. Ein Speicherknoten wird in den Umwandlung-Betriebsmodus versetzt,
wenn einer der Ausleseschalter 52, 54 geschlossen
ist und der Ausgangsschalter 64 geschlossen ist (d. h.
entweder A oder B niedrig ist und RD hoch ist). Bei dem Umwandlung-Betriebsmodus
wird Ladung durch eine Rücksetznetzleitung
dem mit dem geschlossenen Ausleseschalter gekoppelten Speicherknoten
geliefert. Die Ladung, die benötigt
wird, um die Speicherknotenspannung auf die Rücksetznetzleitungsspannung
(VRESET) einzustellen, entspricht der Strommenge,
die während
des Integrationszeitraums durch den Phototransistor 16 gezogen wird,
und wird durch eine (nicht gezeigte) Ausleseschaltung in ein digitales
Wort umgewandelt.
-
Im
Betrieb werden die Speicherknoten 40, 42 initialisiert,
indem jeder derselben in den Umwandlung-Modus und anschließend den
Halten-Modus versetzt wird. Als Nächstes wird ein erster der
Speicherknoten in den Integrieren-Modus und anschließend in
den Halten-Modus versetzt. Während
die Ausleseschaltung den ersten Speicherknoten verarbeitet, wird
der zweite der Speicherknoten in den Integrieren-Modus und anschließend in
den Halten-Modus versetzt. Auf diese Weise können die Speicherknoten 40, 42 gleichzeitig
arbeiten, so dass Bilddaten von der Photodetektorschaltung 12 während des
Auslesens gesammelt werden können.
Dieses Merkmal vermeidet die beträchtlichen Nicht-Integration-Zeiträume, die
oft Abtastschemata charakterisieren, bei denen die Integrations-
und Auslese- (oder Umwandlungs-) Funktionen sequentiell durchgeführt werden,
insbesondere wenn in einem mit einem Verschluss versehenen, nicht-rollenden Abbildungsmodus
gearbeitet wird.
-
Unter
Bezugnahme auf 3 umfasst eine Photozellenschaltung 70 bei
einem anderen Ausführungsbeispiel
eine Mehrintegratorschaltung 14 und eine modifizierte Photodetektorschaltung 72,
die dieselben Schaltungselemente umfasst wie die Photodetektorschaltung 12 der 1,
mit der Ausnahme, dass die Photodetektorschaltung 72 einen
zusätzlichen
Ausgangstransistor 74 umfasst. Ferner werden die Ausgangstransistoren 22, 74 der
Photodetektorschaltung 72 durch Steuerleitungen IA bzw. IB gesteuert.
Bei diesem Ausführungsbeispiel
wird die Anzahl von Eingangssteuerleitungen relativ zu dem Ausführungsbeispiel
der 1 von fünf
(IA, IB, RA, RB und INT) auf
vier (IA, IB, RA und RB) reduziert,
wobei Fläche
für eine
Lichterfassung durch den Phototransistor 16 frei wird.
-
Die
Eingangssteuersignale IA, IB,
RA und RB können dazu
verwendet werden, die Speicherknoten 40, 42 der
Photozellenschaltung 70 in einen von drei Betriebsmodi
zu versetzen: Halten, Integrieren und Umwandlung (oder Auslesen).
Ein Speicherknoten wird in den Halten-Modus versetzt, wenn die Integrations-
und Ausleseschalter 48–54 offen
sind und die Photodetektorausgangsschalter 22, 74 geschlossen sind
(d. h. IA, IB, RA und RB hoch sind).
In dem Halten-Betriebsmodus
werden die Ladungen an den Speicherknoten 40, 42 isoliert
und gehalten. Ein Speicherknoten wird in den Integrieren-Modus versetzt,
wenn einer der Integrationsschalter geschlossen ist und ein entsprechender
der Photodetektorausgangsschalter 22, 74 offen
ist (d. h. IA oder IB niedrig
ist und RA bzw. RB hoch
ist). Bei dem Integrieren-Betriebsmodus
wird der mittels Licht erzeugte Strom, der durch den Phototransistor 16 gezogen wird,
durch die Ladung geliefert, die an dem Speicherknoten gespeichert
ist, der mit dem geschlossenen Integrationsschalter gekoppelt ist.
Am Ende des Integrieren-Modus wird die Photozellenschaltung 70 in
den Halten-Modus versetzt. Ein Speicherknoten wird in den Umwandlung-Betriebsmodus
versetzt, wenn einer der Ausleseschalter 52, 54 geschlossen ist
(d. h. RA oder RB niedrig
ist). Bei dem Umwandlung-Betriebsmodus wird Ladung durch eine Rücksetznetzleitung
dem mit dem geschlossenen Ausleseschalter gekoppelten Speicherknoten
geliefert. Die Ladung, die benötigt
wird, um die Speicherknotenspannung auf die Rücksetznetzleitungsspannung (VRESET) einzustellen, entspricht der Strommenge,
die während
des Integrationszeitraums durch den Phototransistor 16 gezogen
wird, und wird durch eine (nicht gezeigte) Ausleseschaltung in ein
digitales Wort umgewandelt.
-
Im
Betrieb werden die Speicherknoten 40, 42 initialisiert,
indem jeder derselben in den Umwandlung-Modus und anschließend den
Halten-Modus versetzt wird. Als Nächstes wird ein erster der
Speicherknoten in den Integrieren-Modus und anschließend in
den Halten-Modus versetzt. Während
die Ausleseschaltung den ersten Speicherknoten verarbeitet, wird
der zweite der Speicherknoten in den Integrieren-Modus und anschließend in
den Halten-Modus versetzt. Auf diese Weise können die Speicherknoten 40, 42 gleichzeitig
arbeiten, so dass Bilddaten von der Photodetektorschaltung 12 während des
Auslesens gesammelt werden können.
Dieses Merkmal vermeidet die beträchtlichen Nicht-Integration-Zeiträume, die
oft Abtastschemata charakterisieren, bei denen die Integrations-
und Auslese-(oder Umwandlungs-)Funktionen sequentiell durchgeführt werden,
insbesondere wenn in einem mit einem Verschluss versehenen, nicht-rollenden Abbildungsmodus
gearbeitet wird.
-
Jede
der oben beschriebenen Photozellenschaltungen kann in ein optisches
Sensorarray für eine
tragbare, in der Hand zu haltende Scanvorrichtung oder eine optische
Computermaus integriert werden. Beispielsweise können diese Ausführungs beispiele
in optische Sensorarrays für
eine oder mehr der in der Hand zu haltenden Scanvorrichtungen integriert
werden, die in den U.S.-Patentschriften Nrn. 6,037,643 und 5,769,384,
von denen jede durch Bezugnahme in das vorliegende Dokument aufgenommen
ist, beschrieben sind.
-
Andere
Ausführungsbeispiele
fallen in den Schutzumfang der Patentansprüche.
-
Beispielsweise
wurde jede der Mehrintegratorschaltungen 14 zusammen mit
bestimmten Photodetektorschaltungen 12, 72 beschrieben.
Bei anderen Ausführungsbeispielen
können
jedoch Mehrintegratorschaltungen 14 verwendet werden, um
eine beliebige einer großen
Bandbreite unterschiedlicher Photodetektorschaltungen, einschließlich einer
relativ einfachen Photodiodenschaltung, abzutasten.
-
Bei
anderen Ausführungsbeispielen
können eine
oder mehr der oben beschriebenen Schaltungen umgedreht werden, um
dieselben jeweiligen Funktionen bei NMOS-zu-PMOS-Dualität und PNP-zu-NPN-Dualität sowie
VDD-und-GND-Dualität zu
liefern. Außerdem
können
die Speicherknoten, obwohl die kapazitiven Speicherknoten bei jedem
der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele
durch NMOS-Vorrichtungen implementiert sind, bei anderen Ausführungsbeispielen
durch lineare Kondensatoren, Metall oder Poly implementiert werden.
-
Wieder
andere Ausführungsbeispiele
fallen in den Schutzumfang der Patentansprüche.